内存颗粒品牌
威刚和金士顿内存条哪个好

威刚和金士顿内存条哪个好你们知道内存条哪个比较好吗?下面是店铺带来威刚和金士顿内存条哪个好的内容,欢迎阅读!威刚和金士顿内存条哪个好?DDR3的话买哪个都行,如果买金士顿的话建议去品牌店或者大型的网上商城,因为金士顿由于在内存界名气最大,当然仿冒者也就最多,注意识别。
威刚的仿冒者也很多,但是没有金士顿的规模大。
所以建议去累死额京东,易迅这样的官方网络商城购买,能保证是正品。
至于兼容性现在DDR3的兼容性是很强的,所以不用担心买来的内存条不能组双通道。
金士顿内存条辨别真假的方法:芯片颗粒对比下图真品内存为之前笔者拍的金士顿2GB/667笔记本内存颗粒特写,采用和假金士顿内存同样的尔必达颗粒,从图中可以清晰看出,真品内存颗粒印刷清晰,而假内存的颗粒则非常暗淡,对比非常鲜明。
其实对于一款内存来说,PCB电路板仅占内存成本的百分之十以内,而颗粒价格才是真正的“大头”。
所以通常PCB基本均为正规代工厂制造,而颗粒则采用行话里的“白片”,就是业内所说的次品颗粒,价格非常便宜,但稳定性和兼容性很差。
细节处对比从上面图中可以看出两处破绽,其中第一处就是金士顿R型商标的微缩字体印刷,在注册商标“R”的周围应该清楚印着KINGSTON 英文,这里由于笔者的相机缘故不能清晰显示出来,不过对照假内存胡乱瞎画而言已经清晰很多了。
金士顿官方网站“一分钟正品鉴定”另外一点,请仔细看标签内部的水印,假内存水印和KINGSTON 字体衔接处都有明显的痕迹,明显是后印上去的,这点在真金士顿内存中是不会发现的。
虽然金士顿内存常年被假货困扰,但是依然是内存行业的销量冠军,这说明大多数消费者还是认可金士顿内存的兼容性和稳定性。
但是用户在购买内存的时候一定要用笔者上述的方法仔细鉴定一番,然后在通过网上或者短信查询方式鉴别,这样购买到假货的几率就会大大减少。
如果能够直接去金士顿指定商家购买产品的话,那么就更放心了。
大家注意Kingston条没有固定的芯片,所以每批货芯片不一样,真假条不能以芯片来区别,但Kingston条的PCB板是不变的,而且很有特色。
主流DDR2内存颗粒

主流DDR2内存颗粒主流DDR2内存颗粒目前,市面上的内存就制造上主要分为两大类。
一类来自采用现代、三星、英飞凌等国际半导体芯片制造商生产的的内存芯片,然后打造自己品牌的产品,比如目前金士顿、威刚等品牌的内存都属于此类内存模块。
二类就是DRAM大厂的原厂内存。
由于DRAM大厂的原厂内存更多的是被整机厂商使用,而直接在国内零售市场和最终用户见面的机会并不多,目前国内的消费者能够买到的原厂内存一般只有三星“金条”与英飞凌原厂内存。
由于原厂内存一般都具有极佳的PCB设计和制造品质使其拥有品质优秀、兼容性好、超频能力强、稳定性一流等特点,因此吸引了大批超频玩家通过各种渠道去获得这些原厂内存条来满足自己PC的超频需要。
不过,无论是什么品牌的内存模块,都离不开内存颗粒,这往往是对内存性能的最大决定因素。
由于当前可以生产内存颗粒的厂商不多,因此我们很容易从内存颗粒上辨别出所选择内存模块的规格、性能。
三星(Samsung)三星有GC和ZC(G为FBGA封装方式,Y为FBGA-LF)系列,另外还有SC和YC,并采用90nm生产工艺,使相同晶元可以生产出更多的颗粒,从而降低了成本。
YC是外形最小的一种封装方式,性能表现也最好,现在市面上很少见到。
目前较常见到的有GCCC(多用于DDR2-400)、GCD5/ZCD5(多用于DDR2-533)、GCD6/GCE6(多用于DDR2-667)、GCF7/GCE7(多用于DDR2-800)等;这些内存颗粒在超频方面同样有着不容小视的实力,且仍保持低延迟风格。
不过经过编号更改后(由SAMSUNG改为SEC),默认时序参数已设定得较为保守,不过某些DDR2-533默认延迟仍设定在4-4-4-10上。
通常情况下三星DDR2-533内存时序参数可以稳定在3-3-3-4上,优势明显,这也是为什么三星颗粒品质较好的一个原因。
GCCC和GCD5颗粒大都具备在5-5-5-15参数下超频至DDR2-800以上水平。
各品牌内存颗粒列表

各品牌内存颗粒列表RX330Compatible DDR333 (PC2700) 184 Pin Unbuffered DIMM memory Modules Compatible DDR400 (PC3200) 184 Pin Unbuffered DIMM memory Modules Compatible DDR333 (PC2700) 184 Pin Unbuffered DIMM memory ModulesBit4RamDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB BDU03264B5BC1DC-60 2.5 8 32M x 8 Unknown512 MB BDU06464H1BC2DC-60 2.5 16 32M x 8 UnknownBuffaloDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB DD333-256/IB 2.5 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-6512 MB DD333-512/IB 2.5 16 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-6EdgeDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB M2U25H64DS8HB1G-6K 2.5 16 32M x 64 Elixir N2DS12H80BT-6KElixirDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB M2U25H64DS8HB1G-6K 2.5 16 32M x 64 Elixir N2DS12H80BT-6KElpidaDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number1 GB EBD11UD8ABFB-6B 2.5 16 64M x 8 Elpida EDD5108ABTA-6BGeilDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB GE2562700 2.5 8 32M x 8 Geil GL3LC32G88TG-6GigaramDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB GR9053-256/333 2.5 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B 512 MB GR9053-512/333 2.5 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B1 GB GR9053-1GB/333 2.5 16 64M x 8 Micron MT46V64M8HynixDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB HYMD216646A6J-J AA 2.5 4 16M x 16 Hynix HY5DU561622A T-J 128 MB HYMD216646C6J-J 2.5 4 16M x 16 Hynix HY5DU561622CT-J128 MB HYMD116645B8J-J AA 2.5 8 16M x 8 Hynix HY5DU28822BT-J 256 MB HYMD132645B8J-J AA 2.5 16 16M x 8 Hynix