模拟电子技术期末考试复习要点(12电气信息类)
模拟电子复习资料
模拟电子技术辅导材料《模拟电子技术》课程教学的主要内容和基本要求课程结构●主要内容和基本要求一、总体要求掌握以下方面的内容1.简单直流电路的基本分析方法。
2.用图解法和微变等效电路法分析非线性电路。
3.基本放大器、多级放大器及负反馈放大器的分析。
4.集成运放和集成功放电路的分析。
5.正弦波振荡电路的分析与应用。
6.直流稳压电源的分析与应用。
二、各部分内容要求：〔一〕半导体管1.掌握二极管的结构、符号、伏安特性及其单向导电性，注意其开关特性的分析。
2.掌握三极管的电流分配关系、特性曲线和等效电路。
熟悉三极管放大的外部条件，了解三极管的主要参数。
3、熟练掌握二、三极管电路的分析方法〔二〕基本〔单级〕放大器1.熟悉基本放大电路的组成和性能指标。
2.熟练掌握三种基本组态〔共发、共射、共集〕放大电路的结构特点、分析方法和性能指标特点。
静态工作点是直流量，必须由直流通道求取；输入电阻、输出电阻、电压放大倍是交流量，必须由交流通道求取。
3. 熟练掌握用等效电路分析法分析计算基本放大电路和分压式放大电路的静态工作点、输入电阻、输出电阻、电压放大倍数等参数。
〔三〕多级放大器1.熟悉多级放大电路的组成和性能指标。
2.掌握多级放大器的耦合方式及优缺点。
2.掌握直流放大器及差动放大器的特点。
3.熟悉多级放大器的增益的计算。
〔四〕反馈放大器1.熟悉四种反馈组态的判断。
2.掌握四种反馈组态对放大电路工作性能的影响。
3.熟悉深度负反馈放大电路的分析方法并能近似估算电压放大倍数。
4.能根据输入及输出要求引相应的负反馈。
〔五〕集成运算放大电路及其运用1.熟悉差动放大电路、恒流源式差动放大器的电路结构。
2.掌握差动放大电路、恒流源式差动放大器的静态工作点、输入、输出电阻、电压放大倍数的计算。
3.掌握线性集成运放的特点。
〔1〕掌握以下放大器的构成同相比例运放、反相比例运放、加法器、减法器、跟随器。
〔2〕熟练计算上述放大器的输入电压与输出电压的关系或电压放大倍数。
模拟电子技术重要知识点定稿版
模拟电子技术重要知识点精编W O R D版IBM system office room 【A0816H-A0912AAAHH-GX8Q8-GNTHHJ8】模拟电子技术重要知识点整理试题构成：15分（填空）+15分（差分电路计算）+15分（模拟信号运算）+15分（负反馈综合题）+40分（单管的图解法、频率特性、比较器、RC/LC振荡、稳压电源）第一章半导体器件在纯净的单晶硅或单晶锗中，掺入微量的五价或三价元素所得的掺杂半导体是什么，其多数载流子和少数载流子是是什么，又称为什么半导体。
结构完整完全纯净的半导体晶体称为本征半导体。
杂质半导体中少数载流子浓度只与温度有关。
掺杂半导体中多数载流子主要来源于掺杂。
当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将N型转型为P型；当掺入五价元素的密度大于三价元素的密度时，可将P型转型为N型。
二极管最主要的特性是什么。
温度升高后，二极管的反向电流将增大。
在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，锗二极管为0.1V。
稳压二极管稳压时，其工作在反向击穿区，发光二极管发光时，其工作在正向导通区。
稳压二极管稳压时和负载及电源如何连接。
三极管类型：NPN型、PNP型；硅管、锗管。
三种工作状态：放大状态：发射结正向偏置，集电结反向偏置；晶体管于放大状态，Ic=βIb有电流放大作用；饱和状态：发射结和集电结均正向偏置；截止状态：发射和集电结均反向偏置；在某放大电路中，给出三极管三个电极的静态电位或电流，能判断这只三极管是NPN 型还是PNP型的，是硅管还是锗管、工作在什么状态等。
了解场效应管的控制关系及主要参数的物理意义。
第二章放大电路的基础和分析方法放大电路的组成原则与工作特点。
能用估算法计算放大电路静态工作点。
会用图解法分析放大电路的最大输出动态范围，非线性失真等。
工作点合理的设置对实现不失真放大的影响。
熟练运用微变等效电路分析法计算放大电路的放大倍数、输入电阻、输出电阻。
掌握晶体三极管基本放大电路的三种组态，各组态的特点。
(精品word)模拟电子技术基础知识点总结(良心出品必属精品)
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术期末复习资料
模拟电子技术期末复习
交流负反馈对放大电路性能的影响
反馈组态
电压串联
电流串联
电压并联
电流并联
输 入 电 阻 Rif
增 大
增 大
减 小
（无穷深时→∞） （无穷深时→∞） （无穷深时→0）
减 小 （无穷深时→0）
输 出 电 阻 Rof
减 小 （无穷深时→0）
增 大
减 小
（无穷深时→∞） （无穷深时→0）
增 大 （无穷深时→∞）
