小尺寸MgO团簇结构与电子性质的第一性原理研究

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CoxBy合金力学性能、热学性质及电子性质的第一性原理研究

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第 4 期第 192-199 页材料工程Vol.52Apr. 2024Journal of Materials EngineeringNo.4pp.192-199第 52 卷2024 年 4 月Co x B y 合金力学性能、热学性质及电子性质的第一性原理研究Mechanical ,thermal and electronic properties of Co x B y alloys :a first -principles study金格1,吴尉1,李姗玲1,陈璐1,史俊勤1,2*,贺一轩1,2*,范晓丽1,2(1 西北工业大学 材料学院 先进润滑与密封材料研究中心,西安 710049;2 凝固技术国家重点实验室,西安 710072)JIN Ge 1,WU Wei 1,LI Shanling 1,CHEN Lu 1,SHI Junqin 1,2*,HE Yixuan 1,2*,FAN Xiaoli 1,2(1 Center of Advanced Lubrication and Seal Materials ,School of Materials Science and Engineering ,Northwestern PolytechnicalUniversity ,Xi ’an 710049,China ;2 State Key Laboratoryof Solidification Processing ,Xi ’an 710072,China )摘要:Co x B y 合金是一种具有高硬度和高熔点的材料,因其稳定的化学性质、高强度以及良好的热稳定性,在诸多领域具有广泛的应用前景。

