项目二 薄膜太阳电池制造工艺
项目二 薄膜太阳电池制造工艺
非晶硅太阳能电池结构图
知识应用
2.P-I-N 结
由于a-Si(非晶硅)多缺陷的特点，a-Si的p-n结是不稳定的，而
且光照时光电导不明显，几乎没有有效的电荷收集。所以，aSi太阳能电池基本结构不是p-n结而是p-i-n结。
掺硼形成P区，掺磷形成n区，i为非杂质或轻掺杂的本征层(因
为非掺杂的a-Si是弱n型)。重掺杂的p、n区在电池内部形成内
知识应用
五、产品实例
保定天威薄膜光伏有限公司非晶硅薄膜组件
任务三 非晶硅/微晶硅薄膜太阳电池制造工艺
任务分析
由于非晶硅具有光致衰减效应（S-W效应）等缺点，故新一代 的硅基薄膜太阳电池技术通常使用双结或多结叠层技术，堆叠其它 具有较高光吸收系数的光吸收层，以减少光能损耗并提高电池转换 效率。国内以正泰太阳能的薄膜非晶硅/微晶硅叠层电池为代表, 即 以非晶硅为顶电池, 以微晶硅为底电池的叠层电池, 是目前获得高效 率高稳定性硅基薄膜太阳电池的最佳途径。
知识应用
三、多晶硅基薄膜的间接制备法
在硅基薄膜的各种直接制备法中，通过调节制备 过程中的关键参数，可以制备出非晶硅和多晶硅基薄 膜。多晶薄膜也可以通过非晶薄膜再结晶方法。固相 晶化法，激光诱导退火，金属诱导晶化。
任务二 非晶硅薄膜太阳电池制造工艺
任务分析
随着技术的进步，目前主流的非晶硅薄膜电池使用寿命已
知识应用
封装工艺
（2） 电池/EVA/PET（或TPT） 适用：一般太阳能应用产品，如应急灯，户用发电系统等 制造工艺流程：电池芯板（或芯板切割→边缘处理）→焊涂锡带→检测→EVA/PET 层压→检测→装边框（边框四周注电子硅胶）→装接线盒（或装插头）→连接线夹 →检测→包装 该方法制造的组件特点：防水性、防腐性、可靠性好，成本高。 （3）电池/EVA/普通玻璃 适用：发电系统等 制造工艺流程：电池芯板→电池四周喷砂或激光处理（10mm）→超声焊接→检测 →层压（电池/EVA/经钻孔的普通玻璃）→装边框（或不装框）→装接线盒→连接 线夹→检测→包装 该方法制造的组件特点：防水性、防腐性、可靠性好，成本高。
薄膜太阳能电池封装工艺简介
薄膜太阳能电池封装工艺简介概述薄膜太阳能电池作为一种高效、轻薄、柔性的太阳能电池，已经在能源领域得到广泛应用。
其中，薄膜太阳能电池封装工艺是整个生产过程中非常重要的一部分，它是将薄膜太阳能电池片与封装材料合理结合，以保护电池片，并提高电池的稳定性和效率的过程。
本文将介绍薄膜太阳能电池封装的基本工艺和流程。
薄膜太阳能电池封装工艺流程薄膜太阳能电池封装工艺包括以下几个主要步骤：1.准备工作：对薄膜太阳能电池片进行检查，确保其质量符合要求。
同时，准备好所需的封装材料，如背电极、背板、封装胶等。
2.封装背电极：将背电极粘贴在薄膜太阳能电池片的背面，以提供电流的传导和连接功能。
背电极的粘贴需要使用特殊的胶水，确保背电极与电池片之间无空隙。
3.安装背板：将背板固定在背电极上，以保护电池片，并提供良好的支撑。
背板通常采用耐候性较好的材料，如塑料或金属。
4.填充封装胶：在背板上涂覆一层封装胶，将封装胶均匀地涂抹在整个背板上，确保电池片能够被充分覆盖。
封装胶的材料可根据具体需求选择，常见的有有机硅、聚氨酯等。
5.封装胶固化：待封装胶涂覆完毕后，需要将其进行固化，以提高胶水的稳定性。
固化的方法可以是自然固化或烘箱固化，根据具体工艺和生产需求进行选择。
6.切割：将已固化的薄膜太阳能电池进行切割，得到所需尺寸的电池片。
切割时需要注意切口的平整和尺寸的一致性，以保证后续组装的顺利进行。
