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LEC法及有害因素分类与代码

危害辨识与风险评价一、作业危险性分析方法(LEC法)依据危险源辨识记录,定量计算每一种危险源所带来的风险,确定出重大风险,列出清单下发,有计划地进行控制。
一般地,采用以下公式:D=L×E×C式中:D――风险值;L――发生事故的可能性大小;E――暴露于危险环境的频繁程度;C――发生事故产生的后果。
表1事故发生的可能性(L)表2暴露于危险环境的频繁程度(E)表3发生事故产生的后果(C)表4风险值(D)二、生产过程危险和有害因素分类与代码按导致事故的危险和有害因素的性质分类《生产过程危险和有害因素分类与代码》( GB/T13861-2009),分为4大类:(一)人的因素;(10类)(二)物的因素;(30类)(三)环境因素;(45类)(四)管理因素;(6类)具体目录:(一)人的因素(10类)1.心理、生理性危险有害因素(6)(1)负荷超限(2)健康状况异常(3)从事禁忌作业(4)心理异常(5)辨识功能缺陷(6)其他心理、生理性危险和有害因素2.行为性危险和有害因素(4)(1)指挥错误(2)操作失误(3)监护失误(4)其他(二)物的因素(30类)1.物理性危险和有害因素(15)(1)设备、设施、工具、附件缺陷(2)防护缺陷(3)电伤害(4)噪声(5)振动危险因素(6)电离辐射(射线)(7)非电离辐射(8)运动物危险因素(9)明火(10)高温物质(11)低温物质(12)信号缺陷(13)标志缺陷(14)有害光照(15)其他物理性有害危害2.化学性危险有害因素(10)(1)爆炸品(2)压缩气体和液化气体(3)易燃液体(4)易燃、自燃固体及遇湿自燃(5)氧化剂和有机过氧化物(6)有毒物品(7)放射性物品(8)腐蚀性物质(9)粉尘与气溶胶(10)其他化学性危险和有害因素3.生物性危险和有害因素(5)(1)致病微生物(2)传染病媒介物(3)致害动物(4)致害植物(5)其他(三)环境因素(45类)1.室内作业场所环境不良(15)(1)室内地面滑(2)室内作业场所狭窄(3)室内作业场所杂乱(4)室内地面不平(5)室内梯架缺陷(6)地面、墙和天花板上的开口缺陷(7)房屋基础下沉(8)室内安全通道缺失(9)房屋安全口缺失(10)采光照明不良(11)作业场所空气不良(12)室内温度、湿度、气压不适(13)室内给排水不良(14)室内涌水(15)其他2.室外作业场所环境不良(18)(1)恶劣气候与环境(2)作业场地和交通设施湿滑(3)作业场地狭窄(4)作业场地杂乱(5)作业场地不平(6)航道狭窄、有暗礁或险滩(7)脚手架、阶梯和活动梯架缺陷(8)地面开口缺陷(9)建筑物和其他结构缺陷(10)门和围栏缺陷(11)作业场地基础下沉(12)作业场地安全通道缺陷(13)作业场地安全出口缺陷(14)作业场地光照不良(15)作业场地空气不良(16)作业场地温度、湿度、气压不适(17)作业场地涌水(18)其他作业场地环境不良3.地下(水下)作业环境不良(9)(1)隧道/矿井顶面缺陷(2)隧道/矿井正面或侧壁缺陷(3)隧道/矿井地面缺陷(4)地下作业面通风不良(5)非正常地下火(6)冲击地压(7)非正常地下水(8)水下作业供氧不当(9)其它地下作业环境不良4.其他作业环境不良(3)(1)强迫体位(2)综合性作业环境不良(3)以上未包括的其他作业环境不良(四)管理因素(6类)1.组织机构不健全(1)2.责任制未落实(1)3.管理规章制度不完善(5)(1)建设项目“三同时”制度未落实(2)操作规程不规范(3)事故应急预案及响应缺陷(4)培训制度不完善(5)其他职业安全卫生管理规章制度不健全4.职业安全卫生投入不足(1)5.职业健康管理不完善(1)6.其他管理因素缺陷(1)。
LEC作业条件危险性评价法

LEC作业条件危险性评价法危险源辨识、风险评价清单中的LECD各指:危险性可用下式表示:D=L×E×C式中: L—发生事故的可能性大小E—人体暴露在这种危险环境中的频繁程度C—一旦发生事故会造成的损失后果D—危险性作业条件危险性评价法是一种评价操作人员在具有潜在危险性环境中作业时的危险性的半定量的评价方法,此法简单易行。
它是用和系统风险有关的三种因素指标值之积来评价操作人员伤亡风险大小的一种方法,即D=LEC其中:L代表事故发生的可能性;E代表人员暴露于危险环境中的频繁程度;C 代表一旦发生事故可能造成的后果;D代表作业条件危险性的大小。
L、E、C三种因素取值及D危险性等级划分见表1~4。
分数值事故发生的可能性分数值事故发生的可能性10完全可以预料0.5可以设想,但很不可能6相当可能0.2极不可能3可能,但不经常0.1实际不可能1可能性极小,完全意外表2 人员暴露于危险环境的频繁程度(E)分数值人员暴露于危险环境的频繁程度分数值人员暴露于危险环境的频繁程度10连续暴露与潜在危险环境2每月一次暴露6每天工作时间内暴露1每年几次暴露3每周一次,或偶然暴露0.5非常罕见的暴露表3 发生事故可能造成的后果(C)分数值发生事故可能造成的后果分数值发生事故可能造成的后果100大灾难,许多人死亡,或造成重大财产损失7严重,重伤,或较小的财产损失40灾难,数人死亡,或造成很大财产损失3重大,致残,或很小的财产损失15非常严重,1人死亡,或造成一定的财产损失1引人注目,需要救护作业条件危险性评价法作业条件危险性评价法是对具有潜在危险的环境中作业的危险性进行定性评价的一种方法。
它是由美国的格雷厄姆(K.J.Graham)和金尼(G.F.Kinnly)提出的。
对于一个具有潜在危险性的作业条件,影响危险性的主要因素有3个:发生事故或危险事件的可能性L暴露于这种危险环境的情况E事故一旦发生可能产生的后果C用公式表示:D = L E C式中:D——作业条件的危险性L——事故或危险事件发生的可能性E——暴露于危险环境的频率C——发生事故或危险事件的可能结果用L、E、C三种因素的乘积D = L E C来评价作业条件的危险性。