基于第一性原理方法研究了CoB ,Co 2B ,Co 3B ,Co 23B 6,Co 5B 16 5种Co x B y 合金的热力学性质和电子性质。

采用能量-应变方法计算了二元合金的弹性常数和相关力学特性,基于准简谐德拜模型计算了有限温度内的德拜温度ΘD 和热膨胀系数α等热力学特性。

第一性原理对 Ga n N n ( n = 2~ 5) 小团簇的结构

第一性原理对 Ga n N n ( n = 2~ 5) 小团簇的结构

第25卷 第1期原 子 与 分 子 物 理 学 报Vo l.25 N o.1 2008年2月JOU RNA L OF A T OM IC AN D M OLECUL AR PHYSICS Feb.2008文章编号:1000 0364(2008)01 0143 06第一性原理对Ga n N n(n=2~5)小团簇的结构及电子性质的研究葛桂贤1,雷雪玲2,闫玉丽3,杨 致3,赵文杰3,王清林3,罗有华3,4(1.石河子大学师范学院物理系生态物理重点实验室,新疆832003;2.新疆师范大学数理信息学院,乌鲁木齐830053;3.河南大学物理与信息光电子学院理论物理研究所,开封475004;4.华东理工大学理学院,上海200237)摘 要:利用密度泛函理论的B3LY P方法在6 31G*的水平上对Ga n N n(n=2~5)团簇的结构进行优化,得到了Ga n N n(n=2~5)团簇的最稳定结构.并对最稳定结构的电子性质、成键特性和极化率进行分析.结果表明,团簇的最稳定结构为平面结构,且存在着N2和N3单元,说明N-N键在团簇的形成过程中起着决定性的作用;能隙间隔为1.776~3.563eV,表明Ga n N n(n=2~5)团簇已具有了半导体的性质.关键词:G a n N n团簇;最低能量结构;电子性质中图分类号:O641 文献标识码:AFirst principles study on structure and electronic propertiesof small Ga n N n(n=2~5)clustersGE Gui Xian1,LEI Xue Ling2,YAN Yu Li3,YANG Zhi3,ZHAO Wen Jie3WANG Q ing Lin3,LUO You Hua3,4(1.Key Laboratory of E cophysics and Department of Physics,Normal College,Shihezi University,Xinjiang832003,China;2.School of M aths Physics an d Information Sci ences,Xinjiang Normal Universi ty,U rumqi830053,China;3.Institute of T heoreti cal Physics,School of Physics and Information Optoelectronics,Henan University,Kaifeng475004,China;4.S chool of S cience,East C hi na Un i versity of Science and T echnology,Shanghai200237,China)Abstract:Geometric structure and relative stability of Ga n N n(n=2~5)clusters are studied by using the hy brid functional theory(B3LYP)w ith6 31G*basis sets.For the most stable isomers of Ga n N n(n=2~5) clusters,the electronic properties,bond properties,polarizability are analyzed.T he calculated results show that the optimized Ga n N n(n=2~5)clusters are planar structure.The most stable structures indicate a pref erence for an N2subunit or N3subunit,denoting that N N bonds play a crucial role in stabilizing the cluster. T he energy gaps are from1.776to3.563eV,revealing that these cluster may present semiconductor like properties.Key words:Ga n N n(n=2~5)clusters,the lowest energy structure,electronic properties收稿日期:2006 09 01作者简介:葛桂贤(1977-),女,讲师,研究方向为团簇物理.E mai l:geguixian@1 引 言在过去的十几年中,原子团簇的结构和稳定性得到了广泛的研究[1-3].近几年来, ~族化合物半导体材料奇特的光学性质和潜在的应用价值已引起物理、化学和材料等领域的广泛兴趣,也使得 ~族化合物团簇成为团簇领域的研究热点之一[4 6].对GaN团簇的研究工作主要有:Kan dalam等在密度泛函理论的基础上运用非局域密度近似的方法计算了Ga n N m(n,m=1~2)[7]和Ga n N n(n=3~6)[8,9]团簇的结构.Belbruno[10]等用密度泛函理论研究了Ga n N n(n=2~4)团簇的结构.Song等用全势能线形M uffin T in轨道组合分子动力学(FP LMTO)方法计算了Ga n N n(n=2 ~6)[11]团簇的结构.Costales等用密度泛函理论对Ga n N-n(n=1~3)[12]阴离子团簇进行了研究.以上小组的共同特点是主要集中在结构的研究上,都没有涉及到原子间的成键特性和极化率的计算.众所周知,极化率表征着体系对外场的响应,决定了体系的非线性光学特性,同时它还能够影响分子间如诱导力、色散力等长程相互作用以及碰撞过程中的散射截面等重要的物理量.本文用B3LYP/6 31G*密度泛函方法对Ga n N n(n=2~5)团簇进行了计算,得到了这些团簇的最低能量和一些亚稳态的几何结构,并对最稳定结构的电子性质、成键特性和极化率进行了分析.2 计算方法采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP泛函方法,在6 31G*水平上通过寻找对多维势能面上的极小点,在相同的水平上对振动频率进行了计算.所有的计算都是在Gaussian03程序[13]上进行的.为了验证所选方法的合理性,在相同的条件下计算了二聚体N2的键长和振动频率以及二聚体GaN 的键长.计算结果表明,N-N键长为0.1105nm、振动频率为2457.65cm-1,与实验的N-N键长0.1098nm,振动频率2358.57cm-1[14]符合的很好.Ga-N键长为0.173nm和最近Dsa计算的Ga-N键长(0.188nm)[15]符合的很好.由于B3LYP方法可以很好的描述二聚体N2和GaN,于是我们认为这种方法也适用于Ga n N n(n=2~5)团簇.3 结果与讨论3.1 几何构型Ga n N n(n=2~5)团簇的最低能量结构和一些亚稳态的几何结构如图1所示,原子间距分别小于0.3330nm(Ga-Ga),0.2432nm(Ga-N)及0. 