PDK-45R-23G中文资料
松填CA45型钽电容规格 中文版
标称电容量 （CR） μF ≤1.0 1.5~68 100~220 330~470
680~1000
表3 电容量变化范围% -55℃ 85℃ 125℃
±10 ±10 ±12 ±12
±12
±15 ±15
电容器的高低温特性
最大值
损耗角正切%
-55℃
85℃
125℃
6
6
8
8
10
10
12
12
15
15
漏电流 μA
E
22
C B/A/P C B/A C
B/A
C
B/A
D
C/B
E
C/D
E
33
C B/A/P C B/A E D/C/B/A E C/B/D E
C/D
E
D/C
E
47
E/C B/A/P C
B/A
D
C/B
D
C/B
E
C/D E
D
E
68
E/C B/A
D C/B/A D
C/B
D
C/B
E
D
E
D
100
C
B/A E B/C/D E D/C/B E
, 25℃) (Ω)
max. Max max.
10 VOLT RATING AT +85℃ 6.3 VOLT RATING AT +125℃)
TCSC106*010# C
10
1.0 6
3.0
TCSB106*010# B
10
1.0 6
6.0
TCSA106*010# A
10
10 VOLT RATING AT +85℃ 6.3 VOLT RATING AT +125℃)
HT45R2G 规格书 简体中文
HT45R2G增强A/D 型八位OTP单片机技术相关信息•应用范例—HA0075S MCU复位电路和振荡电路的应用范例特性CPU特性•工作电压：f SYS =4MHz：2.2V~5.5Vf SYS =8MHz：3.0V~5.5Vf SYS =12MHz：4.5V~5.5V•在V DD=5V，系统时钟为12MHz时，指令周期为0.33µs•暂停模式和唤醒功能可降低功耗•振荡模式：外部高频晶振-- HXT内部RC -- HIRC•内部集成4MHz，8MHz和12MHz振荡器，不需要增加外部元器件•OTP程序存储器：2K×15•RAM数据存储器：128×8•看门狗定时器•LIRC振荡用于看门狗时钟•所有指令都可在1个或2个指令周期内完成•查表指令•63条功能强大的指令系统•6层堆栈•位操作指令•低电压复位功能•20-Pin DIP/SOP封装周边特性•18个双向输入/输出口•8个通道12位ADC•2个通道8位PWM•一个与I/O口复用的外部中断输入•一个8位可编程定时/计数器，具有溢出中断和预分频功能概述增强A/D型系列单片机是8位具有高性能精简指令集的单片机，应用相当广泛。
秉承Holtek单片机具有低功耗、I/O灵活、定时器功能、振荡类型可选、暂停和唤醒功能、看门狗和低电压复位等丰富的功能选项，具有极高的性价比。
其内部集成了系统振荡器HIRC，提供三种频率选择，不需要增加外部元器件，可以广泛适用于各种应用，例如工业控制、消费类产品、家用电器子系统控制等。
方框图下面方框图描述了主要的功能模块。
引脚图PA2/TC0/AN2PA3/INT/AN3HT45R2G 16DIP/NSOP-AVSS PA6/OSC1PA5/OSC2PA7/RES PA4/PWM0PB0PB1PB2PC3/PWM1PC1/AN5PC0/AN4PA0/AN0PA1/AN1VDD12345678910111213141516引脚说明每个引脚的功能如下表所述，而引脚配置的详细内容见规格书其它章节。
贴片肖特基二极管封装
贴片肖特基二极管封装通过型号识别封装外形：MBR10100：TO-220AC，单芯片，两引脚，MBR10100CT：TO-220AB，双芯片，三引脚，型号后缀带CT MBRB10100CT：TO-263（D 2 PAK）、贴片。
型号前面第四个字母B，代表TO-263，国际通用命名。
双芯片，三引脚，型号后缀带CT MBRD1045CT：TO-252（DPAK）、贴片。
MBRD与MBRB都是贴片，D：TO-252，B：TO-263。
MBR3045PT：TO-3P，型号后缀“PT”代表TO-3P封装，原MOTOROLA（今ON）叫做SOT-93 SD1045：D表示TO-251 常见贴片封装的肖特基型号：BAT54、BAT54A、BAT54C、BAT54S：SOT-23，0.3AMBR0520L、MBR0540：SOD-123，0.5ASS12、SS14：DO-214AC（SMA），1ASL12、SL14：DO-214AC（SMA），1ASK22：SK24：DO-214AA（SMB），2ASK32：SK34：DO-214AB（SMC），3AMBRD320、MBRD360：TO-252，3AMBRD620CT、MBRD660CT：TO-252，6AMBRB10100CT：TO-263（D 