HY5DU28822BT-J 256 MB HYMD232646A8J-J AA 2.5 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822AT-J 256 MB HYMD232646B8J-J 2.5 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-J512 MB HYMD264646A8J-J AA 2.5 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822A T-J 512 MB HYMD264646B8J-J 2.5 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-J512 MB HYMD564646A8J-J 2.5 8 64M x 8 Hynix HY5DU12822A T-J1 GB HYMD512646A8J-J 2.5 16 64M x 8 Hynix HY5DU12822AT-JInfineonDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB HYS64D16301GU-6-B 2.5 4 16M x 16 Infineon HYB25D256160BT-6 256 MB HYS64D32300GU-6-B 2.5 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-6 256 MB* HYS72D32300GU-6-B 2.5 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-6 256 MB HYS64D32300HU-6-C 2.5 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800CE-6 512 MB HYS64D64320GU-6-B 2.5 16 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-6 1 GB HYS64D128320GU-6-A 2.5 16 64M x 8 Infineon HYB25D512800AT-6*Denotes ECCKingMaxDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB MPMB62D-38KT3R 2.5 8 32M x 8 Kingmax KDL388P4LA-60512 MB MPMC22D-38KT3R 2.5 8 32M x 8 Kingmax KDL388P4LA-60Kingston TechnologiesDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB KVR333X64C25/128 2.5 4 16M x 16 Unknown256 MB KVR333X64C25/256 2.5 8 32M x 8 Unknown256 MB KVR333X64C25/256 2.5 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-J512 MB KVR333X64C25/512 2.5 16 32M x 8 Unknown512 MB KVR333X64C25/512 2.5 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-J1 GB KVR333X64C25/1G 2.5 16 64M x 8 Micron MT46V64M8TG-6TMicronDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB MT8VDDT3264AG-335C4 2.5 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-6T256 MB MT8VDDT3264AG-335G4 2.5 8 32M x 8 Micron MT46V32M8TG-6TG 512 MB MT16VDDT6464AG-335C4 2.5 16 32M x 8 Micron MT46V32M8-6T 512 MB MT16VDDT6464AG-335G4 2.5 16 32M x 8 Micron MT46V32M8-6TG 1 GB MT16VDDT1284AG-335C1 2.5 16 64M x 8 Micron MT46V64M8TG-6TCMosel VitelicDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB V826632K24SATG-C0 2.5 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT6 512 MB V826664K24SATG-C0 2.5 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT6NanyaDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB NT128D64SH4B1G-6K 2.5 4 16M x 16 Nanya NT5DS16M16BT-6K 256 MB NT256D64S88B1G-6K 2.5 8 16M x 16 Nanya NT5DS32M8BT-6K512 MB NT512D64S8HB1G-6K 2.5 16 32M x 16 Nanya NT5DS32M8BT-6KOCZ TechnologyDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB OCZ333256P 2.5 8 32M x 8 OCZ X4P560840A-50512 MB OCZ333512P 2.5 16 32M x 8 OCZ X4P560840A-50SamsungDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB M368L1624DTM-CB3 2.5 4 16M x 16 Samsung K4H561638D-TCB3 128 MB M368L1624FTM-CB3 2.5 4 16M x 16 Samsung K4H561638F-TCB3 128 MB M368L1713DTM-CB3 2.5 8 16M x 8 Samsung K4H280838D-TCB3 256 MB M368L3313DTM-CB3 2.5 16 16M x 8 Samsung K4H280838D-TCB3 256 MB M368L3223DTM-CB3 2.5 8 32M x 8 Samsung K4H560838D-TCB3 256 MB M368L3223ETN-CB3 2.5 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCB3256 MB M368L3223FTN-CB3 2.5 8 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCB3512 MB M368L6423ETN-CB3 2.5 16 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCB3 512 MB M368L6423FTN-CB3 2.5 16 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCB3 512 