电压基准及时间基准解析
电压基准芯片的参数解析及应用技巧(精)
电压基准芯片的参数解析及应用技巧电压基准芯片是一类高性能模拟芯片，常用在各种数据采集系统中，实现高精度数据采集。
几乎所有电压基准芯片都在为实现“高精度”而努力,但要在各种不同应用场合真正实现高精度，则需要了解电压基准的内部结构以及各项参数的涵义，并要掌握一些必要的应用技巧。
电压基准芯片的分类根据内部基准电压产生结构不同，电压基准分为：带隙电压基准和稳压管电压基准两类。
带隙电压基准结构是将一个正向偏置PN结和一个与VT（热电势）相关的电压串联，利用PN结的负温度系数与VT的正温度系数相抵消实现温度补偿。
稳压管电压基准结构是将一个次表面击穿的稳压管和一个PN结串联，利用稳压管的正温度系数和PN结的负温度系数相抵消实现温度补偿。
次表面击穿有利于降低噪声。
稳压管电压基准的基准电压较高(约7V)；而带隙电压基准的基准电压比较低，因此后者在要求低供电电压的情况下应用更为广泛。
根据外部应用结构不同，电压基准分为：串联型和并联型两类。
应用时，串联型电压基准与三端稳压电源类似，基准电压与负载串联；并联型电压基准与稳压管类似，基准电压与负载并联。
带隙电压基准和稳压管电压基准都可以应用到这两种结构中。
串联型电压基准的优点在于,只要求输入电源提供芯片的静态电流，并在负载存在时提供负载电流；并联型电压基准则要求所设置的偏置电流大于芯片的静态电流与最大负载电流的总和，不适合低功耗应用。
并联型电压基准的优点在于，采用电流偏置，能够满足很宽的输入电压范围，而且适合做悬浮式的电压基准。
电压基准芯片参数解析安肯（北京）微电子即将推出的ICN25XX系列电压基准，是一系列高精度，低功耗的串联型电压基准，采用小尺寸的SOT23-3封装，提供1.25V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V输出电压,并提供良好的温度漂移特性和噪声特性。
图1. 串联型电压基准芯片和并联型电压基准芯片示意图表1列出了电压基准芯片与精度相关的各项参数。
电压基准芯片的temp-概述说明以及解释
电压基准芯片的temp-概述说明以及解释1.引言1.1 概述电压基准芯片是一种电子元件，用于提供稳定的电压输出，促进电路的稳定性和准确性。
随着电子技术的发展，电压基准芯片在各种电子设备和系统中的重要性日益凸显。
本文将从电压基准芯片的作用、设计原理以及应用领域等方面进行详细探讨，旨在帮助读者更好地了解和应用电压基准芯片，提高电路设计的准确性和稳定性。
文章1.1 概述部分的内容1.2 文章结构本文将首先介绍电压基准芯片的概念和作用，包括其在电路设计中的重要性和作用机制。
接下来将深入探讨电压基准芯片的设计原理，包括其内部电路结构和工作原理。
然后将介绍电压基准芯片在各个应用领域中的具体应用案例，包括消费电子、工业自动化等领域。
最后，通过总结电压基准芯片的重要性和展望其未来发展，对电压基准芯片的发展趋势进行展望和讨论，以期为读者提供关于电压基准芯片的全面了解和启发。
1.3 目的电压基准芯片是现代电子设备中一个不可或缺的组成部分，其稳定的电压输出对于保证整个系统的正常运行至关重要。
本文旨在通过对电压基准芯片的作用、设计原理和应用领域进行深入探讨，进一步认识电压基准芯片在电子领域中的重要性和广泛应用，为读者提供更全面的了解和参考。
