常用半导体功能术语
半导体行业内相关名词
半导体行业内相关名词
1. 微处理器（Microprocessor）: 是一种集成电路，用于执行计算机的指令和操作。
2. 芯片（Chip）: 是半导体材料上制造的集成电路，可以执行特定的功能。
3. 功率半导体（Power semiconductor）: 用于控制和调节电流和电压的半导体器件，常用于电力电子系统和功率放大器等应用。
4. 二极管（Diode）: 是一个具有两个电极的电子器件，主要用于限制电流的方向。
5. 晶体管（Transistor）: 是一种用于放大和开关电路的半导体器件，常用于电子设备中。
6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）: 是一种常用的功率半导体器件，被广泛应用于电子电路中。
7. LED（Light-emitting diode）: 是一种能将电能转化为光能的半导体器件，常用于照明、显示和指示等应用。
8. MEMS（Microelectromechanical systems）: 是一种微型机械器件，由微芯片上的微电子器件和微机械系统组成。
9. IC（Integrated circuit）: 是一种通过集成电路制造技术将多个电子器件集成在一起制成的器件。
10. Wafer（晶圆）：也称为半导体晶圆，是用来制造集成电路和微电子器件的基础材料之一。
以上只是半导体行业内的一些常见名词，还有许多其他名词和专业术语与该行业相关。
常用半导体功能术语
肖特基二极管(Schottky Diode)Symbol Parameter 中文VRRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压VRWM Working peak reverse voltage 方向工作峰值电压VR DC Blocking Voltage 反向直流电压VR(RMS) RMS Reverse Voltage 反向电压有效值IF(AV) Average Rectified Forward Current 正向平均电流IR Reverse Current 反向电流IFSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 正向浪涌电流VF Forward Voltage 正向直流电压Cj Typical Junction Capactiance 结电容PD Power Dissipation 耗散功率Tj Operating Junction Temperature 工作结温Tstg Storage Temperature Range 存储温度Rth(j-a) Thermal Resistance from Junction to Ambient 结到环境的热阻Pin二极管(Pin Diode)Symbol Parameter 中文VR Continuous reverse voltage 反向直流电压IF Continuous forward current 正向直流电流VF Forward voltage 正向电压IR Reverse current 反向电流Cd diode capacitance 二极管电容rd diode forward resistance 二极管正向电阻Ptot total power dissipation 总的功率损耗Tj Junction Temperature 结温Tstg storage temperature 存储温度TVS二极管(TVS Diode)Symbol Parameter 中文IPP Maximum reverse peak pulse current 峰值脉冲电流VC Clampling voltage 钳位电压IR Maximum reverse leakage current 最大反向漏电流VBR Breakdown voltage 击穿电压VRWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压VF Forward voltage 正向电压IF Forward current 正向电流IT Test current 测试电流可控硅(SCR)Symbol Parameter 中文VDRM Peak repetitive off-state voltage 断态重复峰值电压VRRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压IT(RMS) RMS On-state current 额定通态电流ITSM Non repetitive surge peak on-state current 通态非重复浪涌电流IGM Forward peak gate current 控制极重复峰值电流VTM peak forward on-state voltage 通态峰值电压IGT Gate trigger current 控制极触发直流电流VGT Gate trigger voltage 控制极出发电压IH Holding current 维持电流IDRM Peak repetitive off-state current 断态重复峰值电流IRRM Peak repetitive reverse current 反向重复峰值电流PG(AV) Average gate power dissipation 控制极平均功率Tj operating junction temperature range 工作结温Tstg Tstg storage temperature range 存储温度三端稳压管(Three Terminal Voltage Regulator)Symbol Parameter 中文VI input voltage 输入电压Vo output voltage 输出电压△ Load regulation 输出调整率Vo△ Line regulation 输入调整率VoIq quiescent current 偏置电流△ quiescent current change 偏置电流变化量IqVN Output noise voltage 输出噪声电压RR Ripple rejection 纹波抑制比Vd dropout voltage 降落电压Isc short circuit current 短路输出电流Ipk peak current 峰值输出电流Topr operating junction temperature range 结温Tstg storage temperature range 存储温度43系列稳压管(Adjustable Shunt Regulator)Symbol Parameter 中文VKA