半导体术语
半导体专业术语
1.acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2.acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.Acid：酸4.Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）5.Align mark(key)：对位标记6.Alloy：合金7.Aluminum：铝8.Ammonia：氨水9.Ammonium fluoride：NH4F10.Ammonium hydroxide：NH4OH11.Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）12.Analog：模拟的13.Angstrom：A（1E-10m）埃14.Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）15.AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）16.ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）17.Argon(Ar)氩18.Arsenic(As)砷19.Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷20.Arsine(AsH3)21.Asher：去胶机22.Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）23.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）24.Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）25.Baseline：标准流程26.Benchmark：基准27.Bipolar：双极28.Boat：扩散用（石英）舟29.CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
30.Character window：特征窗口。
半导体术语
FIB：将一些net引到最高层metal，测试时做一些断开和连接；Probe：将一些net引到最高层metal，测试时用针扎在这些metal上获得电压数据成品率（Yield）: 指完成全部制造工艺后，合格芯片数占总芯片数的百分比。
成品率也称良率，是衡量芯片制造工艺的重要指标。
扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope，SEM）:扫描电镜是用聚焦电子束在试样表面逐点扫描成像。
试样为块状或粉末颗粒，成像信号可以是二次电子、背散射电子或吸收电子。
其中二次电子是最主要的成像信号。
在线参数测试（Wafer Electrical T est，WET）:WET是对硅片上的测试图形结构进行的电学测试。
因为它是把直流电压加在器件的物理结构上进行测试，因此也被看成是一种直流测试。
原子力显微镜（Atomic Force Microscope AFM）：是利用原子、分子间的相互作用力来观察物体表面微观形貌的实验技术。
根据扫描样品时探针偏离量或其它反馈建立三维图像，就能获得样品表面的形貌。
探针卡（Probing Card）：即自动测试仪与待测器件（DUT）之间的接口。
典型的探针卡是一个带有很多细针的印刷电路板，这些细针和待测器件进行物理和电学接触，传递进出测试结构压焊点的电流。
DC测试：即连续性、开路/短路和漏电流测试。
DC测试时为了确保探针和压焊点之间良好电学接触的连接性检查。
.EMMI（emission microscope）：中文叫光发射显微镜，通过发光点定位缺陷失效地方。
一般在不透光的盒子中进行。
红外发光显微技术利用了IC器件中大多数缺陷都呈现微弱的红外发光现象，能够迅速准确地定位失效点，使得它成为现今对IC进行失效缺陷定位的有力工具。
CMP：化学机械平坦化On resistance: 导通电阻。
常用半导体功能术语
常用半导体功能术语半导体是一种具有特殊电导性能的材料，广泛应用于电子和光电技术领域。
以下是一些常用的半导体功能术语：1. 传导带（Conduction Band）：带电的价电子从价带跃迁到传导带上，形成了电子-空穴对。
2. 价带（Valence Band）：在半导体材料中，价电子占据的能级带。
3. 杂质（Impurity）：被有意地或无意地引入到半导体中的不纯物质，可以影响其电导性。
