《模拟电子技术基础》总复习典型习题解析
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
《模拟电子技术》期末复习 全书课后习题+参考答案
晶体二极管及应用电路1 图（a）和图（b）分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。
假设二极管为理想开关，试分析对于输入信号的正半周和负半周，每支二极管的状态，并画出输出电压O v的波形。
2在T=300K时，某Si管和Ge管的反向饱和电流分别是0.5pA和1μA。
两管按如图所示的方式串联，且电流为1mA。
试用二极管方程估算两管的端电压Si V和Ge V。
图P1-23在T=300K时，利用PN结伏安方程作以下的估算：I=μA，求正向电压为0.1V，0.2V和0.3V时的电流。
（1）若反向饱和电流10S（2）当反向电流达到反向饱和电流的90%时，反向电压为多少？（3）若正反向电压均为0.05V，求正向电流与反向电流比值的绝对值。
1 图（a ）和图（b ）分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。
假设二极管为理想开关，试分析对于输入信号的正半周和负半周，每支二极管的状态，并画出输出电压O v 的波形。
[解]图P1-8输入正半周时，D 1导通，D 2截止。
输入正半周时，D 1D 3导通，D 2D 4截止。
输入负半周时，D 2导通，D 1截止。
输入负半周时，D 2D 4导通，D 1D 3截止。
（a ）（b ）两整流电路0v 波形相同（图P1-8-1）：2 在T=300K 时，某Si 管和Ge 管的反向饱和电流分别是0.5pA 和1μA 。
两管按如图所示的方式串联，且电流为1mA 。
试用二极管方程估算两管的端电压Si V 和Ge V 。
[解]S I I >>，两管已充分导通，故VA 关系为/T V V S I I e =，由此lnT S IV V I =，取26T V =mV （T=300K ）∴10000.026ln0.181Ge V ==V 图P1-29100.026ln 0.5570.5Si V ==V 。
O图P1-8-13在T=300K时，利用PN结伏安方程作以下的估算：（1）若反向饱和电流10SI=μA，求正向电压为0.1V，0.2V和0.3V时的电流。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与问题详解
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
经典模拟电子技术基础知识总结习题(选择,填空,解答题)分解166页PPT
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6、黄金时代是在我圆。
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8、你可以很有个性，但某些时候请收 敛。
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9、只为成功找方法，不为失败找借口 (蹩脚 的工人 总是说 工具不 好)。
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10、只要下定决心克服恐惧，便几乎 能克服 任何恐 惧。因 为，请 记住， 除了在 脑海中 ，恐惧 无处藏 身。-- 戴尔． 卡耐基 。
46、我们若已接受最坏的，就再没有什么损失。——卡耐基 47、书到用时方恨少、事非经过不知难。——陆游 48、书籍把我们引入最美好的社会，使我们认识各个时代的伟大智者。——史美尔斯 49、熟读唐诗三百首，不会作诗也会吟。——孙洙 50、谁和我一样用功，谁就会和我一样成功。——莫扎特
模拟电子技术基础习题解答
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。
五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。
试问：(1)R b =50k 时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
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2011-2012（2）《模拟电子技术基础》总复习一. 二极管及其应用（一）二极管的符号及伏安特性曲线：（二）二极管的特性：单向导电性（三）二极管的模型：重点掌握理想模型和恒压降模型（四）典型习题1. 电路如图所示，已知u i =10sinωt（V），二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管的状态，并画出输出u i与u o的波形。
（a）（b）（c）2. 设二极管是理想的，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
