Ku频段微波功率放大器的设计
Ku波段宽带低噪声放大器研制

Ku波段宽带低噪声放大器研制崔铮薛祝和李斌范庆元(中国科学院上海天文台上海 200030)摘要:低噪声放大器(LNA)是微波接收机前端中的重要组成部分。
低噪声放大器的性能将决定着接收机的信噪比大小。
本文介绍了一种宽带Ku波段低噪声放大器的设计原理和方法,并给出了仿真结果。
该放大器采用NEC公司的NE3210S01场效应晶体管(FET),利用三级级联的方式来达到较高的增益和较好的增益平坦度。
仿真后在11-13 GHz范围内增益(29.7±0.5)dB,噪声温度小于55K,S11,S22小于-25dB 。
关键词:低噪声放大器;噪声系数;级连匹配Abstract: Low noise amplifier (LNA) is an important part as the front end of the microwave receiver. The performance of the LNA will determine the signal to noise ratio(SNR) of the microwave receiver. We introduced the design principle and method of a Ku band LNA and give the emulational result. FET NE3210S01 of NEC Company was used in this design. A three-stage topology was used to achieve high gain and better gain flatness. After simulated, the result with a gain of(29.7±0.5)dB, noisetemperature less than 55K, S11,S22less than -25dB.Keywords: low noise amplifier (LNA); noise figure(NF); series matching1 引言宽带Ku-波段接收机的研制目的,其主要用途是接收地球同步卫星信号用全息测量法做天线面高精度调整及甲醇脉泽谱线的观测。
Ku波段单片功率放大器设计与制作

集成电路设计与应用IC Design and ApplicationDOI:10.3969/j.issn.1003-353x.2011.06.014Ku波段单片功率放大器设计与制作刘如青,吴洪江,高学邦,付兴昌,倪涛(中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051)摘要:介绍了一种Ku波段GaAs功率放大器芯片的研制过程。
芯片采用电抗匹配电路结构,三级级联放大,末级采用多胞器件进行功率合成,实现了电路的高增益和所要求的功率输出;另外,还对元器件模型技术、GaAs MMIC测试技术等进行了相应描述。
在芯片的研制过程中,利用ADS软件进行仿真及优化,利用电磁场仿真进行版图设计。
在4英寸(100mm)0.25μm GaAs PHEMT工艺线上完成芯片制作,在12.5 15.0GHz的频率范围内,脉冲饱和输出功率Po 大于34.7dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益G p大于19.7dB,功率附加效率PAE大于30%,功率增益平坦度小于ʃ0.4dB。
该芯片可以应用到许多微波系统中。
关键词:Ku波段;功率放大器;脉冲;芯片;砷化镓中图分类号:TN304.23;TN722.75文献标识码:A文章编号:1003-353X(2011)06-0470-04Design and Fabrication of Ku-Band Monolithic Power Amplifier Liu Ruqing,Wu Hongjiang,Gao Xuebang,Fu Xingchang,Ni Tao(The13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang050051,China)Abstract:The research process of a Ku-band power GaAs MMIC was introduced.The structure of reactively matching network was introduced to realize a power MMIC.Good performance of high gain and high output power was achieved by a power combination technique using a three-stage amplifier.Also some key technologies were described,such as the modeling and testing technologies of GaAs MMIC.During the research and development process,the measurement system was built up,and the circuit was simulated by ADS.After that,the layout was designed with EM simulation.The chip was fabricated at the4inch(100mm)0.25μm GaAs power PHEMT process line.The performance of the power amplifier is higher than34.7dBm saturated output power(pulse width of100μs,duty cycle of10%),more than19.7dB power gain,30%power-added efficiency andʃ0.4dB gain flatness from12.5GHz to15.0GHz.The MMIC can be used in many microwave applications.Key words:Ku-band;power amplifier;pulse;chip;GaAsEEACC:12200引言GaAs单片功率放大器具有线性好、集成度高、结构紧凑、可靠性高、体积小等优点,是无线通信、导航、卫星通信等微波系统的关键元器件。
ku波段微波放大器的计算机辅助设计和制作