危险源(危害因数)辨识、风险评价(LEC法)一览表

246附件D1
文件编号:NSD/ZHA-JL-4.3.1A-01A
受控状态:受控
危险源(危害因数)辨识、风险评价(LEC法)一览表单位:公司填表日期:2010年5月28日
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44 文书管理不规范操作泄漏机密 D 3 1 3 9 1 规范操作0
45 食堂就餐食品不卫生生病、食物中毒 D 3 6 7 126 3
加强对食堂承包方监督管理,加强食
品安全卫生监督检查, 定期对食物中
毒事故应急预案进行演练
1 填表:陈子乔审核:批准:批准日期:2010 年 5 月 28 日
判别依据栏:A违反法律法规;B曾发生过事故仍未采取有效措施;C严重违规,重大隐患或企业主观确定;D作业条件危险性评价(LEC)法。
若判别依据为A、
B、C或LEC法中C值≥40,风险级别为五、四、三级,“不可容许风险”填“1”否则填“0”。
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交通运输行业“LEC”危险评价方法表

辨识途径:
1.询问与交流:与作业人员交流,获取信息;
2.现场观察:通过对物事的观察和检测,进行辨识;
3.查阅记录:对事故、事件、健康进行安全检查,查阅设施设备的
4.中介咨询:向外部有关机构、上级主管部门咨询。
交通运输行业和其他行业在生产过程中存在巨大差异。
其他行业所处环境相对静止,而交通运
论是车还是船,都在路或水上处于运动状态,危险源辨识的重心不仅是人,交通运输企业财产损失及责。
交通行业的一些著名学者和专家总结了大量的交通实践活动,得出:人-车-路-管理;或:人-船-环-致因理论应用到危险源的辨识中,在交通运输行业广泛应用以上的“LEC”危险评价方法表。
仅供参考。
浙江省交通干部学校干训部
交通运输行业的运输设备无通运输企业财产损失及责任同等重要路-管理;或:人-船-环-管理的事故险评价方法表。
仅供参考。
风险评价方法LEC

定其特性。
3
风险管理
A 危害
危险、有害因 素分类
1. 物理性危险、有害因素
设备、设施缺陷、防护缺陷、电 危害、明火等。
2. 化学危险、有害因素
易燃、易爆性物质、自燃性物质、 有毒物质、腐蚀性物质等。
辨识
1
按导致事故的 直接原因分类
2
3
4
5
5. 行为性有害因素
指挥失误、操作失误、监 护失误等。
3. 生物性危险、有害因素
D 危险度
90(显著危
危险 等级
III
现有安全控制 措施
动火作业票证,安 全操作规程
专用小推车进行搬 运 动火作业票证,定 期检查电焊机接地 动火作业票证,安 全操作规程 作业前进行全面检 查,动火作业票证 登高作业票证
建议改进措施
加强培训,加大三 违处罚力度
加强培训,加大三 违处罚力度 加强培训 加强培训,加大三 违处罚力度 加强培训,加大三 违处罚力度 加强培训,加大三 违处罚力度
风险评价方法
CONTENTS
培训目的
1 4 2
风险评价法LEC 应用举例
基本概念
风险管理
5
3 6
结论与建议
1
培训目的
1
培训目的
了解风险管理知识
首先,风险管理必须 识别风险。
其次,风险管理要着眼于 风险控制。
再次,风险管理要学会 规避风险。
掌握LEC评价方法
LEC评价法:是对具有潜在危险性作业环境中的危险源进行半定量的安全评价方法。
致病微生物、传染病媒介物、致 害动物、植物等。
4. 生理、心理性有害因素
负荷超限、健康状况异常、心理 异常、辨识功能缺陷等。
lec打分法分级标准

lec打分法分级标准
LEC打分法是一种用于评价和分级的标准方法。
以下是该方法的分级标准:
1. 优秀(5分):表现出色,达到了超出预期的水平。
具备非常高的专业知识和技能,能够独立完成任务并给予他人指导和支持。
展现出卓越的创新能力和解决问题的能力。
2. 良好(4分):表现良好,达到了预期水平。
具备较高的专业知识和技能,能够有效地完成任务并满足要求。
展现出良好的团队合作和沟通能力。
3. 一般(3分):表现一般,达到了基本要求,但缺乏突出的表现。
具备基本的专业知识和技能,能够完成日常任务。
需要进一步提升自己的能力和技巧。
4. 需改进(2分):表现不佳,未达到基本要求。
缺乏必要的专业知识和技能,无法有效地完成任务。
需要加强学习和提高能力。
5. 不合格(1分):表现非常差,完全不能满足要求。
缺乏必要的专业知识和技能,无法胜任工作。
需要大幅改进和提高。
以上是LEC打分法的分级标准,用于评价和分析个人或团队的绩效表现。
LEC法标准(最新整理)

《危险源辨识和风险评价表》填表说明危险源辨识和风险评价是职业健康安全管理体系建立的基础,评价出重点风险并有效控制是体系运行的关键,为此我们必须充分辨识危险源,认真填写《危险源辨识和风险评价表》。
1、设备设施/ 场所/ 岗位:根据实际确定,将所使用的设备设施或场所(填具体的设备设施名称,如果是多种设备设施,也可填场所,如锅炉房、变电站、空压张、污水站等)、人员的岗位等描述清楚。
如“拆箱机/操作工”、“制丝冷端/操作工”、“卷接包装机/操作工”、“变电站/维修电工”;“车间维修组/机修工”、、“叉车/驾驶员”、“成品库/保管员”、“分拣机/操作工”、运输车辆/司机”、“各办公室/管理和技术人员”等。
2、作业活动:该工序或工种所从事的具体作业活动。