同时，通过展望电压基准芯片的未来发展，探讨其在新兴技术领域的应用前景，为行业发展和技术创新提供思路和参考。
通过本文的阐述，旨在增进读者对电压基准芯片的认识，推动其在电子领域的进一步发展和应用。
2.正文2.1 电压基准芯片的作用电压基准芯片是一种集成电路器件，用于提供稳定的电压参考值。
在电子电路中，电压基准芯片扮演着非常重要的角色，其作用主要体现在以下几个方面：1. 提供稳定的电压参考值：电压基准芯片可以提供一个固定的电压输出值，用于校准和稳定整个电子系统的工作电压。
这样可以确保系统中其他元件和器件的工作稳定性和准确性。
2. 用作校准和测试：电压基准芯片可以用作校准其他电路中的电压值，比如模拟数字转换器（ADC）和数字模拟转换器（DAC），以确保它们的输出准确性。
电压基准芯片的参数解析及应用技巧
电压基准芯片的参数解析及应用技巧电压基准芯片是一类高性能模拟芯片，常用在各种数据采集系统中，实现高精度数据采集。
几乎所有电压基准芯片都在为实现“高精度”而努力,但要在各种不同应用场合真正实现高精度，则需要了解电压基准的内部结构以及各项参数的涵义，并要掌握一些必要的应用技巧。
电压基准芯片的分类根据内部基准电压产生结构不同，电压基准分为：带隙电压基准和稳压管电压基准两类。
带隙电压基准结构是将一个正向偏置PN结和一个与VT（热电势）相关的电压串联，利用PN结的负温度系数与VT的正温度系数相抵消实现温度补偿。
稳压管电压基准结构是将一个次表面击穿的稳压管和一个PN结串联，利用稳压管的正温度系数和PN结的负温度系数相抵消实现温度补偿。
次表面击穿有利于降低噪声。
稳压管电压基准的基准电压较高(约7V)；而带隙电压基准的基准电压比较低，因此后者在要求低供电电压的情况下应用更为广泛。
根据外部应用结构不同，电压基准分为：串联型和并联型两类。
应用时，串联型电压基准与三端稳压电源类似，基准电压与负载串联；并联型电压基准与稳压管类似，基准电压与负载并联。
带隙电压基准和稳压管电压基准都可以应用到这两种结构中。
串联型电压基准的优点在于,只要求输入电源提供芯片的静态电流，并在负载存在时提供负载电流；并联型电压基准则要求所设置的偏置电流大于芯片的静态电流与最大负载电流的总和，不适合低功耗应用。
并联型电压基准的优点在于，采用电流偏置，能够满足很宽的输入电压范围，而且适合做悬浮式的电压基准。
电压基准芯片参数解析安肯（北京）微电子即将推出的ICN25XX系列电压基准，是一系列高精度，低功耗的串联型电压基准，采用小尺寸的SOT23-3封装，提供1.25V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V输出电压,并提供良好的温度漂移特性和噪声特性。
图1. 串联型电压基准芯片和并联型电压基准芯片示意图表1列出了电压基准芯片与精度相关的各项参数。
电容电压与放电时间的关系
电容充电过程中的电压与时间的关系
1、设，V0 为电容上的初始电压值;
Vu 为电容充满终止电压值;
Vt 为任意时刻t，电容上的电压值。
基准电压的精度与电压表精度有关。
ICI7135是4位双积分A/D转换芯片,可以转换输出±20000个数字量,其转换速度与时钟频率相关,每个转换周期均有:自校准(调零),正向积分(被测模拟电压积分),反向积分(基准电压积分)和过零检测四个阶段组成,其中自校准时间为10001个脉冲,个脉冲).
