9晶体管放大电路的三种接法
模拟电子技术基础考试试题答案
一、填空（共20空，每空1分，共20分，所有答案均填写在答题纸上）1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。
2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在区时，关系式Ic Ib才成立。
3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。
4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。
5、在绘制放大电路的交流通路时，视为短路，视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。
6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。
7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。
8、放大电路的直流通路用于研究。
9、理想运放的两个输入端虚短是指。
10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。
若输出电压置零后反馈仍然存在则为。
11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。
12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。
13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。
14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。
二、单项选择题（共10题，每题2 分，共20分；将正确选项的标号填在答题纸上）1、稳压二极管的反向电流小于Izmin时，稳压二极管。
A：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大C：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小2、如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为。
A：饱和状态B：截止状态C：放大状态D：不能确定3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。
关于这两只三极管，正确的说法是。
图1(a) 图1(b) 图2A：（b）图中电流为5.1mA的电极为发射极。
模电判断100题
模电判断100题1. （）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
答案:错. 两级接在一起，第二级就是第一级的负载，加了负载，放大倍数就会减小2.（）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。
答案:对.阻容耦合，中间有隔直电容，只能传递交流，不能传递直流.所以能放大交流，但Q独立。
3.（）放大电路的输出电阻越小，称为放大电路的带负载能力越强。
答案：对4. （）只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
答案：错5. （）在环境温度升高时，二极管的正向压降将减小。
答案：对。
在环境温度升高1度，二极管的正向压降将减小2-2.5mV6. （）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
答案：错7. （）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
答案：对8. （）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
答案：错。
半导体是不带电的，无论是N还是P。
多子是电子的，会相应的有正离子存在，整个半导体是中性。
9. （）图中电路能放大正弦信号。
答案：不能。
画交流通路。
Vbb把Ui短路了。
10. 图2为图1放大电路的交流等效电路。
答案：错，多Re11.放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。
答案：错。
因为放大倍数稳定决定于1+AF。
12.若放大电路的放大倍数为负倍数，则引入的反馈一定是负反馈。
答案：错。
负反馈与放大倍数正负无关，比如同相比例电路。
放大倍数是正，反馈是负。
13.运算电路中一般均引入负反馈。
答案：对。
14.若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电流基本不变。
答案：错。
因为没说引入的是什么（电压或电流）负反馈。
该是电流负反馈。
15.负反馈放大电路的放大倍数一定比组成它的基本放大电路的放大倍数小。
答案：对。
负反馈，净输入减小。
所以输出会减小，，输出比原始输入肯定减小。
输出/原始输入。
从晶体管电路方面来理解放大原理!对晶体管饱和、饱和压降的理解
从晶体管电路方面来理解放大原理!对晶体管饱和、饱和压降的理解众所周知，一个普通的双极型晶体管有二个PN结、三种工作状态(截止、饱和、放大)和四种运用接法(共基、共发、共集和倒置)。
对这两个PN结所施加不同的电位，就会使晶体管工作于不同的状态：两个PN结都反偏——晶体管截止;两个PN结都导通——晶体管饱和：一个PN结正偏，一个PN结反偏——晶体管放大电路(注意：如果晶体管的发射结反偏、集电结正偏，就是晶体管的倒置放大应用)。
