Everspin MRAM产品选型指南
艾默生-高效电机选型手册 FLSES(IE2)
3
电源连接
• 作为标准配置，安装在电动机顶部。 ▼ 葛兰在驱动端的相对位置。
标准位置
位置2不推荐 （对于标准的FF法兰安装的电动机不可行）
葛兰的位置
1
2
3
4
底脚安装的电动机
FLSES 160 至 355 L
····
FLSES 355 LK 至 450
·
-
·
-
FF 法兰安装电动机
FLSES 160 至 355 L
（像定子/转子）
-用IEC60034-2-1的方法测量，效率是92.3%
利莱森玛所有电机按照 IEC60034 标准制造，并 且按照 IEC60034-2-1 标准进行测试。
2
通用信息
电气特性
·电压380V, 50Hz, 电压容差±5% ·防护等级IP55 ·绝缘等级F/B
使用环境
·环境温度-20℃~40℃ ·海拔低于1000m ·相对湿度≤90%
37
65 120 2947 0.94
45 78.6 146 2946 0.93
55
97 177 2958 0.92
75 129.2 242 2955 0.94
90 153.7 290 2960 0.94
110 185.1 354 2970 0.95
132 229.8 426 2957 0.92
160 282.9 515 2964 0.91
▼ 各种机座尺寸和转速下的润滑脂加注间隔
（标准轴承总和）
160 M/L
180 MR
180 L
200 L 225 ST 225 MT 225 M 250 M 280
315 ST 2P 315 ST 4P & + 315 M/L 2P 315 M/L 4P & + 355 L 2P 355 L 4P & + 355 LK/400 L 400 LK/450 L
迈信驱动华大电机选型手册
LB系列机座号（mm）：80、110、130、150额定转矩（Nm）：1.3～27额定功率（Kw）：0.4～5.5额定转速（rpm）：1500、2000、2500、3000最高转速（rpm）：/转子惯量：中惯量标配反馈元件：增量式编码器（2500C/T）失电制动器：可配适配驱动器工作电压（VAC）：220LBB系列机座号（mm）：80、110、130、150额定转矩（Nm）：1.3～19.1额定功率（Kw）：0.4～3.0额定转速（rpm）：1500、2000、3000最高转速（rpm）：3000、5000转子惯量：中惯量标配反馈元件：总线式光电编码器失电制动器：可配适配驱动器工作电压（VAC）：220HB系列机座号（mm）：110、130、150额定转矩（Nm）：2～27额定功率（Kw）：0.6～5.5额定转速（rpm）：1500、2000、2500、3000最高转速（rpm）：/转子惯量：中惯量标配反馈元件：增量式编码器（2500C/T）失电制动器：可配适配驱动器工作电压（VAC）：380HBB系列机座号（mm）：110、130、150额定转矩（Nm）：2.4～28.7额定功率（Kw）：0.4～5.5额定转速（rpm）：1500、2000最高转速（rpm）：3000转子惯量：中惯量标配反馈元件：总线式光电编码器失电制动器：可配适配驱动器工作电压（VAC）：380请您关注以下伺服电机为自冷式散热方式，安装时请选择足够大的安装板。
伺服电机长期工作，机体本身会有一定的温度，这是正常情况。
装配了失电制动器的伺服电机，其失电制动器的电源必须由驱动器控制开闭，否则会造成工作状态不佳。
伺服电机内装精密反馈元件，严禁重力敲击电机轴伸端及后部。
请注意电机轴伸端的最大径、轴向力的限值。
严禁随意更改、拆装及加工电机部件。
请您将需求告之我们，我们来为您服务。
电机电联接器转矩转速曲线示意图LB 、HB系列LBB 、HBB 系列LB 、LBB 、HB 、HBB 系列伺服电机的Mmax=3Mn ；Mmax 输出状态为短时工作。
纬创电机选型手册
纬创电机选型手册
维纬创电机选型手册是一本由维纬创团队出版的电机选型手册。
它可以帮助用户准确选择合适的电机，以达到最优化的性能。
维纬创电机选型手册主要介绍了电机种类、分类及特点，其中电机的种类包括永磁电机、可控制电机、异步电机和直流伺服电机。
分类知识包括机械结构、外形尺寸、励磁方式和额定工作电压等。
此外，手册还就电机选型过程中应注意的安装要求、电气参数和应用环境等方面进行了详细介绍。
此外，维纬创电机选型手册还提供了丰富的实例和详细的参数数据，可以帮助用户更加准
确地选择适合自己应用场合的最佳电机。
还可以依据实际工作条件、环境要求和安全要求，为用户选择最合理的电机。
综上所述，维纬创电机选型手册收录了丰富的电机知识，通过一系列讲解，用户可以更好的了解电机的各项特点，进而更加准确地选择最佳电机，达到优化的应用效果。
Everspin科技推出更高容量MRAM产品16MB MRAM正式闻世
⑥
Ｎ
系 统 运 行 于 Ｉｔｒｅ ｎｅｎ ｔ互 联 网 络 环 境 下 ， 统 的 建 立 和 使 用 提 高 了 系 达 州 市 区 域 地 质 灾 害 防 治 、监 测 、 预 警 技 术 水 平 ，在 ２ ０ ０ ９年 夏 季 的