1591nm(N-N)时成键,表1给出了最低能量结构的几何参数(原子括号内的数字代表第几个原图1 Ga n N n(n=2~5)团簇的最低能量结构和一些亚稳态的几何结构(浅色代表Ga原子,深色代表N原子)Fig.1 L owest energ y and some meta stable isomerstructures of Ga n N n(n=2~5)clusters(The w hite circles represent the Ga atoms and the dark circles represent th e N atoms)子).Ga2N2团簇的最低能量结构示于图1(2a),其是不规则的四边形,N-N键长为0.1168nm. Song等人[11]用FP LM TO方法报道的最低能量结构是一个菱形.他们报道的两个氮原子在短轴位置,N-N和Ga-N键长分别为0.1246nm和0.2093nm.我们在优化过程中得到了两种菱形结构,如图1(2b)和图1(2d)所示.其中2b的两个氮原子在短轴位置,N-N和Ga-N键长分别为0 1252nm和0.2151nm,与Song[11]的计算结果符合的很好.其能量仅比最低能量结构高0.007144 原 子 与 分 子 物 理 学 报 第25卷eV,Kandalam[7]和Belbruno[10]在密度泛函理论的基础上运用非局域密度近似的方法均认为其是最低能量结构,没有报道出不规则的四边形.另外在优化过程中得到了三种线性构型,如图1(2c)、图1 (2e)和图1(2f)所示.Ga3N3团簇的最低能量结构如图1(3a)所示,该结构是一个平面,可以看成是一个N3单元与三个镓原子的结合,N3单元中N (3)-N(1)-N(2)的键长分别为0.1296nm和0. 1319nm.这和Song等[11]报道的Ga3N3团簇的最低能量结构以及N3单元中氮原子之间的键长0. 1295nm和0.1314nm符合的很好.Ga3N3团簇的最低能量结构的同分异构体(图1(3b))是一个C2v 的平面结构,其能量比最低能量结构高1.165eV,而Kandalam等[8]认为其是最低能量结构.图1中的3d是一个D3h的环形结构,能量比最低能量结构高2.988eV,Belbruno等[10]认为其是最低能量结构.在优化的所有结构中3c是唯一的一个立体结构,其能量比最低能量结构高1.607eV.Ga4N4团簇的最低能量结构是一个平面,如图3(4a)所示,该结构可以看成是一个N2单元与Ga4N2的结合,结构中的N(3)-N(1)键长为0.1105nm和N2负离子的键长0.1202nm非常接近.立体结构4b的能量比最低能量结构高0.397eV.另两个立体结构如图(4c)和(4d)所示,4c比最低能量结构高0.436eV,4d比最低能量结构高0.437eV,而4c和4d的能量仅差0.001eV,所以二者可看成是简并的.Belbruno[10]提出的Ga4N4的最稳定结构是一个D4h的平面结构,见图1(4f),在我们的计算中这种平面结构比最低能量结构高3.793eV,在所有同分异构体中能量最高.在优化的Ga4N4团簇的结构中,4f中有8个Ga-N键而没有N-N键,可见Ga-N键的增多和N-N键数目的断裂均会降低团簇的稳定性.Ga5N5团簇的最低能量结构如图1(5a)所示,该结构是一个平面结构,存在一个N3单元,N(1)-N(2)-N(3)的键长分别为0 1145nm和0.1221nm,仍和传统的直线N3负离子的键长(0.1183nm)偏离很小,N3单元与Ga(6)原子的键长为0.1948nm.立体结构5b 的能量比最低能量结构高0.379eV.平面结构5c 的能量比最低能量结构高1.022eV,Kandalam 等[8]认为其是最低能量结构.从得到的Ga n N n(n =2~5)团簇的几何结构来看,Ga n N n(n=2~5)的最稳定结构大多是平面结构,结构中存在着N2和N3单元.这说明N-N键在氮化镓团簇的形成中确实起着决定性的作用,Ga Ga之间不易成键,从这一点来看,本文的结果支持了Kandalam等的结果.3.2 能 隙对于半导体材料来说,禁带与导带之间的能量间隔是非常重要的数据,GaN晶体(铅锌矿)的禁带和导带之间的能量差为3.44eV.那么对于半导体团簇来说,这个数据可以用最高占据分子轨道和最低未占据分子轨道的能量间隔(能隙)来反映.能隙差的大小反映了电子从占据轨道向未占据轨道发生跃迁的能力,在一定的程度上代表分子参与化学反应的能力.如表1所示,对于Ga n N n(n=2 ~5)团簇来说,随着团簇尺寸的增加,能隙整体呈增大的趋势,这说明团簇的化学活性逐渐减小.该团簇的能隙在1.776eV~ 3.563eV之间,所以从能隙上来看,Ga n N n(n=2~5)团簇已具有了半导体的性质.在Ga n N n(n=2~5)团簇中,Ga4N4团簇的能隙最大,说明Ga4N4比近邻尺寸的团簇稳定.3.3 分子轨道与成键分子的最高占据轨道(HOM O)和次最高占据轨道(NHOMO)的成键方式与形状直接反映了化学键结构的特点,通过对它们的分析,可以得到分子几何构型稳定性的信息.图2分别给出了Ga n N n(n=2~5)团簇最稳定结构的H OM O和次最高占据轨道(NH OMO),由图2可以看出,Ga2N2的HOMO是主要是由Ga和N原子的s、p轨道组成,有部分的d成分.HOMO可分为三部分:N-N的离域 反键轨道,Ga-N的离域 成键轨道和Ga-Ga的 成键轨道.Ga2N2的NHOMO也可分为三部分:N-N的离域 成键轨道,Ga-N 之间的 成键轨道,Ga-Ga的 反键轨道.从自然键轨道(natural bond orbital,NBO)分析也可以看出Ga、N原子主要发生了sp杂化,且有部分的d成分.由以上分析可以看出HOM O和NHOM O 对分子中的Ga-N和N-N成键都有贡献.Ga3N3的HOM O主要由三部分:N-N的离域 成键轨道,Ga-N的离域 成键轨道,Ga(6)和N(3),Ga(4)和N(3)以及Ga(4)和N(2)的 成键轨道.Ga3N3的NH OM O主要由三部分:Ga(4)和N(2)原子之间的离域 成键轨道,Ga(6)和N (3),Ga(5)和N(2)之间的 成键轨道,N原子之间的离域 成键轨道.从上面的分析可以看出,145第1期 葛桂贤等:第一性原理对Ga n N n(n=2~5)小团簇的结构及电子性质的研究图2 G a n N n(n=2~5)团簇的最高占据分子轨道(HO M O)和次最高占据分子轨道(NHOM O)Fig.2 Contour maps of t he HOM Os and NHO M Os for the lowest energy structur e of Ga n N n(n=2~5)clusters表1 Ga n N n(n=2~5)团簇最稳定结构的对称性,键长( ),结合能E b(eV)和能隙(eV)T able1 Symmetry,bond,length,average binding ener gy(E b)and HOM O LU M O gap for the lo west ener gy structures of Ga n N n(n=2~5)clustersClusters Structure Symmetry Bond length(nm)E b(eV)Gap(eV) Ga2N2(2a)(Cs)N(3) N(4)0.1168 4.267 1.776 Ga2N2(2b)(D2h)N(1) N(2)0.1252 4.265Ga3N3(3a)(Cs)N(3) N(1)0.1296N(2) N(1)0.1319N(2) Ga(5)0.1953 4.403 3.012N(3) Ga(6)0.2015Ga4N4(4a)(Cs)N(1) N(3)0.1105N(2) Ga(8)0.1832N(2) Ga(7)0.1708N(4) Ga(7)0.1826 4.725 3.563N(4) Ga(5)0.1933N(4) Ga(6)0.1931Ga5N5(5a)(Cs)N(2) N(1)0.1145N(2) N(3)0.1221N(3) Ga(6)0.1948N(4) Ga(6)0.1848 4.744 3.229N(4) Ga(5)0.1928N(4) Ga(7)0.1931N(10) Ga(6)0.1834N(10) Ga(8)0.1981HOMO和NH OM O对N-N的成键和Ga-N的成键都有贡献.