《模电》习题集解析
模电习题及解答
习 题3.1 在晶体管放大电路中，测得两个晶体管各个电极的电流如图P3.1所示，试分别标出各个晶体管的管脚e 、b 和c ；判断各晶体管是NPN 型还是PNP型；并分别估算它们的值。
( a)( b)图P3.1答：（a ）从左至右依次为b ， e ， c ，NPN ，40 （b ）从左至右依次为b ， c ， e ，PNP ，603.2用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图P3.2所示，试判断这些晶体管分别处于什么状态。
A ．放大B ．饱和C ．截止D ．损坏⑴ ； ⑵ ； ⑶ ； ⑷ ； ⑸ 。
图P3.2解：（1）A ；（2）A ；（3）C ；（4）D；（5）B3.3 某晶体管的输出特性如图P3.3(BR)CEO V 和P CM 。
4628图P3.31000.99，I CEO ＝10μA ，(BR)CEO V ≈55V ，P CM ≈100mW3.4电路如图P3.4所示，已知晶体管β＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设V C C ＝12V ，晶体管饱和管压降V C E S ＝0.5V 。
（1）正常情况 （2）R b 1短路 （3）R b 1开路（4）R b 2开路 （5）R C 短路CC图P3.4解：设V BE ＝0.7V 。
则 （1）基极静态电流V4.6mA 022.0c C CC CE b1BEb2BE CC B ≈-=≈--=R I V V R V R V V I（2）由于V BE ＝0V ，晶体管截止，V CE ＝12V 。
（3）由于基极电流 >≈-=mA 22.0 b2BE CC B R V V I mA 045.0 cCESCC ≈-R V V β故晶体管饱和，V CE ＝V CES ＝0.5V 。
（4）晶体管截止，V CE ＝12V 。
（5）由于集电极直接接直流电源，故V CE ＝V CC ＝12V 。
3.5 在图P3.5所示电路中，T 为硅晶体管，β＝50。
模电习题讲解与解析(第6版)2020
vi2
∵i3＝i4，
0
vn R3
vn vo R4
vo
(1
R4 R3
)vn
vo表达式
vo
(1
R4 R3
)(
R2 R1 R2
vi1
R1 R1 R2
vi2 )
当R1=R2 =R3 时， vo vi1 vi2
分析：A1、 A2 电压跟随器
A3： vo1“”端 ，vo2“+”端， 加减电路
R2 R1
)
2
＝
(1
6V
20 ) 10
2
0 2 2 vo 10 20
vO ＝6V
in=0
in=0
(c) vn ＝ vp ＝0 ， in＝0
vo vn＝ 2V
vo ＝ 2V
(d) vn ＝ vp ＝2V， in＝0
vo ＝ vn ＝ vp ＝2V
方法一：公式法 vi“+”端 ，同相放大电路 同相放大电路通用公式：
vo vo vo ＝0.6+1.2V ＝1.8V
vp1
vp2
方法二：虚短虚断法 : vp ＝ vn， ip＝in＝0
A1： i1＝i21 , vn1＝vp1＝0
vi1 vn1 R1
vn1 vo1 , R21
vo1
R21 R1
vi
100 0.6＝1.2V
50
A2：i2＝i22 ,
vo1 vn2 vn2 vo ,
工 作 区 ③
+
DZ
符号
①
(b) 伏安特性
稳压管, RL//DZ ，VO =VZ
解: (1) VO = VZ ， IR = IO + IZ ， VI = VR + VO
模电复习题解析
分析/作图题 1.电路如图所示，稳压管的稳定电压Z1Z26V U U ==，正向压降不计，输入电压u t I V =5sin ω，REF 0V U =，简要分析电路的工作原理并画出输出电压o u 的波形。
+-REFU I u R 1z D 2z D ou2. 如图所示为一波形发生器电路,（1）试说明，它是由那些单元电路组成的；（2）定性画出A 、B 、C 各点的波形 。
+-+-+-RRC Cf R 1R 2R 3R 0R 1C A B C z D ±Au Bu Cu tωtωtω03. 如上图所示稳压电路，选择正确答案填空：（1）R2、R3为电路的______ ；R1、VDz 为电路的______；VT 为电路的______；A为电路的______。
A. 调整管部分B. 基准电压部分C. 比较放大部分D. 输出电压采样部分（2）比较放大环节所放大的对象______。
A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差4. 已知如下图所示电路中，场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(C)所示，利用图解法求解静态时IDQ 和UGSQ。
5. 试判断下图所示各电路是否满足自激振荡的相位平衡条件6. 判断下图电路级间反馈的正负，如果是负反馈，说明反馈组态。
计算题1、在图示放大器中，晶体管的静态V BE≈0.7V，β=100（1）估算静态工作点I C和V CE 。
（2）画出交流等效电路。
（3）求放大器的A V、A VS、R i和R o 。
2设下图所示电路中T1、T2特性理想对称，且β＝100，U BEQ＝0.7V，rbe＝2kΩ。
(1)静态时，流过Re的电流约为多少，I CQ1和I CQ2为多少？。
(2)差模电压放大倍数Aud为多少；当u i1＝1mV，u i2＝-1mV时，输出信号uo为多少？3 下图所示电路引入了什么类型负反馈？若引入的是深度负反馈，则反馈系数是多少，电压放大倍数是多少？4已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降|U CES|=3V，V CC=15V， R L=8Ω。