MB M368L6523BTN-CB3 2.5 8 64M x 8 Samsung K4H510838B-TCB31 GB M368L2923BTN-CB3 2.5 16 64M x 8 Samsung K4H510838B-TCB3SimpletechDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB S256M3NHK1QK-AT 2.5 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B512 MB S512M3NHK2QK-AT 2.5 16 32M x 8 Micron MT46V32M8-5BSwissBitDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB SDU03264B5B31MT-60 2.5 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B 256 MB SDU03272B5B21IW-60 2.5 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5 512 MB SDU0646H1B22IN-60 2.5 16 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5 512 MB SDU06464B3B31MT-60 2.5 8 64M x 8 Micron MT46V64M8-5R1 GB SDU12864H1B32MT-60 2.8 16 64M x 8 Micron MT46V64M8-5RSyncMaxDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB SR256M-08800-2700 2.5 8 32M x 8 SyncMax R030074A-7A1512 MB SR512M-16800-2700 2.5 16 32M x 8 SyncMax P2S56D30BTP-UTTTranscendDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB TS32MLD64V3F5 2.5 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT6VikingDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB DDR32X64PC270088TM 2.5 8 32M x 8 Unknown256 MB VI4CU326428DTK 2.5 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-6T256 MB VI4CU326428DTK 2.5 8 32M x 8 Samsung K4H560838D-TCB3 512 MB VI4CU646428ETK 2.5 8 64M x 8 Micron MT46V64M8-6T512 MB VI4CU646428ETK 2.5 8 64M x 8 Samsung K4H510838B-TCB3512 MB VI4CU646428DTK 2.5 16 32M x 8 Samsung K4H560838D-TCB3 512 MB VI4CU646428DTK 2.5 16 32M x 8 Micron MT46V32M8-6T Compatible DDR400 (PC3200) 184 Pin Unbuffered DIMM memory ModulesAdataDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB MDOWB5F3G31Y0D1E0Z 3 8 32M x 8 Winbond W942508CH-5 256 MB MDOAD6F3G31Y0B1E0H 3 8 32M x 8 Adata ADD8608A8A-5C 256 MB MDOAD5F3G31Y0D1E02 3 8 32M x 8 Adata ADD8608A8A-5B 512 MB MDOWB5F3H41Y0D1E0Z 3 16 32M x 8 Winbond W942508CH-5AdtecDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB AD3200D-256W 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC 256 MB AD3200D-512W 3 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43ApacerDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB 77.10639535 3 8 32M x 8 Apacer A2S56D30BTP256 MB 77.10636.56G 3 8 32M x 8 Mosel VitelicV58C2256804SAT5BBit4RamDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB BDU03264B5BC1DC-50 3 8 32M x 8 Unknown512 MB BDU06464H1BC2DC-50 3 16 32M x 8 UnknownBuffaloDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB DD4333-S256/IB 3 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5 512 MB DD4333-512/IB 3 16 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5 512 MB DD400-512M 3 16 16M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43CenturyDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB CD256M-DDU400 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCC 512 MB CD512M-DDU400 3 16 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCCCEONDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB DDR400 256MB-T01892 3 8 32M x 8 CEON C2S56D30TP-5CFDDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB DD4333K-S256/H 3 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43 512 MB DD4333K-512/H 3 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822CT-D43Corsair256 MB CMX256A-3200LL 2.5 8 Unknown Unknown512 MB CMX512-3200LLPRO 2.5 16 32M x 8 Winbond