电压基准X60003中文资料
常用电缆电阻电抗参数表
额定电压 1140 1140 1140 1140 1140 3300 3300 3300 3300 3300 3300 660 660 660 660 1140 1140 1140 1140 660 660 660 660 660 660 660 1140 1140 1140 1140 1140 1140 1140 3300 3300 3300 3300 3300 3300 3300
低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 高压电缆 高压电缆 高压电缆 高压电缆 高压电缆 高压电缆
电压类型 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆 低压电缆
每公里电抗 0.083999999 0.081 0.078000002 0.075000003 0.108000003 0.083999999 0.081 0.078000002 0.075000003 0.056000002 0.066 0.083999999 0.081 0.078000002 0.075000003 0.083999999 0.081 0.078000002 0.075000003 0.092 0.090000004 0.088 0.083999999 0.081 0.078000002 0.075000003 0.092 0.090000004 0.088 0.083999999 0.081 0.078000002 0.075000003 0.092 0.090000004 0.088 0.083999999 0.081 0.078000002 0.075000003
VF03中文手册
益系数（amplification factor）应为0或1（取决于探针类型），对于介 电常数<10时，增益系数（amplification factor）应为2或3
正常情况下不需设置门阀值（threshold），但对于一些应用中， 比如管嘴的反射，则需要设置较高的门阀值（threshold）。 注： 在设置门阀值（threshold）时，不推荐在空罐或满罐时设置。
要求 B>A. 3.3 避免钢缆与管壁接触
3.4 雷达之间的间隔距离，最小距离为 2m.
单杆/单缆距壁最小距离为 300mm 同轴离墙壁无限制 双杆/双缆距壁最小距离为 100mm 3.2 管嘴安装方式
3.5 罐内带搅拌的需固定底部，且勿安装于下料口位置，避免下料对 测量的影响。 4.0 电气连接
避免管嘴高度 A 大于 150mm(5.9”),尤其在 B 小于 80mm(3.1”)时。一般
z 单缆/单杆盲区最小值为 400mm z 双缆/双杆盲区最小值为 300mm Fct1.1.3 Time Constant 时间常数 此参数用于滤波设置，为了防止数据的跳变，使测量数据更稳定。 范围：001-100 秒。出厂设置值为 5 秒。 Fct1.1.6 Probe length 探针长度 探针长度为实际探针的长度，当探针长度（缆、杆）改变时，需修改 此参数。 当罐为空罐时，软件可自动计算出探针长度（F11） Fct1.2.4 Length Unit 长度单位 m,cm,mm,inch,ft,Optional unit 根据需要选择不同的单位。 Fct1.2.5 Volume unit 体积单位 可选择不同的体积单位立方米、升、等等。 Fct1.2.6New length unit 新的长度单位 仅当 Fct1.2.4 选择可选单位，可在此设置新的单位 Fct1.2.6.1Name of new length unit 新的长度单位的名称 给新单位命名 Fct1.2.6.2Conversion factor 转换因素 转换因数与 mm 关联 如果转换因数为 10，则新的单位为 10mm 如果转换因素为 0.1，则新的单位为 1/10mm Fct1.3.1 Function I 功能 z Level 液位测量 z Distance 距离测量 z Volume 体积测量 z Ullage Volume 损耗体积测量
运行电压标准
运行电压标准是指用于电力系统和电子设备的标准化电压级别，以确保电力设备的互操作性和安全性。
不同国家和地区可能会采用不同的运行电压标准，这通常是因为历史、地理、技术和法规等因素的影响。
以下是一些常见的运行电压标准：
1. **欧洲标准**：
- 230V单相交流，50Hz频率，用于大多数家庭和小型商业设备。
- 400V三相交流，50Hz频率，用于工业和商业设备。
2. **北美标准**：
- 120V单相交流，60Hz频率，用于家庭和小型商业设备。
- 208V三相交流，60Hz频率，用于某些商业和工业设备。