Cathode voltage 阴极电压IK Cathode current range(continous) 阴极电流Iref Reference input current range,continous 基准输入电流PD Power dissipation 耗散功率Rth(j-a) Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻Topr operating junction temperature range 工作结温Tstg storage temperature range 存储温度Vref Reference input voltage 基准输入电压Vref(dev)△Deviation of reference input voltage over full temperature range 全温度范围内基准输入电压的偏差Vref/VKA△△Ratio of change in reference input voltage to the change in cathode voltage 基准输入电压变化量与阴极电压变化量的比Ire△f(dev) Deviation of reference input current over full temperature range 全温度范围内基准输入电流的偏差Imin Minimum cathode current for regulation 稳压时最小负极电流Ioff Off-state cathode current 关断状态阴极电流|ZKA| Dynamic impedance 动态阻抗普通晶体管(Transistor)Symbol Parameter 中文VCBO Collector-Base voltage 发射极开路,集电极-基极电压VCEO Collector-emitter voltage 基极开路,集电极-发射极电压VEBO Emitter-base voltage 集电极开路,发射极-基极电压IC Collector current 集电极电流PC Collector power dissipation 集电极耗散功率Tj Junction temperature 结温Tstg storage temperature 存储温度V(BR)CBO Collector-Base breakdown voltage 发射极开路,集电极-基极反向电压V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 基极开路,集电极-发射极反向电压V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage 集电极开路,发射极-基极反向电压ICBO Collector cut-off current 发射极开路,集电极-基极截止电流IEBO Emitter cut-off current 集电极开路,发射极-基极截止电流ICEO Collector cut-off current 基极开路,集电极-发射极截止电流hFE DC current gain 共发射极正向电流传输比的静态值VCEsat Collector-emitter saturation voltage 集电极-发射极饱和电压VBEsat Base-emitter saturation voltage 基极-发射极饱和电压VBE Base-emitter voltage 基极-发射极电压fT Transition frequency 特征频率Cobo Collector output capacitance 共基极输出电容Cibo Collector input capacitance 共基极输入电容F Noise figure 噪声系数ton Turn-on time 开通时间toff Turn-off time 关断时间tr Rise time 上升时间ts Storage time 存储时间tf Fall time 下降时间td Delay time 延迟时间数字晶体管(Digital Transistor）Symbol Parameter 中文VCC Supply voltage 直流电压VIN input voltage 输入电压IO output current 输出电流PD Power dissipation 功率损耗VI(off) Input-off voltage 输入截止电压VI(on) Input-on voltage 输入开启电压VO(on) output voltage 输出电压II input current 输入电流IO(off) output current 输出截止电流GI DC current gain 直流增益R1 Input resistance 输入电阻R2/R1 Resistance ratio 电阻率fT Transition frequency 传输频率Tj junction temperature 结温Tstg storage temperature range 存储温度VCBO Collector-base voltage 发射极开路,集电极-基极反向击穿电压VCEO Collector-emitter voltage 基极开路,集电极-发射极反向击穿电压VEBO Emitter-base voltage 集电极开路,发射极-基极反向击穿电压场效应管(MOSFET)Symbol Parameter 中文ID Continous drain current 漏极直流电流VGS Gate-source voltage 栅-源电压VDS Drain-source voltage 漏-源电压EAS single pulse avalchane energy 单脉冲雪崩击穿能量Rth(j-a) Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻Rth(j-c) Thermal resistance from junction to case 结到管壳的热阻V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage 漏源击穿电压V(GS)th Gate threshold voltage 栅源阈值电压IGSS Gate-body leakage current 漏-源短路的栅极电流IDSS Zero gate voltage drain curent 栅-源短路的漏极电流rDS(on) Drain-source on-resistance 漏源通态电阻gfs Forward transconductance 跨导VSD Diode forward voltage 漏源间体内反并联二极管正向压降Ciss Input capacitance 栅-源电容Coss Output capacitance 漏-源电容Crss Reverse transfer capacitance 反向传输电容Rg Gate resistance 栅极电阻td(on) Turn-on delay time 开通延迟时间tr Rise time 上升时间td(off) Turn-off delay time 关断延迟时间tf Fall time 下降时间IDM Pulsed drain current 最大脉冲漏电流PD Power dissipation 耗散功率Tj operating junction temperature range 结温Tstg storage temperature range 存储温度。