从Ga4N4的HOM O中可看出Ga、N原子发生了sp杂化,Ga-N是 成键轨道,N-N之间的电子云分布很少,所以HOM O对N-N成键没有贡献.从NHOM O可看出Ga(7),N(2)和Ga(8)形成离域的大 成键轨道,N(4)-Ga(5)和N(4)-Ga (6)都是 成键轨道,N(1)和N(3)之间是三键,N146 原 子 与 分 子 物 理 学 报 第25卷-N之间的电子云分布很少,NHOMO对N-N成键没有贡献.Ga5N5的HOM O和NHOMO的如图2中所示,从图上可以看出H OM O和NHOM O对Ga-Ga的成键都没有贡献,但对Ga-N的成键有贡献,而HOMO对N-N之间的成键有部分贡献. 3.3 Ga n N n(n=2~5)团簇的极化率用B3LYP方法在6 31G*水平上对Ga n N n(n =2~5)团簇的极化率进行了计算,并且由(1),(2)式计算得到了极化率张量的平均值<a>、极化率的各相异性不变量a和每个原子的平均线性极化率<a>/n.由此来衡量分子产生非线性光学性质能力的强弱:<!>=13(!XX+!YY+!ZZ)(1) !=(!XX-!Y Y)2+(!Y Y-!ZZ)2+(!ZZ-!XX)221/2.(2)从表2可以看出,单位原子的平均极化率整体上呈下降的趋势,但变化不大,表明团簇的电子结构随着原子数目的增加略显紧凑;极化率的各相异性不变量单调增加,说明团簇还没有形成密堆积结构,这与优化的团簇最稳定结构都是平面结构相一致.表2 Ga n N n(n=2~5)团簇最稳定结构的极化率张量、极化率张量的平均值<a>、极化率的各相异性不变量a和每个原子的平均线性极化率<a>/nT able2 Polarizabilit y tensor(!ij),po larizability(<!>),stat ic mean polarizabilities(<!>/n) and polarizability anisotro pies( !)of Ga n N n(n=2~5)clustersPolarizabilityClusters!XX!X Y!Y Y!XZ!YZ!ZZ<a><a>/n a Ga2N2142.8237.38382.690.0000.00059.15994.8923.7274.73 Ga3N3176.287 5.717152.9700.0050.00092.377140.5423.4275.020 Ga4N4265.580 5.988172.899-0.005-0.131109.216182.5622.82123.203 Ga5N5262.887-21.468253.9850.0000.003129.798215.5621.56128.8694 结 语本文用DFT在6/31G*的水平上对Ga n N n(n =2~5)团簇的结构、电子性质、成键特性和极化率进行了研究.结果表明,Ga n N n(n=2~5)团簇的最稳定结构为平面结构,还没有形成密堆积结构,结构中存在N2和N3单元,N-N键在团簇的形成过程中起着决定性的作用,Ga-Ga之间不易成键.通过对能隙的分析可以看出Ga n N n(n=2~5)团簇具有半导体性质.参考文献:[1] Zhao W J,Y an Y L,Y ang Z,et al.F irst principlesstudy of the ground state str uctures and electronic propert ies of Li N Be(N=1~12)clusters[J].J.A t.M ol.Phys.,2007,24:716(in Chinese)[赵文杰,闫玉丽,杨致,等.第一性原理计算L i N Be(N=1~12)团簇的基态结构及其电子性质[J].原子与分子物理学报,2007,24:716][2] Lei X L,Yan Y L,Ge G X,et al.Gr ound state g eo metries and stability of Be n L i(n=1~12)clustersw ith density functional theory[J].J.A t.Mol.Phy s.,2007,24:1003(in Chinese)[雷雪玲,闫玉丽,葛桂贤,等.密度泛函理论计算掺杂团簇Be n L i (n=1~12)的基态结构和稳定性[J].原子与分子物理学报,2007,24:1003][3] Yang Z,Y an Y L,Ge G X,et al.Density functio nalstudy of g round structures and electr onic properties ofL i2Be N(N=1~10)clusters[J].J.A t.Mol.Phy s.,accepted(in Chinese)[杨致,闫玉丽,葛桂贤,等.利用密度泛函理论计算L i2Be N(N=1~10)团簇的最低能量结构及其电子性质[J].原子与分子物理学报,已被接受][4] Wang B L,Zhao J J,Shi D,et al.Density functio nalstudy of structural and electro nic properties of Al n N(n=2~12)clusters[J].Phy s.Rev.A,2005,72:023204[5] Guo L,Wu H S,Jin Z H.F irst principles investig atio nof geomet ry and stability of aluminum phosphorous binary clusters A l n P-m(n+m=5)[J].J.A t.Mol.Phy s.,2004,21:335(in Chinese)[郭玲,武海顺,金志浩.第一原理对Al n P-m(n+m=5)团簇结构和稳定性研究[J].原子与分子物理学报,2004,21:147第1期 葛桂贤等:第一性原理对Ga n N n(n=2~5)小团簇的结构及电子性质的研究335][6] L i E L,Chen G C,Wang X W,et al.F irst principlesstudy on structures and photoelectron spectroscopy aboutGa n P-m anions[J].J.A t.M ol.Phys.,2006,23:279(in Chinese)[李恩玲,陈贵灿,王雪文,等.第一性原理对Ga n P-m阴离子团簇结构及其光电子能谱的研究[J].原子与分子物理学报,2006,23:279] [7] Kandalam A K,Randey P,Blanco M A,et al.Firstprinciples study of polyatomic clusters of AlN,GaN,and InN. 1.Structure,stabilit y,vibrations,and ionization[J].J.Phy s.Chem.B,2000,104:4361 [8] K andalam A K,Blanco M A,P andey R.T heoreticalstudy of structural 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第一性原理研究3C - SiCMg复合材料界面的电子结构