下 一 次 报 警 逻 辑
数 据 则 进 入 下 一 流 程 ； 则 结 束 此 次 报 警 进 入 下 一 次 报 否 警 逻辑 ； 进行 报警 计算 ， 算 模 型包 括雨 量和 位 移 ， ④ 计 如
系 统 研 究 【】 Ｊ．测 绘 科 学 ，０ ７ ３ （ ） １５ ２ ． ２ ０ ， ２ ２ ：２ —１７
（ 转 第 １４ 页 ） 下 ５
辑 ；⑤ 通 过 ＭＡ Ｓ短 信 服 务 器 把 报
读 取报 警 时 间 间 隔
警 短 信 发 送 至 相 关 责 任 人 ， 发 送 写 记 录 到 数 据 库 ； 进 入 下 一 次 报 警 ⑥
逻 辑 阶 段 ， 时 间 间 隔 到 达 用 户 设 当 定 的 报 警 逻 辑 时 间 间 隔 ， 进 入 流 则
相 似 的低 功 率 Ｓ Ａ 产 品 和 其 他 非 挥 发 Ｒ Ｍ 产 品 兼 容 。 Ｒ Ｍ Ａ 供 货 情 况
新 款 １ Ａ 系列 包括 商业 级 （ 。 ～ ７ 。 和 工 业 级 （ ４ 。 ～ ８ Ｃ 两种 温度 范 围 。 已可 提 供 样 品 ， 预 计 ６ＭＢ ＭＲ Ｍ ０ ｃ ＋ ０ Ｃ） 一 Ｏ Ｃ ＋ ５。 ） 现 并
（ ｖｒ ｉ Ｅ ｅｓ ｎ科 技 公 司 供 稿 ） ｐ
《 电子技 术应用》２ １ 第 ６期 ０ ０年
１１ ５
成 员 后 ， 在 Ｅ ｅｓｉ 的 产 品 组 合 包 括 提 供 Ｂ Ａ 和 Ｔ Ｏ 两 种 可 选 封 装 、 量 从 ２ ６Ｋ １ 的 ８位 和 １ 现 ｖｒｐｎ Ｇ ＳＰ 容 ５ Ｂ～ ６ＭＢ ６位 并 行 ＩＯ ／
EVERSPIN-MRAM-中文
MRAM(磁性)存储器……………………………………………2-02MRAM(磁性)存储器Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器，其原理是利用电子自旋的磁性结构，来提供不会产生损耗的非挥发特性。
Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息，在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度。
Everspin目前拥有广泛的MRAM产品线，这些MRAM密度从256Kb到16Mb，并提供串行和并行运算方式，具备商用、工业用、和延伸温度选项，为多种应用提供优异的价格和效能优势。
MRAM存储器技术原理Everspin的专利MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结(MJTJ)储存单元为基础。
MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层(fixed layer)，和一个通过隧道结(tunnel barrier)与其隔离的自由层(free layer)。
当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性。
而当自由层被施予反方向的极化时，MTJ便会有高电阻。
此一磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态，便能快速读取数据。
当流经两金属线的电流足以切换MTJ的磁场时，在两金属线交点的MTJ就会被极化(写入)。
此过程能以SRAM的速度完成。
MRAM存储器功能特点● 读取/写入周期时间：35ns；● 真正无限次擦写；● 全温度范围内业内最长的寿命和数据保存时间——超过20年的非挥发特性；● 可取代多种存储器——集闪存、SRAM、EEPROM以及 BBSRAM的功能于一身；● 采用MRAM取代电池供电的SRAM方案，为您解决电池组装和产品可靠性的问题；● 采用MRAM取代FRAM方案，为您提供更快的速度和更多的擦写次数；● 具备商业级、工业级、扩展级和汽车级的可选温度范围；●符合RoHS、兼容SRAM 的TSOPII、BGA封装。
MRAM应用存储器系统工业自动化运输领域消费和游戏领域MRAM(磁性)存储器SPI接口MRAMSPI接口256K~Mb磁性存储器，可以40MHz的的时钟速度高速运行，没有写延迟。
英飞凌选型手册
VCE : Collector Emitter Voltage
VCE(sat) : Saturation Collector Emitter Voltage
VDS : Drain Source Voltage
VDS(AZ) : Drain Source Voltage (active zener)
VS
T H I S S E L E C T I O N G U I D E P R O V I D E S an overview of our state-of-the-art product offerings including all key components which meet current market demands.