W942508CH-5CrucialDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB CT3264Z40B.8T 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5BElixirDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB M2U25664DS88B3G-5T 3 8 32M x 8 Elixir N2DS25680BT-5T 512MB M2U51264DS8HB3G-5T 3 16 32M x 8 Elixir N2DS25680BT-5TElpidaDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB EBD25EC8AKFA-5C 3 8 32M x 8 Elpida EDD2508AKTA-5C 512MB EBD52UC8AKFA-5C 3 16 32M x 8 Elpida EDD2508AKTA-5C 512MB EBD11ED8ADFA-5C 3 16 32M x 8 Elpida EDD5108ADTA-5CGeilDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB GD3200-256V 2.5 8 32M x 8 Unknown256 MB GE2563200B 2.5 8 32M x 8 Geil GL3LC32G88TG-5A256MB GE2563200 2.5 8 32M x 8 Geil GL3LC32G88TG-5A256MB GL5123200DC 2 8 32M x 8 Unknown512 MB GE5123200B 2.5 16 32M x 8 Unknown512 MB GL1G3200DC 2 16 32M x 8 Unknown512 MB GD3200-1GDC 2 16 32M x 8 Unknown512 MB GE5123200 2.5 16 32M x 8 Geil GL3LC32G88TG-5AGigaramDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB GR9053-256/400 3 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B 512 MB GR9053-512/400 3 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B 1 GB GR9053-1GB/400 3 16 64M x 8 Micron MT46V64M8GreenHouse256 MB GH-DR400-256MB 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC512 MB GH-DR400-512M 3 16 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCCHynixDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB HYMD216646A6J-D43 AA 3 4 16M x 16 Hynix HY5DU561622AT-D43 128 MB HYMD216646C6J-D43 3 4 16M x 16 Hynix HY5DU561622CT-D43 256 MB HYMD232646B8J-D43 AA 3 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43 256 MB HYMD232646D8J-D43 3 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43512 MB HYMD264646A8J-D43AA-A 3 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822AT-D43 512 MB HYMD264646B8J-D43 3 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43512 MB HYMD564646A8J-D43 3 8 64M x 8 Hynix HY5DU12822AT-D431 GB HYMD512646A8J-D43 3 16 64M x 8 Hynix HY5DU12822AT-D43IO-DataDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB DR400-256MX2 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC512 MB DR400-512MX2 3 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43InfineonDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB HYS64D16301GU-5-B 3 4 16M x 16 Infineon HYB25D256160BT-5 128 MB HYS64D16301GU-5-C 3 4 16M x 16 Infineon HYB25D256160CE-5 128 MB HYS64D16301HU-5-C 3 4 16M x 16 Infineon HYB25D256160CE-5 256 MB HYS64D32300GU-5-B 3 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5256 MB HYS64D32300HU5-C 3 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800CE-5512 MB HYS64D6432300GU-5-B 3 16 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5ItaucomDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB 256N4003U28 3 8 32M x 8 Itaucom ICM4L560807-43512 MB 512N4003U28 3 16 32M x 8 Itaucom ICM4L560807-43KingmaxDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB MPXB62D-38KT3R 2.5 8 32M x 8 Kingmax KDL388P4LA-50512 MB MPXC22D-38KT3R 2.5 16 32M x 8 Kingmax KDL388P4LA-50Kingston TechnologiesDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB KVR400X64C3A/256 3 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5256 MB KVR400X64C25/256 2.5 8 Unnown Unknown256 MB KVR400X64C3A/256 3 8 32M x 8 Kingston D3208DL3T-5A256 MB KVR400X64C3A/256 3 8 32M x 8 Kingston D3208DH1T-5512 MB KVR400X64C3A/512 