如“卷接包装机/操作工”可能涉及到的具体作业有装卡材料、加工操作、排除故障、清理设备等;“维修电工”可能涉及到的具体作业活动有“登高作业”、“检修电气设备”等、“电焊作业”可能涉及到的具体作业活动有“开关焊机设备”、“焊接加工”等。
3、第一类危险源:该作业活动中可能接触的第一类危险源,即“存在的、可能发生意外释放的能量(能源或能量载体)或危险物质”,如带电导体、遇水自燃物质、运动的机械、奔驰的汽车、压力容器、悬吊物的势能、有毒品、烟草粉尘、机械噪声----等;一种作业活动中可能有一种或几种第一类危险源。
4、第二类危险源---危险源描述:根据第一类危险源,描述可能引发事故或伤害的人的不安全行为、物的不安全状态、作业环境的不良因素等第二类危险源及其后果,并参考《生产过程危险和有害因素分类与代码》(GB/T13861-1992)填写第二类危险源的代码;如“维修电工”在进行“检修电气设备”时,第一类危险源是“带电导体”,第二类危险源可能有“外露线路绝缘层破损”,后果是“触电”(物,代码11505)、“设备漏电”,后果是“触电”(物,代码11510)、“不按规定监控,停电检修过程中合闸通电”,后果是“触电”(人,代码515)。
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Lecture 14 Digital Circuits (III)CMOSOctober 27, 2005Contents:1. Complementary MOS (CMOS) inverter: introduction2. CMOS inverter: noise margins3. CMOS inverter: propagation delay4. CMOS inverter: dynamic powerReading assignment:Howe and Sodini, Ch. 5, §5.4Announcements:• Cadence tutorial by Kerwin Johnson in place of regular recitations on Friday 10/28Key questions•How does CMOS work?• What is special about CMOS as a logic technology? • What are the key design parameters of a CMOS inverter?• How can one estimate the propagation delay of a CMOS inverter?• Does CMOS burn any power?1. Complementary MOS (CMOS) Inverter Circuit schematic:V DDV IN V OUTLBasic operation:•V IN =0⇒V OU T= V DD⇒V GSn =0<V NMOS OFFT n⇒V SGp = V DD>−V T p PMOS ON•V IN = V DD ⇒ V OU T=0V GSn = V DD >V T n⇒ NMOS ONV SGp =0<−V T p PMOS OFF⇒Output characteristics of both transistors:I DnV SGpV SGp=-V Tp0 VDSn0 VSDp -I DpV GSnV GSn=V TnNote:V IN = V GSn = V DD −V SGp ⇒ V SGp = V DD −V INV OU T= V DSn = V DD −V SDp ⇒ V SDp = V DD −V OU T I Dn = −I DpCombine into single diagram of I D vs. V OU T with V IN as parameter.VDDI DV IN VOUT V DD -V INV INL0 0V OUT� no current while idling in any logic state . Transfer function:NMOS cutoff� PMOS triodeV OUT V IN0 0V DD V TnV DD +V Tp V DDNMOS saturation� PMOS triodeNMOS saturation� PMOS saturation NMOS triode� PMOS saturationNMOS triode� PMOS cutoff� ”railtorail” logic: logic levels are 0 and V DD � high A v around logic threshold ⇒good noise margins||Transfer characteristics of CMOS inverter in WebLab:2. CMOS inverter: noise marginsV OUTVVIL M IH V DD V INNM H• Calculate V M• Calculate A v(V M)• Calculate NM L and NM H� Calculate V M (V M = V IN = V OUT)At V M both transistors saturated:1W nI Dn = µn C ox(V M −V T n)22 L n1W p−I Dp =µp C ox(V DD −V M + V T p)22 L p��������Define:W n W pk n = µn C ox ,k p = µp C oxL n L pSince:I Dn = −I DpThen:1 1 k n (V M −V T n )2 = k p (V DD −V M + V T p )22 2 Solve