7.电池片测试：对切割好的电池片进行测试，检查其光电性能和其他关键指标是否符合要求。
测试的方法可以是电流-电压曲线测试、光谱响应测试等。
8.组装：根据具体的产品需求，将电池片与其他组件进行组装，如连接导线、安装支架等。
组装工艺需要严格控制每个环节的精度和质量，确保组装的稳定性和可靠性。
9.封装测试：对已组装好的薄膜太阳能电池组件进行全面的测试，包括电池组件的电性能、机械性能等。
测试结果将直接影响组件的质量和性能。
结论薄膜太阳能电池封装工艺是保护和提升电池性能的关键环节，它涉及多个步骤和工艺参数的控制。
薄膜太阳能电池制造工艺
非晶硅薄膜太阳能电池及制造工艺内容提纲一、非晶硅薄膜太阳能电池结构、制造技术简介二、非晶硅太阳能电池制造工艺三、非晶硅电池封装工艺一、非晶硅薄膜太阳能电池结构、制造技术简介1、电池结构分为：单结、双结、三结2、制造技术三种类型：①单室，多片玻璃衬底制造技术该技术主要以美国Chronar、APS、EPV公司为代表②多室，双片（或多片）玻璃衬底制造技该技术主要以日本KANEKA公司为代表③卷绕柔性衬底制造技术（衬底：不锈钢、聚酰亚胺)该技术主要以美国Uni-Solar公司为代表所谓“单室，多片玻璃衬底制造技术”就是指在一个真空室内，完成P、I、N三层非晶硅的沉积方法。
作为工业生产的设备，重点考虑生产效率问题，因此，工业生产用的“单室，多片玻璃衬底制造技术”的非晶硅沉积，其配置可以由X个真空室组成（X为≥1的正整数），每个真空室可以放Y个沉积夹具（Y为≥1的正整数），例如：•1986年哈尔滨哈克公司、1988年深圳宇康公司从美国Chronar公司引进的内联式非晶硅太阳能电池生产线中非晶硅沉积用6个真空室，每个真空室装1个分立夹具，每1个分立夹具装4片基片，即生产线一批次沉积6×1×4＝24片基片，每片基片面积305mm×915mm。
•1990年美国APS公司生产线非晶硅沉积用1个真空室，该沉积室可装1个集成夹具，该集成夹具可装48片基片，即生产线一批次沉积1×48＝48片基片，每片基片面积760mm×1520mm。
•本世纪初我国天津津能公司、泰国曼谷太阳公司（BangKok Solar Corp）、泰国光伏公司（Thai Photovoltaic Ltd）、分别引进美国EPV技术生产线，非晶硅沉积也是1个真空室，真空室可装1个集成夹具，集成夹具可装48片基片，即生产线一批次沉积1×48＝48片基片，每片基片面积635mm×1250mm。
薄膜太阳能电池及制造工艺
05
制造工艺的应用与发展趋势
在光伏产业中的应用
薄膜太阳能电 池的应用：在 光伏发电、建 筑一体化、便 携式电子设备 等领域的应用
制造工艺的发 展趋势：提高 转换效率、降 低成本、提高 稳定性和可靠
性
薄膜太阳能电 池的优势：轻 便、柔性、可 弯曲、易于安
装和维护
制造工艺的创 新：采用新型 材料、改进生 产工艺、提高 生产效率和降
封装材料：选择 耐高温、耐腐蚀 、密封性好的封 装材料
基底处理
清洗：去除基底表面的灰尘、油污等杂质 打磨：使基底表面平整，提高附着力 活化：增加基底表面的活性，提高薄膜太阳能电池的性能 镀膜：在基底表面沉积薄膜太阳能电池所需的功能层
薄膜制备
薄膜沉积：采用化学气相沉积、 物理气相沉积等方法，在基底
特点：轻便、柔性、可弯曲、 易于安装和携带
分类：硅基薄膜太阳能电池、 铜铟镓硒薄膜太阳能电池、钙 钛矿太阳能电池等
应用领域：建筑、汽车、电子 设备、航天等领域
工作原理
