三极管饱和区
npn三极管饱和时点位
npn三极管饱和时点位1. 什么是三极管饱和三极管是一种常用的电子器件，广泛应用于电子电路中。
当三极管被正向极化时，电子会从发射极流向集电极，从而放大电流。
而三极管饱和指的是当输入电流较大时，三极管无法进一步放大电流，输出电流已经达到饱和状态。
2. 三极管的结构三极管由三个区域组成，分别是发射区、基区和集电区。
发射区掺杂有大量的载流子，基区掺杂较少，而集电区则掺杂更多。
这种不同的掺杂使得三极管具有放大特性。
2.1 发射区发射区的掺杂浓度较高，通常为n型掺杂，也有可能是p型掺杂。
发射区负责发射电子或空穴。
2.2 基区基区的掺杂浓度较低，通常为p型掺杂，也有可能是n型掺杂。
基区决定了三极管的工作特性。
2.3 集电区集电区的掺杂浓度较高，通常为n型掺杂，也有可能是p型掺杂。
集电区负责收集电子或空穴。
3. npn三极管饱和时点位的确定npn三极管饱和时点位的确定需要考虑两个重要参数：输入电流和负载电阻。
3.1 输入电流输入电流即流入三极管基极的电流。
当输入电流较小时，三极管处于放大状态；当输入电流较大时，三极管进入饱和状态。
因此，饱和时点位的确定与输入电流有密切关系。
3.2 负载电阻负载电阻是连接到三极管集电极上的负载元件。
负载电阻的大小会影响三极管的工作状态。
当负载电阻较小时，饱和时点位会提前；当负载电阻较大时，饱和时点位会延后。
4. 影响npn三极管饱和时点位的因素除了输入电流和负载电阻外，还有其他几个因素会影响npn三极管饱和时点位的确定。
4.1 环境温度环境温度的升高会导致npn三极管内部电阻的增加，从而使饱和时点位发生变化。
4.2 三极管的工作条件三极管的工作条件包括正向电压、工作电流以及电源电压等。
不同的工作条件会导致饱和时点位的差异。
4.3 三极管的封装和结构不同的封装和结构也会对饱和时点位产生影响。
例如，大功率三极管和小功率三极管的饱和时点位可能存在差异。
4.4 电路布局和线路长度电路布局和线路长度的差异会导致线路阻抗的改变，从而影响三极管的饱和时点位。
3极管的三种工作状态
3极管的三种工作状态引言三极管（transistor）是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
它是一种半导体器件，由三个区域组成：发射区、基区和集电区。
三极管的工作状态可以分为三种：放大状态、截止状态和饱和状态。
本文将详细介绍三极管的三种工作状态及其特点。
1. 放大状态放大状态是三极管最常见的工作状态之一。
在放大状态下，三极管被用作信号放大器，将输入的弱信号放大到合适的幅度。
放大状态下的三极管可以分为NPN型和PNP型两种。
1.1 NPN型三极管的放大状态NPN型三极管中，发射区掺杂为N型半导体，基区掺杂为P型半导体，集电区掺杂为N型半导体。
在放大状态下，NPN型三极管的工作原理如下：1.电流流向：当输入信号施加到基极时，基极电流（IB）会引起发射极电流（IE）的变化，进而控制集电极电流（IC）的变化。
这种电流放大的作用使得输入信号能够被放大。
2.放大倍数：NPN型三极管的放大倍数由集电极电流和基极电流的比值（IC/IB）决定。
一般来说，NPN型三极管的放大倍数较高，可以达到几十到几百倍。
3.特点：放大状态下的NPN型三极管具有低输入阻抗、高输出阻抗、大电流放大倍数等特点。
1.2 PNP型三极管的放大状态PNP型三极管中，发射区掺杂为P型半导体，基区掺杂为N型半导体，集电区掺杂为P型半导体。
PNP型三极管的放大状态与NPN型三极管类似，但电流的流向相反。
1.电流流向：当输入信号施加到基极时，基极电流（IB）会引起发射极电流（IE）的变化，进而控制集电极电流（IC）的变化。
这种电流放大的作用使得输入信号能够被放大。
2.放大倍数：PNP型三极管的放大倍数由集电极电流和基极电流的比值（IC/IB）决定。
一般来说，PNP型三极管的放大倍数较高，可以达到几十到几百倍。
3.特点：放大状态下的PNP型三极管具有低输入阻抗、高输出阻抗、大电流放大倍数等特点。
2. 截止状态截止状态是三极管的一种工作状态，也称为关断状态。
模电中三极管饱和及深度饱和状态的界定
模电中三极管饱和及深度饱和状态的界定三极管饱和问题总结：1.在实际中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。
根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。
2.集电极电阻越大越容易饱和；3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制问题：基极电流达到多少时三极管饱和？解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K，VCC是5V，饱和时电阻通过电流最大也就是5mA，用除以该管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA，那么基极电流大于50μA就可以饱和。
对于9013、9012而言，饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V。