第一性原理研究3C - SiCMg复合材料界面的电子结构

中图分类号 文献标识码 45*+A(!###
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第一性原理对GanNn(n=2~5)小团簇的结构及电子性质的研究

第一性原理对GanNn(n=2~5)小团簇的结构及电子性质的研究

得 到 了 G N (z -5 团簇 的 最稳 定 结 构 . 对 最稳 定 结 构 的 电 子 性 质 、 7=2 ) 并 成键 特 性 和 极 化 率 进 行 分 析 .
结果表 明, 团簇 的最稳定结构为平 面结构 , 且存在着 N 和 单元 , 明 N—N键在 团簇 的形成过程 中起 2 说
( . yL b r t y o c p yi n p r n f h s s Noma C l g ,S ie i i ri ,X- i g8 2 0 ,C i ; 1 Ke a oao f o h s sa dDea t t yi , r l o e e hh  ̄ Unv s y r E c me o P c l e t m a 3 0 3 h a jn n
3.I siueo er t a h sc ,S h o f y i dI fr t nOpteeto i , n t t fTho ei lP y i c o lo s a nomai o lernc t c s Ph c n s o s
He a iest n n Unv ri y,Kafn 7 0 4,Chn ; i g4 5 0 e i a
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GE i a EIXu n ,YAN — 3 Gu— n ,L eLi Xi Yu Li,YANG h。 HAO e -i3 Z i,Z W nJe
W ANG n - n ,L QigLi3 UO u Hu 3 Yo - a,
4 S ho f i c,E s hn iesyo i c dT cn l y sm g1i 0 2 7 C i ) . o l e e at i Un ri f e e ehoo , }nl 03 , hn c oS n c C a v t S n a c n g a2 a

过渡金属及氧化物团簇结构、磁性、催化性质的第一性原理计算研究

过渡金属及氧化物团簇结构、磁性、催化性质的第一性原理计算研究

magnetic moment remarkably increases from 7烛of Scl30 to 131xB of Scl30CO,whereas it reduces
from 199n of Scl3 to 51xs ofScl3CO.
Eley—Rideal㈣and The competition between the
chemical reaction.
II
东南大学博士论文
东南大学博士论文
The performance of Pt/Cu(111)surface alloy catalysts in water gas shift reaction with a few Pt atoms doping in the Cu(111)surface were explored by using spin—polarized DFT.The Pt/Cu(111) surface alloy catalysts not only remarkably decrease the adsorption energy of CO,which Can
sequence in the presence ofCO.
The electronic properties and controlled single atom catalysis of isomorphous substituted bimetallic
oxide TMV3010(TM=Sc,Ti,Cr and Co)and V4010 were studied within the framework of a gradient-corrected DFT calculations.The charged clusters V409。1∥一show different electronic property from isoelectronic subsfitution bimetallic oxide Tiv309J0/CrV309,10 clusters and the terminal TM

Mgn -,AlMgn-1(n=2~13)团簇结构和电子性质的密度泛函理论研究

Mgn -,AlMgn-1(n=2~13)团簇结构和电子性质的密度泛函理论研究

2 黄河科技学 院信息工程学院 , . 郑州 4 0 0 ) 5 0 5

要: 本文从 第一性原理 出发 , 用密度 泛函理论 的 B P 1方法 , 63 1 利 3 W9 在 -1G水平上对 Mg 一, I 1 AMg 一
( =2 3 团簇进行 了几何结构优化 和频 率分析 , ~1 ) 并对 团簇的平均 结合 能 , 阶能 量差分 , 裂能等进行 二 劈 了计算 . 结果表 明: Mg 与 团簇相 比, 负电 Mg 一团簇的最低 能量 结构整体 ( 带 除 = 6 8 1 ) , ,1 变化不大 .
te t cue f n ls r d o h g p ae t (x e t o z , , 1 . h o ig O A tm h r trs su o Mg —c t s on tc a eap nl e cp {r, =6 8 1 ) T ed pn f 1 o ue n r y a
维普资讯
第2 5卷
第2 期


与 分
子பைடு நூலகம்


学 报
Vo . 5 No. 12 2
20 0 8年 4月
J UR LOFA O I ND MO E UL O NA T M CA L C AR P S C HY I S
Ap . 2 0 r 08
原子的掺 杂对 Mg ( =2 3 团簇 的最低 能量 结构没有太大影响 , A Mg 一 团簇 有类似 的结 构生长 ~1 ) Mg , 1 1 方式 . 带一 个负电和掺杂一个 原子均能使 Mg 团簇 的平 均结合能增大 , 定性 增强. 稳 并发 现 Mg 一 = ( 2 3 团簇在 =4 9时比较稳定 , ~1 ) , 在 =1 1时稳 定性 较差 , 实验 结果一 致;而等 电子的 AMg 一 团簇 与 1 1 在 =4 7 9时比较稳 定. ,,