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
模电作业习题解答
作业习题解答1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。
P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。
本题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向，元件3上电压和电流为关联参考方向，因此P 1=-U 1×3= -（-5）×3=15W ； P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ；P 3=U 3×（-1）=-3×（-1）=3W ；P 4=-U 4×（-4）=-（-3）×（-4）=-12W 。
元件2、4是电源，元件1、3是负载。
1.4 在题1.4图中，已知 I S =2A ，U S =4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。
解：I=I S =2A ，U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ，U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ，U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ，验算：P U +P I +P R =8-12+4=01.6 求题1.6图中的U 1、U 2和U 3。
解：此题由KVL 求解。
对回路Ⅰ，有： U 1-10-6=0，U 1=16V对回路Ⅱ，有： U 1+U 2+3=0，U 2=-U 1-3=-16-3=-19V 对回路Ⅲ，有：U 2+U 3+10=0，U 3=-U 2-10=19-10=9V验算：对大回路，取顺时针绕行方向，有：-3+U 3-6=-3+9-6=0 ，KVL 成立1.8 求题1.8图中a 点的电位V a 。
模电课后习题解答
解：由题意
vi＝6sinωt(V)波形如图2.1.7所示：
当 时，二极管D1导通，vo＝3.7V，
当 时，二极管D2导通，vo＝−3.7V，
当 时，二极管D1、D2截止，vo＝vi。
2.2.2已知稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求题图2.2.2所示电路中VO1和VO2各为多少伏。
解：（1）当VI＝10V时，若VO1＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
，
大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故 。
（2）当VI＝10V时，若VO2＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
对于图b所示的电路，当 时，稳压管DZ反向击穿，vo＝VZ，当 时，稳压管DZ未击穿，vo＝vi。
2.2.4已知题图2.2.4所示电路中稳压管的稳定电压VZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算vi为10V、15V、35V三种情况下输出电压vO的值；
（2）若vi＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
解：（1）当vi＝10V时，若vO＝VZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
当vi＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以
vO＝VZ＝6V
同理，当vi＝35V时，vO＝VZ＝6V。
主观检测题
2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。（设 ）
解：由公式
由于 ，VT=0.026V
正向偏置VD=0.26V时
当反向偏置 时
模电课后习题答案
模电典型例题分析第二章题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。
请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V,6V题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u注：此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。
而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
（1）211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 对A 3，103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===-()()90313212712201023O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+（2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。
R u分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。