VCC U CES 2 2
1 RL
(VCC U CES )2 2RL
此时电源的平均功率为若：R2、D1、D2中任意一个元件虚焊（
开路），则静态工作点失调，晶体管
PV
2 π
• VCC (VCC 的U集CES电) 极直流电流过大，造成管子功 RL 耗过大而损坏。
此时的转换效率：
h Pom π • VCC U CES
模拟电子技术期末复习
10.15 直流稳压电源如图P10.15 所示。 （1）说明电路的整流电路、滤波电路、调整管、基准电压电路、比较放大电路、采样电路等部
分各由哪些元件组成。
（2）标出集成运放的同相
输入端和反相输入端。
（3）写出输出电压的
表达式。 解：
-
（1）整流电路：D1～D4；
滤波电路：C1；
调整管：T1、T2；
h Pom PV
功放中的晶体管工作在尽限应用状态
功放通常在大信号（大电压、大电流）状态
OCL 电路的组成、工作原理、输出功率和效率的估算及晶体管的选择
第九章 功率放大电路
模拟电子技术期末复习
OCL电路
当输出电压为最大不失真电压（UOM = VCC－UCES）时，最大输出功率为：
模拟电子技术复习资料
模拟电子技术复习资料模拟电子技术复习资料模拟电子技术是电子工程中的重要一环，它涉及到电子电路的设计、分析和优化。
在现代科技发展迅速的时代，模拟电子技术的应用范围越来越广泛。
为了更好地掌握这门学科，以下是一些模拟电子技术复习资料，希望对大家的学习有所帮助。
一、基础知识回顾1. 电路基本元件：电阻、电容、电感。
了解它们的特性和在电路中的应用。
2. 电路定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电流和电压的分布规律。
3. 放大器基础：了解放大器的基本概念和分类，如共射放大器、共集放大器、共基放大器等。
4. 信号处理：了解滤波器的原理和分类，如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
二、放大器设计与分析1. 放大器的基本特性：增益、带宽、输入输出阻抗等。
掌握放大器的参数计算方法。
2. 放大器的稳定性分析：了解稳定性的概念和判据，如极点、零点的分布，掌握稳定性分析的方法。
3. 反馈放大器：了解反馈放大器的原理和分类，如电压串联反馈、电流串联反馈等。
4. 差分放大器：了解差分放大器的原理和应用，如差分放大器的共模抑制比、共模反馈等。
三、运算放大器及其应用1. 运算放大器的基本特性：了解运算放大器的输入输出特性，如输入阻抗、输出阻抗、放大倍数等。
2. 运算放大器的反馈电路：了解反馈电路的原理和分类，如电压反馈、电流反馈、电阻反馈等。
3. 运算放大器的应用：了解运算放大器在各种电路中的应用，如比较器、积分器、微分器等。
四、振荡器与频率特性1. 振荡器的原理：了解振荡器的基本原理和分类，如正弦波振荡器、方波振荡器、脉冲振荡器等。
2. 振荡器的稳定性：了解振荡器的稳定性条件和稳定性分析方法，如震荡幅度、相位噪声等。
3. 频率特性分析：了解频率响应的概念和分析方法，如Bode图、相频特性等。
五、模拟滤波器设计1. 模拟滤波器的分类：了解模拟滤波器的基本分类，如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
2. 滤波器的设计方法：了解滤波器的设计方法和参数计算，如阻抗匹配、频率响应等。
模拟电子技术总结复习资料全
半导体二极管及其应用电路一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
* PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术复习提纲2011-12
《2011．12．10第一章一．基本概念和基本知识1．PN结具有单向导电性：加正向电压时导通，加反向电压时截止。
2. 二极管的伏安特性正向特性：U I<开启电压时，I D≈ 0 ,U I 大于开启电压后逐渐导通，I D增加，二极管导通后，正向压降≈0.7伏（对于硅管）。
反向特性：当U I < 反向击穿电压时，I D≈ 0 。
若U I≥反向击穿电压时。
反向电流急剧增加，将会使二极管击穿而损坏。
3．稳压二极管是一种特殊的二极管。
在电路中主要用于稳定电压。
稳压二极管工作于反向击穿状态。
使用时，必须与负载并联，并且串接有稳压和限流功能的电阻。
4．晶体三极管分为NPN和PNP型两大类。
要求熟练记住其符号以及正确加载电源电压的极性。
对于NPN管集电极和基极的偏置电源必须接外接电源的正极。
对于PNP管则集电极和基极的偏置电源必须接外接电源的负极。
5. 为了使晶体三极管实现电流放大作用，供电电源接法应保证：发射结正向偏置，集电结反向偏置。
6．三极管的电流关系：I E = I B＋I C ; 在放大区I C =β I B7．三极管的输出特性曲线有三个区：截止区、放大区、饱和区。