第一性原理研究

“第一性原理研究”资料合集目录一、二维GeSphosphorene异质结光电性质的第一性原理研究二、过渡金属氧化物电子结构与性质的第一性原理研究三、钴团簇,金团簇和硅纳米线的第一性原理研究四、3d过渡金属掺杂锐钛矿相TiO2的第一性原理研究五、聚变堆第一壁材料氢行为和力学性质的第一性原理研究六、二维半导体材料InSe基范德华异质结的第一性原理研究二维GeSphosphorene异质结光电性质的第一性原理研究随着科技的不断发展,以石墨烯为代表的二维材料在光电领域的应用价值日益显现。

然而,尽管石墨烯的电学和光学性质已经被广泛研究,但其直接带隙小的问题严重阻碍了其在光电设备中的应用。

为了解决这一问题,一种新型的二维材料——GeSphosphorene(GeS磷烯)被提出来作为石墨烯的可能替代品。

GeSphosphorene是一种由硒化锗(GeS)和磷烯(Phosphorene)组成的二维异质结。

这种材料结合了GeS的高载流子迁移率和Phosphorene的大直接带隙特性,使其在光电领域具有巨大的应用潜在本研究中,我们利用第一性原理计算方法,对二维GeSphosphorene 异质结的光电性质进行了深入的研究。

我们构建了不同构型的GeSphosphorene异质结模型,并对其电子结构和光学性质进行了详细的计算和比较。

结果显示,与石墨烯和Phosphorene相比,GeSphosphorene异质结具有显著的优点。

它的直接带隙宽度比石墨烯大得多,可以吸收更高能量的光子,这使得它在高效率的光电设备中有更大的应用潜力。

GeSphosphorene的载流子迁移率也较高,这有利于提高光电设备的运行速度和效率。

我们还发现,通过改变异质结的构型和组成比例,可以进一步优化GeSphosphorene的光电性质。

这一发现为设计具有定制化光电性质的二维材料提供了新的思路。

二维GeSphosphorene异质结在光电领域具有巨大的应用潜力。

小团簇结构及其光学性质的第一性原理研究的开题报告

小团簇结构及其光学性质的第一性原理研究的开题报告一、研究背景小团簇是指由少量原子组成的团簇,其尺寸介于单个原子和固体之间,具有介于分子和晶体之间的一些性质。

在材料科学中,小团簇被广泛应用于催化、电子器件等领域。

对于小团簇结构及其光学性质的研究,不仅有助于深入理解小团簇的本质特性,还对于小团簇相关应用的设计和优化有着重要意义。

目前,小团簇的制备方法已经较为成熟,然而,对于小团簇的结构及其特性的理论研究仍受到诸多限制。

因此,采用第一性原理方法对小团簇结构及其光学性质进行研究,可以提供基础的理论支持和指导。

二、研究内容和目标本研究将采用第一性原理方法,基于密度泛函理论(DFT)和紧束缚模型(Tight-binding Model),对小团簇结构及其光学性质进行系统研究。

具体研究内容包括:1. 不同元素组成的小团簇结构的构建和优化。

2. 基于DFT方法,计算小团簇结构的电子结构、能带结构、密度分布等物理性质。

3. 基于Tight-binding Model,研究小团簇的光学性质,包括吸收光谱、电子极化率、光学吸收强度等。

4. 探究小团簇结构和光学性质之间的相互关系。

本研究的主要目标是揭示小团簇结构和光学性质的基本特性,建立小团簇的结构和性质之间的相互关系,并为小团簇相关应用提供理论指导。

三、研究方法和技术路线本研究将采用基于DFT方法的VASP软件包,对小团簇结构进行计算。

首先,根据小团簇中的原子数或者化学成分,提出可能的结构模型;然后,采用优化算法(例如:共轭梯度方法、赝牛顿法等)对模型进行结构优化,得到最稳定的几何构型;最后,利用计算得到的几何构型和能级密度,分析小团簇的某些物理性质,如电子态密度、吸收谱等。

之后,针对小团簇的光学性质,本研究将采用基于Tight-binding Model方法的NanoTCAD ViDES软件包进行计算。

具体来说,我们将采用近似与该软件包相容的耦合扰动方法来计算光学性质。

化学团簇研究

团簇及掺杂团簇的研究现状及意义原子团簇和分子团簇,简称为团簇(Cluster);团簇这一名词是Cotton在1996年提出的,并认为团簇是具有金属-金属键的多核化合物。

团簇由几个乃至上千个原子、分子或离子通过物理或化学结合力组成的相对稳定的微观和亚微观聚集体,团簇的空间尺度大约在几埃至几百埃,其物理以及化学性质随所含原子数的变化而变化。