薄膜太阳能电池 主要由半导体材 料制成，如硅、 砷化镓等。
太阳光照射到半 导体材料上，产 生电子-空穴对。
电子-空穴对在半 导体材料内部运 动，形成电流。
电流通过外部电 路，产生电能。
优缺点
优点：轻便、可弯曲、可折叠、 可粘贴
优点：易于安装和维护
缺点：能量转换效率较低
缺点：对环境敏感，易受温度、 湿度等环境因素影响
03
制造工艺流程
原材料选择
硅片：选择高质 量的硅片，保证 电池性能
导电浆料：选择 导电性好、稳定 性高的导电浆料
背电极材料：选 择导电性好、耐 腐蚀的背电极材 料
所需的图案
薄膜钝化：采用化学气相沉积、 物理气相沉积等方法，在半导 体薄膜表面沉积钝化层，以提
CuInS_2薄膜太阳能电池
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http: ΠΠwww. wuli. ac. cn 物理
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- Ⅲ - Ⅵ族化合物的本征点缺陷如空位 、间隙和位 错的种类达 12种 [ 3 ] ,这些点缺陷会在禁带中产生新 能级 ,因此 , Cu InS2 具有本征缺陷自掺杂特性 ,不需 要其他元素的掺杂 ,仅通过调整自身元素的成分就 可以获得不同的导电类型. 另外 , Cu InS2 允许成分 偏离化学计量比范围较宽 ,即使严重偏离化学剂量 比依然具有黄铜矿结构以及相似的物理及化学特 性. 由于 Cu InS2 半导体材料不必借助外加杂质 ,因 此其抗干扰 、抗辐射性能稳定 ,制成的光伏器件的使 用寿命长 ,并且适于空间应用.
36卷 (2007年 ) 11期 http: ΠΠwww. wuli. ac. cn
·849·
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太阳能热电池及其应用专题
2. 5 掺杂对 Cu InS2 薄膜性能的影响 元素掺杂可以在一定程度上改变 Cu InS2 材料
的能带宽度. 如 Rabeh[ 21 ] 等采用 Sn 元素掺杂制备 了 n型半导体 Cu InS2 薄膜 ,薄膜材料的能带宽度在 1. 45—1. 49 eV 之间. Zribi[ 22 ] 等报道了 Sn 掺杂的 Cu InS2 薄膜的能带宽度可以在 1. 42—1. 50 eV 之间 调节. 据 Chavhan[ 23 ]报道 ,适当地进行 Se掺杂 ,可以 在 1. 07—1. 44eV 之间调整 Cu InS2 材料能带宽度的 变化. 1998年 , O hashi[ 24 ]等人采用 Se元素掺杂制备 Culn ( Sx Se1 - x ) 2 电池的转换效率达到 8. 1 %. Peza2 Tap ia[ 25 ]等报 道 , 在 p 型 贫 铜 Cu InS2 薄 膜 中 掺 杂 Na,可以将材料的能带宽度从 1. 4 eV 提高到 1. 45 eV; John 等 [ 26 ]的实验也表明 , Na的少量掺杂可以提 高贫铜 Cu InS2 薄膜的结晶性和光电特性. 尽管有许 多元素掺杂对 Cu InS2 薄膜性能影响方面的研究报 道 ,但由于 Cu InS2 的能带宽度已经接近最佳太阳能 电池材料所需的禁带宽度 ,因此通过元素掺杂来提 高 Cu InS2 电池光电性能的空间不大. 另外 ,引入掺 杂元素将增加相应的工艺环节 ,从而增加薄膜中的 缺陷形成几率. 目前还没有看到由于元素掺杂而显 著提高 Cu InS2 薄膜太阳能电池性能的报道.