for V M :k p k nV T n +(V DD + V T p )V M =k p k n1+Usually, V T n and V T p fixed and V T n = −V T p ⇒ V M engineered through k p /k n ratio• Symmetric case: k n = k pV DD V M=2This implies:W pW pk pL p µp C ox L p µp W p W n =1=W nk nW nµn C ox�L n 2µp⇒ L p �2 L nL n Since usually L p �L n ⇒ W p �2W n .V OUTV Tn M DD Tp DD IN• Asymmetric case: k n �k p,or W n� W pL n L pV M �V T nNMOS turns on as soon as V IN goes above V T n.� W p• Asymmetric case: k n �k p,or W nL n L pV M �V DD + V T pPMOS turns on as soon as V IN goes below V DD + V T p. Can engineer V M anywhere between V T n and V DD +V T p.V OUTVTn M DD Tp DD IN� Calculate A v (V M ) V DDSmallsignal VINS2model:V OUTS1G1=G2D1=D2outS1=S2A v = −(g mn + g mp )(r on //r op )This can be rather large.� Noise marginsV OUTVVIL M IH V DD V INNM H •Noisemarginlow:V IL = V M − V DD −V M|A v|Therefore:NM L = V IL −V OL = V IL = V M − V DD −V M|A v|In the limit of :|A v|→∞NM L →V M•Noisemarginhigh:V OUT VV IL M IHV DD V INNM H1V IH= V M (1 + )|A v |and1NM H = V OH −V IH = V DD −V M (1 + )|A v | In the limit of :|A v |→∞NM H →V DD −V MWhen V M =V DD NM L = NM H =V DD 2⇒ 23. CMOS inverter: propagation delayInverter propagation delay: time delay between input and output signals; key figure of merit of logic speed. Typical propagation delays: < 1 ns.Complex logic system has 2050 propagation delays per clock cycle.Estimation of t p: use squarewave at inputVVVVAverage propagation delay:1t p =(t P HL+ t P LH)2� Propagation delay hightolow:V DDV IN: :LO HIV DD V DD V DDVOUT=V DDVIN=VV OUT=0V IN=VV OUT=V DDt=0-t=0+ t During early phases of discharge, NMOS is saturated and PMOS is cutoff.Time to discharge half of C L:charge of C L@t =0−t P HL�discharge current12Charge in C L at t =0−:Q L (t =0−)=C L V DDDischarge current (NMOS in saturation):W nI Dn = µn C ox (V DD −V T n )22L nThen:C L V DDW nt P HL � µn C ox (V DD −V T n )2 L nI DV DD -V INV IN0 0V OUT� Propagation delay lowtohigh:V DDV IN:HI LO:V DD V DD V DDV IN OUT=0V INV OUT=0V OUT=V DDV INt=0-t=0+ t During early phases of charge, PMOS is saturated and NMOS is cutoff.Time to charge half of C L:charge of C L@t = t P LH�charge current ∞1 2Charge in C L at t = ∞:Q L (t = ∞)=C L V DDCharge current (PMOS in saturation):W p−I Dp =2L pµp C ox (V DD + V T p )2 Then:C L V DDt P LH � W pµp C ox (V DD+ V T p )2 L p IDV DD -V INV IN0 0V OUTKey dependencies of propagation delays: • V DD ↑⇒t p ↓Reason: V DD ↑⇒ Q(C L) ↑, but also I