团簇的许多性质不同于单个的原子或分子,也不同于固体或液体,并且也不能从单体和体相材料的性质作简单的线性外延和内插来得到。

因此,团簇被看作是介于原子分子以及宏观固体之间物质结构的新层次,称之为物质的“第五态”,它是各种物质由原子分子向体相物质转变的过渡态,也可说它是代表了凝聚态物质的初始状态,团簇的研究有利于我们认识由单个原子向大块凝聚物过渡时性质的变化规律。

团簇广泛存在于自然界与人类的实践活动中,涉及的许多现象如燃烧、晶体生长、催化、成核和凝固、相变与临界现象、薄膜形成、溶胶和溅射等可构成物理和化学的一个交汇点。

况且,在团簇中还出现了些新的物理现象,例如壳层结构与幻数、液相与固相并存与转化、表面等离子激发、磁性增强、同位素效应以及金属非金属转变等等。

因而对团簇的研究将带动凝聚态物理、表面物理和化学、原子分子物理和化学动力学的发展。

团簇作为介于气态与固态之间的一种过渡态,对其形成和运动规律的研究,不仅为发展和完善原子间结合理论以及各种固体和大分子形成规律提供了合适的对象,也是在实验条件下对大气烟雾和溶胶、宇宙分子和尘埃、云层的形成和发展等的一种模拟,可为气侯人工调节、大气污染控制和天体演化的研究提供线索,丰富了生命科学、大气科学和宇宙科学学科的内容。

另外,团簇的理论研究也促进了理论物理和计算物理的发展。

团簇在空间上是有限尺度的,零维至三维的模型系统可通过对其几何结构的选择来提供。

在团簇的理论研究中,所开发出的一些计算方法也可进一步的推广到有机分子、生物大分子以及固体材料等复杂的系统的计算模拟中。

Effect of alloying elements on the elastic properties

第一性原理计算合金化元素对镁合金弹性性能的影响S. Ganeshan, S.L. Shang, Y. Wang,Z.-K. Liu摘要:本文通过第一性原理的广义梯度近似法计算了不同合金元素的镁合金固溶体的晶格参数和弹性性能。

溶质元素分别为:Al,Ba,Ca,Cu,Ge,K,Li,Ni,Pb,Si,Y,Zn。

计算中使用了35个原子的超大晶胞模型和单溶质原子模型。

计算结果与实际实验数据吻合良好。

Mg-X合金的晶格参数与溶质原子尺寸有一定联系。

Mg-X合金的体积模量则与最近邻溶质原子距离有一定关系。

从元素周期表上看,S区和P区的元素添加对体积模量的降低效果比D区元素要强。

Mg-X合金的弹性模量也与所添加的合金种类有很大的关系。

同时,本文使用体积模量和剪切模量比简要地描述了合金元素添加对延伸率变化的影响。

各种合金弹性模量的线性回归系数则可用来预测实际情况中合金元素添加量对弹性模量的影响趋势的依据1、介绍:镁合金由于其比强度比刚度高,密度小,在许多领域,尤其是汽车和航空航天领域获得了广泛应用。

过去的十年中,镁合金应用数量惊人增长,因此我们需要更加了解合金元素对其性能的影响以维持这种高增长。

由于镁合金的固溶度不高,大部分镁合金都是二元或三元合金。

为了研究溶质元素对镁合金力学性能的影响,我们通过第一性原理计算预测了25种溶质元素对镁合金弹性模量的影响。

目前,本文基于镁合金工业生产重要性的排名,选择了X=Al,Ba,Ca,Cu,Ge,K,Li,Ni,Pb,Si,Y,Zn元素,对其杨是弹性模量,剪切模量,体积模量和晶格常数进行了计算。

同时,我们还采集了实际实验中Al,Li,Pb,Zn合金的数据和我们的计算值进行对比。

在第二章,我们详细阐述了密排六方Mg-X合金的计算细节和方法论。

在第三章,我们把计算结果和实际实验结果进行对比以求精确,同时提供了深入分析。

第四章则为总结。

2、计算方法:基于密度泛函理论的广义梯度近似法第一性原理计算使用的是Vienna Ab Initio Simulation Package(维也纳第一性原理模拟组件)。