- 480V三相交流，60Hz频率，用于工业设备。
3. **其他国家和地区**：
- 不同国家和地区可能有各自的电压标准，如日本、澳大利亚、中国等。
这些标准可能与欧洲或北美标准略有不同。
请注意，电压标准通常伴随着相应的电插座和插头标准，以确保设备能够正确连接到电源。
此外，一些国家或地区可能存在多种电压标准，取决于用途，例如低压、中压和高压，以满足不同的电力需求。
在使用电子设备或进行国际贸易时，了解目标地区的电压标准非常重要，以确保设备的兼容性和安全性。
电压不匹配可能导致设备损坏或危险。
因此，建议在购买电子设备时，查明设备支持的电压范围，并使用适当的转换器或适配器，以确保设备在不同地区的运行。
ref3030 基准电压
ref3030 基准电压
一、基准电压的概念与作用
基准电压，顾名思义，是一种用作比较和测量其他电压的参考电压。
它在电子电路、仪器仪表、通信设备等领域具有广泛的应用。
基准电压的作用主要是提供一个稳定的电压基准，以便对其他电压信号进行准确测量和比较。
此外，它还能用于电压调整、电压控制以及电压监测等电路设计中。
二、基准电压的分类与应用
1.晶体管基准电压源：采用晶体管结构，具有良好的输出电流能力和稳定性，适用于低功耗、高精度的应用场景。
2.电压基准源：通过特殊的电路设计，为其他电压源提供参考电压，如运放、电压基准等。
3.基准电压模块：将基准电压源集成在模块中，便于使用和安装，如通信设备、测试仪器等。
4.数字基准电压：通过数字技术实现基准电压的生成，具有高精度、低漂移等特点，适用于高精度数据采集和控制系统。
5.电源基准电压：为电源系统提供稳定的基准电压，确保电源系统的正常工作。
三、基准电压的选择与使用注意事项
1.选择基准电压时，应根据实际应用场景和性能要求，选择合适的类型和规格。
2.使用前，仔细阅读产品手册，了解基准电压的性能参数、电源电压、输
出电流等指标。
3.确保基准电压电路的稳定性，避免受到外部干扰和温度漂移等因素的影响。
4.在使用过程中，注意基准电压的电源电压、负载电流等参数，以免超出其额定范围。
5.定期检查和维护基准电压源，确保其正常工作。
四、总结
基准电压在电子电路、仪器仪表等领域具有重要作用。
正确选择和使用基准电压，可以保证测量结果的准确性和系统稳定性。
开关电源关键元件的各个参数中英文对照表！
开关电源关键元件的各个参数中英文对照表！肖特基二极管Symbol Parameter 中文翻译VRRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压VRWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压VR DC Blocking Voltage 反向直流电压VR(RMS) RMS Reverse Voltage 反向电压有效值IF(AV) Average Rectified Forward Current 正向平均电流IR Reverse Current 反向电流IFSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 浪涌电流VF Forward Voltage 正向直流电压Cj Typical Junction Capactiance 结电容PD Power Dissipation 耗散功率Tj Operating Junction Temperature 工作结温Tstg Storage Temperature Range 存储温度Rth(j-a) Thermal Resistance from Junction to Ambient 结到环境的热阻二极管Symbol Parameter 中文翻译VR Continuous reverse voltage 反向直流电压IF Continuous forward current 正向直流电流VF Forward voltage 正向电压IR Reverse current 反向电流Cd diode capacitance 二极管电容Rd diode forward resistance 二极管正向电阻Ptot total power dissipation 功率总损耗Tj Junction Temperature 结温Tstg storage temperature 存储温度TVS管Symbol Parameter 中文翻译IPP Maximum reverse peak pulse current 峰值脉冲电流VC Clampling voltage 钳位电压IR Maximum reverse leakage current 最大反向漏电流V(BR) Breakdown voltage 