2PAK），10AMBRB4045CT：TO-263（D2PAK），40A常见插件封装的肖特基型号：MBR150、MBR160：DO-41，轴向，1A1N5817（1A/20V）、1N5819（1A/40V），轴向，DO-41；1N5820（3A/20V）、1N5822（3A/40V），轴向，DO-201ADMBR340、MBR3100：（3A/40V），DO-201AD轴向，MBR735、MBR745：TO-220AC（两脚），7AMBRB735、MBRB745：贴片、TO-263（D 2 PAK），7AMBR1045、MBR1060：TO-220AC（两脚），10AMBR1045CT、MBR10100CT：TO-220AB（三脚半塑封），10AMBRF1045CT、MBRF10100CT：TO-220F，（三脚全塑封），10A（第4位字母F为全塑封）MBR1535CT、MBR1545CT：TO-220AB（三脚），15AMBR2045CT、MBR20200CT：TO-220AB（三脚），20AMBR2535CT、MBR2545CT：TO-220AB（三脚），25AMBR3045CT、MBR3060CT：TO-220AB（三脚），30AMBR3045PT、MBR3060PT：TO-247（TO-3P），30AMBR4045PT、MBR4060PT：TO-247（TO-3P），40AMBR6045PT、MBR6060PT：TO-247（TO-3P），60A器件型号主要参数常规封装形式MBR1045CT，10A，45V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR1060CT，10A，60V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR10100CT，10A，100V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR10150CT，10A，150V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR10200CT，10A，200V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR2045CT，20A，45V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR2060CT，20A，60V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR20100CT，20A，100V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR20150CT，20A，150V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR20200CT，20A，200V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR3045CT，30A，45V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR3060CT，30A，60V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR30100CT，30A，100V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR30150CT，30A，150V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR30200CT，30A，200V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR3045PT，30A，45V，TO-247、TO-3P；MBR3060PT，30A，60V，TO-247、TO-3P；MBR30100PT，30A，100V，TO-247、TO-3P；MBR30150PT，30A，150V，TO-247、TO-3P；MBR30200PT，30A，200V，TO-247、TO-3P；MBR4045PT，40A，45V，TO-247、TO-3P；MBR4060PT，40A，60V，TO-247、TO-3P；MBR40100PT，40A，100V，TO-247、TO-3P；MBR40150PT，40A，150V，TO-247、TO-3P；MBR40200PT，40A，200V，TO-247、TO-3P；MBR6045PT，60A，45V，TO-247、TO-3P；MBR6060PT，60A，60V，TO-247、TO-3P；MBR60100PT，60A，100V，TO-247、TO-3P；。