3 16 32M x 8 Kingston D3208DH1T-5512 MB KVR400X64C3A/512 3 16 32M x 8 Kingston D3208DH1T-5512 MB KVR400X64C3A/512 3 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5MicronDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB MT8VDDT1664AG-403B5 3 8 16M x 8 Micron MT46V16M8-5T256 MB MT8VDDT3264AG-40BC4 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B256 MB MT8VDDT3264AG-40BC4 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8TG-5BC 256 MB MT8VDDT3264AG-40BCB 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B256 MB MT8VDDT3264AG-40BG4 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8TG-5BG 256 MB MT16VDDT3264AG-403B5 3 16 16M x 8 Micron MT46V16M8-5T 512 MB MT16VDDT6464AG-40BC4 3 16 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B 512 MB MT16VDDT6464AG-40BG4 3 16 32M x 8 Micron MT46V32M8TG-5B 1 GB MT16VDDT12864AG-40BC1 3 16 64M x 8 Micron MT46V64M8TG-5BMosel VitelicDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB V826632K24SATG-D3 3 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5 512 MB V826664K24SATG-D3 3 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5NanyaDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB NT128D64SH4B1G-5 3 4 16M x 16 Nanya NT5DS16M16BT-5128 MB NT128D64SH4B1G-5T 3 4 16M x 16 Nanya NT5DS16M16BT-5T256 MB NT256D64S88B1G-5 3 8 32M x 8 Nanya NT5DS32M8BT-5256 MB NT256D64S88B1G-5T 3 8 32M x 8 Nanya NT5DS32M8BT-5T512 MB NT512D64S8HB1G-5T 3 16 32M x 8 Nanya NT5DS32M8BT-5T512 MB NT512D64S8HB1G-5 3 16 32M x 8 Nanya NT5DS32M8BT-5Powerchip SemiconductorDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB MD44256PPS3208GRPA01 2.5 8 32M x 8 Powerchip PP4D328S5256 MB AL5D8B53T-5B1T 2.5 8 32M x 8 Powerchip A2S56D30BTP512 MB AL6D8B53T-5B1T 2.5 16 32M x 8 Powerchip A2S56D30BTPPMIDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB 3200GATA08-04A3 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838D-TCCC256 MB 3200GATA04-03D3 3 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43512 MB 3200GATA03-03D3 3 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43512 MB 3200GATA11-04A6 3 16 32M x 8 PQI PQ4D328D5PQIDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB 184DR256M438,MV,BH70 2.5 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B 256 MB 184DR256M438,WB,BH70 2.5 8 32M x 8 Winbond W942508CH-5256 MB 184DR256M438,PS,BH30 3 8 32M x 8 Powerchip A2S56D30BTPSamsungDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB M368L1713ETM-CCC 3 8 16M x 8 Samsung K4H280838E-TCCC128 MB M368L1624DTM-CCC 3 4 16M x 16 Samsung K4H561638D-TCCC128 MB M368L1624FTM-CCC 3 4 16M x 16 Samsung K4H561638F-TCCC256 MB M368L3223DTM-CC4 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838D-TCC4256 MB M368L3223ETM-CCC 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC256 MB M368L3223FTM-CCC 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCC256 MB M368L3223FTN-CCC 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCC512 MB M368L6423ETM-CCC 3 16 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC512 MB M368L6423FTN-CCC 3 16 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCC512 MB M368L6523BTM-CCC 3 8 64M x 8 Samsung K4H510838B-TCCC1 GB M368L2923BTM-CCC 3 16 64M x 8 Samsung K4H510838B-TCCCSimpleTechDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB S256M3NK1QK-AT 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B512 MB