主要薄膜光伏电池技术及制备工艺介绍
主要薄膜光伏电池技术及制备工艺介绍薄膜光伏电池是一种新型的太阳能电池技术，相比于传统的硅片光伏电池，它具有更高的柔韧性、更低的成本和更广泛的应用潜力。
本文将介绍薄膜光伏电池的主要技术和制备工艺。
首先，薄膜光伏电池主要由薄膜光伏材料组成。
目前常见的薄膜光伏材料包括非晶硅、铜铟镓硒和钙钛矿等。
非晶硅是最常见的薄膜材料，具有较高的效率和较长的使用寿命；铜铟镓硒则具有较高的光吸收能力和较高的效率；钙钛矿则具有优异的光电转化效率和低成本制备的特点。
其次，薄膜光伏电池的制备工艺包括材料制备、器件结构设计和组装等环节。
在材料制备方面，常用的方法包括物理气相沉积、化学气相沉积和溶液法等。
物理气相沉积是一种将材料蒸发到衬底上后再结晶形成薄膜的方法，化学气相沉积则是通过反应气体在衬底表面上生成薄膜。
溶液法则是将溶液均匀涂敷在衬底上，将溶液中的成分通过烘烤或其他方式结晶成薄膜。
器件结构设计是薄膜光伏电池制备的关键环节之一。
不同的薄膜材料有不同的结构设计，常见的结构包括单接触结构、双接触结构和多接触结构。
单接触结构是将薄膜材料直接沉积在透明导电玻璃上，双接触结构则是在透明导电玻璃上先沉积一层反射层，再沉积薄膜材料。
多接触结构则是在薄膜材料上层添加一层稳定层，来提高电池的稳定性和效率。
最后，薄膜光伏电池的组装是将制备好的薄膜光伏材料封装在太阳能电池片中。
目前常见的封装方法包括激光封装、胶封装和真空封装等。
激光封装是利用激光将薄膜光伏材料与太阳能电池片粘合在一起，胶封装则是利用粘合剂将两者粘合在一起，真空封装则是在真空环境下将两者粘合在一起。
总之，薄膜光伏电池是一种具有广阔市场应用前景的太阳能电池技术。
通过合理的材料选择、器件设计和制备工艺，薄膜光伏电池可以实现更高的效率和更低的成本，为清洁能源的发展做出重要贡献。
续上文，继续探讨薄膜光伏电池技术及制备工艺的相关内容：除了材料的选择和制备工艺，薄膜光伏电池的性能和效率也受到电池结构的影响。
薄膜太阳能电池生产线设备和工艺流程
薄膜太阳能电池生产线设备和工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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薄膜太阳能电池及制造工艺
2、时间长久： 太阳能发电在全球未来能源结构中扮演着重要的地位。
太阳能：取之不尽，用之不竭！
世界能源发展趋势
3、普照大地 太阳辐射能“送货上门”，既不需要开采和挖掘，也不需要运
输。普天之下，无论大陆或海洋，无论高山或岛屿，都一视同仁“。 既无”专利“可言，也不可能进行垄断，开发和利用都极为方便。
节约及保护能源
把不需要的电器用品关掉。 减少在夏季使用冷气的机会。 尽量使用公共交通工具。 使用节省能源的汽車或机器。
寻找新型清洁能源是解决问题的唯一途径
可再生能源 不断补充（Constantly replenishing） 用之不竭（Inexhaustible） 分类 太阳能、风能、生物能、地热能、水利发电、氢能、
Thin films
Concentration
U.S. D.O.E. wafered silicon program
Remote habitation
Solar farms
Residential/commercial grid connected
Issues today
• Silicon panels
太阳能素有“干净能源”和“安全能源”之称。它不仅毫无污染，远比常规 能源清洁；也毫无危险，远比原子核能安全。
例:3ｋW太阳能发电系统对环境污染物的削减量 石油替代量:729L/年 减排放CO2能力:540kg-C/年 森林面积换算:5544m2
②对能源和节能的贡献 太阳能电池2.2年的发电量即可收回制造太阳能电池时使用的电力
Benefits and drawbacks
Silicon PV
Thin Film
Conventional Concentration
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薄膜非晶硅电池的封装方法多种多样，如何选择， 薄膜非晶硅电池的封装方法多种多样，如何选择，是要根据其 使用的区域，场合和具体要求而确定。不同的封装方法，其封 使用的区域，场合和具体要求而确定。不同的封装方法， 装材料、制造工艺是不同的，相应的制造成本和售价也不同。 装材料、制造工艺是不同的，相应的制造成本和售价也不同。 以下介绍目前常用的几种封装方法。 以下介绍目前常用的几种封装方法。
任务二 非晶硅薄膜太阳电池制造工艺
任务分析
随着技术的进步， 随着技术的进步，目前主流的非晶硅薄膜电池使用寿命已 年以上。 在10年以上。这使得非晶硅薄膜电池成为目前最被看好的薄 年以上 膜电池技术之一。 膜电池技术之一。
任务目的
1. 2. 3. 4.