D ↑ Tradeoff: V DD ↑, more power usage.L• ↓⇒ t p ↓Reason: L ↓⇒ I D ↑Tradeoff: manufacturing costs!Components of load capacitance C L:• following logic gates: must add capacitance presented by each gate of every transistor the output is connected to• interconnect wire that connects output to input of following logic gates• own draintobody capacitancesC L = C G + C wire + C DBn + C DBpVV DD[See details in Howe & Sodini §5.4.3]4. CMOS inverter: dynamic power• In any of the two logic states: one transistor always OFF ⇒zero static power dissipation.•Dynamic power?Every complete transient, C L is charged up to V DD and then discharged to 0⇒energy dissipated⇒clock frequency ↑⇒dissipated power ↑� � � Dynamic power dissipated while charging loadV DDLV V V IN =HI V OUT =LOHI 1. Energy provided by battery during transient:dv OUT ∞0 ∞0 E S V DD i C (t )dt = V DD C L dt ==dt � V DD 0 2 DD C L V DD dv OUT = C L V = 2. Energy stored in capacitor during transient:1 ΔE C = E C (t = ∞)−E C (t =0)=C L V 22 DD 3. Energy dissipated in PMOS during transient:1 E P = E S −ΔE C = C L V 22 DD� Dynamic power dissipated while discharging loadV DDV IN=LO HILV OUT=HI LOVV1. Energy provided by battery during transient:E S = � ∞V DD i DD(t)dt =02. Energy removed from capacitor during transient:1ΔE C = E C(t =0)−E C(t = ∞)=C L V22 DD3. Energy dissipated in NMOS during transient:1E N =ΔE C = C L V22 DD� Energy dissipated in complete cycleE D = E P + E N =ΣE S = C L V2 DD� Power dissipationIf complete switching cycle takes place f times per second:P D = fE D = fC L V2 DD Fundamental tradeoff between switching speed ant power dissipation!Key dependencies in dynamic power:• f ↑⇒ P D ↑, charge and discharge C L more frequently • C L ↑⇒P D ↑, more charge being shuttled around • V DD ↑⇒P D ↑, more charge being shuttled aroundKey conclusions• Key features of CMOS inverter:– no current while idling in any logic state– ”railtorail” logic: logic levels are 0 and V DD– high |A v|around logic threshold ⇒good noise margins•CMOS inverter logic threshold and noise margins engineered through W n/L n and W p/L p.• Key dependences of propagation delay:– V DD ↑⇒t p ↓– L ↓⇒t p ↓• Dynamic power dissipated in CMOS:P D = fE D = fC L V 2 DD Fundamental tradeoff between switching speed and power dissipation.。
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Output image
Chapter 5 Image Restoration
12
Lecture 14: Geometric Transformation
Detail see function scal.m.