S512M3NK2QK-AT 3 16 32M x 8 Micron MT46V32M8-5BSwissBitDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB SDU03264B5B21IW-50 3 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5256 MB SDU03264B5B31MT-50 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B512 MB SDU06464H1B22IW-50 3 16 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5B 512 MB SDU06464B5B31MT-50 3 8 64M x 8 Micron MT46V64-5B1 GB SDU12864H1B32MT-50 3 16 64M x 8 Micron MT46V64-5BSyncMaxDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number512 MB SR-512M-1606R-3200 3 16 32M x 8 SyncMax P2S56D30BTP-UTTTranscendDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB TS32MLD64V4F3 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC256 MB TS32MLD64V4F3 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCC256 MB TS32MLD64V4F3 3 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B512 MB TS64MLD64V4F 2.5 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B 512 MB TS64MLD64V4F3 3 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B 512 MB TS64MLD64V4F3 3 16 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCC512 MB TS64MLD64V4F 3 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5BTwinMos TechnologiesDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number512 MB M2G9J16AGATT9F081AA4T 3 16 32M x 8 TwinMos TMD7608F8E50DVdataDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB MDGVD6F3G3750B1E0H 3 8 32M x 8 Vdata VDD8608A8A-5CVikingDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB VI4CU326428DTP 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC512 MB VI4CU646428DTP 3 16 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC。
教你辩识别内存颗粒

内存是电脑必不可少的部件,也是影响电脑性能的关键部件。
而对于内存颗粒,则是内存条上必不可少的一部分,同时也与内存的性能息息相关。
一条完整的内存条是由PCB板、SPD芯片和内存颗粒构成的,其中以颗粒最为重要,内存的容量、频率等都由内存颗粒决定的。
而正因为颗粒的重要性,颗粒也成为了不少奸商造假的地方所在。
因此,我们有必要对内存颗粒进行一个完整的认识,从而更好的选购内存。
一、内存颗粒巡礼1、内存颗粒介绍相对于市面上越来越多的内存品牌,内存颗粒的生产厂商要显得少了很多,目前主要有三星(SAMSUNG)、现代(Hynix)、英飞凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亚(NANYA)、华邦(Winbond)和茂矽(MOSEL)等等。
这些内存颗粒厂商都具有相当实力,其中名列三甲的有三星、现代以及美光。
现代D43颗粒(Hynix D43)在很多玩家心目中,现代D43内存颗粒有着兼容性好、超频出色的特点,而采用HY D43芯片的产品更是被众多玩家所追捧。
如果我们将它细分的话,D43内存颗粒又根据生产批次的不同,在编号上分为AT-D43、BT-D43、CT-D43和DT-D43。
其中又以BT-D43和DT-D43最为常见,口碑也是最好的。
三星UCCC内存颗粒三星(SAMSUNG)内存颗粒被誉为DDR时代的终结者,它在512MB时代的TCCD和TCC5颗粒,1GB时代的UCCC颗粒都是内存界的佼佼者。
UCCC颗粒早期专供服务器高端ECC内存使用,后来才逐渐进入民用领域。
前期的产品依旧保持着服务器内存的特点,只以稳定性见长,超频性能一般。
但三星为了重夺高频内存之王的宝座,在520周期以后生产的UCCC颗粒做了进一步制程优化,使得高频、海量、稳定三全齐美。
三星TCCC颗粒(SAMSUNG TCCC)除了上面提到的TCCD、TCC5、UCCC内存颗粒,三星还有一TCCC颗粒,TCCC也是一款非常优秀的内存颗粒,被用于三星原厂的“金条”中,它的价格要比TCCD便宜得多,而且兼容性也非常好,不过价格还是比普通内存颗粒高了一些。
内存 五大生产厂家

内存五大生产厂家金士顿(Kingston)作为世界第一大内存生产厂商的Kingston,其金士顿内存产品在进入中国市场以来,就凭借优秀的产品质量和一流的售后服务,赢得了众多中国消费者的心。
不过Kingston虽然作为世界第一大内存生产厂商,然而Kingston品牌的内存产品,其使用的内存颗粒确是五花八门,既有Kingston自己颗粒的产品,更多的则是现代(Hynix)、三星(Samsung)、南亚(Nanya)、华邦(Winbond)、英飞凌(Infinoen)、美光(Micron)等等众多厂商的内存颗粒。
利屏利屏是进来新近崛起的一个内存新秀。
利屏科技(深圳)有限公司总部设在美国西部风景如画的世界高科技重镇旧金山。
公司致力于研发、生产和销售利屏LPT 极限高端内存条产品。
公司拥有一支技术过硬的产品研发团队和足迹遍及中、外的专业销售队伍。
产品深受广大游戏玩家和超频爱好者的喜爱。
同时被冠以”超频之神”的美誉。
胜创(Kingmax)成立于1989年的胜创科技有限公司是一家名列中国台湾省前200强的生产企业(Commonwealth Magazine,May 2000),同时也是内存模组的引领生产厂商。
通过严格的质量控制和完善的研发实力,胜创科技获得了ISO-9001证书,同时和IT行业中最优秀的企业建立了合作伙伴关系。
公司以不断创新的设计工艺和追求完美的信念生产出了高性能的尖端科技产品,不断向移动计算领域提供价廉物美的最出色的内存模组。
在SDRAM时期,Kingmax就曾成功的建造了PC150帝国,开启了内存产品的高速时代,也奠定了Kingmax在内存领域领先的地位。
Kingmax始终保持着领先的位置,继续引领着内存发展的方向。