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《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习填 空1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。
2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。
3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征 。
4.N 型半导体主要靠_______导电，P 型半导体主要靠______导电 。
5.PN 结正向偏置是将P 区接电源的______极，N 区接电源的_____极 。
6.PN 结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN 结的______________________________。
7.整流二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。
8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为________V ，锗二极管的死区电压约为_______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V 。
9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。
10.用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端，当测得的电阻值较小时，黑表笔所接触的一端是二极管的________极 。
11.电路如图所示，试确定二极管是正偏还是反偏。
设二极管正偏时的正向压降为0.7V ，估 算 U A ~ U D 值 。
图 a ：VD 1_______ 偏置 ， U A =_____，U B =_______；图 b ：VD 2________ 置 ， U C =_____，U D =_______。
12.判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止，并求出AB 两端电压U AB （设二极管均为理想二极管）图a ：VD_______，U AB _______。
图b ：VD_______，U AB _______。
图c ：VD_______，U AB _______。
图d ：VD 1_______，VD 2_______，U AB _______ 。
13.硅稳压管是工作在_________状态下的硅二极管，在实际工作中，为了保护稳压管，需在外电路串接 _________。
I4.晶体三极管（简称三极管或晶体管）是由两个PN 结构成的一种半导体器件，从结构上看可以分为_______和_________两大类型。
15.三极管具有电流放大作用的内部条件是 ：（l ）_____区很薄 ；（2）_______区的多数载流子的浓度较高 ；（3）_______结的面积较大 。
I6.三极管具有放大作用的外部条件是 ：（l ）_______结正向偏置 ；（2）________结反向偏置 。
17.三极管的工作有赖于两种载流子——自由电子和空穴，因此又称它为_______ 晶体三极管 。
18.PNP 型三极管处于放大状态时，三个电极中____ 极电位最高，____极电位最低 。
19.三极管的电流放大作用是指三极管的______电流约是_____电流的β倍，即利用_____电流，就可实现对_____电流的控制。
20.三极管正常放大时，发射结的导通压降变化不大，小功率硅管约为_____V ，锗管约为______ V 。
21.三极管在放大区的特征是当I B 固定时，I C 基本不变，体现了管子的______特性 。
22.三极管的输出特性曲线可分为三个区域。
当三极管工作在_______区时，关系式I C ≈βI B 才成 立；当三极管工作在______区时，I C ≈0；当三极管工作在_______区时U CE ≈0。
23.若某三极管的管压降U CE 保持不变，当测得I B ＝30μA 时，Ic ＝1．2mA ，则发射极电流I E ＝______ mA ；如果I B 增大到50μA 时，Ic 增加到2 m A ，则三极管的电流放大系数β=_______24.下图所示的各晶体管电极上的实测对地电压数据中，分析各管的情况。
图a 中管子工作在 区，图b 中管子工作在 区，图c 中管子工作在 区，图d 中管子工作在 区。
25.在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中。
（可不限一种）(1)希望电压放大倍数大，可选用______________组态 。
(2)希望既能放大电压，又能放大电流应选用_________________组态。
(3)希望输出电压与输入电压同相，可选用______________组态。
(4)希望带负载能力强，应选用_________________组态。
(5)希望从信号源索取的电流小，应选用_______________组态。
26.多级放大器常用的级间耦合方式有___________、____________、和___________三种形式。
27.在多级放大电路中，后级的输人电阻是前级的___________，而前级的输出电阻则可视为后级的______________。
