光电子技术第三章第一节
光电子技术Chapter3_1

§3.2 电光调制
电光调制的物理基础是电光效应,即某些晶体 在外加电场的作用下,其折射率将发生变化,当 光波通过此介质时,其传输特性就受到影响而改 变。
1. 电光强度调制
1) 纵向电光调制(通光方向与电场方向一致)
沿z轴入射的光束经起偏器变为平行于x轴的线偏振光 进入晶体后(z=0)被分解为沿x’和y’方向的两个分量,两个振幅(等 于入射光振幅的1/ 2)和相位都相等.
编码—把量化后的数字信号变成相应的二进制编码。
抽样与量化
f (t ) V
1.5 1.4 1.3 1.2 1.1 1.0 0.9 0 .8 0 .7 0.6 0 .5 0.4 0.3 0 .2 0.1
1.46 ≈ 1.5
1.52 ≈ 1.5 1.22 ≈ 1.2
0.87 ≈ 0.9
0.89 ≈ 0.9
调频波图像
调频波频谱
E (t ) Ac J 0 (m) cos(ωct + ϕc ) + Ac ∑ J n (m) [ cos(ωc + nωm )t + ϕc + (−1)n cos(ωc − nωm )t + ϕc ] n=1
∞
在单频余弦波调制时,其角度调制波的频谱是由光载频与在 它两边对称分布的无穷多对边频所组成的。各边频之间的频 率间隔是������������������������ , 各边频幅度的大小由贝塞尔函数 Jn(m) 决定。
������������ ������������ = ������������������������ + ������������������������(������������)
调频波总相角为:
∆������������ ������������ ������������ = � ������������ ������������ ������������������������ + ������������������������ = ������������������������ ������������ + sin ������������������������ ������������ + ������������������������ ������������������������
光电子技术Chapter3_3_xp

先将连续的模拟信号通过“抽样”变成一组调幅的脉冲序 列,再经过“量化”和“编码”过程,形成一组等幅度、等 宽度的矩形脉冲作为“码元”,结果将连续的模拟信号变成 了脉冲编码数字信号。然后,再用脉冲编码数字信号对光源 进行强度调制。
数字光通信的优点。 数字光信号在信道上传输过程中引进的噪声和失真,可 采用间接中继器的方式去掉,故抗干扰能力强; 数字光纤通信系统的线性要求不高,可充分利用光源 (LD)的发光功率; 数字光通信设备便于和脉冲编码终端相连接,从而组成 多媒体综合通信系统。
∆n dn θ = nθ ' = − L = −L d dx
(负号由于坐 标系引入的)
通过控制晶体长度和晶体折射率,可以控制出射光的偏转 角度。
(3)双KDP楔形棱镜扫描器 双KDP楔形棱镜扫描器由两块KDP直角棱镜组成,棱镜的三个边 分别沿x′、y′和z轴方向,但两块晶体的z轴反向平行。光线沿y′ 方向传播,沿方x′向偏振。外电场沿Z方向(横向效应)。 A线完全在上棱镜中传播, “经历”的折射率:
偏转方向
θ
(2)定量分析 光束沿y方向入射到长度为L,厚度 为d的电光晶体,如果晶体的折射率 是坐标x的线性函数,即 A x
L d y
A B
n( x ) = n +
∆n
d
x
B
θ
当一平面波经过晶体时,光波上部和下部所需时间为: L L TA = (n + ∆n ), TB = n c c 由于通过晶体的时间不同而导致光线A相对于B要落后一段距离:
1 3 n A = no − no γ 63 E z 2
B线完全在下棱镜中传播, “经历”的折射率为:
1 3 nB = no + no γ 63 E z 2
光电子技术全套课件

光电子技术精品课程
§3 纵模的概念
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§3 纵模的概念
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§4 光腔的损耗
开腔的损耗及其描述
光子在腔内的平均寿命
无源谐振腔的Q值 无源腔的本征振荡模式带宽