MOSFET /IGBT
PROFET®
protected high-side-Switch
Integrated charge pump Overvoltage protection
Overload protection
Open load detection
Current limitation
Diagnostic feedback
S P P 80 N 03 S2 L – 03
/optimos
7
Power Supply
Automotive Transceiver
2 2
Symbols
ID ID(ISO)
ID(lim) ID(NOM)
IIS IL(ISO)
IL(NOM) IL(lim) IL(sat) IL(SCr)
: DC Drain Current : ISO Drain Current
(TC = 85°C, voltage drop ≤ 0.5 V, Tj ≤ Tj max.) : Drain Current Limit : Nominal Drain Current
东方马达选型手册
"直動型
馬達內部採用軸向軸承機構，亦可與安裝滾珠螺桿的直動型組合。 詳情請洽本公司或客戶諮詢中心 (0800)060708。
RoHS 指令對應品
設定軟體（MEXE02）使用。
◇◇可對應的網路及網路轉換器品名
可對應的網路
CC-Link MECHATROLINK-II MECHATROLINK-III
網路轉換器品名
NETC01-CC NETC01-M2 NETC01-M3
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OPX-2A㧔̤ਯ MEXE02㧔̤ਯ
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●●STEPOUT 輸出功能
驅動器的指令位置與編碼器計數器值之間的偏差達到設定值（偏差 異常）時，將輸出STEPOUT信號。可檢知因負載的急速變化等而產 生的位置差距。
●●ALARM 輸出功能 ✽ 若發生偏差異常，將輸出「位置偏差過大」ALARM，使馬達停止。
◇◇用於位置計算 計算輸出的信號，即可確認對馬達的指令位置。
●●群組傳送功能（僅限 RS-485 通訊）
可由 RS-485 通訊中連接的複數軸構成群組，以群組為單位，傳 送指令。 亦可實現複數軸的同時起動和同一動作。
༶ᔷܸ˿ RS-485ஷৃ
0ዚ㕐֛З༶ᔷක
0ዚ˴ൿٙ ৵༺ਗЪ
1ዚൿٙ ৵༺ਗЪ
●●具平滑驅動功能，易於使用
平滑驅動功能係指利用與全步級相同的設定進行自動微步級驅動的 控制。
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1.5 CSK566AP 0.72ࠑ/step CRK566AKD 0.072ࠑ/step㧔ฆӉॴᚨਗ㧕
everspin代理MR3A16A 512Kx16 MRAM中文数据规格书
everspin代理MR3A16A 512Kx16 MRAM中文数据规格书
产品描述
MR3A16A是一款MRAM非易失性存储器，位宽为512K x 16。
MR3A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序，具有无限的耐久性。
数据在20年以上始终是非易失性的。
低压禁止可在断电时自动庇护数据，以防止在不符合规定的状况下举行写操作。
对于必需迅速永远存储和检索关键数据和程序的应用，MR3A16A是抱负的存储器解决计划。
MR3A16A非易失性MRAM提供小尺寸的48引脚球栅阵列（BGA）封装和54引脚的薄型小形状封装（TSOP Type 2）。
这些封装与类似的低功耗SRAM产品和其他非易失性RAM产品兼容。
MR3A16A在很宽的温度范围内提供高度牢靠的数据存储。
该产品提供商业温度（0至+70°C）和工业温度（-40至+85°C）工作温度选项。
everspin代理英尚微驱动、例程以及须要的FAE支持。
引脚封装
MR3A16A特征
+3.3伏电源
35 ns的迅速读写周期
兼容SRAM的时序无限的读写耐久性
温度下，数据始终保持非易失性超过20年
符合RoHS要求的小尺寸BGA和TSOP2封装
全部产品均符合MSL-3湿度敏感度等级
第1页共2页。
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- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
MR256A08B 在宽温度范围内提供高度可靠的数据存储。产品提供 3 种温度范围：商业 温度（0℃～+70℃）、工业温度（-40℃～+85℃）以及汽车温度（-40℃～+125℃）。
SG070006
图 1.1 MR256A08B 结构框图
1.3 16 位并行MRAM
Eerspin 公司为用户提供了 1M、4M 和 16M 的 16 位并行 MRAM，目前正在开发更高存 储容量的 16 位并行 MRAM，下面以 MR0A16A 为例，介绍该类器件特性。
1.3.1 MR0A16A简介
1.2.2 特性
z 读取/写入周期时间：35ns； z 真正无限次擦写； z 业内最长的寿命和数据保存时间——超过 20 年的非挥发特性； z 可取代多种存储器——集闪存、SRAM、EEPROM 以及 BBSRAM 的功能于一身； z 采用 MRAM 取代电池供电的 SRAM 方案，解决了电池组装、可靠性以及责任方面的问
MR0A16A 是一个 1M 位磁性随机访问存储器（MRAM）器件，可存储 64K 个字（16 位）。MR0A16A 兼容 SRAM，读/写周期为 35ns，允许无限次读写。数据可保存 20 年以上。 低电压保护电路可在掉电时自动保护数据，防止在规定电压范围以外时写入数据。对于必须 永久保存、快速恢复重要数据和程序的应用，MR0A16A 是非常理想的存储器方案。
1.3
16 位并行MRAM .....................................................................................................2
1.3.1 MR0A16A简介.................................................................................................2
北京周立功
重庆周立功
地址：北京市海淀区知春路 113 号银网中心 A 座 地址：重庆市石桥铺科园一路二号大西洋国际大厦
1207-1208 室（中发电子市场斜对面）
（赛格电子市场）1611 室
电话：(010)62536178 62536179 82628073
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广州专卖店