ku波段微波放大器的计算机辅助设计和制作
敖发良;张德琨
【期刊名称】《桂林电子工业学院学报》
【年(卷),期】1991(011)001
【摘要】本文简述了用计算机辅助设计微波放大器的基本原理和方法,编制了用可变多面体法、模式搜索法优化设计的计算机程序,利用该程序,优化设计,制作并调试出了Ku波段的微波放大器,介绍了测试结果和调试体会。
放大器最大增益达22dB,噪声系数为2.9dB,
【总页数】7页(P32-38)
【作者】敖发良;张德琨
【作者单位】不详;不详
【正文语种】中文
【中图分类】TN722.16
【相关文献】
1.Ku波段肖特基二极管功率检波器的设计与制作 [J], 纪圣华;董辉;李亚
2.一种实用的Ku波段PIN开关的制作 [J], 杨洁茹;王立;任凤
3.利用信号遮挡法查找Ku波段卫星干扰器与新型Ku波段卫星干扰器的简介 [J], 陈亮;孙建军
4.解读王维康先生『一款高效C/Ku波段复合高频头的制作经历』一文 [J], 李明
5.从《解读王维康先生〈一款高效C/Ku波段复合高频头的制作经历〉一文》想到的 [J], 王维康
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3-44Ku频段低噪声放大器的设计

Ku频段低噪声放大器的设计吴辉,唐小宏电子科技大学电子工程学院四川成都610054摘要:本文介绍了低噪声放大器的设计理论及方法,设计了一款Ku频段低噪声放大器。
电路采用三级放大的结构形式。
利用微带电路实现输入、输出和级间匹配。
采用了Agilent公司的微波电路CAD仿真软件ADS进行了仿真与优化。
并对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数和输出1dB压缩点等特性进行了研究。
LNA的工作频段为15.42~15.5GHz,增益大于27dB,噪声系数小于2.1dB,1dB压缩点的输出功率在8dBm以上,带内平坦度为±0.3dB。
关键字:Ku频段,低噪声放大器,ADS仿真,噪声系数Design of Ku Band Low Noise AmplifierWu Hui, Tang Xiaohong(School of Electronic Engineering, UESTC of China Chengdu 610054)Abstract: The design theory and method of low noise amplifier(LNA) is introduced. And a Ku band LNA is designed. The circuit is used of three stage amplifier. Input output and stage matching network designed in microstrip. The whole design is simulated and optimized by Agilent’s microwave circuit CAD software ADS. The gain, noise figure(NF), VSWR, stability and P1dB is discussed. Its operation band is 15.42~15.5GHz , gain>27dB,NF<2.1dB, P1dB>8dBm, in-band flatness<±0.3dB.Key Words: Ku band, LNA,ADS,NF1 引言低噪声放大器(Low Noise Amplifier)简称LNA的主要作用是在产生比较低噪声的情况下,把天线接收过来的微弱信号放大。
一种Ku波段固态功率放大模块的设计

第48卷第1期(总第187期)2019年3月火控雷达技术Fire Control Radar TechnologyVol.48No.1(Series 187)Mar.2019接接接收收发发射射技技术术收稿日期:2018-11-30作者简介:周海进(1981-),男,博士研究生。
研究方向为微波毫米波收发系统技术。
一种Ku 波段固态功率放大模块的设计周海进马云柱张思明王嘉煜(西安电子工程研究所西安710100)摘要:文中介绍了一种Ku 波段固态功率放大模块的研制思路,详细阐述了功率放大链路的组成方案,以及基于波导E 面T 型分支和H 面波导裂缝电桥的混合式4路功分/合成网络的设计方法。
制作了实物样机并进行了相关测试,结果表明模块在Ku 波段14%的相对带宽范围内可实现大于130W 的脉冲输出功率,合成效率大于90.2%,验证了设计方法的正确性和有效性。
关键词:Ku 波段;固态功率放大模块;波导E 面T 型分支;H 面波导裂缝电桥中图分类号:TN95文献标志码:A 文章编号:1008-8652(2019)01-062-04引用格式:周海进,马云柱,张思明,王嘉煜.一种Ku 波段固态功率放大模块的设计[J ].火控雷达技术,2019,48(1):62-65.DOI :10.19472/j.cnki.1008-8652.2019.01.013Design of a Ku-band Solid-state Power Amplifier ModuleZhou Haijin ,Ma Yunzhu ,Zhang Siming ,Wang Jiayu (Xi'an Electronic Engineering Research Institute ,Xi'an 710100)Abstract :In this paper ,design conception of a Ku-band solid-state power amplifier module is introduced.Compo-sition scheme of the power amplifier chain is described in detail.In addition ,design of a four-way hybrid divider /combiner network based on E-T waveguide branch and H-plane waveguide slot bridge is introduced in detail.Aphysical prototype has been fabricated and tested.Test results show that the proposed amplifier module can achieve a pulse output power of over 130W and a synthesis efficiency of over 90.2%within 14%relative bandwidth range of Ku band ,which proves the validity of the design.Keywords :Ku-band ;solid-state power amplifier module ;E-T waveguide branch ;H-plane waveguide slot bridge0引言固态功率放大模块是雷达、通信及导航系统中的核心部件,其发射功率的大小直接决定了系统的作用距离、抗干扰能力及通信质量。
Ku波段固态高速脉冲功率放大器的设计与实现