下面是9013的特性表：问题：如何判断饱和？判断饱和时应该求出基级最大饱和电流IBS，然后再根据实际的电路求出当前的基级电流，如果当前的基级电流大于基级最大饱和电流，则可判断电路此时处于饱和状态。
饱和的条件： 1.集电极和电源之间有电阻存在且越大就越容易管子饱和；2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b较c电压高的情况。
影响饱和的因素：1.集电极电阻越大越容易饱和；2.管子的放大倍数放大倍数越大越容易饱和；3.基集电流的大小；饱和后的现象：1.基极的电压大于集电极的电压；2.集电极的电压为0.3左右，基极为0.7左右（假设e极接地）谈论饱和不能不提负载电阻。
假定晶体管集-射极电路的负载电阻（包括集电极与射极电路中的总电阻）为R，则集-射极电压Vce=VCC-Ib*hFE*R，随着Ib的增大，Vce减小，当Vce<0.6V时，B-C结即进入正偏，Ice已经很难继续增大，就可以认为已经进入饱和状态了。
当然Ib如果继续增大，会使Vce再减小一些，例如降至0.3V甚至更低，就是深度饱和了。
三极管 饱和 截止 放大
三极管饱和截止放大三极管是一种常用的电子元件，具有饱和、截止和放大等特性。
在电子电路中，三极管的工作状态可分为饱和状态、截止状态和放大状态。
本文将详细介绍三极管的这三种状态及其在电路中的应用。
一、饱和状态饱和状态是指三极管的输入电流较大，输出电流达到最大值的状态。
当三极管处于饱和状态时，其集电极-发射极之间的电压较低，且接近于零。
此时，三极管的输出电流几乎不受控制，主要由输入电流决定。
饱和状态的三极管具有低电压降和高电流增益的特点，适用于需要大电流放大的电路中。
二、截止状态截止状态是指三极管的输入电流较小，输出电流几乎为零的状态。
当三极管处于截止状态时，其集电极-发射极之间的电压较高，且接近于电源电压。
此时，三极管的输出电流非常小，可以忽略不计。
截止状态的三极管可以用于开关电路中，通过控制输入电流的大小来控制输出电路的开关状态。
三、放大状态放大状态是指三极管的输入电流适中，输出电流经过放大的状态。
当三极管处于放大状态时，其集电极-发射极之间的电压介于饱和状态和截止状态之间。
此时，三极管的输出电流受到输入电流和电压的控制，可以实现信号的放大。
放大状态的三极管被广泛应用于放大电路中，用于增强信号的幅度。
在实际电路中，三极管的工作状态可以通过控制输入电流和输入电压来实现。
当输入电流和输入电压适合三极管的工作状态要求时，三极管可以正常工作并实现相应的功能。
因此，在电路设计中，需要根据具体的应用需求选择合适的工作状态。
三极管的饱和、截止和放大状态在电子电路中扮演着重要的角色。
饱和状态适用于需要大电流放大的电路，如功放电路；截止状态适用于开关电路，如触发器电路；放大状态适用于信号放大电路，如放大器电路。
了解三极管的这三种状态及其应用，对于电子电路的设计和实现具有重要的意义。
三极管的饱和、截止和放大状态是其常见的工作状态。
饱和状态适用于大电流放大，截止状态适用于开关控制，放大状态适用于信号放大。
在电路设计中，根据具体需求选择合适的工作状态，能够实现电路的正常工作和功能实现。
三极管的饱和管压降
三极管的饱和管压降
三极管在饱和区的压降通常称为饱和压降，也被称为饱和电压。
在饱和状态，三极管的集电极和发射极之间的电压降低到一个较低的值。
饱和压降的具体数值取决于特定的三极管型号和工作条件。
对于常见的NPN 型三极管，饱和压降（Vce_sat）通常在0.1 到0.3 之间，单位是伏特。
这意味着在饱和状态下，集电极相对于发射极的电压降低到这个范围内的值。
对于PNP 型三极管，饱和压降的正负号相反，但数值类似。
要注意的是，这些数值是一般性的指导值，实际的三极管型号和制造商可能会有一些差异。
此外，饱和压降还受到工作电流、温度和器件参数等因素的影响。
饱和压降是指在三极管工作于饱和区时，集电极（collector）和发射极（emitter）之间的电压降。
在三极管的饱和状态下，集电极和发射极之间的电压降相对较小。
具体而言，在NPN 型三极管中，饱和压降（VCE_sat V CE_sat）是指集电极相对于发射极的电压，通常在0.1 到0.3 伏特的范围内。
这意味着，当三极
管工作于饱和状态时，集电极和发射极之间的电压会降低到这个较小的范围。
饱和压降的数值取决于具体的三极管型号和制造商。
一般而言，数据手册提供了关于饱和压降的详细信息，包括在不同工作条件下的典型值和极限值。
在实际电路设计中，了解和考虑饱和压降是非常重要的，因为它直接影响了三极管在饱和状态下的电压性能。
在一些应用中，特别是需要高精度的电路中，工程师可能需要详细研究和考虑饱和压降以确保电路的准确性和稳定性。
三极管截止区放大区和饱和区详解
三极管截止区放大区和饱和区详解
三极管在硬件设计中太过普遍了，不过要很好的理解三级管的特性，却没有那么简洁，下图的曲线中截止区和放大区理解较为简单，而饱和区不能看图理解，否则会很模糊。
（1）截止区：简洁的讲就是三极管未导通，Ube打开电压，一般是小于0.5或者0.7V，此时Ib=0，Ic=Iceo≈0.