掌握非晶硅薄膜制备技术及其太阳电池结构 掌握非晶硅太阳电池制造工艺 熟悉非晶硅太阳电池的封装工艺 了解非晶硅薄膜太阳电池的光致衰减效应
知识应用
封装工艺 3、组件封装
（1）电池/PVC膜 电池/PVC膜 /PVC
适用：一般太阳能应用产品，如应急灯，要求不高的小型户用电源（几十 适用：一般太阳能应用产品，如应急灯，要求不高的小型户用电源（ 瓦以下） 瓦以下）等 制造工艺流程：电池芯板（或芯板切割→边缘处理） 制造工艺流程：电池芯板（或芯板切割→边缘处理）→贴PVC膜→焊线→焊 PVC膜 焊线→ 点保护→检测→装边框（电池四周加套防震橡胶） 装插座→检测→ 点保护→检测→装边框（电池四周加套防震橡胶）→装插座→检测→包装 该方法制造的组件特点：制造工艺简单、成本低，但防水性、防腐性、 该方法制造的组件特点：制造工艺简单、成本低，但防水性、防腐性、可 靠性差。 靠性差。
任务目的
1. 2.
了解硅基薄膜的分类及性质 熟悉硅基薄膜材料的制备方法
知识应用
一、硅基薄膜的物性及分类
硅基薄膜就是在衬底上沉积硅元素制成的硅薄膜材料。通常硅基 薄膜太阳电池分为非晶硅、微晶硅、多晶硅和单晶硅薄膜电池。特点 如下: 非晶硅中硅原子呈现无序排列，相应的薄膜中存在悬挂键。 微晶硅中纳米量级的硅晶粒(小于1µm)镶嵌在非晶硅中，晶粒边界处 的原子呈无序态。 多晶硅主要由大晶粒(1µm—1mm)构成，并且没有非晶相存在。 单晶硅具有完整的晶体结构，是理想的半导体材料，但其制备成本也 最高。
知识应用
二、非晶硅薄膜太阳电池制造工艺
采用硅烷等离子体分解法，将硅烷（ 采用硅烷等离子体分解法，将硅烷（掺杂少量的乙硼烷或磷化 氢等气体）在导电玻璃上低温成膜， 氢等气体）在导电玻璃上低温成膜，通过磁控溅射制作铝电极 连接背电极。最后，用防护玻璃罩密封 连接背电极。最后，用防护玻璃罩密封EVA箔形成太阳能电池 箔形成太阳能电池 组件。 组件。
5.
溅射镀铝：镀铝的目的是形成电池的背电极， 溅射镀铝：镀铝的目的是形成电池的背电极，以增加太阳能电池对光的吸 收。在真空反应室中放镀膜所需的金属构成的靶材，并将靶材接地；然后 在真空反应室中放镀膜所需的金属构成的靶材，并将靶材接地； 将氩气充入反应室内，电离成电荷。 将氩气充入反应室内，电离成电荷。带正电荷的氩离子被不带电的靶材吸 引，加速冲向靶。在加速过程中这些离子受到引力作用，获得动量，轰击 加速冲向靶。在加速过程中这些离子受到引力作用，获得动量， 靶材。这样一来，靶材中的原子或分子就会散布在反应室中， 靶材。这样一来，靶材中的原子或分子就会散布在反应室中，其中一部分 渐渐地停落在产品表面。 渐渐地停落在产品表面。
技能目标
1. 2. 3.