则，
Vt=V0+(Vu-V0)* [1-exp(-t/RC)]
2、如果电压为E的电池通过电阻R向初值为0的电容C充电
V0=0，充电极限Vu=E，
故，任意时刻t，电容上的电压为:
Vt=E*[1-exp(-t/RC)]
3、2的情况下，如果已知某时刻电容上的电压Vt，根据常数可以计算出时间t。
t=RCLn[E/(E-Vt)]
完全充满，Vt等于E，时间为无穷大;
当t= RC时，电容电压=0.63E;
当t= 2RC时，电容电压=0.86E;
当t= 3RC时，电容电压=0.95E;
当t= 4RC时，电容电压=0.98E;
当t= 5RC时，电容电压=0.99E;
可见，经过3~5个RC后，充电过程基本结束。
正向积分固定积分时间，被测电压积分，反向积分是以正向积分结果为起始电压，基准电压反向积分，使电容电压为零。
参考电压为1V。
125kHz的时钟，在10000个时钟之内，即80mS内，对参考电压正向积分，假设积分终止时的电压为U。
选择电压基准需要考虑哪些参数
选择电压基准需要考虑哪些参数在模拟和混合信号电路中，以电压基准为标准测量其他信号。
电压基准的不准确及其变化会直接影响整个系统的准确度。
我们来看一下，选择电压基准时，准确度规格和其他标准是如何起作用的。
初始精度指的是，在给定温度（通常是25°C）时测得的输出电压的变化幅度。
尽管各个电压基准的初始输出电压可能有所不同，但是如果给定基准的初始输出电压是恒定的，就很容易校准。
温度漂移也许是评估电压基准性能时使用最为广泛的性能规格，因为温度漂移显示输出电压随温度的变化。
温度漂移由电路组件的瑕疵和非线性引起。
很多器件的温度漂移都以ppm/°C 为单位规定，是主要的误差源。
器件的温度漂移如果是一致的，就可以进行一定程度的校准。
关于温度漂移有一种常见的错误认识，那就是：它是线性的。
但是，不应该想当然地认为基准的漂移量在较小的温度范围内就会较小。
温度系数（TC）通常是用一种“箱形法”来规定，以表达整个工作温度范围内可能出现的误差情况。
它是通过划分整个温度范围内的最小-最大电压差，并除以总温度范围来计算的（图1）。
这些最小和最大电压值可能并不出现在极端温度下，因而形成了TC 远远大于针对整个规定温度范围计算之平均值的区域。
对于最谨慎调谐的基准（这通常可通过其非常低的温度漂移予以识别）而言尤其如此，在此类基准中，已经对线性漂移分量进行了补偿，留下的是一个残余非线性TC。
图1：电压基准温度特性温度漂移性能规格的最佳用途是，计算所规定温度范围内的最大总体误差。
在未规定温度范围的情况下计算误差，一般是不可取的，除非非常了解温度漂移特性。
长期稳定性衡量基准电压随时间推移的变化趋势，不受其他变量影响。
初始漂移大部分是由机械应力变化引起的，是由引线框架、芯片和模具所用化合物的膨胀率不同导致的。
这种应力效应往往产生很大的初始漂移，但漂移随时间推移很快减小。
初始漂移也和电路元。
电压基准源
CMOS基准源
是什么？如何构造？应用？优缺点？
01.为了解决三极管出现的问题， 提出的仅使用MOS管构建的电压基 准源。 理论基础：用MOS管的迁移率和阈值电压存在的温度特性进行 正负温度补偿。 T B μ n (T ) μ n (T0 )( ) MOS管迁移率的温度特性可描述为： T0 MOS管阈值电压的温度特性可描述为：Vthn (T ) Vthn (T0 ) BV (T T 0 ) 其中 B μ n， B Vthn 分别是迁移率和阈值电压的温度指数。
具体的应用电路
图1、电压相加形四位R-2RT型电阻网络DAC
图2、并行比较型ADC
02
电压基准源如何构造
1、齐纳击穿 2、带隙温度补偿 3、其他
齐纳管式电压基准源
是什么？如何构造？应用？优缺点？
01. 利用pn结反向击穿的稳压特性 制作的稳压管
图3、理想情况下二极管的伏安特性曲线
齐纳管式电压基准源
图9、能隙基准源典型电路3