（a）（b）3.电路如图所示，已知u i =8sinωt（V），二极管的正向导通电压U D=0.7V，试分析二极管的状态，画出输出u i与u o的波形，并标出幅值。
（a）（b）（c）4. 电路如图所示，已知二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管D1和D2的状态，并求出输出电压U o。
（a）（b）二. 三极管及场效应管的应用（一）三极管的符号及伏安特性曲线：i B =f (u BE )∣u CE =const i C =f (u CE )∣i B =const此为NPN 管共射极放大电路的特性曲线，PNP 管的特性曲线（二）三极管的电流控制作用：B C i i β=（三）三极管放大电路的直流通路和交流通路：（四）三极管的交流等效电路：（五）三极管放大电路的组态（六）放大电路的分析方法交流等效电路法：利用三极管的交流等效模型求解A us 、A u 、R i 、R o 。
图解法：利用三极管的输入和输出特性曲线以及放大电路的输入和输出回路负载线，采用作图的方式确定一个Q 点。
（七）放大电路的非线性失真饱和失真：工作点位于饱和区截止失真：工作点位于截止区注意：图为NPN 管共射极放大电路出现的饱和失真和截止失真，PNP 管的失真现象正好与NPN 管相反。
（八）放大电路静态工作点稳定问题Q 点不合适， 的波形要失真；，A u 与I B 有关。
在电路中引入直流负反馈。
be L c u r R //R A ）（⋅-=β o u（九）场效应管的种类、符号及伏安特性曲线（十）场效应管放大电路的偏置电路：（十一）场效应管的交流等效电路：（十二）场效应管放大电路的组态：（十三）两级放大电路的分析：1、由于电容的隔直作用，各级放大器的静态工作点相互独立，分别估算。
2、前一级的输出电压是后一级的输入电压。
3、后一级的输入电阻是前一级的交流负载电阻。
4、总电压放大倍数=各级放大倍数的乘积5、总输入电阻为第一级的输入电阻6、总输出电阻为最后一级的输出电阻（十四）典型习题1. 电路如图所示，已知晶体管T发射结正向导通电压为U BE=0.7V，β=100，u BC=0时为临界放大状态，试分析u I=0V、5V时T的工作状态，并求解电路中的I B、I C 和u O？2. 设图所示各电路中的电容器对交流信号可视为短路，试分析下图所示各电路是否能放大正弦信号，如不能，请加以改正。
（a）（b）（c）（d）3. 放大电路及BJT的输出特性曲线如图所示，已知晶体管的放大系数β，r be以及U BE=0.7V；V CC=6V，R b1、R b2、R c以及R e的阻值。
试求（1）采用图解法求静态值I BQ、I CQ、U CEQ；（2）在图中画出交流负载线，并求出输出电压的最大不失真幅度U om；（3）画出电路的交流模型等效电路；（4）求出放大电路的源电压放大倍数A us、电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o；（5）说明电路的工作点稳定原理；（6）如果改用三极管的 是原来的2倍，问静态工作点有何变化？4.放大电路如图所示。
已知C1、C2、C3、C e和C S足够大，场效应管的参数g m=0.8ms，三极管的参数β=50，r be=0.5KΩ，其余参数如图所示。
（1）说明T1和T2组成的电路属于何种组态？（2）画出每一级放大电路的直流通路；（3）说明每一级放大电路是否有稳定静态工作点的措施？并说明稳定原理。
（4）确定第二级放大电路的静态工作点；（5）画出两级放大电路的交流等效电路；（6）计算电路的电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o。
（7）若R s=1KΩ时，计算源电压放大倍数A us；（8）如果去掉C e，会对哪些指标产生影响？（一）差模信号和共模信号：共模信号：数值相等、极性相同的输入信号，即u I1=u I2=u Ic ，不能放大 差模信号：数值相等，极性相反的输入信号，即u Id1=-u Id2=21u Id ，放大（二）电路结构：双入双出、双入单出、单入双出、单入单出（三）特点：输入无差别，输出就不动；输入有差别，输出就变动。
（四）抑制零点漂移的原理：长尾电阻R E 对差模信号不起作用，对共模信号可以产生两倍电流的压降，因此有极强的负反馈作用，R E 越大，负反馈效果越好，集电极电流变化就越小，因而集电极电位的变化也愈小。
（五）典型习题电路如图所示，已知Ω=k R b 1，Ω=k R c 10，V -V V EE CC 12==；晶体管100=β，Ω=k r be 2，V .U BEQ 70=。
求1.T1和T2的静态工作点I BQ 、I CQ 和U CEQ ；2.当负载为Ω=k .R L 15时，求电路的差模电压放大倍数A ud 和共模电压放大倍数A uc ，以及共模抑制比K CMR ；3.求出电路的差模输入电阻R id 和输出电阻R od ；4.简要说明差动放大电路抑制零点漂移的原理。
（一）负反馈的四种组态（二）负反馈四种组态的判断及深度负反馈条件下的近似计算1.找联系--找出信号放大通路和反馈通路2.看通路--判断交、直流反馈3.看反馈的结果--用瞬时极性法判断正、负反馈4.标出输入量、输出量及反馈量5.判断反馈组态6.估算深度负反馈条件下电路的uff A A F ，，以及并联负反馈的usf A 。