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南京周立功
地址：南京市珠江路 280 号珠江大厦 2006 室 电话：(025)83613221 83613271 83603500 传真：(025)83613271
ii
广州周立功单片机发展有限公司
SG070006
目录
第 1 章 MRAM器件选型.............................................................................................1
1.1
简介...........................................................................................................................1
1.2.1 MR256A08B简介
MR256A08B 是一个 256K 位磁性随机访问存储器（MRAM）器件，可存储 32K 个字节 （8 位）。MR256A08B 兼容 SRAM 的读/写时序，周期为 35ns，允许无限次读写。数据保存 时间长达 20 年以上。低电压保护电路可在掉电时自动保护数据，防止在规定电压范围以外 时写入数据。对于必须永久保存、快速恢复重要数据和程序的应用，MR256A08B 是理想的 存储器方案。
1.4
串行MRAM器件 ......................................................................................................3
1.4.1 MR25H10 简介.................................................................................................3
传真：(010)82614433
传真：(023)68796439
杭州周立功
成都周立功
地址：杭州市天目山路 217 号杭州电子科技大楼 502 地址：成都市一环路南二段 1 号数码同人港 401 室（磨
室
子桥立交西北角）
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电话：(028) 85439836 85437446
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技术支持
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1.2.2 特性...................................................................................................................1
1.2.3 结构框图...........................................................................................................1
传真：(0755)83793285
传真：(027)87163755
上海周立功
地址：上海市北京东路 668 号科技京城东座 7E 室 电话：(021)53083452 53083453 53083496 传真：(021)53083491
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第1章 MRAM器件选型
1.1 简介
Everspin MRAM 是一种具有革命性的存储器，其原理是利用电子自旋的磁性结构，来 提供不会产生损耗的非挥发特性。高密度、快访问、极省电、可复用和不易失是磁阻内存的 五大优点，这使它在各个方面都超过了现有的存储技术，MRAM 可以说是集各优点于一身 的高质量产品。
A.1
版本信息...................................................................................................................6
A.2
版权声明...................................................................................................................6
Everspin MRAM 具有三种总线通信方式供用户选择：8 位并行总线、16 位并行总线、 SPI 串行总线。下文介绍了这三类器件的特性，方便用户选型。
1.2 8 位并行MRAM
Everspin 公司为用户提供了 256Kb、1Mb、4Mb 和 16Mb 的 8 位并行 MRAM，目前 Everspin 正在开发更高存储容量的 8 位并行 MRAM，下文以 MR256A08B 为例介绍该类器件。
1.2
8 位并行MRAM .......................................................................................................1
1.2.1 MR256A08B简介 .............................................................................................1
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传真：(028)85437896
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电话：(027)87168497 87168297 87168397
1.3.2 MR0A16A特性.................................................................................................2
1.3.3 结构框图...........................................................................................................3
1.4.2 MR25H10 特性.................................................................................................3