（2）放大区：放射结正偏（Ube0）,集电结反偏（Ubc0），此时Ic=βIb，成线性放大关系。
（3）饱和区：放射结正片，集电结正偏（UceUbe）,βIbIc,Uce≈0.3V。
饱和区的理解较犯难，简洁的讲有两种状况下会消失饱和区，一是集电极供电电压低，另外一种状况是随着基极电流Ib的不断增大，集电极电流不行能始终线性倍数增大，当基极电流增大到肯定数值后，集电极的电流就不变了，此时会消失一个临界值，会导致集电结反偏，进而消失饱和区。
可见，进入饱和区的一个重要点就是要Ib足够大。
在这里不要对比下图曲线，这个曲线会让你更模糊，记住概念就好。
对于集电极电压，需要根据公式Uce=VCC-βIb 来计算，随着Ib的增大，Uce会减小，这样就会消失UbeUce即集电结正偏的状况。
在嵌入式中常用三极管的截止区和饱和区协作实现“开关”的原理，当三极管处于截止区时，“开关”打开，Uce≈VCC，当三极管处于饱和区时，“开关”关闭，Uce≈0V.驱动三极管在截止区和饱和区之间进行切换，需要CPU输出脉冲信号，只有凹凸电平，而不是模拟信号。
三极管饱和导通压降
三极管饱和导通压降
三极管饱和导通压降是指在三极管工作于饱和区时，从集电极到发射极的电压降。
在饱和区，三极管的基极-发射极正极性
为正，集电极-发射极正极性为负，因此导通压降是集电极电
压减去发射极电压。
在三极管饱和导通时，一般有以下几种情况：
1. NPN型三极管饱和导通：当基极电压高于基极-发射极的压
降（一般为0.6V），且集电极电压低于发射极电压时，三极
管处于饱和导通状态。
此时，由于集电结正向偏置，集电极电压减去发射极电压通常为几百毫伏到1V之间。
2. PNP型三极管饱和导通：当基极电压低于基极-发射极的压
降（一般为0.6V），且集电极电压高于发射极电压时，三极
管处于饱和导通状态。
此时，由于集电结反向偏置，集电极电压减去发射极电压通常为几百毫伏到1V之间。
总的来说，三极管饱和导通压降取决于三极管的类型和工作状态。
在实际电路设计中，需要考虑导通压降对电路性能的影响，并选择合适的三极管和电路参数。
三极管 饱和状态
三极管饱和状态三极管是一种重要的电子器件，广泛应用于电子技术领域。
在三极管的工作状态中，饱和状态被认为是其中最重要的一种。
饱和状态是指三极管导通时，集电极与基极之间的电压小于其阈值，且在输入信号范围内，输出信号的变化极小。
下面将从三极管原理、饱和状态特征、饱和状态的应用以及饱和状态的优化方面进行详细介绍。
首先，我们需要了解三极管的原理。
三极管由三层半导体材料构成，包括P型半导体材料和两个N型半导体材料。
其中，P型半导体材料是基极，两个N型半导体材料分别是发射极和集电极。
通过外加电压和输入信号的作用，可以控制三极管的导通和截止状态。
接下来，我们将介绍三极管的饱和状态特征。
当输入信号使基极-发射极电压大于三极管的阈值电压时，三极管会进入饱和状态。
此时，集电极-发射极电压小于或等于零，基极电流和集电极电流之间有较大的放大作用。
饱和状态的应用非常广泛。
在数字电路中，三极管的饱和状态被用于实现逻辑门电路。
常见的与门、或门、非门等逻辑门电路都可以通过三极管的饱和状态来实现。
此外，在放大电路中，饱和状态也是一种常用的工作状态。
通过合理选择电路参数和输入信号，可以实现放大信号的目的。
然而，饱和状态在实际应用中也存在一些问题，如功耗较高、信号失真等。
为了优化饱和状态的性能，可以采取一些措施。
例如，选择适当的输入信号幅值和频率，减小电路中的接地电阻，优化电路布局等。
这些措施可以有效地降低功耗，减小信号失真，提高饱和状态的工作效果。
综上所述，三极管的饱和状态是一种重要的工作状态。