掌握薄膜的主要制备技术 掌握硅基、碲化镉、 掌握硅基、碲化镉、铜铟镓硒薄膜太阳电池制造工艺 掌握薄膜太阳电池封装工艺铜铟镓硒薄膜太阳电池的制造工艺
任务一 硅基薄膜材料及其制备
任务分析
在光伏电池领域, 在光伏电池领域 硅基薄膜太阳电池因其原材料储量 丰富、无污染、制备工艺简单、便于大面积连续化生产等 丰富、无污染、制备工艺简单、 优点, 受到国内外专家的广泛关注。 优点 受到国内外专家的广泛关注。硅基薄膜作为光电转 化层，其制备技术对太阳电池的性能影响至关重要。 化层，其制备技术对太阳电池的性能影响至关重要。
知识应用
一、非晶硅薄膜的制备
由非晶态合金的制备知道，要获得非晶态， 由非晶态合金的制备知道，要获得非晶态，需要有高的 冷却速率，而对冷却速率的具体要求随材料而定。硅要求 冷却速率，而对冷却速率的具体要求随材料而定。 有极高的冷却速率， 有极高的冷却速率，用液态快速淬火的方法目前还无法得 到非晶态。 到非晶态。 气相淀积非晶硅薄膜的技术 • • • • 真空蒸发 辉光放电 反应溅射 化学气相淀积等
知识应用
3.主要生产设备 主要生产设备
非晶硅薄膜太阳电池的生产线主要包括如下设备： 非晶硅薄膜太阳电池的生产线主要包括如下设备：导电玻璃磨 边设备，导电玻璃清洗设备，大型非晶硅薄膜PECVD生产设 边设备，导电玻璃清洗设备，大型非晶硅薄膜 生产设 备（包括辅助设备），红外激光、绿激光刻划设备，大型磁控 包括辅助设备），红外激光、绿激光刻划设备， ），红外激光 溅射生产设备，组件测试设备。 溅射生产设备，组件测试设备。
知识应用
电池载体 玻璃 TCO 透明导电膜 P型a-Si：H p型 a-Si:H + i 层 a-Si:H n 型a-Si:H 氧化锌或二氧化锡 铝或银 + 绒面TCO 绒面 透光 导电 减反射
非晶硅太阳能电池结构图
知识应用
2.P-I-N 结
由于a-Si(非晶硅 多缺陷的特点，a-Si的p-n结是不稳定的，而 非晶硅)多缺陷的特点 结是不稳定的， 由于 非晶硅 多缺陷的特点， 的 结是不稳定的 且光照时光电导不明显，几乎没有有效的电荷收集。所以， 且光照时光电导不明显，几乎没有有效的电荷收集。所以，aSi太阳能电池基本结构不是p-n结而是 Si太阳能电池基本结构不是p-n结而是p-i-n结。 结而是p-i-n结 太阳能电池基本结构不是 掺硼形成P区，掺磷形成n区，i为非杂质或轻掺杂的本征层 因 掺硼形成 区 掺磷形成 区 为非杂质或轻掺杂的本征层(因 为非杂质或轻掺杂的本征层 为非掺杂的a-Si是弱 型)。重掺杂的 、n区在电池内部形成内 是弱n型 。重掺杂的p、 区在电池内部形成内 为非掺杂的 是弱 建电场，以收集电荷。同时两者可与导电电极形成欧姆接触， 建电场，以收集电荷。同时两者可与导电电极形成欧姆接触， 为外部提供电功率。 区是光敏区 此区中光生电子、 区是光敏区， 为外部提供电功率。i区是光敏区，此区中光生电子、空穴是光 伏电力的源泉。 伏电力的源泉。
项目二 薄膜太阳电池制造工艺
项目导入
利用薄膜技术制备太阳电池， 利用薄膜技术制备太阳电池，被认为是未来大幅度降低太阳能电 池成本的根本出路， 池成本的根本出路，薄膜太阳电池将成为太阳电池研发和制造的重点 方向和主流。 方向和主流。
知识目标
1. 2. 3.