假设n 9。 ln 9 2.197, 则k 10.5。
能隙温度补偿基准源
是什么？如何构造？应用？优缺点？
04.优缺点
优点：1、温度系数低 2、原理相对简单 3、工作电压较低 缺点：1、使用了BJT，与主流CMOS工艺不兼容。 （失调问题） 2、器件面积较大。 3、对电流增益β的要求较高。 4、VBE 线性化模型不够精确。
03. 应用电路
限流电阻的选取：
Vref Iref
(Vin(max) Vref ) 50mA I LOAD (min)
RS
(Vin(min) Vref ) 100uA I LOAD (max)
图5、MAX6330器件典型应用
示波器知识点高中
示波器知识点高中示波器是一种用来显示交流电信号波形的仪器，它可以帮助我们观察电路中的电压和电流的变化情况。
在高中物理课程中，示波器是一个重要的实验工具，通过学习示波器的基本原理和使用方法，可以更好地理解电路中的各种现象和规律。
本文将逐步介绍示波器的知识点，帮助大家更好地掌握这一实验工具。
第一步：了解示波器的基本原理示波器的基本原理是利用荧光屏上的电子束来显示电压信号的波形。
电子束在屏幕上扫描的速度非常快，通过控制电子束的位置和亮度，可以将电压信号的波形显示在屏幕上。
示波器的显示原理可以用以下几个关键概念来理解：1.示波器的时间基准：示波器的时间基准决定了屏幕上波形的横向时间尺度。
常见的时间基准有1ms/div、0.1ms/div等，表示每个小格代表的时间长度。
2.示波器的电压基准：示波器的电压基准决定了屏幕上波形的纵向电压尺度。
常见的电压基准有1V/div、0.1V/div等，表示每个小格代表的电压大小。
3.示波器的触发功能：示波器的触发功能用来控制示波器在何时开始扫描电压信号。
触发功能可以帮助我们稳定地观察波形。
第二步：学习示波器的使用方法学习示波器的使用方法可以分为以下几个步骤：1.连接电路：首先，将被测电路与示波器连接，一般是通过将被测电路的信号输出端连接到示波器的输入端。
2.调整时间基准和电压基准：根据被测电路的信号特点，选择合适的时间基准和电压基准，并调整示波器的旋钮，使得波形显示在屏幕上。
3.设置触发功能：根据需要，设置触发功能，使得示波器在特定条件下开始扫描电压信号。
4.观察波形：观察屏幕上显示的波形，可以通过调整时间基准和电压基准来更好地观察波形的细节。
5.测量波形：示波器通常还具有测量功能，可以测量信号的幅值、频率等参数，帮助我们进一步分析电路的性质。
第三步：应用示波器进行实验在学习了示波器的基本原理和使用方法后，我们可以应用示波器进行一些实验来加深理解。
以下是一些常见的实验内容：1.观察正弦信号的波形：通过将示波器连接到正弦信号发生器的输出端，观察正弦信号的波形，并通过示波器测量其频率和幅值。
330kv的基准电压
330kV的基准电压在中国电力系统中是一个重要的参数，它涉及到电力系统的稳定运行、设备选择、保护配合等多个方面。
下面我们将从多个角度对330kV的基准电压进行详细的阐述。
一、基准电压的定义与意义基准电压是指在电力系统中，为了保证系统的稳定运行和设备的安全，而规定的一种标准电压值。
在实际运行中，系统电压会围绕基准电压波动，但不应超过规定的范围。
330kV作为一种高压等级，其基准电压的设定对于电力系统的稳定运行具有重要意义。
二、330kV基准电压的确定在中国电力系统中，330kV的基准电压值通常是根据国家标准和实际情况进行确定的。
在确定基准电压时，需要考虑到系统的稳定性、经济性、设备的安全性等多个因素。
同时，还需要根据电力系统的实际运行情况，对基准电压进行适时的调整。
在中国，330kV的基准电压值一般设定为320kV，而不是346kV。
这是因为在实际运行中，系统电压会受到多种因素的影响，如负荷变化、电源出力变化等，因此需要将基准电压设定在一个相对较低的值，以保证系统的稳定运行。