击穿电压VRWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压VF Forward voltage 正向电压IF Forward current 正向电流IT Test current 测试电流可控硅Symbol Parameter 中文翻译VDRM Peak repetitive off-state voltage 断态重复峰值电压VRRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压IT(RMS) RMS On-state current 额定通态电流ITSM Non repetitive surge peak on-state current 通态非重复浪涌电流IGM Forward peak gate current 控制极重复峰值电流VTM peak forward on-state voltage 通态峰值电压IGT Gate trigger current 控制极触发直流电流VGT Gate trigger voltage 控制极触发电压IH Holding current 维持电流IDRM Peak repetitive off-state current 断态重复峰值电流IRRM Peak repetitive reverse current 反向重复峰值电流PG(AV) Average gate power dissipation 控制极平均功率Tj operating junction temperature range 工作结温Tstg storage temperature range 存储温度稳压管Symbol Parameter 中文翻译VI input voltage 输入电压Vo output voltage 输出电压ΔVo Load regulation 输出调整率ΔVo Line regulation 输入调整率Iq quiescent current 偏置电流ΔIq quiescent current change 偏置电流变化量VN Output noise voltage 输出噪声电压RR Ripple rejection 纹波抑制比Vd dropout voltage 降落电压Isc short circuit current 短路输出电流Ipk peak current 峰值输出电流Topr operating junction temperature range 结温Tstg storage temperature range 存储温度43系列基准源Symbol Parameter 中文翻译VKA Cathode voltage 阴极电压IK Cathode current range(continous) 阴极电流 Iref Reference input current range ，continous 基准输入电流 PD Power dissipation耗散功率Rth(j-a) Thermal resistance from junction toambient结到环境的热阻Topr operating junction temperature range 工作结温 Tstg storage temperature range 存储温度 Vref Reference input voltage基准输入电压ΔVref(dev)Deviation of reference input voltage over full temperature range 全温度范围内基准输入电压的偏差ΔVref/ΔVKA Ratio of change in reference inputvoltage to the change in cathode voltage基准输入电压变化量与阴极电压变化量的比 ΔIref(dev) Deviation of reference input current over full temperature range 全温度范围内基准输入电流的偏差 Imin Minimum cathode current for regulation 稳压时最小负极电流Ioff off-state cathode current 关断状态阴极电流 |ZKA|Dynamic impedance动态阻抗普通晶体管Symbol Parameter 中文翻译VCBO Collector-Base voltage 发射极开路，集电极-基极电压 VCEO Collector-emitter voltage 基极开路，集电极-发射极电压 VEBO Emitter-base voltage 集电极开路，发射极-基极电压 IC Collector current集电极电流 PC