半导体专业用语
金属前介质层(PMD)金属间介质层(IMD)W 塞(WPLUG)钝化层(PaSSiVaIion)acceptor受主，如B,掺入Si中需要接受电子Acid：酸actuator 激励ADI After develop inspection 显影后检视AEI After etching inspection 蚀科后检查AFM atomic force microscopy 原子力显微ALD atomic layer deposition 原子层淀积Align mark(key):对位标记Alignment排成一直线，对平Alloy：合金Aluminum：铝Ammonia：氨水Ammonium fluoride： NHFAmmonium hydroxide： NHOHAmorphous silicon：α -Si,非晶硅(不是多晶硅) amplifier放大器AMU原子质量数Anak>g：模拟的analyzer magnet 磁分析器Angstrom： A (E-m)埃AniSOtrOPiC:各向异性(如PoLYETCH) Antimony(Sb)Warc chamber 起弧室ARC： anti-reflect coating 防反射层Argon(Ar)MArsenic Eoxide(AsO)三氧化二珅Arsenic(As)WArsine(AsH)Cassette装晶片的晶舟CD： critical dimension关键性尺寸,临界尺寸Chamber反应室Chart图表Child lot 子批chiller制冷机Chip (die)晶粒Chip：碎片或芯片。
clamp夹子CMP化学机械研磨Coater光阻覆盖(机台)Coating涂布，光阻覆盖Computer-aided design (CAD)：计算机辅助设计。
Contact Hole 接触窗Control Wafer 控片Correlation：相关性。
半导体术语
半导体术语
半导体术语是指在半导体领域中常用的术语和定义。
以下是一些常见的半导体术语：
1. 半导体：一种能够在特定条件下既能传导电流又能阻挡电流的材料，例如硅和锗。
2. PN结：由P型半导体和N型半导体直接接触而形成的结构。
3. 掺杂：在半导体材料中加入少量的杂质，以改变其导电性能。
4. 硅片：半导体制造中常用的基础材料，通常是用纯度很高的单晶硅制成的圆片。
5. 绝缘体：一种不导电电子的材料，如玻璃和塑料。
6. 导体：一种能够自由传导电流的材料，如金属。
7. 硅谷：位于美国加利福尼亚州的地区，以半导体和计算机技术的发展而闻名。
8. MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管，一种常用的半导体器件。
9. 硅晶体管：一种常见的半导体器件，用于放大和开关电流。
10. 集成电路：将多个电子元件集成到单个芯片上的电路。
11. 二极管：一种由P型和N型半导体组成的器件，用于控制电流流动的方向。
12. 功率半导体：专门设计用于高功率和高电压应用的半导体器件。
这些术语只是半导体领域中的一小部分，还有许多其他术语和定
义与半导体制造、器件设计和电子技术相关。
半导体专业术语
专业术语1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSI STOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。
在标准之MO S制造过程中ACTI VE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTI VE AREA会受到鸟嘴（BIRD’SBEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BI RD’SBEAK 存在，也就是说AC TIVEAREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查1.定义：AfterDevelo pingInspec tion之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查1. 定义：AEI即Af ter Etchin g Inspec tion，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体专业术语
专业术语1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TR ANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTI VE AREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTI VE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK 存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体行业术语
半导体行业术语半导体行业术语是指用于描述和解释半导体及相关技术的术语和术语缩略语。
以下是一些常见的半导体行业术语及其参考解释。
1. 半导体（Semiconductor）- 指的是电导介于导体和绝缘体之间的固态材料，通常是以硅（Si）或镓（Ga）为主要成分，用于制造电子器件。
2. 集成电路（Integrated Circuit，IC）- 也被称为芯片，是将数十亿个晶体管、电阻器、电容器和其他电子元件集成到一块半导体晶片上的技术。
3. MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）- MOSFET是一种常用的场效应晶体管，通过控制栅电压来调节源极电流。
4. CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）- CMOS是一种基于nMOS（n沟道金属－氧化物－半导体）和pMOS（p沟道金属－氧化物－半导体）技术的集成电路制造技术。
5. MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）- MEMS是一种将微机械系统与电子技术相结合的技术，包括制造微型传感器、执行器和微型结构等。
6. 晶圆（Wafer）- 指的是在半导体制造过程中用于制作芯片的圆形硅片。
晶圆上会进行刻蚀、沉积、光刻等工艺。
7. 工艺（Process）- 指的是制造半导体器件所需的一系列步骤和工作流程，包括光刻、刻蚀、沉积、清洗等。
8. 掩膜（Mask）- 掩膜用于光刻工艺，上面有设计好的图案，通过光刻暴光制造电路芯片的图案。
9. Doping（掺杂）- 在半导体材料中引入杂质，以调整材料的导电性能。
常见的掺杂剂包括硼、磷、砷等。
10. 渗透磁场（Permeable Magnetic Field）- 渗透磁场是指在磁性材料的边界上产生的特殊磁场，常用于磁传感器和存储器中。
11. 氮化镓（Gallium Nitride，GaN）- 氮化镓是一种半导体材料，具有高电子流动性和较大的能隙，适用于高功率电子器件的制造。
半导体行业的英单词和术语
半导体行业的英单词和术语1. Semiconductor（半导体）：指一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，广泛应用于电子器件中。
3. Integrated Circuit（集成电路）：简称IC，将大量的微小电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一块半导体芯片上。
4. Transistor（晶体管）：一种半导体器件，具有放大信号和开关功能，是现代电子设备的基础组件。
5. Diode（二极管）：一种具有单向导通特性的半导体器件，常用于整流、稳压等电路。
6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：一种常见的晶体管类型，广泛应用于放大器和开关电路。
7. CMOS（互补金属氧化物半导体）：一种集成电路技术，采用NMOS和PMOS晶体管组合，具有低功耗、高集成度等优点。
8. Wafer（晶圆）：指经过切割、抛光等工艺处理的半导体材料，用于制造集成电路。
9. Photolithography（光刻）：在半导体制造过程中，利用光刻技术将电路图案转移到晶圆上的过程。
10. Etching（刻蚀）：在半导体制造过程中，通过化学反应或物理方法去除晶圆表面不需要的材料。
11.掺杂（Doping）：在半导体材料中引入其他元素，以改变其导电性能。
12. Chip（芯片）：指经过封装的集成电路，是电子设备的核心组成部分。
13. PCB（印刷电路板）：一种用于支撑和连接电子元件的板材，上面布满了导电线路。
14. Moore's Law（摩尔定律）：指集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番，预测了半导体行业的发展趋势。
15. EDA（电子设计自动化）：指利用计算机软件辅助设计电子系统，包括电路设计、仿真、验证等环节。
16. Foundry（代工厂）：专门为其他公司生产半导体芯片的企业。
17. Semiconductor Equipment Manufacturer（半导体设备制造商）：为半导体行业提供生产设备的公司。
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常用半导体功能术语
半导体是一种具有特殊电导性能的材料，广泛应用于电子和光电技术
领域。
以下是一些常用的半导体功能术语：
1. 传导带（Conduction Band）：带电的价电子从价带跃迁到传导带上，形成了电子-空穴对。
2. 价带（Valence Band）：在半导体材料中，价电子占据的能级带。
3. 杂质（Impurity）：被有意地或无意地引入到半导体中的不纯物质，可以影响其电导性。
4. 被激激发（Excitation）：原子或分子吸收外部能量后，其电子
从较低能态跃迁到较高激发能态。
5. 能隙（Band Gap）：价带和传导带之间的能量差，决定了半导体
的电导性质。
能隙越小，半导体的导电性越好。
6. 上升沿和下降沿（Rising and Falling Edge）：指信号电压在从
低电平到高电平或从高电平到低电平的瞬间变化。
7. 倒障层（Barrier）：引入两种不同材料接触处的能级，阻碍电子
或空穴跨越此界面。
8. PN结（PN Junction）：由N型半导体和P型半导体通过硅键连
接形成的结构。
9. 正偏压（Forward Bias）：PN结中P区的端口连向正电压，N区
的端口连向负电压，电子从N区向P区移动。
10. 反偏压（Reverse Bias）：PN结中P区的端口连向负电压，N区的端口连向正电压，电子从P区移动到N区。
11. 势垒（Barrier Potential）：PN结两侧的电场形成的势能差。
12. 整流（Rectification）：将交流信号转化为直流信号的过程。
13. 放大器（Amplifier）：接收弱信号并使其输出为强信号的电路或设备。
14. 栅极（Gate）：场效应晶体管中控制电流的电极。
15. 集电极（Collector）：双极晶体管中接收和输出电流的电极。
16. 基极（Base）：双极晶体管中控制和调制电流的电极。
17. 激活（Activate）：将物质暴露在高温环境下，使其具有半导体特性。
18. 脱层（Delamination）：材料层之间的分离或剥离。
19. 封装（Packaging）：将半导体芯片物理封装在保护外壳中，以便于焊接和使用。
21. CPU (Central Processing Unit)：中央处理器，电子设备中的主要计算和控制单元。
22. LED (Light Emitting Diode)：发光二极管，可以将电能转化为光能的半导体器件。
23. MOSFET (Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor)：金属-氧化物-半导体场效应晶体管，一种常用的半导体开关器件。
24. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)：绝缘栅双极晶体管，用于高功率应用的半导体器件。
25. MEMS (Micro-Electro-Mechanical System)：微电子机械系统，结合了电子和机械技术的一种微型器件。
这些术语在半导体领域非常常见，对于理解和研究半导体技术非常重要。