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§4 光腔的损耗
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§4 光腔的损耗
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§4 光腔的损耗
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§5 开腔模式的物理概念及分析方法
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§5 开腔模式的物理概念及分析方法
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§5 开腔模式的物理概念及分析方法
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§5 开腔模式的物理概念及分析方法
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§5 开腔模式的物理概念及分析方法
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§5 开腔模式的物理概念及分析方法
光电子技术 精品课程
电子科学与技术 精密仪器与光电子工程学院
光电子技术 精品课程
激 光 原 理
第二章 光腔理论的一般问题
电子科学与技术 精密仪器与光电子工程学院
§1 腔与模
光腔的构成和分类
模的概念
腔的作用
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§1 腔与模
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§2 共轴球面腔的稳定性条件
传输矩阵
共轴球面腔的稳定性条件
§7 方形镜共焦腔的自再现模
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§8 方形镜共焦腔的行波场
厄米 - 高斯光束
振幅分布和光斑尺寸
模体积
等相位面的分布
远场发散角
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§8 方形镜共焦腔的行波场
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光电子技术复习要点

第一章 绪论1. 光电子技术(optoelectronic technology )准确地应该称为信息光电子技术,是电子技术与光子技术相结合而形成的一门新兴的综合性的交叉学科,主要研究光与物质中的电子相互作用及其能量相互转换的相关技术,涉及光显示、光存储、激光等领域,是未来信息产业的核心技术。
2. 本课程主要讲了四大部分分别是:激光光源、光波的传输、光波的调制与控制、光波的探测。
第二章 激光原理与半导体光源1. 世界上第一台激光器是1960年梅曼制作的红宝石激光器。
2. 原子从高能级向低能级跃迁时,相当于光的发射过程;而从低能级向高能级跃迁时,相当于光的吸收过程;两个相反的过程都满足玻尔条件:n m n m E E h E E hνν-=-=或。
3. 处于热平衡状态的原子体系,设其热平衡绝对温度为T ,则原子体系的各能级上粒子数目的分布将服从波尔兹曼分布律:exp(/)n n N E kT ∝-,其中N n 为在能级E n 上的粒子数,k 为波尔兹曼常数, k=1.3807×10-23 J·K -1。
即,随着能级增高,能级上的粒子数N n 按指数规律减少。
4. 爱因斯坦在玻尔工作的基础上于1916年发表《关于辐射的量子理论》。
该文提出的受激光辐射理论是激光理论的核心基础。
在这篇论文中,爱因斯坦将光与物质的作用分为三种过程:受激吸收、自发辐射、受激辐射。
5. 在二能级系统中,粒子在高能级E 2 能级上停留的平均时间称为粒子在该能级上的平均寿命,简称寿命6. 下面三个图分别描述了二能级系统中光与物质的作用的三种过程:它们可以由下面三个方程描述:对于受激辐射过程(E2→E1 ):21212()dN B u v N dt= 对于受激吸收过程(E1→E2):12121()dN B u v N dt= 对于自发辐射过程(E2→E1 ):21212dN A N dt = 其中u(v)为辐射场中单色辐射能量密度:()()30348(),exp 1h u v T c c hv kT πνγν==-7. 二能级系统中,当(N 2/N 1)>1时,高能级E 2上的粒子数N 2大于低能级E 1上的粒子数N 1,出现所谓的“粒子数反转分布”情况,它是形成激光的必要条件之一。