二极管封装大全
军用电子器件目录JUN YONG DIAN ZI QI JIAN MU LU（2005年版）济南半一电子有限公司目录半导体器件选用注意事项 (1)第一部分：二极管 (8)一. 开关二极管 (8)1. 锗金键开关二极管2AK1～20系列 (8)2. 锗金键检波二极管2AP1～31B系列 (9)3. 肖特基检波二极管SP1～31B系列（替代2AP1～31B） (10)4. 肖特基开关二极管SK1～20系列（替代2AK1～20） (11)5. 肖特基开关检波二极管2DKOlO、020、O3O型（替代2AK1～20、2AP1～31B）··126. 硅开关二极管2CK70～86、2CK49～56系列 (13)7. 硅开关二极管1N、1S、1SS、BAV系列 (16)8. 玻璃钝化封装大电流开关二极管RG0.5～5系列 (17)二. 整流二极管 (18)1. 玻封快速硅整流二极管2CZ50～57系列 (18)2. 玻璃钝化整流管1N、RL、6A系列 (19)3. 玻璃钝化高速整流管SF11G～66G系列 (20)4. 贴片玻璃钝化整流管S1～5系列 (21)5. 贴片高速整流管ES1～5系列 (22)6. 肖特基二极管SR0620～510、1N5817～5822系列 (23)7. 肖特基二极管SR735～4060系列 (24)8. 贴片肖特基二极管SS1～36、SS110系列 (25)三. 电压调整（稳压）二极管 (26)1. 硅稳压二极管2CW50～78系列 (26)2. 硅稳压二极管2CW100～121系列 (27)3. 硅稳压二极管ZW50～78系列 (28)4. 硅稳压二极管ZW100～121系列 (29)5. 硅稳压二极管2CW5221～5255（1N5221～5255）系列 (30)6. 硅稳压二极管2CW4728A～4754A（1N4728A～4754A）系列 (31)7. 硅稳压二极管1N746A～759A、1N957A～974A系列 (32)8. 硅稳压二极管1N4352B～4358B系列 (33)9. 硅稳压二极管HZ2～36系列 (34)10. 硅稳压二极管BZX55/C系列 (35)11. 硅稳压二极管BZX85/C系列 (36)四. 电压基准二极管 (37)1. 硅基准稳压二极管2DW14～18系列 (37)2. 硅平面温度补偿二极管2DW230～236系列 (38)五. 电流调整（稳流）二极管 (39)1. 稳流管2DH1～36系列 (39)六. 瞬变电压抑制二极管 (40)1. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS500～534系列 (40)2. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS1000～1034系列 (41)3. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS1500～1534系列 (42)4. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS5000～5034系列 (43)第二部分：晶体管 (44)一. 双极型晶体管 (44)1. 硅NPN型平面高频小功率三极管3DG110、3DG111、3DG130系列 (44)2. 硅NPN型外延平面高反压三极管3DG182系列 (45)3. 硅NPN型平面三极管3DK101、3DK106、3DK21系列 (46)4. 硅PNP型外延平面高频小功率三极管3CG111、3CG120、3CG130系列 (47)5. 硅PNP型外延平面高频小功率三极管3CK2、3CK120、3CK130系列 (48)6. 硅PNP型外延平面高频高反压小功率三极管3CG182、3CG184、2N2907系列 (49)7. 硅NPN低频大功率晶体管3DD1～8系列 (50)8. 硅NPN达林顿功率晶体管FH6～8系列 (53)二. 场效应晶体管 (54)1. N沟道MOS型场效应晶体管IRF120～823系列 (54)2. P沟道MOS型场效应晶体管IRF9130～9643系列 (56)3. N沟道结型场效应晶体管3DJ2、3DJ6/66、3DJ7/67/304、3DJ8/68系列 (57)三. 部分替代俄型号晶体管 (59)第三部分：半导体分立器件组件 (60)一. 说明 (60)二. 产品型号 (61)1. 