4. 被激激发（Excitation）：原子或分子吸收外部能量后，其电子从较低能态跃迁到较高激发能态。
5. 能隙（Band Gap）：价带和传导带之间的能量差，决定了半导体的电导性质。
能隙越小，半导体的导电性越好。
6. 上升沿和下降沿（Rising and Falling Edge）：指信号电压在从低电平到高电平或从高电平到低电平的瞬间变化。
7. 倒障层（Barrier）：引入两种不同材料接触处的能级，阻碍电子或空穴跨越此界面。
8. PN结（PN Junction）：由N型半导体和P型半导体通过硅键连接形成的结构。
9. 正偏压（Forward Bias）：PN结中P区的端口连向正电压，N区的端口连向负电压，电子从N区向P区移动。
10. 反偏压（Reverse Bias）：PN结中P区的端口连向负电压，N区的端口连向正电压，电子从P区移动到N区。
11. 势垒（Barrier Potential）：PN结两侧的电场形成的势能差。
12. 整流（Rectification）：将交流信号转化为直流信号的过程。
13. 放大器（Amplifier）：接收弱信号并使其输出为强信号的电路或设备。
14. 栅极（Gate）：场效应晶体管中控制电流的电极。
15. 集电极（Collector）：双极晶体管中接收和输出电流的电极。
16. 基极（Base）：双极晶体管中控制和调制电流的电极。
17. 激活（Activate）：将物质暴露在高温环境下，使其具有半导体特性。
干货半导体行业重要术语解释
干货半导体行业重要术语解释来源：旺材芯片双极扩散系数：过剩载流子的有效扩散系数。
双极迁移率：过剩载流子的有效迁移率。
双极输运：具有相同扩散系数、迁移率和寿命的过剩电子和空穴的扩散、迁移和复合过程。
双极输运方程：时间和空间变量描述过剩载流子状态函数的方程。
载流子的产生：电子从价带跃入导电，形成电子-空穴对的过程。
载流子的复合：电子落入价带中的空能态（空穴）导致电子-空穴对消灭的过程。
过剩载流子：过剩电子和空穴的总称。
过剩电子：导带中超出热平衡状态浓度的电子浓度。
过剩少子寿命：过剩少子在复合前存在的平均时间。
产生率：电子-空穴对产生的速（#/cm3-s）。
小注入：过剩载流子浓度远小于热平衡多子浓度的情况。
少子扩散长度：少子在复合前的平均扩散距离：数学表示为，其中D和τ分别为少子寿命。
准费米能级：电子和空穴的准费米能级分别将电子和空穴的非平衡浓度状态浓度与本征载流费米能级联系起来。
复合率：电子-空穴对复合的速率#/cm3-s）。
表面态：半导体表面禁带中存在的电子能态。
电导率：关于载流子漂移的材料参数；可量化为漂移电流密度和电场强度之比。
扩散：粒子从高浓度区向底浓度区运动的过程。
扩散系数：关于粒子流动与粒子浓度剃度之间的参数。
扩散电流：载流子扩散形成的电流。
漂移：在电场作用下，载流子的运动过程。
漂移电流：载流子漂移形成的电流。
漂移速度：电场中载流子的平均漂移速度。
爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系。
霍尔电压：在霍尔效应测量中，半导体上产生的横向压降。
电离杂质散射：载流子忽然电离杂质原子之间的相互作用。
迁移率：关于载流子漂移和电场强度的参数。
电阻率：电导率的倒数；计算电阻的材料参数。
饱和速度：电场强度增加时，载流子漂移速度的饱和度。
受主原子：为了形成P型材料而加入半导体的杂质原子。
载流子电荷：在半导体内运动并形成电流的电子和（或）空穴。
杂质补偿半导体：同一半导体区域内既含有施主杂质又含有受主杂质的半导体。
半导体术语
半导体术语
半导体术语是指在半导体领域中常用的术语和定义。
以下是一些常见的半导体术语：
1. 半导体：一种能够在特定条件下既能传导电流又能阻挡电流的材料，例如硅和锗。
2. PN结：由P型半导体和N型半导体直接接触而形成的结构。
3. 掺杂：在半导体材料中加入少量的杂质，以改变其导电性能。
4. 硅片：半导体制造中常用的基础材料，通常是用纯度很高的单晶硅制成的圆片。
5. 绝缘体：一种不导电电子的材料，如玻璃和塑料。
6. 导体：一种能够自由传导电流的材料，如金属。
7. 硅谷：位于美国加利福尼亚州的地区，以半导体和计算机技术的发展而闻名。
8. MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管，一种常用的半导体器件。
9. 硅晶体管：一种常见的半导体器件，用于放大和开关电流。
10. 集成电路：将多个电子元件集成到单个芯片上的电路。
11. 二极管：一种由P型和N型半导体组成的器件，用于控制电流流动的方向。
12. 功率半导体：专门设计用于高功率和高电压应用的半导体器件。
这些术语只是半导体领域中的一小部分，还有许多其他术语和定