说到KingMax 内存,就不能不说到它独特的”TinyBGA”封装技术专利--作为全球领先的DRAM生产厂商,胜创科技在1997年宣布了第一款基于TinyBGA封装技术的内存模组,这项屡获殊荣的封装技术能以同样的体积大小封装3倍于普通技术所达到的内存容量。
辨别内存真假1

1.必须具有印有“Apacer”商标旳条码签
真品宇瞻首先必须具有印有“Apacer“商标旳条码签。 上面除了印有“Apacer”商标外,还应具有产品容量、 频率、延迟以及SN编码等信息。
2. 必须具有防伪涂层
真品宇瞻内存应具有防伪涂层,刮开这个涂层能够
取得一种序列号,这个号码是唯一旳,消费者能够 根据这个号码到宇瞻旳官方网站进行查询,。
实际上,诸多消费者在选购内存时比较受本身旳品 牌倾好影响比较大。这个是个人旳喜好问题,与产 品价格扯不上。内存产品旳选购,无非是针对顾客 旳本身要求而定。高要求者,选择高原则旳产品, 而一般顾客,则没有太大旳必要为一线产品旳高价 格买单,一般产品也不会影响到日常旳使用。
内存质量涉及内存颗粒质量和PCB板质量及有关旳电子元件 质量。所谓一分钱一分货,内存产品旳质量从其产品价格上 略知一二。但低价不代表低质。因为目前内存条旳生产技术 已经相当成熟,低价旳内存产品虽然在做功用与料方面要比 高端产品略逊,但也极少出现因产品质量而引起旳不稳定问 题。就如对上文说旳,品牌内存旳出故障机率相当低,消费 者对品牌旳内存质量不必过分紧张。而在产品性能方面。不 同品牌之性能因其SPD中设置旳延时值等旳不同,性能仍有 微小旳差距,性能仍是有微小旳差距,但是并没有传闻是有 关旳巨大,除非是做测试看数据,不然在大部分应用中这些 相差旳性能几乎能够忽视。另一方面,某一品牌因为其不同 批次旳产品采用旳芯片不同,对SPD旳设置也未必相同,若 是真要考虑这方面旳朋友,除了看品牌外,在实际选购时也 不要忘了看清这方面旳参数,然后令人遗憾旳是,在内存规 格中标出这些有关参数旳厂商并不多。
3. PCB边沿应该印有“Apacer”旳商标
宇瞻内存在PCB旳边沿必须印有“Apacer”旳商标, 当然这个商标有时候是白色印制旳,有旳也是金色 印制旳。
颗粒品质决定内存性能 主流内存颗粒分析

当下,产品性价比是网友选购内存最重要的衡量标准。
用户在购买内存最关注的往往是品牌,频率,容量大小和价格。
不过如果想要更深入的选购质量上乘又价格合理的内存,那就必须了解内存的颗粒,内存颗粒决定了内存的兼容性和稳定性,更直接影响到内存的超频潜力。
然而很多人并不了解,同一品牌因为使用不同颗粒,在产品性能上会有很大的差异。
目前市场上各大品牌内存使用的内存颗粒主要是由原厂三星、镁光、现代、尔必达、南亚等提供。
在众多颗粒中,三星、镁光、现代颗粒最被认同。
其中镁光颗粒以其出色的超频能力被众多高端内存品牌所使用;而品质出色,兼容性好的三星则被各厂商首推为普通内存使用的最佳颗粒。
三星 (samsung) 内存工艺整体上要领先其他内存颗粒制造厂。
三星的半导体晶片在存储行业内名声显赫,他们不仅有最先进的半导体技术,在存储晶片方面也走在世界的前端。
从全球的市场份额来看,三星也绝对称的上是大哥级别的!金士顿、威刚、海盗船等一线内存品牌都普遍使用三星的原厂颗粒以保证产品的性能。
三星金条依靠自家生产的内存颗粒一直保持着高品质内存的形象,价格比同规格其他品牌的产品也要略高。
镁光(micron) 曾经被叫做美凯龙,是世界第二大内存颗粒制造商,但其产品在国内却不多见。
因为镁光很少将自己的优质颗粒卖给其他内存品牌,其极品颗粒多供自家DIY品牌Crucial使用及品牌机OEM市场,目前金邦、威刚、胜创等品牌的内存产品中可都以看到镁光内存的身影。
现代(hynix) 也被称为海力士,其内存颗粒以品质稳定价格低廉著称。
目前使用现代颗粒的内存品牌有金士顿、威刚、创见等,当然还包括自产自销原厂现代。
原厂现代在DIYer中有着不错的口碑,深受普通消费者的欢迎。
尔必达(elpida)由日本的日立和NEC两家知名IT企业共同出资建立的芯片厂商,由于生产规模的逐年扩大,使用其颗粒的内存也越来越多。
总的来说尔必达颗粒还是比较适合普通消费者,主要原因还是其价格十分低廉,兼容性与稳定性都比较优秀!在金士顿、黑金刚、金邦等品牌中可以看见必尔达的颗粒,不过他却自己的内存却没占有多少市场。
超高好评率的3款内存

超高好评率的3款内存作者:马建来源:《计算机与网络》2020年第02期对于热爱玩游戏的朋友来说,一定少不了一款高品质的内存设备。
优质的内存可以使游戏过程更加畅快劲爽,告别卡顿的烦恼,游戏体验也会有明显的提升。
今天带来的这3款内存条,都以极高的性价比获得了大量用户的认可,京东好评率均在98 %以上。
1. HyperX Predator掠食者DDR4 RGB内存这款产品主频高达3 200 MHz延迟低至CL15-CL21可提升系统响应速度和多任务处理能力。
支持Intel XMP的配置文件已针对Intel新平台优化,可靠兼容并能获得出色性能。
選用高质量的DRAM芯片,并在生产过程中执行严格测试流程,确保产品的高可靠性和兼容性。
坚固的铝制散热器高效散热,黑色酷炫的外观与RGB动态灯效相得益彰。
HyperX Predator掠食者DDR4 RGB 3200 16 GB(8G×2)套装台式机内存条,在京东官方旗舰店的售价为792元。
2. HyperX FURY雷电DDR4内存这款产品针对新款Intel和AMD芯片组合进行优化,是经济实惠的高性能升级方案。
全系列拥有从2 133 ~3 466 MHz多种频率产品可供选择,延迟为CL15-19,充分满足不同使用需求。
借助FURY DDR4即插即用的自动超频功能,内存的性能可以轻松得到出色发挥。
支持Intel XMP,简单操作即可实现多种选择。
此外,FURY DDR4单条容量为4 ~16 GB,套装容量为16 ~ 64 GB。
新版本的散热器外观更加精致小巧,搭配1.2 V低压,运行过程清爽高效。
HyperX FURY雷电DDR4 2400 16 GB(8G×2)套装台式机内存条,在京东官方旗舰店售价为519元。
3. HyperX Impact笔记本内存这款笔记本内存有多种型号可选,主频高达2 666 MHz,自动超频就可实现的高频率,无需设置,轻松实现澎湃动力提升使用体验。
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内存芯片
SAMSUNG
Hynix(Hyundai)现代
Infineon(亿恒)
KINGMAX、kti
Micron(美光)
Winbond(华邦)
SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义:
第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4,代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A
代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代
表32位数据;64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为8ns;10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位)×16片/ 8bits=256MB(兆字节)。
注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。
关于内
存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。
通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的
内存条实际容量按16乘。