三、330kV基准电压与设备选择在电力系统中，设备的额定电压应与系统的基准电压相匹配。
因此，在选择330kV设备时，需要根据系统的基准电压来确定设备的额定电压。
同时，还需要考虑到设备的绝缘水平、过载能力等因素，以保证设备在系统中的安全运行。
此外，在选择设备时，还需要根据系统的实际情况进行综合考虑，如系统的负荷特性、电源出力特性等。
四、330kV基准电压与保护配合在电力系统中，保护装置是保证系统安全稳定运行的重要设备之一。
在设定保护装置的动作值时，需要根据系统的基准电压进行确定。
对于330kV系统来说，保护装置的动作值应能够反映系统电压的变化情况，并能够在系统出现故障时及时动作，切除故障部分，保证系统的稳定运行。
同时，在设定保护装置的动作值时，还需要考虑到系统的实际情况和运行经验等因素。
五、330kV基准电压与系统稳定性电力系统的稳定性是指系统在受到扰动后能够恢复到原来状态的能力。
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01电压基准及时间基准所有模数转换器（ADC ）和数模转换器（DAC ）都需要一个基准信号，通常为电压基准 。
ADC 的数字输岀表示模拟输入相对于它的基准的比率；DAC 的数字输入表示模拟输 岀相对它的基准的比率。
有些转换器有内部基准，有一些转换器需要外部基准。
不管怎样所有转换器都必须有一个电压（或电流）基准。
数据转换器的最早应用是用于缓慢变化信号的直流测量。
在这种情况下，测 量的精确定时并不重要。
当今大多数数据转换器是应用在数据采集系统，在这种系统中必须处 理大量等间隔的模拟采样值，而且频谱信息与幅度信息同样重要，这里涉及到的采样频率或 时间基准（采样时钟或重建时钟）与电压基准一样重要。
电压基准问：一个电压基准怎样才算好 ？答：电压基准与系统有关。
在要求绝对测量的应用场合，其准确度受使用基准值 的准确度的限制。
但是在许多系统中稳定性和重复性比绝对精度更重要；而在有些数据采集系统中电压基准的长期准确度几乎完全不重要，但是如果从有噪声的系统电源中派生基准就 会引起误差。
单片隐埋齐纳基准 （如AD588和AD688）在10 V 时具有1 mV 初始准确度（001 %或100 ppm ），温度 系数为1 5 ppm/ ° C 。
这种基准用于未调整的12位系统中有足够的准确度（1 LSB=244 ppm ），但 还不能用于14或16位系统。
如果初始误差调整 到零，在限定的温度范围内可用于14位和16位系统（AD588或AD688限定40C 温度变化范围，1 LSB=61ppm ）。
对于要求更高的绝对精度，基准的温度需要用一个恒温箱来稳定，并对照标准校准。
在许多系统中，12位绝对精度是不需要这样做的，只有高于 12位分辨率才可能需要。
对于准确 度较低（价格也会降低）的应 用，可以使用带隙基准。
问：这里提到的“隐埋齐纳”和“带隙”基准是什么意思 ？答：这是两种最常见的用于集成电路中的精密基准。
“隐埋”或表层下齐纳管比 较 稳定和精确。
它是由一个具有反向击穿电压修正值的二极管组成， 这个二极管埋在集成电路 芯片的表层下面，再用保护扩散层 覆盖以免在表面下击穿，见图 11。
图1-1我层齐抽二极管与睫埋齐纳二扱省结鞫图图1 1表层齐纳二极管与隐埋齐纳二极管结构图硅芯片表面和芯片内部相比有较多的杂质、 机械应力和晶格错位。
这是产生噪声和长期 不稳定性的原因之一,所以隐埋式齐纳二极管比表层式齐纳二极管的噪声小， 而且稳定得多，因此它被优先采用于芯片基准源上作为精密的集成电路器件。
E-1厂隐埠齐纳二械野但是隐埋式二极管的击穿电压标称值大约为 5V 或更大一些，而且为了使它处于最佳工作 状态，必须吸收几百微安的电流，所以这种方法对于必须工作在低电压并且具有低功耗的基 准 来说是不适宜的。
对于这样的应用，我们宁愿用“带隙”基准。