Collector power dissipation 集电极耗散功率 Tj Junction temperature 结温 Tstgstorage temperature存储温度V(BR)CBO Collector-Base breakdown voltage发射极开路，集电极-基极反向电压 V(BR)CEOCollector-emitterbreakdown voltage基极开路，集电极-发射极反向电压V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage 集电极开路，发射极-基极反向电压ICBO Collector cut-off current 发射极开路，集电极-基极截止电流IEBO Emitter cut-off current 集电极开路，发射极-基极截止电流ICEOCollector cut-off current基极开路，集电极-发射极截止电流hFE DC current gain 共发射极正向电流传输比的静态值VCEsatCollector-emitter saturationvoltage集电极-发射极饱和电压VBEsat Base-emitter saturation voltage 基极-发射极饱和电压 VBE Base-emitter voltage 基极-发射极电压 fT Transition frequency 特征频率 Cobo Collector output capacitance 共基极输出电容 Cibo Collector input capacitance 共基极输入电容 F Noise figure 噪声系数 Ton Turn-on time 开通时间 Toff Turn-off time 关断时间 Tr Rise time 上升时间 Ts Storage time 存储时间 Tf Fall time 下降时间 TdDelay time延迟时间MOS 管Symbol Parameter 中文翻译 ID Continuous drain current 漏极直流电流 VGS Gate-source voltage 栅-源电压 VDS Drain-source voltage漏-源电压EASsingle pulse avalchane energy单脉冲雪崩击穿能量Rth(j-a) Thermal resistance from junction toambient 结到环境的热阻Rth(j-c) Thermal resistance from junction tocase 结到管壳的热阻V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage 漏源击穿电压 V(GS)th Gate threshold voltage 栅源阈值电压 IGSS Gate-body leakage current 漏-源短路的栅极电流 IDSS Zero gate voltage drain current 栅-源短路的漏极电流 rDS(on) Drain-source on-resistance漏源通态电阻 gfs Forward trans conductance 跨导VSD Diode forward voltage 漏源间体内反并联二极管正向压降 Ciss Input capacitance 栅-源电容 Coss Output capacitance漏-源电容 CrssReverse transfer capacitance反向传输电容Rg Gate resistance 栅极电阻td(on) Turn-on delay time 开通延迟时间tr Rise time 上升时间td(off) Turn-off delay time 关断延迟时间tf Fall time 下降时间IDM Pulsed drain current 最大脉冲漏电流PD Power dissipation 耗散功率Tj operating junction temperature range 结温Tstg storage temperature range 存储温度。
UL310_2003中文版资料
aUL310有关快速连接的端子的中文翻译译文版本：A参考标准：UL310 第7版，2003目录1.适用范围2.名词术语3.测量单位结构4.总则5.材料5.1 母端子和公端子5.2 标准测试公端子6.尺寸6.1 总则6.2 公端子6.3标准测试公端子7.绝缘性能8.总则9.样板的准备10.端子和引线分离的拉力测试11.插入－拔出测试12.温度和热循环测试12.1 总则12.2 温度测试12.3 热循环测试13. 耐压测试13.1 总则13.2 绝缘击穿测试13.3 耐压测试（类型A）13.4 耐压测试（类型B－管状套管）14.绝缘紧固性测试14.1 总则14.2 具有非管状套管绝缘的端子14.3 具有管状套管绝缘的端子15.潮湿－吸湿测试标志16. 标志指引17.装配指引1. 适用范围1.1 本标准适用于在符合相应标准的电器中所使用的0.110-，0.125-，0.187-，0.205-，和0.250-英寸（2.8-，3.2-，4.8-，5.2-，和6.3mm）扁型快速连接端子。