200mA～2A玻璃钝化芯片整流桥DF、1W、RB、W系列 (61)2. 1～4A玻璃钝化芯片整流桥2W、GBP、GBL系列 (62)3. 4～15A玻璃钝化芯片整流桥GBU、GBP系列 (63)4. 15～35A玻璃钝化芯片整流桥GBPC系列 (64)5. 定制式三相整流桥 (65)6. 2Д906A型硅二极管矩阵 (65)7. 双向限幅器SXF0.25～5.8系列 (65)第四部分：电路及模块 (66)一. 集成稳压器 (66)1. 固定输出三端正稳压器CW7800系列 (66)2. 固定输出三端负稳压器CW7900系列 (66)3. 可调输出三端正稳压器CW117系列 (67)4. 可调输出三端负稳压器CW137系列 (67)5. 定制式5V以下电压基准DCW系列 (68)第五部分：外形图 (69)半导体器件选用注意事项半导体器件（以下简称器件）的质量问题，不仅有器件本身所固有的质量和可靠性问题，也有由于用户选择或使用不当造成的器件失效问题。
EMC45DRYI中文资料(List Unclassifed)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
106.68 109.22 121.92 124.46 129.54 149.86
B
+_ 0.20
12.70 15.24 17.78 20.32 22.86
27.94 33.02 35.56 40.64 45.72 48.26
50.80 53.34 58.42 60.96 66.04 68.58
.275 [6.98]
.225 [5.72]
字母b SIDE
0.016 [0.41]厚, 总体PLATED ONLY
.007 [0.18] THICK
EYELET (TE)
EYELET (RE)
FITS .043 [1.09]
直角
(RA)
.125 [3.18]
.185 [4.70]
.050 [1.27]
C = PPS /铍镍（咨询工厂） N = PEEK /铍铜（咨询工厂） W = PEEK /铍镍（咨询工厂）
F = PPS / Pfinodal ***（咨询工厂）
咨询工厂其他材料
触点表面涂层
接触面
Z = 0.000010"金 X = 0.000030"金 G = 0.000010"金奖 Y = 0.000030"金奖
5.275 5.575
5.475 5.775
6.275 6.575
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
E
+_.020
1.275 1.375 1.475 1.575 1.675
1.875 2.075 2.175 2.375 2.575 2.675
2.775 2.875 3.075 3.175 3.375 3.475
DK5V45R25P高性能同步整流芯片说明书
高性能同步整流芯片产品概述DK5V45R25P是一款简单高效率的同步整流芯片。
芯片内部集成了45V功率NMOS管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。
DK5V45R25P采用SOP-8封装。
主要特点●超低V F●超低温升●集成45V25mΩ功率NMOS●可工作于DCM、QR模式●自供电技术，无需外围供电●智能检测系统，无需前端同步信号●对EMI/C有适当改善●可以直接替换肖特基二极管●无需任何外围典型应用●USB充电器●适配器●LED驱动等引出端排列引出端功能管脚序号管脚名称描述1,2,3A应用时同二极管阳极4VCC芯片供电引脚。
5,6,7,8K应用时同二极管阴极电路结构方框图极限参数参数符号最小值典型值最大值单位NMOS源漏耐压V(BR)DSS45V NMOS最大连续电流①I DSCDC30A NMOS最大峰值电流②I DSPDC40A SOP8耗散功率P DMAX1W 热阻（结到环境）RθJA76℃/W 热阻（结到管壳）RθJC4℃/W 工作结温范围T J-25120℃储存温度范围T STG-55155℃结温T J-25150℃焊接温度260/5S℃备注：①②：SOP-8封装未带散热片（TA=25℃）条件下测试；电特性参数（T A=25℃除非有其他说明）参数符号测试条件最小值典型值最大值单位电源电压芯片启动电压③V CC_ON 3.6V 欠压保护阈值③V CC_OFF 3.1V VCC工作电压Vcc56V 智能检测&控制NMOS开通电压V ON-150mV NMOS开通延时T DON150ns NMOS关断延时T DOFF50ns NMOS最大开通时间T ON_MAX20usμs NMOS最小开通时间T ON_MIN300ns NMOS最小关断时间T OFF_MIN500ns 死区时间④T D0ns 最大工作频率F S_MAX100KHz NMOSNMOS导通电阻R DS_ON25mΩNMOS源漏漏电流I DSSμA 备注：③．规格书中电压均以A点为参考点；功能描述DK5V45R25P是一款简单高效的三个管脚的同步整流芯片，在5V低边应用时VCC直接接输出正极，无需任何外围器件，可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗，提高整机效率。