三极管工作在放大状态时，必须保证在线性放大区，不能进入截止区和饱和区。
在数字电路中则工作于截止区和饱和区。
8．三极管的主要参数：（1）共射电流放大倍数β = ∆I C / ∆I B 共基电流放大倍数∆α = ∆I C / ∆I E ;α = β / (1+ β)β = α / (1 - α)(2)集电极最大电流I CM ; 集电极最大功耗P CM ;(3)反向击穿电压U(BR)CEO U(BR)CBO U(BR)EBO9场效应管（1）场效应管分为结型场效应管和绝缘栅型效应管两大类。
从导电沟道分：分为N沟道和P沟道两大类；绝缘栅型效应管可分为耗尽性和增强型两大类。
（2）场效应管是电压控制器件；而双极型三极管则是电流控制器件。
（3）要求熟记各种类型场效应管的电路符号以及所加电源电压的极性。
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模拟电子技术期末考试复习要点
第一章晶体二极管
1、杂质半导体
P型半导体：多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子；
N型半导体：多数载流子是自由电子，少数载流子是孔穴；
2、PN结
形成的物理过程；
伏安特性：正向特性：外加正向电压即正偏，空间电荷区变窄（或变薄），形成较大的正向扩散电流。
反向特性：外加反向电压即反偏，空间电荷区变宽（或变厚），形成很小的反向漂移电流；
击穿特性：稳压二极管；
3、晶体二极管
主要特性：单向导电性。
当外加电压大于导通电压时，晶体二极管导通；当外加电压小于导通电压时，晶体二极管截止。
模型：简化电路模型（理想模型、恒压降模型）；
电路分析方法：简化分析法（估算法、画输出信号波形方法）；（重点）
应用：整流电路、限幅电路；（重点）
作业：1-13、1-16
第二章晶体三极管
1、类型：NPN和PNP；
2、基本结构
三个区：基区、发射区、集电区；
三个极：基极、发射极、集电极；
两个结：发射结、集电结；
3、工作模式
放大模式：发射结正偏，集电结反偏——正向受控特性；
饱和模式：发射结正偏，集电结正偏——受控开关特性；
截止模式：发射结反偏，集电结反偏——受控开关特性；
4、放大模式下的工作原理
内部载流子传输过程；
直流电流传输方程；
直流简化电路模型；
5、伏安特性曲线
输入特性曲线族；
输出特性曲线族：分为四个区——放大区、饱和区、截止区、击穿区；
6、小信号电路模型：简化小信号电路模型；
7、电路分析方法
直流分析法：工程近似分析法——估算法；（P72-74：2-3-3 分压式偏置电路）
交流分析法：小信号等效电路分析法；
第四章放大器基础
1、偏置电路和耦合方式
偏置电路要求：提供合适的静态工作点，保证器件工作在放大模式；当环境温度等因素变化时，能稳定电路的静态工作点；
分压式偏置电路；（重点）
耦合方式：电容耦合、直接耦合（级间直流电平配置问题、零点漂移问题）；
2、基本组态放大器（共发、共集）（重点）
直流通路、直流等效电路、交流通路、交流等效电路、静态工作点的计算（I BQ 、I CQ 、V CEQ ）、性能指标（输入电阻、输出电阻、电压增益）的计算、三种组态放大器的性能比较（P162）；
3、 差分放大器（重点）
差模信号和共模性号：大小相等、极性相反；大小相等、极性相同；（P178：例1、2）
差模性能分析（双端输出电路、单端输出电路）：半电路差模交流通路、差模性能指标（差模输入电阻、差模输出电阻、差模电压增益）计算；
共模性能分析（双端输出电路、单端输出电路）：半电路共模交流通路、共模性能指标（共模输入电阻、共模输出电阻、共模电压增益）计算；
共模抑制比；
作业：P254：4-1（a ）（b ）、4-15、4-20、4-27、4-37
第五章 放大器中的负反馈
1、 正反馈和负反馈
正反馈：使净输入量增大；负反馈：使净输入量减小；
2、 反馈极性与类型的判别（*）
判断反馈类型：短路法；
判断极性：瞬时极性法；
3、 负反馈对放大器性能的影响：降低增益、减小增益灵敏度（提高增益稳定性）、改变输入、输出电阻（如何
改变的？）；
4、 引入负反馈的原则：
要稳定直流量（如静态工作点）：引入直流负反馈；要稳定交流量（如电压放大倍数）：引入交流负反馈；要稳定输出电压：引入电压负反馈；要稳定输出电流：引入电流负反馈；要增大输入电阻：引入串联负反馈；要减小输入电阻：引入并联负反馈；要增大输出电阻：引入电流负反馈；要减小输出电阻：引入电压负反馈； 作业：第5章课件 例3
第六章 集成运算放大器及其应用电路
1、 理想条件下的两条重要法则：虚短：v v +-=、虚断：0i i +-==；
2、 基本应用电路：反相放大器（虚地：0v v +-==）、同相放大器（同相跟随器）；
3、 运算电路：反相加法器、同相加法器、减法器、积分器、微分器；
作业：P382：6-1、6-3。