于是研制岀一个具有一个正 温度系数的电压用以补偿具有负温度系数的晶体管的V be ，用来维持一个恒定的“带 隙”电压（见图12）三极管Q2发射极面积是Q1的8倍;这两个管子在R1上产生 一个正比于绝对温度的电流，一个正比于绝对温度的电压与 Q1的V be 串联，产生电压VZ,它不随温度变化并且可以被放大 （见图1 2），这个电压等于硅的带隙电压 （外推到 绝对零度）。
图1 2带隙基准原理图带隙基准与最好的隐埋齐纳基准相比，其准确度和稳定性稍微差一点儿， 但是温度特性 可优于3 ppm/。
G问：在使用电压基准时应注意些什么问题 ？答：须记住好的模拟电路设计的基本考虑是：注意在高阻抗导体上的电压降、来自公共地线阻抗的噪声和来自不适当的电源去耦产生的噪声。
考虑基准电流流动的方向， 并且对容性负载要多加小心。
问：我知道电压降和噪声的影响，但是基准是不是必须向导体电压降提供足够大的 电流影响才明显？答：通常基准电路内部是经过缓冲的，大多数情况可流岀或流入 5〜10 mA 电流。
有些应用需要这样大的或更大一点的电流，例如把基准作为系统的基准。
另外一种情况是激励高速闪烁式ADC 的基准输入，它具 有非常低的阻抗。
10 mA 电流流过100 m Q 阻抗，产生1 mV 电压降，这可能算是比较明显的了。
最高性能 的电压基准，如AD588和AD688,对于它们 的输出和输出接地端采用开尔文接法（见图1 3）。
接线时应靠近误差源周围的反馈回路避免电压降的影响；当电流缓冲放大器被用来驱动许多负载，或吸收流到错误方向的电流时它 们也可修正增益和 失调误差。
检测端应该接到缓冲放大器的输岀端（最好接在负载上）。
问：什么叫开尔文接法 ？答：开尔文接法（Kelvin connections ） 又称强制与检测接法（force and senseconnections ），是用来消除电路中导线上产生的电压降影响的一种简便方法。
如图1 4（a ）所示，负载电 流（IL ）和导线电阻（R ）在负载上产生一个电压误差，V ERROR =RIL 。
图 1 4（b ）所示 的开 尔文接法解决了放大器的强制环路内的导线电阻和检测的负载电压所带来的问题。
放大器对 负载电压的任何误差都做了修正。
在图1 4所示的电路中放大器的输出电压实际上应该为10 V+V ERROR ，在负载上的电压却是所要求的10 V 。
1.2帯瞬基准原理图7、十AD588有三个放大器用来提供开尔文接法。
放大器A2专门用来接地强制检测，而独立的放大器A3和A4 可任意选用作为其它的强制检测接法的核心器件。
强制”OUTX A tOUT-QU --- J --- ------阴鞋检啊榕制调皿旺*114 -1N图1 3 AD588功能框图扛图17开尔文接迷的优点图1 4开尔文接法的优点问：“流到错误方向”是什么意思答：考虑一个工作电源电压为+10 V、输出为+5 V的基准。
假如它的5 V输出端是通过一个接地的电阻器取出的，那么电流将从基准端流出。
假如电阻器不接到电源的+10 V端，那么电流将流入基准端。
大多数基准允许电流流入或流出。
但是有些基准只允许提供电流而不吸收电流或者吸收能力比流出能力小得多。
这样的器件，利用产品说明中规定的输岀电流方式可以识别，对于有相当大的净电流必须流入基准端的应用场合，就不能使用这种器件。
一个常见的例子是用一个正基准改为负基准（见图1 5）。
问：为什么不去买一个负基准呢？答：因为大多数单极性电压输岀的基准都是正基准。
当然，两端有源基准可用于任何极性，它们的使用方法和齐纳二极管相同（并且它们通常是带隙基准）。
对于被用作负基准的三端正基准，它肯定会吸收电流。
它的输岀端连到接地端，而它的接地端（将成为负基准端）经过一个电阻器（或一个恒流源）接到负电源端。
正电源端通常必须接到正电源，它至少比接地端要高几伏。
但有一些器件也能用二端方式提供负基准：正电源端和输岀端都接到接地端。