《光电子技术》全册完整教学课件

欧洲光电子技术发展
• 发展概况:
法国:1997年,法国开始制定光电子技术发展计 划。2001年,法国在巴黎南郊阿尔卡特尔公司的 马尔库西斯研究中心内,建立了欧洲唯一的国家 级光电子研究基地——光谷。 德国:政府已确定光子学是本世纪初“对保持德 国在国际技术市场上的先进地位至关重要的关键 技术之一”。 欧盟:2004年1月,由五家欧洲公司发起,成立 了欧洲光电产业联盟(EPIC),旨在推动欧洲光 电产业的发展,提高经济和技术两方面能力,应 对全球光电产业的竞争。
电子领域世界的翘楚,比如富士通、日立、松下、
三洋、NEC(日本电气股份有限公司)、NTT(日本
电报电话公司)。对日本光电子产业的中长期需求
预 测 结 果 显 示 , 2010 年 , 日 本 国 内 生 产 需 求 为
122000亿日元,1995-2010年度的平均年增长率
为10.1%。
2022/2/28
• 第三次(始于20世纪中叶) 以原子能技术、航天技术、电子计算机、通信技 术的应用为代表, 开创了人类信息时代
2022/2/28
信息技术的发展趋势
• 第一阶段——电子信息技术 电子信息技术:主要研究电子的特性与行为及其 在真空或物质中的运动与控制。以半导体器件为 代表的微电子技术是信息社会的第一次重大革命 (微型化) 其特征是:信息的载体是电子 代表:半导体,计算机等
• 课程分为理论教学(38学时)与实验教学(10学 时)两部分,重视知识性内容与实践环节的融合 ,旨在拓宽学生在光学、电子学及光电子学等领 域的知识面,培养学生跟踪新理论、新技术的思 维。
2022/2/28
光电子技术的主要内容
光产生:产生光源
光调制: 将信息加载到光源
光电子技术(第三章正式 成教)

8
亥姆霍兹方程
Ek E 0
2 2
k 0 0
1.39 1.40
9
单色球面波的推导
2 E 1 E x 2 E x 2 2 E 3 2 2 r r r r r r 2 x 2 E 1 E y 2 E y 2 2 E 3 2 2 y r r r r r r 2 2 E 1 E z 2 E z 2 2 E 3 2 2 2 y r r r r r r
3.8
6
单色球面波
平面波只是亥姆霍兹方程是一种最简单的 解,对于二阶线性偏微分方程式,可以分别求 出E 和 H 的多种形式的解。另一种最简单的解 或最简单的波是球面波,即在以波源为中心的 球面上有相同的场强,而且场强变化沿径向传 播的波。这种波的场强分布只与离波源的距离 r 和时间t 有关,而与传播方向无关。因此,当 以标量波考虑时,亥姆霍兹方程的球面波解可 以写为如下形式: E=E(r)
3 E x 2 y 2 z 2 E x 2 y 2 z 2 2 E 2 E 3 r r r r r2 r 2 2 E 2 E r r r 2 1 2 ( rE ) 2 r r
10
单色球面波的推导
2 E k 2 E 0
1.39
21
相速度与群速度
群速度
22
瑞利群速公式
(3.32)式中振幅恒定的条件为:
dk· z-dω·t=常数
因dk和dω不随z、t而变,微分上式得:
dk· dz-dω·dt=0
所以,群速度为:
dz d vg dt dk
23
瑞利群速公式
光电子技术基础第二版朱京平

4
光学基础知识——波粒二象性
难解释: (1)一束光入射到两种介质界面时,即发生反射,又发生 折射,何种情况发生反射,何种情况下发生折射?微粒说在 解释这一点时遇到了很大地困难。 (2)若光是由粒子组成,那么在光的传播过程中各个粒子 必将相互碰撞,进而改变原来的传播方向。 事实上,两束光相遇后,仍旧沿着原方向传播,该现象与微 粒说相悖。
3
章节基本要求
第一章:了解光电子技术的基本知识 (2个学时)
光 电 子 技 术 基 础
第二章:光学基础知识(2个学时)
第三章:激光原理与技术 (独立开课,不讲)
第四章:平面介质光波导中的光传播特性,光波导 的物理光学分析,光纤的基本知识(掌握,4个学时)
4
章节基本要求
第五章:光调制技术,电、声、磁光调制(重点, 8个学时) 第六章:光电探测技术(掌握,4个学时) 第七、九章:了解(各2个学时) 第八、十章:不讲