掌握硅基薄膜太阳电池的主要类别及制造工艺 掌握碲化镉薄膜太阳电池的制造工艺及可持续发展 掌握铜铟镓硒薄膜太阳电池的制造工艺
知识应用
工艺流程简述
6.
绿激光刻铝：根据预定的线宽以及与 切割线的线间距， 绿激光刻铝：根据预定的线宽以及与a- Si 切割线的线间距， 用绿激 光将铝膜刻划成相互独立的部分， 光将铝膜刻划成相互独立的部分， 目的是将整个铝膜分成若干个单体 电池的背电极，进而实现整板若干个电池的内部串联。 电池的背电极，进而实现整板若干个电池的内部串联。
知识应用
2.非晶硅太阳能电池构造 非晶硅太阳能电池构造
非晶硅(a-Si)太阳电池是在玻璃衬底上沉积透明导电膜 太阳电池是在玻璃衬底上沉积透明导电膜(TCO)， 非晶硅 太阳电池是在玻璃衬底上沉积透明导电膜 ， 然后依次用等离子体反应沉积p型 型 型三层a-Si，接着 然后依次用等离子体反应沉积 型、i型、n型三层 型三层 ， 再蒸镀金属电极铝(Al)。 。 再蒸镀金属电极铝 光从玻璃面入射，电池电流从透明导电膜和铝引出， 光从玻璃面入射，电池电流从透明导电膜和铝引出，其结构 可表示为glass/TCO/pin/Al，还可以用不锈钢片、塑料等作 ，还可以用不锈钢片、 可表示为 衬底制备非晶硅柔性太阳电池用
封装工艺
1、电池/UV光固胶 电池/UV光固胶 /UV
适用： 适用：电池芯板储存 制造工艺流程：电池芯板→覆涂UV胶→紫外光固→分类储存 制造工艺流程：电池芯板→覆涂UV胶 紫外光固→ UV
2、电池/PVC膜 电池/PVC膜 /PVC
适用：小型太阳能应用产品，且应用产品上有对太阳能电池板进行密封保护， 适用：小型太阳能应用产品，且应用产品上有对太阳能电池板进行密封保护，如 风帽、收音机、草坪灯、庭院灯、工艺品、 风帽、收音机、草坪灯、庭院灯、工艺品、小型电源等 制造工艺流程：电池芯板→ PVC膜 切割→边缘处理→焊线→焊点保护→检测→ 制造工艺流程：电池芯板→贴PVC膜→切割→边缘处理→焊线→焊点保护→检测→包装 注：边缘处理目的是防止短路，处理的方法有化学腐蚀法、激光刻划等。 边缘处理目的是防止短路，处理的方法有化学腐蚀法、激光刻划等。
知识应用
透明导电膜（ 透明导电膜（FTO)玻璃磨边清洗 玻璃磨边清洗 磁控溅射PVD镀AZO-铝背电极膜系 镀 磁控溅射 铝背电极膜系
背玻璃磨孔清洗
绿激光背电极刻槽
红外激光TCO刻槽 刻槽 红外激光
超声焊接铝箔汇流带
PECVD非晶硅膜系沉积 非晶硅膜系沉积
测试-电法修复 退火 测试 电法修复-退火 电法修复
知识应用
单晶硅、多晶硅、 单晶硅、多晶硅、非晶硅结构示意图
知识应用
MS PVD
硅 基 薄 膜 的 制 备 方 法
CVD HWCVD PECVD RF-PECVD MBE
知识应用
三、多晶硅基薄膜的间接制备法
在硅基薄膜的各种直接制备法中， 在硅基薄膜的各种直接制备法中，通过调节制备 过程中的关键参数， 过程中的关键参数，可以制备出非晶硅和多晶硅基薄 多晶薄膜也可以通过非晶薄膜再结晶方法。 膜。多晶薄膜也可以通过非晶薄膜再结晶方法。固相 晶化法，激光诱导退火，金属诱导晶化。 晶化法，激光诱导退火，金属诱导晶化。