1.2. 本标准适用范围：连接一到两股线规为22-10AWG（0.32-5.3mm2），同时作为电器内部引线的铜导体的端子1.3 本标准不包含用于连接铝线的端子1.4 本标准不适用于多极端子，关于多极端子的标准在UL498中另有说明2. 名词术语2.1 本标准采用以下列定义.2.2 毛刺－在端子上的无关系的凸出，被认为不是母端子或是公端子的功能组成部分。
2.3 母端子－通过推进而和公端子连接的端子2.4 C2600合金－铜锡合金，按照美国铜业发展委员会的CDA标准手册规定，由大约70％的铜和30％的锡组成.2.5 锁扣－在公端子上的凹槽或是孔，用于咬合母端子上的凸缘，以使公端子和母端子之间能够锁紧。
2.6公端子－插入母端子的端子，按照指定的公差来制造，目的在于通过和母端子的配接来建立电气连接。
2.7 快速连接端子：由公端子和母端子组成，无须使用工具就可以容易地插入和拔出端子的一种电气连接.2.8 参考点－在母端子和公端子上的标识点，作为电气性能测试的测量参考。
EN61000-3-3中文版
奥地利，比利时，丹麦，芬兰，法国，德国，希腊，冰岛，爱尔兰，意大利，卢森堡，荷兰，挪威，葡萄牙，西班牙，瑞典，瑞士和联合王国（英国）。
1、围IEC 61000-3 这部分主要讲的是公众的低压系统上的电压波动和闪烁的限制。
它列出了在特定条件下测试设备所可能产生的电压变化的限制，并给出了评估方法的指导。
本节适用于每相输入电流不大于16A的电气和电子设备，要连接到频率50HZ，线与中性点间电压220V和250V之间的公共低压配电系统。
此部分的试验是型式试验。
详细的测试条件见附录A，测试电路如图1所示。
圖1附注：1 本节所讲的限制，主要是根据通过由电源电压的波动，从230V/60Wcoiled-coil白炽丝上光闪烁的主观严重性。
对于线与中性点间额定电压小于220V，和/或频率60Hz的系统，限制和参考电路值尚未被考虑。
未被广泛使用和尚未用此方法设计的专用设备，所受到的安装限制，在连接前需要相关权威机关的允许。
2 这类设备的评估指南“见在技术报告IEC61000-3-5.2规性引用文件下列规性文件中包含的条文，通过在本标准中引用，构成本国际标准条文。
在出版时，所示版本均为有效。
基于此国家标准，所有规性文件将被修订，经各方的同意，应探讨以下规性文件应用的最新版本的可能性。
IEC和ISO成员保持当前有效国际标准的记录。
3 定义IEC 1000-3此部分的目的，适用下列定义。
3.1 R.M.S.电压波形，U(t)：r.m.s.电压的时间函数求的是逐步超过基本电压连续半个周期的电压值。
（见图2）3.2 电压的变化特征：当电压处于稳态至少1S时，每周期间r.m.s.变化的时间函数。
（见4.3.2和图2）3.3 最大电压变化：电压变化特性的最高和最低r.m.s.值的差异。
3.4 稳态电压变化：至少有一个电压变化特征所分离的两个相邻的稳态电压之间的差异NOTE──定义3.2至3.4是关于绝对相位到中性点的电压。
图1中参考网络的额定电压相位到中性值的这些幅度的比例被称为：---相对电压变化的特点：---最大相对电压变化：---相对稳态电压变化：在图3中举例解释这些定义。
IC应用电路图全集
IC应用电路图全集一．UC3906应用电路图为环境参数测试仪蓄电池充电器的实际应用电路。
其中，电池额定电压为12V，容量为7Ah，VIN=1 8V，VF=13.8V，VOC=15V，Imax=500mA，IOCT=50mA。
由于充电器始终接在蓄电池上，为防止蓄电池电流倒流入充电器，在串联调整管与输出端之间串入一只二极管。
同时，为了避免输入电源中断后，蓄电池通过分压电阻R1、R2、R3放电，使R3通过电源指示晶体管（脚7）接地。
图3 12V密封铅酸电池双电平浮充充电器电路图18V输入电压加入后，Q1导通，开始恒流充电，充电电流为500mA，电池电压逐渐升高。
当电池电压达到过充电压VOC的95％（即14.25V）时，电池转入过充电状态，充电电压维持在过充电电压，充电电流开始下降。
当充电电流降到过充电终止电流（IOCT）时，UC3906的脚10输出高电平，比较器LM339输出低电平，蓄电池自动转入浮充状态。
同时充足电指示发光管发光，指示蓄电池已充足电。
二．uln2003的应用电路ULN2003是高耐压、大电流达林顿陈列，由七个硅NPN达林顿管组成。