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Chapter 5 Image Restoration
7
Lecture 14: Geometric Transformation
Spatial transformations#1: Resizing
When requiring magnification to a non_integer times, pixel replication is not applicable, spatial transformation method is utilized. General transformation relationship (x‘, y‘)
Lecture 14: Geometric Transformation
Today’s lecture objective
1. Understand the concept of spatial transformation and gray level interpolation. 2. Be able to perform pixel replication, image resizing to any scale, and rotation, include techniques such as nearest neighbor interpolation and bilinear interpolate concepts. 3. Be able to use related Matlab functions to solve real world geometric transformation problems.
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Chapter 5 Image Restoration
1
Lecture 14: Geometric Transformation
Geometric transformations
Definition: geometric transformations modify the spatial relationships between pixels in an image. It is also called rubber-sheet transformations. In terms of digital image processing, a geometric transformation consists of two basic operations:
(x, y)
x‘ = r(x, y) and y‘ = s(x, y) For resizing:
r(x,y)=c1*x; s(x,y)=c2*y
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Chapter 5 Image Restoration
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Lecture 14: Geometric Transformation
Gray-level interpolation (nearest neighbor)
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Chapter 5 Image Restoration
2
Lecture 14: Geometric Transformation
Mystery to be solved
The right side is a famous picture cal‘ painted by Hans Holbein in the year1533. What is the odd shaped object at the bottom of the painting? Solve the mystery using geometric transformation.
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Chapter 5 Image Restoration
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Lecture 14: Geometric Transformation
Magnify digital images
We already discussed image contraction by simply deleting some rows and columns in chapter 2. Now we discuss a more complex operation—magnification.
Magnification requires two steps: 1) the creation of new pixel locations; 2) the assignment of gray levels to those new locations. Pixel replication is the simplest way of magnification, it is applicable when we want to increase the size of an image an integer number of times.
Output image
Input image
For noninteger (x‘,y‘), interpolation is needed, the nearest neighbor interpolation is simple to implement but has the drawback of producing undesirable artifacts.
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Chapter 5 Image Restoration
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Lecture 14: Geometric Transformation
Pixel replication example
Task#1: Double the size of an image.
We perform the task in following steps:
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Chapter 5 Image Restoration
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Lecture 14: Geometric Transformation
Demonstration of uncovering the mystery using geometric transformation
First, we are going to reveal the mystery, then followed by the explanation on how to do it. Matlab demo: anamorphosis.m
1) Duplicate each column, this doubles the image size in the horizontal direction. 2) Duplicate each row of the enlarged image to double the size in vertical direction. The same procedure is used to enlarge the image by any integer number of times (triple, quadruple, and so on).
Chapter 5 Image Restoration
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Lecture 14: Geometric Transformation
Nearest neighbor interpolation example Task#2: 2.5 times the size of an image.
We perform the task in following steps:
1) Use the transformation expression x‘=x*2.5 and y‘=y*2.5 to do a mapping from (x‘,y‘) to (x,y), ie, for each pair of (x‘,y‘), find (x,y). 2) If mapped (x,y) is integer, then assign the value at (x,y) to (x‘,y‘); otherwise, find the nearest neighbor to (x,y) and assign the value at this neighbor to (x‘,y‘).
For detail, see nearest_scal.m
2017/12/26
Chapter 5 Image Restoration
11
Lecture 14: Geometric Transformation
Gray-level interpolation: Method#2
To get a smoother result, we need to use bilinear interp. method.
1) a spatial transformation, which defines the ―rearrangement‖ of pixels on the image plane;
2) interpolation of gray-level, which deals with the assignment of gray-levels to pixels in the spatially transformed image.
The value at Input this location image (x,y) is calculated using formula
(x‘,y‘)
v(x,y) = ax + by + cxy + d