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Mg O是地 幔 中最 主 要 的 候 选 矿 之 一 , 因此 , 引起
在选 取 团簇初 始 构型 时 , 仅参 考 了文献 [ ,] 不 8 9 中
的所 有 构 型 , 且 还 参 考 了 C S 的 构 型 和 而 d[
Mg 1 O[ 的构 型. 算 过 程 中 , 用 D L 计 采 Mo 3软 件
过 物理 或 化 学 作 用 结 合 而 成 的 相 对 稳 定 的聚 集
体. 由于团簇 的结构 和性 质 的研 究 对 于理 解 物 质 从 微 观到宏 观 的过 度 有 着 重 要 的作 用 , 此 团簇 因 的稳定 构 型和 电子结 构 随其尺 寸变 化而 变化 的规 律 是 团簇 物 理 学 研 究 的重 要 课 题 之 一[ . 于 1 由 q]
第 2 6卷 第 2期 21 O 2年 3月
甘 肃 联 合 大 学 学报 ( 自然科 学 版 )
J u n l fGa s a h iest Nau a ce c s o r a n uLin eUnv riy( t rlS in e ) o
Vo _ 6 No 2 l2 .
构, 结果 表 明 , 3 6 9 1 、 5 1 z 一 、 、 、 2 1 、 8时 , Mg ( O)
2 结果 及 讨 论
2 几 何结构 . 1
团簇 的结构 最 稳 定 ; h Z u等 利 用 第 一 性 原 理 的 ] 能 带 理 论 , 究 了 Mg 的 电子 结 构 和 相 对 稳 定 研 O 性 , 志雄 等[ 利 用 第 一 性 原 理 对 Mg 的 光 学 陈 7 O 性 质 进 行 了研 究. 管 对 Mg 团 簇 进 行 了大 量 尽 O 的理 论 研 究 , 是 到 目 前 为 止 还 很 少 见 到 用 但 D L 程 序对 该 团簇 的基 态 结 构 和 电 子性 质 进 Mo 3 行计 算 的. 基于 此 , 文 利用第 一性 原理 方法 中的 本 广 义 梯度 近似 对小 尺 寸 Mg 团簇 结 构 与 电子 性 O 质 进 行 研究 , 以便 对 Mg 团簇 的微 观 结 构 有 更 O
收 稿 日期 :0 ii 一 3 2 1 - i2 .
通过 结构 优化 得 到 ( O) ( Mg ≤8 团 簇 的 基 )
态结 构 和一些 亚稳 态结 构 , 如图 1所示 , 色代 表 黑
Mg原子 , 灰色 的代 表 O原 子 , 照结 构 的稳 定性 按
团簇 的基 态结 构 和电子 性质对 于 理解其 块 体材料
的物 理 和化学 性 质 有着 非 常 重 要 的作 用. 人们 利 用 多 种方 法对 Mg 的电子 结 构 和性 质 进 行 了研 O 究. av [ 利 用 浮 动 电荷 模 型 计 算 了 ( O) C loF 5 Mg ( ≤ 3 )团簇 的最 稳 定 结 构 , 算 结 果 说 明 , 0 计 ≤ 3 O时 密堆 结构较 环状 结 构更 稳 定 . 素 玲【 等 采 张 6 ] 用 遗传算 法 研 究 了 ( O) Mg 团簇 ( 一2 0 ~2 )结
包 中 密 度 泛 函 理 论 ( F 下 的 广 义 梯 度 近 似 D T) ( GGA) 全 部 构 型 进 行 结 构优 化 和 电 子 性 质 计 对
算. G 在 GA 算 法 中 , 择 P re 等[ 选 ed w i 羽提 出 的
地球 物理 学家们 的广泛 关注[ . O 和 它 的三元 4 Mg ] 合 金 是很 好 的介 质材 料 , 表现 出的 力 学 和 辐射 电 阻都 很高 , 因此 日益 引 起 人 们 的重 视. 究 Mg 研 O
簇 的基 态 结 构 、 高 占据 轨 道 ( OMO) 最 H 和最 低 未 占据 轨 道 ( UMO) 能 隙 、 合 能 和 二 阶 能 量 差 分 进 行 了 计 L 的 结 算 . 果 表明, 结 =3和 6是 团 簇 的 幻 数 . ( () ( O) 团 簇 的 稳 定 结 构 。 即 Mg) 和 Mg 是
M a . 01 r2 2
文 章 编 号 :17 —9 X(0 2 0—0 00 6 26 1 2 1 )20 5 —3

小尺 寸 Mg 团簇 结 构 与 电子 性 质 的 第 一性 原 理研 究 O
孔德 国, 张红 关 , 芸 莎 胡
( 里 木 大 学 机 械 电气 化 工 程 学 院 , 疆 阿 拉 尔 8 3 0 ) 塔 新 4 3 0 摘 要 : 用 密度 泛 函 理论 ( F 的第 一 性 原 理方 法 , 广 义 梯 度 近 似 ( GA) 。 小 尺 寸 ( O) 8 团 采 D T) 在 G 下 对 Mg (≤ )
关 键 词 :Mg ) ( O 团 簇 ; 隙 ; 阶 能 量 差 分 能 二
中 图 分 类 号 : 6 O5 1 文献 标 识 码 : A
0 引 言
团簇是 由几 个 或 几 百个 原子 、 子 或分 子 通 离
深入的了解・
1 计 算 方 法
为了寻 找 到 ( O) Mg 团簇 的最 低 能 量 结 构 , 对 每个 尺寸 的 团簇 考 虑 了 大量 的可 能初 始结 构 .
P E广义梯 度 近似 法. 有 的计 算均 采 用 带 极 化 B 所
的双 数值原 子基 组 ( NP 进 行 全 电子 计 算 , D ) 自洽 过 程 以体 系的 能量 和 电荷 密度 分布是 否 收敛 为依 据, 精度 分 别优 于 1 一a u 和 1 ~a u , 移 的 0 .. 0 . .位 收敛 精 度 优 于 5 1 ~n 在 拖 尾 效 应 参 数 为 × 0 m, 0 0 5. . . 0 a U 时对 ( O) n 8 团簇 的 所 有 几 何 Mg ( ≤ ) 构型 进行 优化 、 能量 和性 质计算 .
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