电阻器RS（或恒流源）必须选择适合于负电源所要求值，并且基准负载电流、接地端电流和输岀端电流都在额定范围内。
图儿5加屿M負基草揺经團图1 5 AD586负基准接线图问：容性负载是怎么回事？答：许多基准带有输岀放大器，当接上大的容性负载工作时，输岀会变得不稳定并且可能振荡。
因此为了减少噪声，在基准输出端接上（几个卩F或更大）的大电容是不妥当的，但1〜10 nF的电容常常是允许的，有一些基准（如AD588）有减少噪声端，电容可以安全地接上去。
假如提供强制检测端，在容性负载条件下有可能改善回路动态特性。
为弄清楚，请查阅产品说明和咨询制造厂家应用工程师。
即使电路是稳定的，使用大的容性负载也是不合理的，因为这样会使基准导通时间增加。
问：电源一接通，基准能立即导通吗？答：决不是这样。
在许多基准中驱动基准元件（齐纳管或带隙基准）的电流是从稳定输岀中分流岀来的。
这种正反馈增加了直流稳定性，但却产生一个阻制启动稳定的“断”状态。
芯片内部电路为了解决这个问题并且便于启动，通常设计成吸收接近最小的电流，所以许多基准要稍微慢一点才能达到指标（一般需要1〜10 ms）。
有些基准确实给出了比较快的启动特性，但也有一些还是比较慢的。
假如设计师需要在电源接通后要求基准电压能非常迅速地应用于电路中，就要挑选具有足够快的导通特性的基准，并且应使降噪电容（noise reduction capacitance）最小。
为了使系统省电，基准导通延迟可能会限制数据转换系统选通供电的机会，即使基准位于转换器芯片内部，这个问题仍然应该考虑。
另外考虑转换器的电源起动特性在这种系统中也是同样重要的。
高精度的基准在电源接通后，芯片达到热稳定之前可能需要一个额外的热稳定周期并且使得受热所引起的失调达到它们的最终稳定值，这种影响在产品说明中将会给岀，一般不超过几秒钟的时间。
问：能否使用高精度基准来代替内部基准使转换器更准确？答：不必要。
例如常规的AD574的换代产品一一高速AD674B出厂调整好的校准误差为0 25%（± 10 LSB）,它带有内部基准准确度在土100 mV（1%以内。
因为10 V的0 25%为25 m V，所以满度为10 000 V ±25 mV 假如一个具有1%勺AD674B出厂调整时，用增加1%增益方法使满度成为10 000 V调整到高的内部基准（10 1V），倘若把精确度基准为10 00 V的基准AD588接到AD674B基准的输入端，满度就变为10 100 V，误差是原来指标中最大误差的4倍，所以这种做法是不必要的。
时间基准问：你为什么说系统的时钟是一种基准？答：这个说法并不是指对模数转换器所施加的转换时钟。
原则上它用于数据采集系统的采样时钟。
在这些系统中，对于存储、通信、计算分析或其它处理需要对信号按照预定的间隔（通常是等间隔）重复采样。
采样时钟的品质是系统性能的一个限制因素。
问：晶体振荡器是非常稳定的，是吗？答：晶体振荡器虽然具有很好的长期稳定性，但它经常产生短期的相位噪声。
如果设计者不使用晶体振荡器而使用RC弛张振荡器（如555或4046）也会导入相位噪声。
弛张振荡器有很大的相位噪声。
问：怎样才能保证采样时钟具有低的相位噪声？答：在你的微处理器或数字信号处理器中不能使用晶体振荡器电路作为采样时钟源。
在晶体振荡器电路中尽可能不使用逻辑门电路。
晶体振荡器通常是用逻辑门过激励晶体构成的，这不仅对长期稳定性没有好处，而且会引入比一个简单的晶体管振荡器还坏的相位噪声。
另外来自处理器的数字噪声，或者从集成封装的其它门电路来的数字噪声（假设逻辑门用作振荡器）将作为相位噪声出现在振荡器输出端。
理想情况下，可使用一只晶体管或场效应管作为晶体振荡器和具有一个逻辑门的缓冲器。
这个逻辑门和振荡器本身具有去耦极好的电源。
集成封装的门电路将不被采用，因为来自那里的逻辑噪声将对信号相位调制（它们可以用在直流场合，但不能用于快速开关状态）。