在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Hynix(Hyundai)现代
现代内存的含义:
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型:(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM);
3、工作电压:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和刷新速率:16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=6 4Mbits、4K Ref;128=128Mbits、8K Ref;129=128Mbits、4K Ref;256=256Mbi ts、16K Ref;257=256Mbits、8K Ref
5、代表芯片输出的数据位宽:40、80、1
6、32分别代表4位、8位、16位和3 2位
6、BANK数量:1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系
7、I/O界面:1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、芯片内核版本:可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新
9、代表功耗:L=低功耗芯片,空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式:JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度:55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 : 250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、K :DDR266A Infineon(亿恒)
Infineon是德国西门子的一个分公司,目前国内市场上西门子的子公司Infineon 生产的内存颗粒只有两种容量:容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。
编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。
Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。
所以其内存颗粒型号比较少,辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits,“128”标识的是该颗粒的容量,后三位标识的是该内存数据宽度。
其它也是如此,如:HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S 128160即128MB/16bits;HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线,然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz;
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如:
1条Kingston的内存条,采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。
其容量计算为:128Mbits(兆数位)×16片/8=256MB(兆字节)。
1条Ramaxel的内存条,采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。
其容量计算为:128Mbits(兆数位)×8 片/8=128MB(兆字节)。
KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装(Tiny ball grid array)。
并且该封装模式是专利产品,所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。
K ingmax内存颗粒有两种容量:64Mbits和128Mbits。
在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注:
KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空间×4位数据宽度;
KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空间×8位数据宽度;
KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空间×4位数据宽度;
KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空间×8位数据宽度;
KSV864T4XXX——128Mbits,8M 地址空间×16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率:
-7A——PC133 /CL=2;
-7——PC133 /CL=3;
-8A——PC100/ CL=2;
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条,采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造,其容量计算为:64Mbits(兆数位)×16片/8=128MB(兆字节)。
Micron(美光)
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义:
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。
48代表SDRAM;46 代表DDR。
LC——供电电压。
LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits,计算方法是:16M(地址)×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式,TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率,-75即133MHz;-65即150MHz。
实例:一条Micron DDR内存条,采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。
该内存支持ECC功能。
所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为:容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB(兆字节)。
Winbond(华邦)
含义说明:
W XX XX XX XX
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1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型:98为SDRAM,94为DDR RAM
3、代表颗粒的版本号:常见的版本号为B和H;
4、代表封装,H为TSOP封装,B为BGA封装,D为LQFP封装
5、工作频率:0:10ns、100MHz;8:8ns、125MHz;Z:7.5ns、133MHz;Y:
6.7ns、150MHz;6:6ns、166MHz;5:5ns、200MHz。