义与半导体制造、器件设计和电子技术相关。
半导体术语(荣)
2.1 半导体semiconductor：电阻率介于导体与绝缘体之间，其范围为的一种固体物质。
在较宽的温度范围内，电阻率随温度的升高而减小。
电流是由带正电的空穴和带负电的电子的定向传输实现的。
半导体按其结构可分为三类：单晶体、多晶体和非晶体。
2.2 元素半导体elemental semiconductor：由一种元素组成的半导体。
硅和锗是最常用的元素半导体。
2.3 化合物半导体compound semiconductor：由两种或两种以上的元素化合而成的半导体，如砷化稼、稼铝砷等。
2.4 本征半导体intrinsic semiconductor：晶格完整且不含杂质的单晶半导体，其中参与导电的电子和空穴数目相等。
这是一种实际上难以实现的理想情况。
实用上所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质，导电性能与理想情况很相近的半导体。
2.5 导电类型conductivity type：半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性。
2.6 n-型半导体n-type semiconductor：多数载流子为电子的半导体。
2.7 p-型半导体p-type semiconductor：多数载流子为空穴的半导体。
2.8 空穴hole：半导体价带结构中一种流动空位，其作用就像一个具有正有效质量的正电子电荷一样。
2.9 受主accepter：半导体中其能级位于禁带内，能“接受”价带激发电子的杂质原子或晶格缺陷，形成空穴导电。
2.10 施主donor：半导体中其能级位于禁带内，能向导带“施放”电子的杂质原子或晶格缺陷，形成电子导电。
2.11 载流子carrier：固体中一种能传输电荷的载体，又称荷电载流子。
例如，半导体中导电空穴和导电电子2.12 载流子浓度carrier concentration：单位体积的载流子数目。
在室温无补偿存在的情况下为电离杂质的浓度。
空穴浓度的符号为p,电子浓度的符号为n。
2.13 多数载流子majority carrier：大于载流子总浓度一半的那类载流子。
半导体专业术语
专业术语1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSI STOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。
在标准之MO S制造过程中ACTI VE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTI VE AREA会受到鸟嘴（BIRD’SBEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BI RD’SBEAK 存在，也就是说AC TIVEAREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查1.定义：AfterDevelo pingInspec tion之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查1. 定义：AEI即Af ter Etchin g Inspec tion，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体专业术语
专业术语1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TR ANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTI VE AREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTI VE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK 存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
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什么是射频?
射频即Radio Frequency，通常缩写为RF。
在电子学理论中，电流流过导体，导体周围会形成磁场；交变电流通过导体，导体周围会形成交变的电磁场，称为电磁波。
在电磁波频率低于100khz时，电磁波会被地表吸收，不能形成有效的传输，但电磁波频率高于100khz时，电磁波可以在空气中传播。