射频微波多层片式瓷介电容器
容量 （pF）
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2
额定直流 容值 工作电压 （V） 代码
4R7 5R1 5R6 6R2 6R8 7R5 8R2 9R1 100 110 120 130 150 160 180 200 220 240 270 300 330 360 390 430 470 510 560 620 680 6R8 7R5 8R2 9R1 100 110 120 130 150 160 180 200 220 240 270 300 330 360 390 430 470 510 560 620 680 750 820 910 101 111 121 131 151
18
射频 、微 波多层片 式瓷 介电容 器
产品型号： CC41Q 质量等级： G、J 通用规范： GJB192A-1998《有可靠性指标的无包封多层片式瓷介电容器总规范》 QZJ840624 《瓷介电容器“七专”技术条件》 提供报告： G：A 组检验、C 组检验、交收报告。 J：A 组检验、交收报告。
1111
2.79
+0.89 -0.51
0603
1.60±0.15 0.81±0.15
0805
2.00 ±0.20 1.25±0.20
845等线路图!.
845线路图上图推动管45用2A3C代换天津全真电子管TJ Full music 45/n 网屏茄型价格：718.00元特征：是个茄形或圆顶型玻壳，四根镀金管脚的白陶瓷座，直热式氧化物阴极，网状板极、石墨板极三极管。
用途：用于音频放大器，输出功率达1.6W。
标准工作状态及参数:加热电压*……………………… 2.5V加热电流…………………………1.5A板极电压 (250V)栅极电压**………………………-50V板极电流…………………………34mA放大倍数…………………………3.5跨导………………………………3.9mA / V栅极电流…………………………0.05μA*交流灯丝供电或直流灯丝供电**交流灯丝供电栅极或板极回路与灯丝变压器次级的中心头相联，直流灯丝供电，栅极阳极的电源回路与灯丝负端相联。
平均特性曲线:如图表示板极电流，板极电压对应几组栅极电压特性曲线。
（交流灯丝电压供电）极限工作使用值:最大板极电压 (275V)最大板极功耗……………………10W上图为推动牛的制作！845牛两套，一套：交流高压是750V,中压是330V,负压70V，输出牛是8K/4欧、8欧；另外一套是：高压650V，中压165V,100V,输出牛也是8K的。
输出牛都有40瓦以上.大概的架构想用300B牛推845和2A3牛推845.推动牛参数：ZS-3045音频推动变压器(Drive transformers)：本页更新于2009.9.22工艺特点(feature): 进口高纯度漆包线/约含10%坡莫合金(Permalloy)/法拉第屏蔽(Faraday Shield);匝数比(turns ratio):1:1.39;标称阻抗(impedance):一次侧(Pri)-3.5kΩ最大电流(Imax):一次侧(Pri)-170mA, 二次侧(Sec)-80mA;频响宽度(Frequency response):5Hz~101.2kHz -3dB，2A3在路测试(ICT)(In-circuit test);失真(THD):<0.1%(Output: 30Hz/2kΩ/0dB);幅度变化(amplitude change):20Hz ~ 20kHz 0dB ~ 0dB 2A3在路测试(In-circuit test);直流电阻(D.C.R):一次侧(Pri)138.9Ω, 二次侧(Sec);外形结构(Structure ):全密封(sealed);适应电路(to adapt the circuit):300B/2A3/等推动845/ГМ-70(GM70)/211/6C33C...绝缘强度(dielectric strength):≥1000V/1m(一次侧对二次侧、一次侧对铁芯)服务承诺(pledge):1. 本商品自发出之日起无人为损坏现象，一个月内包退换；2. 指标低于介绍的5%我们将双倍退还商品款。