该电路的特点如下：ULN2003的每一对达林顿都串联一个2.7K的基极电阻,在5V的工作电压下它能与TTL和CMOS电路直接相连，可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。
ULN2003工作电压高，工作电流大，灌电流可达500mA，并且能够在关态时承受 50V的电压，输出还可以在高负载电流并行运行。
ULN2003采用DIP—16或SOP—16 塑料封装。
本设计选用GALl6V8为环形脉冲分配器，ULN2003(国产型号为5G1413)是七路达林顿驱动器阵列，是个集电极开路(OC)输出的反向器.最大驱动电流可以达到500mA。
通常应用时是把负载步进电机的一端接到VD D(12V)上，另一端接到输出引脚上，如16脚。
为了防止程序进入死循环，增加了外部的硬件看门狗定时器MAX813L，其内部的看门狗定时器监控UP/UC的工作。
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特点
输出电压：5.000V 绝对初始精度选项 ± 1.0mV， ± 2.5mV，和 ± 5.0mV 超低功率电源电流：500nA 低温度系数选项： 10&20ppm/℃ 10mA 源电流和反向电流 10ppm/1000hrs 的长期的稳定性 非常低的丢脉冲电压：100mV(无负载) 电源电压范围：5.1V 到 9.0V 5kV 的 ESD (人体模型) 标准的封装：3 引线 SOT-23 温度范围：-40℃到+85℃
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3． 丢脉冲电压 （VDO） 是输入到X60003x-50 的最小电压 （VIN） ,这一电压将产生输出电压降 （ΔVOUT） ， 如电气指标表中所规定的值。 4．由器件的特征保证。
纳功率工作
当持续加电，且达到初始稳定工作后，基准器件达到最高精度。通过保持持续通电，可消除漂移。 X60003x-50 是第一个具有超低功耗的高精度电压基准，因此在电池供电电路中，可保持持续的供电。 由于它拥有 FGA 技术，X60003x-50 消耗极低的电源电流。室温下，电流的典型值是 500nA ，这比同类产 品低 1-2 个级别。使用电池供电的应用电路将大大得益于拥有一个精确，稳定的基准而根本不会增加电池 的负载。 特别地，在电池供电电路中，通常数据转换器在不使用时要求数据转换器（如图 1）被禁止。由于极 低的功耗，基准器件保持供电，没有功率损失，能够提供高精度和最低的长期漂移，这样数据转换器提供 12 到 24 比特的精度。 其他基准器件因为要消耗较高的电源电流，因此在转换结束后需要停用，来降低能耗。上电后器件需 要时间调整它的最终值，很可能因为上电时间太短而没有调整最终值，使绝对精度受损失。
典型应用电路图
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应用信息
FGA 技术
X60003x-50 电压基准采用浮动栅技术， 使电压基准有非常低的温度漂移和工作电流。 其本质是储存在 浮动栅单元中的电荷在制造过程中被精确地设定。基准电压输出本身是对浮动栅电压缓冲后的结果。因而 得到的基准器件在工业应用中有非常出色的特性： 非常低的温度漂移， 高初始精度和几乎为零的电源电流。 基准电压本身也并不被电压带隙或齐纳设置值限制，因此，可以设计一个宽范围的基准电压（标准电压设 置值已经提供，但用户也可自行设置） 。 这种基准器件使用的工艺是浮动栅 CMOS 工艺，放大器电路使用 CMOS 晶体管作为放大器和输出晶 体管电路。在提供高精度的同时，MOS 器件的特性也会对输出噪声的等级的限制和负载调节起作用。这 些限制在其它章节讨论的电路技术中提到过。
电气指标
（工作条件：VIN=6.5V，IOUT=0mA，COUT=0.001μF，TA=-40 到+85℃，除非另有说明。）
注：1. 在规定的电压范围内。温度系数采用盒式方法测量，因此，VOUT的变化是不一致的，在整个温度 范围内：-40℃到+85℃=125℃。 2. 热迟滞是指器件在经过整个温度循环（ΔTA）后，TA=25℃下测量得到的VOUT变化。VOUT最初在 TA=25℃时，从器件上测试读出，器件在整个温度循环后，第二个VOUT的测量值在TA=25℃时读出。 初始的VOUT 和第二个VOUT值的差别用ppm表示出来。
典型性能特征曲线图
(VIN=6.5V，IOUT=0mA，TA=25℃，除非另有说明)
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精密5.0V，SOT-23，FGATM电压基准
概述