RF指具有远距离传输能力的高频电磁波，射频技术在无线通信领域中被广泛使用。
DSP微处理器
DSP（digital signal processor）是一种独特的微处理器，是以数字信号来处理大量信息的器件。
其工作原理是接收模拟信号，转换为0或1的数字信号，再对数字信号进行修改、删除、强化，并在其他系统芯片中把数字数据解译回模拟数据或实际环境格式。
它不仅具有可编程性，而且其实时运行速度可达每秒数以千万条复杂指令程序，远远超过通用微处理器，是数字化电子世界中日益重要的电脑芯片。
它的强大数据处理能力和高运行速度，是最值得称道的两大特色。
DSP芯片，也称数字信号处理器，是一种特别适合于进行数字信号处理运算的微处理器器，其主要应用是实时快速地实现各种数字信号处理算法。
根据数字信号处理的要求，DSP芯片一般具有如下主要特点：
（1）在一个指令周期内可完成一次乘法和一次加法；
（2）程序和数据空间分开，可以同时访问指令和数据；
（3）片内具有快速RAM，通常可通过独立的数据总线在两块中同时访问；
（4）具有低开销或无开销循环及跳转的硬件支持；
（5）快速的中断处理和硬件I/O支持；
（6）具有在单周期内操作的多个硬件地址产生器；
（7）可以并行执行多个操作；
（8）支持流水线操作，使取指、译码和执行等操作可以重叠执行。
当然，与通用微处理器相比，DSP芯片的其他通用功能相对较弱些。
复用器
光电复用器从字面上解释就是光路信号与电路信号的复合装置，一般的光猫即光纤收发器，是一种将电信号转变为光信号的装置，复用器就是将多电信号复合到光路上去，这种装置应该是一种系统的总称，实际中这种设备使用不多，另一种是多种光路复合，但这种复合调制将使用不同波长的光进行多路信号的传输，到达后再解调。
这种设备只有在国家骨干光纤网中使用，利用固有的光缆资源进行的扩展，设备十分昂贵
转换器
转换器（convertor）
将一种信号转换成另一种信号的装置。
信号是信息存在的形式或载体。
在自动化仪表设备和自动控制系统中，常将一种信号转换成另一种与标准量或参考量比较后的信号，以便将两类仪表联接起来，因此，转换器常常是两个仪表（或装置）间的中间环节。
各种类型的转换器的出现，大大扩大了各类仪表（装置）的使用范围，使自动控制系统具有更多的灵活性和更广的适应性。
各类转换器的基本作用是将信息转换成便于传输和处理的形式，要求转换过程中信息不发生畸变、失真、延迟等，因此对转换器的线性度、输入输出阻抗匹配和隔离等有一定要求：①线性特性。
要求转换器的输出信号Y与输入信号X之间具有良好的比例关系，即Y＝KX＋A，式中K、A为常数。
②输入阻抗和输出阻抗。
转换器输入阻抗和输出阻抗必须与输入端仪表和输出端仪表相匹配，才能获得高的转换精度。
③隔离特性。
输入电路、输出电路与电源电路在直流电位上应彼此隔离，输入、输出电路的接地点应分开，以提高抗干扰能力。
时钟发生器(clock generator)的电子组件，不断产生稳定间隔的电压脉冲，产品中所有的组件将随着这个时钟来同步进行运算动作。
简单的说，数字产品必须要有时钟的控制，才能精确地处理数字信号，就好比动物的心跳一样。
若时钟不稳定，轻则造成数字信号传送上的失误，重则导致数字设备无法正常运作
滤波
filtering
滤波是将信号中特定波段频率滤除的操作，是抑制和防止干扰的一项重要措施。
根据观察某一随机过程的结果，对另一与之有关的随机过程进行估计的概率理论与方法。
滤波一词起源于通信理论，它是从含有干扰的接收信号中提取有用信号的一种技术。
“接收信号”相当于被观测的随机过程，“有用信号”相当于被估计的随机过程。
例如用雷达跟踪飞机，测得的飞机位置的数据中，含有测量误差及其他随机干扰，如何利用这些数据尽可能准确地估计出飞机在每一时刻的位置、速度、加速度等，并预测飞机未来的位置，就是一个滤波与预测问题。
这类问题在电子技术、航天科学、控制工程及其他科学技术部门中都是大量存在的。
历史上最早考虑的是维纳滤波，后来R.E.卡尔曼和R.S.布西于20世纪60年代提出了卡尔曼滤波。
现对一般的非线性滤波问题的研究相当活跃。
从电气工程上,所有的元件可以归纳为三类最基本的元件,即电阻,电感和电容.电阻的阻值与交流电的频率无关.电感的阻值(称为感抗)Xl=2πfL,即与交流
电的频率成正比.频率越高,感抗越大.电容元件则与电感元件相反,它的容抗
Xc=1/2πfC,即与交流电频率反比. 因此,电气工程上,常利用LC元件对不同频率交流电量的电抗不同,对交流电量进行分流,称为滤波. 按不同功能,滤波器通常分三类:低通,高通,带通.例如低通的原理：利用电容通高频阻低频,电感通低频阻高频的原理. 对于需要截止的高频,利用电容吸收电感、阻碍的方法不使它通过,对于需要的低频，利用电容高阻、电感低阻的特点使它通过。