要理解晶体管的饱和，就必须先要理解晶体管的放大原理。
从晶体管电路方面来理解放大原理，比较简单：晶体管的放大能力，就是晶体管的基极电流对集电极电流的控制能力强弱。
控制能力强，则放大大。
但如果要从晶体管内部的电子、空穴在PN结内电场的作用下，电子、空穴是如何运动的、晶体管的内电场对电子、空穴是如何控制的等一些物理过程来看，就比较复杂了。
对这个问题，许多教课书上有不同的描述。
我对此问题的理解是：当晶体管处于放大状态时，基极得到从外电源注入的电子流，部分会与基区中的空穴复合，此时产生的复合电流，构成了基极电流的主体。
由于此时晶体管是处于放大状态，故集电结处于反偏。
又因集电结的反偏，就在此PN结的内部，就形成了一个强电场，电场的方向由集电极指向基极，即集电极为正，基极为负。
也就是说，在此PN结(集电结)联接集电极的一端，集中了大量带正电的空穴。
当从基极注入的电子流进入基区后，一部分与基区内部的空穴进行了复合，而大部分电子则在强电场的作用下，被“拉”到了集电极，这种被电场“拉”到集电极的电子流，构成了集电极电流的主要组成部分。
由于从基极注入的电子流，只有很少一部分在基区被复合，大部分电子是在集电结的强电场的作用下，集中到了集电极，构成了集电极电流的主体，所以，此时的集电极电流要远大于从基极注入的电流，这就是晶体管放大功能的物理模型。
此时，是以NPN型晶体管进行举例。
如果是PNP型晶体管，则只要把晶体管的极性由正换成负就行。
模拟电子技能技术总结基础试题汇总附有答案
精心整理模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将(A)。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管(D)3.A.4.5.生(B)6.(B)。
A ：B ：C ：D 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q 2点移动到Q 3点可能的原因是 。
A ：集电极电源+V CC 电压变高B ：集电极负载电阻RC 变高C ：基极电源+V BB 电压变高D ：基极回路电阻R b 变高。
8.直流负反馈是指(C)A.存在于RC耦合电路中的负反馈B.放大直流信号时才有的负反馈C.直流通路中的负反馈D.只存在于直接耦合电路中的负反馈9.负反馈所能抑制的干扰和噪声是(B)A输入信号所包含的干扰和噪声B.反馈环内的干扰和噪声C.反馈环外的干扰和噪声D.输出信号中的干扰和噪声10.在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为(A)A.－2.5VB.－5VC.－6.5VD.－7.5V11.在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV,△υS2=60mV,则差模输12.(C)。
13.14.15.多级负反馈放大电路在(A)情况下容易引起自激。
A.回路增益F A 大B反馈系数太小C.闭环放大倍数很大D.放大器的级数少16.LC正弦波振荡电路如图1-9所示，该电路(D)。
A.由于无选频网络不能产生正弦波振荡B.由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡C.满足振荡条件能产生正弦波振荡D.由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡图1-9图1-1017.图1-10所示电路出现故障，经测量得知V E =0，V C =V CC ，故障的可能原因为(D)。
A.R c 开路B.R c 短路C.R e 短路D.R b1开路(C)。
19.20.21.差模o V A.125mVB.1000mVC.250mVD.500mV22.对于图所示的复合管，假设1CEO I 和2CEO I 分别表示T 1.T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为(D)。
模电复习试题讲解
【例4-1】三个两级放大电路如下图所示，已知图中所有晶体管的β均为100，r be 均为1 k Ω，所有电容均为10 μF ，V CC 均相同。
填空： （1）填入共射放大电路、共基放大电路等电路名称。
图（a ）的第一级为_________，第二级为_________；图（b ）的第一级为_________，第二级为_________；图（c ）的第一级为_________，第二级为_________。
（2）三个电路中输入电阻最大的电路是_________，最小的电路是_________；输出电阻最大的电路是_________，最小的电路是_________；电压放大倍数数值最大的电路是_________；低频特性最好的电路是_________；若能调节Q 点，则最大不失真输出电压最大的电路是_________；输出电压与输入电压同相的电路是_________。
【相关知识】晶体管放大电路三种接法的性能特点，多级放大电路不同耦合方式及其特点，多级放大电路动态参数与组成它的各级电路的关系。
【解题思路】（1）通过信号的流通方向，观察输入信号作用于晶体管和场效应管的哪一极以及从哪一极输出的信号作用于负载，判断多级放大电路中各级电路属于哪种基本放大电路。
（2）根据各种晶体管基本放大电路的参数特点，以及单级放大电路连接成多级后相互间参数的影响，分析各多级放大电路参数的特点。