（三）典型习题1.电路如图所示：（1）画出交流通路。
（2）用瞬时极性法判断反馈的极性，并将瞬时极性标在电路上。
（3）若为负反馈，说明负反馈的类型，求出反馈电路在深度负反馈条件下电压增益的大小，并说明该反馈对放大电路输入电阻和输出电阻的影响 。
（a ）（b）（c）2.在图示电路中如何引入电流串联交流负反馈？要求写出连接编号。
3.电路如图所示，为了满足下述要求，应引入何种反馈？要求写出连接编号。
1、减小放大电路对信号源的衰减以及提高带载能力；2、将输入电流i I转换成与之成稳定线性关系的i O；3、将输入电流i I转换成稳定的u O。
五.集成运算放大电路的应用（一）基本知识1、识别电路。
2、利用集成运放“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系式u O＝f (u I)。
（二）典型运算电路（重点放在加减法和积分运算电路）一、比例运算电路二、加减法运算电路反相求和同相求和加减运算三、积分与微分运算电路1. 电路如图所示，若1321f f R R R R ==，，求出电路输出电压与输入电压的运算关系表达式u O ＝f （u i ）。
2. 电路如图所示，若5421R //R //R R //R //R 3f =，求出电路输出电压与输入电压的运算关系式u O ＝f （u i ）。
3.电路如图所示，设运放是理想的。
（1）求解输出电压与输入电压的运算关系；（2）已知R =20k Ω，C =0.5μF ，电容电压在t =0时为0V ，输入电压波形如图所示，画出输出电压的波形；（3）根据电路计算R ’，简要说明R ’ 的作用。
六.波形发生电路和信号的转换 （一）正弦波振荡的条件（二）基本组成（三）分类（四）振荡频率：RC 串并联正弦波振荡电路：RCf π210=LC 电感反馈式正弦波振荡电路：()CM L L f 221210++≈πLC 电容反馈式正弦波振荡电路： ）（2121021C C C C L f +⋅≈π（五）电压比较器（六）电压比较器的电路特征：集成运放处于开环或仅引入正反馈1.净输入电流为0—虚断2.u P> u N时，u O＝＋U OM；u P< u N时，u O＝－U OM；±U OM= ±V CC （七）电压比较器的分析方法1. 写出u P、u N的表达式，令u P＝u N，求解出的u I即为U T；2. 根据输出端限幅电路决定输出的高电平U OH和低电平U OL；3. 根据输入电压作用于同相输入端还是反相输入端决定输出电压的跃变方向。
（八）滞回比较器（九）非正弦波发生电路（十）典型习题1.试用瞬时极性法判断下图所示电路时否满足相位平衡条件？要求画出交流通路，标出反馈信号的位置。
（a）（b）（c）（d）2.比较器电路如下图所示，设运放是理想器件。
（1）试求门限电压值U T，并画出比较器的传输特性u o=f(u i)。
（2）画出输入为u i=6sin(wt)V的正弦信号所对应的输出电压波形。
（a）（b） (c) 3.电路如图所示。
（1）分别说明A1和A2各构成哪种基本电路；（2）求出u O1与u O的关系曲线u O1＝f（u O）；（3）求出u O与u O1的运算关系式u O＝f（u O1）；（4）定性画出u O1与u O的波形；（5）说明若要提高振荡频率，则可以改变哪些电路参数，如何改变。
4.图示电路中运放电路为理想运放,其最大输出幅值为+8v。
（1）说明A1、A2各构成什麽电路；（2）输入信号如图，画出u o1、u o的波型，标明输出的幅值和时间。
5.电路如图，运放为理想。
（1）要使u o有输出，R1、R2应有什么关系。
（2）画出u o、u3的波形，并在图上标出波形的周期和幅值；七.功率放大电路（一）甲乙类双电源OCL电路（二）计算公式1、最大不失真输出功率P omax2、管耗P T单管管耗P T1=P T2= 双管管耗P T = 3、电源供给的功率 4、效率（三）典型习题电路如图所示，已知V CC =18V ，输入电压u I 为正弦信号，晶体管的管压降30.U CES =V ，电压放大倍数约为1。
求（1）负载上可能获得的输出功率P o 、最大输出功率P om 和效率。
（2）若输入电压最大有效值为8V ，负载上的P om =？（3）为了使得最大不失真输出电压幅值最大，静态时T2和T4管的发射极电位应为多少？若不合适，需要调节哪个元件参数？八.直流电源的应用（一）直流电源的组成及各部分的作用⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-412om om CC L U U V R π⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-422om om CC L U U V R π 2L2CCVm R V P ⋅=πCComV o V U P P =⋅=4πη（二）典型习题1.直流稳压电源如图所示，试求电路的最大输出电压U Omax和最小输出电压U Omin 的表达式，简要说明电路的组成和各部分的作用。