光 电 子 技 术 基 础
17
光电子技术——补充知识
亮度 ( cd / m ) 发光体在视线方向单位投影面积上的发光强度 亮度是指发光体(反光体)表面发光(反光)强弱的物理 量,是一个主观的量
2
d
光 电 子 技 术 基 础
物理表达式:
d
dS
S
给定方向与单位面积元ds法线方向的夹角
简单的理解:亮度是指画面的明亮程度
6
光电子技术
光电子技术的特征:光源激光化,传播波导(光 纤)化,手段电子化,现代电子学中的理论模式和 电子学处理方法光学化
光 电 子 技 术 基 础
构成信息技术的两大支柱:光电子技术和微电子技 术
7
光电子技术发展史
20世纪: 1960年,美国物理学家西奥多· 梅曼发明了世界第 一台红宝石激光器。 70年代,以低损耗光纤的实现、半导体激光器的 成熟以及电荷耦合原件(Charge-coupled Device ,简 称CCD)的问世为标志,光信息技术蓬勃发展 80年代,超大功率量子阱阵列激光器的出现,促 使半导体光学双稳态功能器件的迅速发展 90年代,光纤无源和有源器件的出现,为光纤通 讯产业的发展了网络物理层基础
4.1-GaAs

(3)GaAs基系太阳电池具有较强的抗辐照性能。辐照实验结果 表明,经过1Mev高能电子辐照,即使其剂量达到1×1015cm-2 之后,GaAs基系太阳电池的能量转换效率仍能保持原值的75% 以上,而先进的高效空间Si太阳电池在经受同样辐照的条件下, 其转换效率只能保持其原值的66%。对于高能质子辐照的情形, 两者的差异尤为明显。以低地球轨道的商业卫星发射为例,对 于初期效率分别为18%和13.8%的GaAs电池和Si电池,初始两 效率之比为1:1.3。然而经低地球轨道运行的质子辐照后,其终 期效率(EOL效率)将分别下降为14.9%和10.0%,此时GaAs电 池的效率为Si电池的1.5倍。图4.4示出了各类太阳电池在1MeV 电子辐照后效率衰退与辐照剂量的关系曲线。图4.5示出了各类 太阳电池在1M eV, 1×1015cm-2电子辐照后效率衰退与光吸收系 数的关系曲线。从图4.4和图4.5看出,大多数lll一V族化合物太 阳电池的抗辐照性能都好于Si太阳电池,抗辐照性能最好的是 InP太阳电池。ll一Vl族化合物太阳电池,如CulnSe太阳电池的 抗辐照性能超过了InP太阳电池,是抗辐照性能最好的太阳电池。
(2)由于GaAs材料具有直接带隙结 构,因而它的光吸收系数大。 GaAs的光吸收系数,在光子能量 超过其带隙宽度后,剧升到104cm1以上,如图4.3所示。经计算,当 光子能量大于其Eg的太阳光进人 GaAs后,仅经过1µm左右的厚度, 其光强因本征吸收激发光生电子一 空穴对便衰减到原值的1/e左右, 这里e为自然对数的底,经过3µm 以后,95%以上的这一光谱段的阳 光已被GaAs吸收。所以,GaAs太 阳电池的有源区厚度多选取在3µm 左右。这一点与具有间接能带隙的 Si材料不同。Si的光吸收系数在光 子能量大于其带隙宽度(Eg=1.12) 后是缓慢上升的,在太阳光谱很强 的可见光区域,它的 吸收系数都比GaAs的小一个数量级以上。因 此,Si材料需要厚达数十甚至上百微米才能充 分吸收太阳光,而GaAs太阳电池的有源层厚 度只有3--5µm
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可见谱线展宽对自发跃迁没有影响,即自发辐射 gν不 受影响。
(2)受激辐射跃迁几率为:
W21ν B21ν ρν B21 gν ρν
W21( ) 表示在总的受激辐射跃迁几率中,处于频率v处单位频 率间隔内的粒子的跃迁几率,它与单色能量密度有关。
受激辐射跃迁的粒子数:
dN21
dt
h E2 E1
无辐射跃迁:在不同能级间跃迁并不伴随光的吸收或辐射。
1) 受激吸收
E2
h
E1 吸收前
吸收后
h E2 E1
受激吸收跃迁几率:
W12
(
dn12 dt
)st
1 n1
W12 B12
与原子本身性质和辐射场能量密度有关。
B12 :受激吸收跃迁爱因斯坦系数
只与原子本身性质有关。
2) 自发辐射
普通光源产生的非相干光
最早的电光源是炭弧灯。 1878年12月,英国 斯万发明电灯泡。 1879年10月,美国 爱迪生发明质量更好的电灯泡。 1938年,美国 纽曼等 研制成荧光灯 目前, 呈现固体灯取代荧光灯的趋势。 固体灯:利用超高亮度白光二极管或其他场致发光管制作.