28.集成运算放大器（简称集成运放）是一种采用_________耦合方式的多级放大电路，一般由四部分组成，即__________、__________、___________和___________。
29.理想集成运放的开环差模电压放大倍数A ud =_________，差模输入电阻r id =________，差模输出电阻r od =_________30.集成运放的两个输入端分别为_______输入端和_______输入端，前者的极性与输出端________，后者的极性与输出端_________。
31.正弦波振荡电路的相位平衡条件是___________；幅值平衡条件是___________11.3V32.正弦波振荡器的幅值平衡条件，是指振荡器已进入稳态振荡而言的，欲使振荡器在接通电源后自行起振，或者说能够自励，起振时必须满足__________的条件。
32.正弦波振荡器只在一个频率下满足相位平衡条件，这个频率就是振荡频率f0，这就要求在AF环路中包含一个________网络。
33.正弦波振荡器一般是由____________、__________、___________和____________四部分所组成。
34.根据构成选频网络所采用的元件不同，正弦波振荡电路可分为____________、___________、。
35.直流稳压电源一般由____________ 、____________、____________ 和__________四部分组成。
36.稳压电路的任务是使输出直流电压在__________或___________时也能保持稳定。
37.用稳压管组成稳压电路，稳压管必须与负载电阻________ 。
38.限流电阻R在稳压电路中不仅有_________作用，而且还有__________作用。
39.稳压电源的主要技术指标包括_____________和_____________。
40.所谓滤波就是保留脉动直流电中的__________成分，尽可能滤除其中的__________成分。
41.采用电容滤波，电容必须与负载________；采用电感滤波，电感必须与负载___________。
42.杂质半导体有___________型和___________型之分。
43.二极管的类型按材料分有____________和___________两类。
44.稳压二极管主要工作在________区。
45.单相半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压U RM__________，负载电压U O___________。
46.变压器反馈式的LC正弦波振荡器输出的正弦波频率为f0=_______________，桥式RC正弦波振荡器输出的正弦波频率为f0=_______________。
47.场效应管根据导电沟道不同有和两种。
48.三极管是利用输入______控制输出的________，是________控制型器件。
49.场效应管是利用_________来控制输出________，是________控制型器件。
50.场效应管的导电过程仅仅取决于______载流子的运动，故又称场效应管为_______晶体管。
51.场效应管按其结构的不同，可分为_____________和______________。
52.光电二极管是将能转变为的半导体器件，它工作在状态，当光照增大时反向电流。
53.发光二极管是将能转变为的半导体器件，它工作在状态。
54.某放大电路的开环放大倍数为100，引入反馈系数F=0.01的负反馈，则此负反馈的反馈深度为，闭环放大倍数为。
55.放大器的失真分为和，前者是由于引起，后者是由于引起。
判断下列说法是否正确，正确的在括号中画√，错误的画×。
1.利用微变等效电路，可以很方便地分析计算小信号输入时的静态工作点。
（）2.三极管的输入电阻r be是一个动态电阻，故与静态工作点无关。
（）3.在固定偏置共射极放大电路中，为得到较高的输入电阻，在R b固定不变的条件下，晶体管的β应该尽可能大些。
（）4.在固定偏置共射极放大电路中，若晶体管β增大一倍，则电压放大倍数也将相应增大一倍。
（）5.电压放大器的输出电阻越小，意味着放大器带负载的能力就越强。
（）6.差动放大电路有四种接法，差模电压放大倍数仅取决于输出端接法，而与输入端接法无关（）7.单端输入与双端输入的差模输入电阻相等。
（）8.差模信号都是直流信号，共模信号都是交流信号。
（）9.注意选择元件，使电路尽可能对称，可以减小差动放大电路的零点漂移。
（）10.直接耦合放大电路只能放大直流信号，不能放大交流信号。
（）11.单端输出与双端输出的差模输出电阻相等。
（）12.一个理想的差动放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。
（）13.由于接入负反馈，则反馈放大电路的A就一定是负值，接入正反馈后A一定是正值。
( )14.在负反馈放大电路中，放大器的放大倍数越大，闭环放大倍数就稳定。
( )15.在深度负反馈放大电路中，只有尽可能地增大开环放大倍数，才能有效地提高闭环放大倍数。
( )16.在深度负反馈的条件下，闭环放大倍数A uf≈1/F，它与反馈网络有关，而与放大器开环放大倍数无关，故可以省去放大通路，仅留下反馈网络，以获得稳定的放大倍数。
（）17.三极管在发射极和集电极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（）18.结型场效应管都是耗尽型，而MOS场效应管都是增强型。
（）19.场效应管的最大特点是输入电阻高。
（）20.P型半导体是在本征半导体中掺入五价元素获得。
（）21.滞回比较器的特点是当输入电压逐渐增大或逐渐减小时，两种情况下门限电压不相等。