在理解其原理和特征的基础上，我们可以将其应用于数字电路和放大电路中。
同时，为了优化饱和状态的性能，我们还可以采取一些措施。
通过不断地学习和研究，我们可以更好地理解三极管的饱和状态，并在实际应用中发挥其作用。
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从晶体管特性曲线看饱和问题
由于原来的Vce仅画到2.0V为止，为了说明方便，我向右延伸到了4.0V。
如果电源电压为V，负载电阻为R，那么Vce与Ic受以下关系式的约束：
Ic = (V-Vce)/R
在晶体管的输出特性曲线图上，上述关系式是一条斜线，斜率是 -1/R，X轴上的截距是电源电压V，Y轴上的截距是V/R（也就是前面NE5532第2帖
说的“Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限”）。
这条斜线称为“静态负载线”（以下简称负载线）。
各个基极电流Ib值的曲线与负
载线的交点就是该晶体管在不同基极电流下的工作点。
见下图：
图中假定电源电压为4V，绿色的斜线是负载电阻为80欧姆的负载线，V/R=50MA，图中标出了Ib分别等于0.1、0.2、0.3、0.4、0.6、1.0mA的工作点A、B、C、D、E、F。
据此在右侧作出了Ic与Ib的关系曲线。
根据这个曲线，就比较清楚地看出“饱和”的含义了。
曲线的绿色段是线性放大区，Ic随Ib的增大几乎成线性地快速上升，可以看出β值约为200。
兰色段开始变弯曲，斜率逐渐变小。
红色段就几乎变成水平了，这就是“饱和”。
实际上，饱和是一个渐变的过程，兰色段也可以认为是初始进入饱和的区段。
在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条
件。
在图中就是假想绿色段继续向上延伸，与Ic=50MA的水平线相交，交点对应的Ib值就是临界饱和的Ib值。
图中可见该值约为0.25mA。
由图可见，根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。
图中还画出了负载电阻为200欧姆时的负载线。
可以看出，对应于Ib=0.1mA，负载电阻为80欧姆时，晶体管是处于线性放大区，而负载电阻200欧姆时，已经接近进入饱和区了。
负载电阻由大到小变化，负载线以Vce=4.0为圆心呈扇状向上展开。
负载电阻越小，进入饱和状态所需要的Ib值就越大，饱和状态下的C-E压降也越大。
在负载电阻特别小的电路，例如高频谐振放大器，集电极负载是电感线圈，直流电阻接近0，负载线几乎成90度向上伸展（如图中的红色负载线）。
这样的电路中，晶体管直到烧毁了也进入不了饱和状态。
以上所说的“负载线”，都是指直流静态负载线；“饱和”都是指直流静态饱和。
to 杨真人：谢谢你的夸奖。
不过我的名字同那位外国作家没有关系，还是别那样叫。
对于你说的以IC/IB=1为饱和点，我深感惊讶。
不知道你是从哪里得出这个结论的？还是以上面的图为例，Ib=1mA就已经充分饱和了。
按照你的观点，难道要到Ib=50MA才算饱和吗？我认为，大多数电子技术人员，都是晶体管的使用者，只要了解它的外部特性就行了。
除非是研制、生产晶体管的科技人员，对于内部的工作原理，没有必要去深究。
个人看法，不一定对。
自己总结：
1.共集电极三极管是达不到饱和的；所以在集电极串联一个电阻来满足条件。
如下图
蓝贴：
饱和区：特征是发射极和集电极均处于正向偏量。
对于共射电路，Ube>Uon 且Uce<Ube（切记，此等式只针对于共射电路；只要牢牢把握蓝贴的意思就能准确的设计三极管饱和电路）。