优点:体积小、转换效率高、耗电省、加压低 应用:已有交通灯、路标、宣传、广告牌等
美国 肖洛/汤斯提出光学谐振腔; 前苏联科学家提出实现三能级粒子数反转和半导体激光器 的建议; 1960年,美国人梅曼的红宝石激光器问世(波长694.3nm)
1960年秋,美国人发明 1.15m连续He-Ne气体激光器。 1962年,美国人发明低温工作的 脉冲GaAs半导体激光器。
1970年,美国 Lin等发明双异质结连续半导体激光器。室温 下连续工作,近红外,用作光通信光源。 1980年后,等离子体激光器、超晶格量子阱激光器、光纤激 光器、分布反馈(DFB)激光器、分布布拉格发射(DBR)激光器、 超快激光器。 技术方面: 1961年,美国 人发明激光调Q方法,获得纳秒脉冲。 1968年,开始利用锁模技术制造超短脉冲激光器 1969年,获得亚皮秒(10-13秒)光脉冲,现4-5飞秒(10-15秒)激
Iν I gν N2 A21gνhν N2 A21νhν
A21( ) A21 g( )表示在总的自发跃迁几率中,处于频率v处单 位频率间隔内的粒子的自发跃迁几率,跃迁的粒子数:
dN21
dt sp
N 2 A21 ν dν
N 2 A21 g ν dν N 2 A21
E t
E e e t/τ i 2πν0t 0
E e e t / 2 i 2πν0t 0
1 2
经过傅里叶变换,得到
gN
(ν)
2π
ν0
Δν N
ν2 ΔνN
/
22
σ 2 νN 2π s
线型函数具有洛仑兹型,线宽唯一地由能级的平均寿命所
决定。
在高低状态均为激发的情况下,且相应的带宽度分别
单色性 高速脉冲性 方向性 可调谐性 高能量密度
激光正是满足这些条件的最好的光源。
3.2 光与物质相互作用理论
3.2.1 经典理论分析 经典发光模型:发光原子视作由正电中心和负电中心组成的电 偶极子,作高频振荡。 1. 光与物质相互作用的经典模型
介质的极化强度:单位体积中的电偶极矩P
P Np Nex 式中,N为单位体积中粒子数。
P( )
Ne2 m
E( )
(
2 0
2
)
i
( ) 0E( )
( ) i()0E
近共振时,由于 ω02 ω2 2ω(ω0 ω) 8π2ν(ν0 ν)
令: γ Δω 2πΔν
于是有:
χ(ν)
Ne2 8π 2mε0ν0
(ν0
ν0 ν
ν)2 Δν
/
22
χ(ν)
Ne2 4π2mε0ν0 Δν
入线型函数:
gν Iν
I
表示分布在频率v处单位频率间隔内自发辐射功率与总射功
率之比,满足归一化条件:
g( )d 1
谱线宽度:
g( ,0)
ν ν0处,有最大值 g ν0 ; g(0,0 )
1 ν ν0 2 ν 处,有
gν
1 2
gν0
1 2
g(
0
,
0
)
定义 ν 为谱线宽度
(1)考虑谱线加宽后,自发辐射光强为:
N 2B21g ν
ρνdν N2B21
g ν ρνdν
可见受激跃迁粒子数改变与粒子体系的 及g辐ν射场的能量
密度 有ρ关ν 。当入射光频率与谱线中心频率相同时,跃迁几
率最大;偏离谱线中心频率时,也会产生跃迁,但几率下降。
4. 光谱线展宽的类型和机理
2
谱 1线展宽分均匀展宽与非均匀展宽两大类。
1
4
1
ν ν0 Δν
2
光波在介质中传播时, E z, t E ν ei2νtkz
式中
k
k1
0 2
ν
k1
ν
2n2
i
ν
2n2
n2 / 0
可见,极化率的实部影响光波相位,虚部影响光波振幅 (强度)。
极化率的实部和虚部都与入射光的频率有关。 ➢ 不同频率的入射光在介质中的相位延迟不同-------色散。
宽的线型函数,表示为:
gH
ν
2π[ν
νH
ν0 2 νH
22 ]
均匀展宽线型函数的线宽为:
νH N c
(3)热振动展宽