X60003x-50 FGATM电压基准是非常高精度的模拟电压基准，它采用intersil专有的浮动栅技术，和常规 的带隙，嵌入齐纳或XFETTM技术相比，具有更优越的性能。 FGATM电压基准的特征是具有非常高的初始精度，非常低的温度系数，出色的长期稳定性，低噪声和 出色的线路和负载调节，可适用在目前最低的功耗下。该电压基准与传统技术的产品相比，可使精密工业 或便携式系统中更先进的应用拥有更高的精度和更低的功率水平。
应用
高分辨率 A/D 和 D/A 转换器 数字仪表 校准系统 V-F 转换器 精密电流源 精密调整器 精密震荡器 电池管理系统 灵敏传感器 变形测定桥接器 阈值检测器 伺服系统
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噪声性能和降噪
0.1Hz 到 10Hz 带宽下，输出噪声电压的典型值是 30μVp-p。如典型性能曲线图中所示。噪声量由带通 滤波器确定， 这一带通滤波器由一个转折频率为 0.1Hz 的单极点高通滤波器和一个转折频率为 12.6Hz 的双 极点低通滤波器构成，带宽 9.9Hz。输出上没有电容时，10kHz 到 1MHz 带宽下的噪声近似为 400μVp-p， 如图 2 所示。这些噪声量由一个 2 十进制带通滤波器确定，该滤波器由一个转折频率为 1/10 中心频率的单 极点高通滤波器和一个转折频率为 10 倍中心频率的单极点低通滤波器构成。图 2 也展示了在 10kHz 到
导通时间
X60003x-50 器件有超低电源电流， 因此， 使内部电路上电到最后稳定值的时间要比一般消耗较高电流 的基准的时间长。正常导通时间的典型值是 7ms。如图 4 所示。因为器件能改变电源电流低至 300nA，导 通时间能持续大约 12ms。注意在系统设计中，测量或转换启动前要包括这个延迟。
电路板安装考虑
应用需要最高的精度，因此电路板安装位置应该被审定。把器件安装在易于扭绞的的地方会导致基准 电压的精度降低，由于它的衰耗作用。通常最好是把器件安放在板边缘的地方，或最短的边上，因为在这 些地方曲轴受到最大的限制。显然，把器件安装在柔性印刷或极薄的 PC 材料上，同样将导致基准精度的 损失。
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Байду номын сангаас
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1MHz 带宽下的噪声可通过在输出上使用一个 0.001μF 的电容减少大约 50μVp-p。在输出上使用一个 0.1 μF 的电容可以进一步降低在 1kHz 到 100kHz 带宽下的噪声，但是在 1Hz 到 100Hz 带宽上的噪声会增加， 因为电容负载为 0.1μF 的非常低功耗的放大器具有不稳定性。对高于 0.001μF 的负载电容，噪声缩减电 路如图 3 所示。这一电路网络有效地减少了整个带宽上的噪声。如图 2 所示，使用这个电路网络，将一个 0.01μF 的电容和一个 2kΩ的电阻与一个 10μF 的电容串联电路的并联，噪声在从 1Hz 到 1MHz 时减少至 40μVp-p 以下。
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温度系数
规定的温度系数的标准由测量方法决定。确定电压基准的温度漂移的标准是在两个温度下测量基准电 ，然后用温度测量的极值（THIGH-TLOW）来除。结果被额定的基准电压 压，取总的变化量（VHIGH-VLOW） 6 （T=25℃）除，再乘以 10 得出ppm/℃。这就是确定温度系数的“盒式”方法。
典型应用图
封装图
引脚描述
命名规则
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零件标记
极限参数
储存温度范围………………………………………………… -65℃到+125℃ 以 GND 为基准的任意管脚上的电压……………………… -0.5V 至+10V 引线温度（低温焊接，10s)………………………………………+225℃
推荐工作条件
说明
极限参数表明了最大限度，超过了这些限度就可能会发生器件的永久性破坏和可靠性受损。这些参数 仅作为信息提供，不包括在这些条件下的器件的功能性操作或超出在说明的工作部分提到的其他条件。 质保的说明和测试条件，见电气指标。 质保的说明仅应用于列出的测试条件。当器件没有工作在列出的测试条件下时，一些性能指标可能会 降低。
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封装信息
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