【解题过程】（1）在电路（a ）中，T 1为第一级的放大管，信号作用于其发射极，又从集电极输出，作用于负载（即第二级电路），故第一级是共基放大电路；T 2和T 3组成的复合管为第二级的放大管，第一级的输出信号作用于T 2的基极，又从复合管的发射极输出，故第二级是共集放大电路。
在电路（b ）中，T 1和T 2为第一级的放大管，构成差分放大电路，信号作用于T 1和T 2的基极，又从T 2的集电极输出，作用于负载（即第二级电路），是双端输入单端输出形式，故第一级是（共射）差分放大电路；T 3为第二级的放大管，第一级的输出信号作用于T 3的基极，又从其发射极输出，故第二级是共集放大电路。
晶体管放大电路的三种组态
2.6 三极管放大电路的三种组态
第2章 三极管及其放大电路
(4) 晶体管共基截止频率fα远大于共射截止频率fβ，
因而共基放大电路的频带宽，常用于无线电通讯和
宽频带放大电路。 (5) 当输入恒定时，uce变化引起的ic变化很小， 即共基电路是很好的恒流源电路。
基于这些优点，功率放大和高频放大常采用共
(3) 求解输出电阻 将信号源 U s 短路，保留其内阻Rs ，负载RL开路，输出端 信号源 U 与流入电流 I 之比即为输出电阻。如图2—34 (b)
o
o
所示。
I ( U R R ) o br be s // b r I ( 1 ) I e b
' o
r R // R be s b r R // R R // 3 7 Ω o e e ( 1 )
(1)电压放大倍数
列出输入和输出回路电压方程，即
I r U i b be
' U RL o Au rb e Ui
' U I ( R // R ) I R o c c L b L
其中：
rb e rhb'
26 IE Q
(2)输入电阻
因为
U r I r ' i be b be r i ( 1 I 1 ) I e b
(1)求解电压放大倍数： 列输入回路和输出回路方程
' U I r I ( R // R ) I r ( 1 ) I R i b be ee L b be b L
' U I ( R // R ) ( 1 ) I R o e e L b L
模电第9讲晶体管放大电路的三种接法
Ri与负载有关！
2. 动态分析：输出电阻的分析
3令. U特s为点R零o与，U信o保号留源R内s，阻在有输关出！端加Uo，得RRRoo：RUUoRReeeoo∥UUIIUIooooo((oR111bUUIIIRRrooReeUUbeU))eooRRoIIbbIUUeeeoo
rrbe be
输入电阻大，输出电阻小；只放大电流，不放大电压； 在一定条件下有电压跟随作用！
二、基本共基放大电路
1. 静态分析
U BEQ IEQRe VBB ICQ Re UCEQ U BEQ VCC
I EQ
ห้องสมุดไป่ตู้
VBB
U BEQ Re
I BQ
I EQ
1
U CEQ VCC IEQRc U BEQ
2. 动态分析
Au
U o U i
Ic Rc IeRe Ibrbe
rbe
Rc (1 )Re
一、基本共集放大电路
1. 静态分析
VBB IBQ Rb UBEQ IEQRe VCC UCEQ IEQRe
I BQ
VBB U BEQ
Rb (1 )Re
IEQ (1 )IBQ
U CEQ VCC I EQ Re
2. 动态分析：电压放大倍数
Au
U o U i
Ib (Rb
Ie Re rbe ) IeRe
(1 )Re
Rb rbe (1 )Re
Uo＜ Ui
故称之为射 极跟随器
若（1＋）Re Rb rbe，则 Au 1，即 Uo Ui 。
2. 动态分析：输入电阻的分析
RL
Ri
Ui Ii
Ui Ib
Rb rbe (1 )Re
模拟电子技术基础精彩试题汇总情况附有问题详解
模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。
( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。
( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。
A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。
B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。
C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。
D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。
A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。
8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。
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U
Ri = Rb + rbe + (1 + β )( Re // RL )
Ri与负载有关！ 与负载有关！
2. 动态分析：输出电阻的分析 动态分析：
−
& Uo
Uo Uo Ro = = Io I Re + I e
+
令Us为零，保留 s，在输出端加 为零，保留R Uo，得： R b + rb e = R e∥ 1+ β Ro与信号源内阻有关！ 与信号源内阻有关！
= 3.9 / /0.033
≈ 33Ω
二、基本共基放大电路 1. 静态分析 共基极放大电路主要作用是高频信号放大， 共基极放大电路主要作用是高频信号放大，频
带宽，共基极放大电路主要作用是高频信号放大，频带宽 带宽，共基极放大电路主要作用是高频信号放大，频带宽.