由晶格热振动引起的谱线展宽,在固体激光物质中其量级 远大于自然加宽,晶格原子的热振动使发光粒子处于随时间周 期变化的晶格场中,引起能级振动,导致谱线展宽,这种展宽 与温度关系最大,但其线型函数解析式很难求,常用实验来测 知。
➢ 不同频率的入射光在介质中的强度衰减不同。
3.2.2 光辐射量子理论基础
1. 三种跃迁过程 自发辐射、受激吸收与受激辐射
原子或分子的能量状态 只能取分立数值,能量 最低的状态称基态,能 量比基态高的状态称激 发态。
跃迁:原子从某一能级吸收或释放能量,变成另一能级。
低 辐射跃迁:
高
吸收光能量 高 辐射光能量 低
8πhν231n3 c3
g1、g2 ——能级 E1 和 E2的简并度,或称统计权重
若 g1 g2 则爱因斯坦关系式可简化为:
B12 B21 B
E1
A B
8πhν231n3 c3
(1)三个爱因斯坦系数是相互关联的。
(2) 自发发射系数与受激发射系数之比正比于频率 ν2的1 三次
方,频率越高,越易自发辐射,受激发射越难。在热平衡条
光器已商品化,向阿秒(10-18秒)进军。 波长:紫外、可见、红外; 峰值功率:〉100TW量级; 最高平均功率:〉MW量级; 波长调谐范围:从200nm延伸到4m。
(2)非线性相干光源 来源:激光与各种非线性光学材料相互作用。
受激喇曼激光器; 光参量振荡,获得另一种可调谐相干光源; 光差频法、和频法、倍频、三倍频获得另外波长的激光。 3. 信息光电子技术对光源的要求
E2
E1 发光前
发光后
h
h E2 E1
自发跃迁几率(自发跃迁爱因斯坦系数): A21
A21
( dn21 dt
)sp
1 n2
N2
N
0 2
exp(
A21t )
N
0 2
exp(
t
s
)
A21
1
S
原子在能级 E2 的平均寿命(荧光寿命)
各原子自发跃迁中彼此无关——不同原子产生的自发辐射 光的方向、位相、偏振状态无确定关系
气体激光器
相干光源激光固半等染体导料离激体子激光激体光器光器激器光器
非线性光学器件光激参光量产振生荡高次谐波
激光的和频与差频
着重由电转换成光的能量
气体放电灯、荧光灯
转换效率和颜色
光
源
器件非相干光源显照示明光光源源白阴荧液等本炽极光晶离征灯射显显子场线示示体致管器器管发光灯(固体灯)
着重显示图象的清晰度、对 比度、色彩饱和度等x()Fra biblioteke m
(02
E( ) 2)
i
•电子受迫振动的频率与驱动光波频率相同;
•受迫振动与驱动光场之间存在相位差(式中含有 i 项)
2. 光波在各向同性介质中的传播
在单色平面光波作用下,原子形成电偶极子,表现为介质
极化。极化介质的辐射次波与入射光波的相互干涉决定了光
在介质中的传播规律。介质极化强度:
P Np -Nex P()eit
碰撞改变了原子的能量状态,相当于缩短了原子处于激发态 的平均寿命,导致光谱线在自然加宽基础上被进一步加宽
由于碰撞的随机性,用平均碰撞时间来表征碰撞过程,其
线型函数:
gc ν
2π[ν
ν0
νc
2
Δνc
22 ]
线宽近似式:
c p,为与气体性质有关的常数,p为压强。
均匀展宽
自然展宽与碰撞展宽共同作用产生的线型函数合称为均匀展
m
d2x dt 2
m02 x m
dx dt
eE
K:弹性系数,x:电子偏移平衡位置距离,m:电子质
量,0 k m :电子固有频率, :辐射阻尼系数。
设入射光为单色平面光波,则电场E(t)与位置偏移x(t)为:
E(t ) E( )eit x(t ) x( )eit
将x(t)、E(t)代入运动方程,解得:
1) 均匀展宽
特点: 任一粒子对谱线展宽的贡献都是一样的,每个发光粒 子都以同一线型发射。
包括:自然展宽,碰撞展宽和热振动展宽等。
(1)自然展宽
由于粒子存在固有的自发跃迁,从而导致它在受激能级上寿 命有限,自然存在,因而称为自然展宽。