I EQ
VBB − U BEQ = Re
& & & (1 + β ) Re + rbe (1 + β ) I b Re + I b rbe Ui = Ri = = & & (1 + β ) I b Ie (1 + β )
Ro = Rc
3. 特点：输入电阻小，频带宽！只放大电压， 特点：输入电阻小，频带宽！只放大电压，
不放大电流！（例 不放大电流！（例2.5.2 P115） ！（
I BQ =
I EQ 1+ β
U CEQ = U CBQ + U BEQ = VCC − I CQ Rc + U BEQ ≈ VCC − I EQ Rc + U BEQ
2. 动态分析
& & & Uo I c Rc β I b Rc β Rc & Au = = = & I R +I r & & & R + I r = r + (1 + β ) R Ui (1 + β ) I b e &b be e e b be be e
Uo + (1 + β ) I b Re Uo = Uo Uo + (1 + β ) Re R b + rb e 1 = 1 (1 + β ) + Re R b + rb e
=
Uo
RO
( R b + rb e ) R e = R b + rb e + (1 + β ) R e
综上所述，共集电极放大电路的主要特点是： 综上所述，共集电极放大电路的主要特点是： 1、输入电阻高，传递信号源信号效率高； 、输入电阻高，传递信号源信号效率高； 2、输出电阻低，带负载能力强； 、输出电阻低，带负载能力强； 3、电压放大倍数小于 而接近于 ，且输出电压与输入电压相位 而接近于1， 、电压放大倍数小于1而接近于 相同，具有跟随特性。 相同，具有跟随特性。 因而在实用中，广泛用作输出级或中间隔离级。 因而在实用中，广泛用作输出级或中间隔离级。 需要说明的是：共集电极放大电路虽然没有电压放大作用， 需要说明的是：共集电极放大电路虽然没有电压放大作用， 但仍有电流放大作用，因而有功率放大作用。 但仍有电流放大作用，因而有功率放大作用。 射极输出器的使用 1. 将射极输出器放在电路的首级，可以提高输入电阻。 将射极输出器放在电路的首级，可以提高输入电阻。 2. 将射极输出器放在电路的末级，可以降 低输出电阻，提高 将射极输出器放在电路的末级， 低输出电阻， 带负载能。 带负载能。 3. 将射极输出器放在电路的两级之间，可以起到电路的匹配 将射极输出器放在电路的两级之间， 作用。 作用。
′ RL = RE / / RL 3.9 ×12 = ≈ 2.9 K Ω 3.9 + 12 / (1 + 60) × 2.9 (1 + β ) I B RL = = 0.99 Au = / I B rbe + (1 + β ) I B RL 1.4 + (1 + 60) × 2.9
若图电路中各元件参数为：UCC = 12V，RB= 240 k ，RE= 3.9 k ， RS = 600 ，RL = 12 k ，β= 60，rbb’= 300 C1和C2容量足够大， 试求：Au，Ri，Ro。
I E ≈ I C = β I B = 60 × 25 = 1.5mA
= 25µ A
26mV 26mV ≈ 1.4K Ω rbe = rbb′ + (1 + β ) = 300 + (1 + 60) IE 1.5mA
若图电路中各元件参数为：UCC = 12V，RB= 240 k ，RE= 3.9 k ， RS = 600 ，RL = 12 k ，β= 60，rbb’= 300 C1和C2容量足够大， 试求：Au，Ri，Ro。
U CEQ = VCC − I EQ Re
2. 动态分析：电压放大倍数 动态分析：
& & I e Re Uo & = Au = & & & Ui I b ( Rb + rbe ) + I e Re
(1 + β ) I&b Re = & & I b ( Rb + rbe ) + (1 + β ) I b Re
第九讲
基本放大电路
2.5 晶体管放大电路的三种接法
一、共集电极放大电路 共集电极放大电路又称射极输出器， 共集电极放大电路又称射极输出器 ， 主要作用是 交流电流放大，以提高整个放大电路的带负载能力。 交流电流放大 ， 以提高整个放大电路的带负载能力 。 实用中，一般用作输出级或隔离级。 实用中，一般用作输出级或隔离级。
(1 + β ) Re = Rb + rbe + (1 + β ) Re
& 若（ ＋β）Re >> Rb + rbe，则 Au ≈ 1，即 U o ≈ U i 。 1
2. 动态分析：输入电阻的分析 动态分析：
RL
& & & & I ( R + r ) + (1 + β ) I R I (R + r ) + I R b e e e = b b be R = i = i = b b be i I I I I i b b b = R + r + (1 + β ) R b be e 带负载电阻后
一、基本共集放大电路 1. 静态分析
VBB = IBQRb +UBEQ + IEQRe
VBB − U BEQ = I BQ Rb + (1 + β ) I B Q Re
I EQ = (1 + β ) I BQ
VCC = U CEQ + I EQ Re
I BQ =
VBB − U BEQ Rb + (1 + β ) Re
若图电路中各元件参数为：UCC = 12V，RB= 240 k ，RE= 3.9 k ， RS = 600 ，RL = 12 k ，β= 60，rbb’= 300 C1和C2容量足够大， 试求：Au，Ri，Ro。 解：
U CC − U BE IB = RB + (1 + β ) RE
12 ≈ 240 + (1 + 60) × 3.9
/ Ri = Rb / /[rbe + (1 + β ) RL ]
= 240 / /[1.4 + (1 + 60) × 2.9]
= 240 / /178.3 ≈ 102.3K Ω
rbe + ( RS / / RB ) Ro = Re / / 1+ β
1.4 + (0.6 / /240) = 3.9 / / 1 + 60
三种接法的比较： 三、三种接法的比较：空载情况下
接法 Au Ai Ri Ro 频带 共射 大 β 中 大 窄 共集 小于1 小于 1＋β ＋ 大 小 中 α 小 大 宽 共基 大