第31卷 第6期2008年12月电子器件Chinese J ournal Of Elect ron DevicesVol.31 No.6Dec.2008Design and Implementation of a K u 2B and Solid 2State H igh 2Speed Pulse Pow er AmplifierW A N G Chao ,C H EN X i ao 2g uang3(Depart ment of Communication Science and Engineering ,Fu dan Uni versit y ,S hanghai 200433,China )Abstract :A design scheme of Ku 2band solid 2state high 2speed p ulse power amplifier is presented.Driver cir 2cuit and bias circuit of GaAs P H EM T PA module are designed elaborately t hrough analysis of P H EM T module.Implementatio n of t he entire system and measured result s of major parameters is mainly given.Pulse rise time of t he power signal is 4ns and switching isolation is 70dB.G ood performance in modulation speed ,isolation and reliability proves t he feasibility of t he design.K ey w ords :p ulse power amplifier ;high speed ;gate 2cont rolled technology ;p ulse rise time ;P H EM T ;switc 2hing isolation EEACC :1220;2570Ku 波段固态高速脉冲功率放大器的设计与实现王 超,陈晓光3(复旦大学通信科学与工程系,上海200433)收稿日期:2008202229作者简介:王 超(19832),男,硕士生在读,主要研究方向为无线移动通信、RF 电路,cantone @ ;陈晓光(19642),男,副教授,硕士生导师,主要研究方向为无线移动通信、RF 技术,xgchen99@摘 要:提出一种Ku 波段固态高速脉冲功率放大器的设计方案。
Ku波段80 W固态功率合成放大器的设计

El e c t r o n i c S c i . &T e c h . / J u n . 1 5.2 0 1 4
K u波 段 8 0 W 固态 功 率 合 成 放 大 器 的设 计
张 娟 ,湛 婷 ,廖 原 ,宋志东
Z HANG J u a n, Z HAN T i n g ,L I AO Y u a n, S ONG Z h i d o n g
( S e v e n t h P r o f e s s i o n a l Di v i s i o n,X i ’ a n E l e c t r o n i c E n g i n e e i r n g R e s e a r c h I n s t i t u t e ,Xi ’ a n 7 1 0 1 0 0,C h i n a )
t h e i n t e g r a t i o n o f mo d u l e s . Ac c o r d i n g l y a h i g h e r p o we r o u t p u t i s r e a l i z e d o wi n g t o t h e h i g h d e n s e i n t e g r a t i o n. Th e
( 西安 电子工程研究所 专业 7部 ,陕西 西安 摘 要 7 1 0 1 0 0 ) 利用波导 电桥和微 带双探针设计 了一种 K u波段 8 0 W 固态功率放大 器。波导 电桥 用于提 高合成通道 间的
隔离度 ,波导 一 微 带双探针则可提 高模 块集成度 ,从 而 实现 了高密度集 成下的 大功 率输 出。该 功率放 大器在 1 3 . 5~ 1 4 . 5 G H z 频 率范围 内可实现 8 0 w 脉 冲功率输 出,且合成效率高于 8 l % ,附加效率 高于2 5 %。 关键词 波导 电桥 ;波导 一微 带双探针 ;固态功率放 大器
Ku频段内匹配微波功率场效应晶体管设计与实现的开题报告

Ku频段内匹配微波功率场效应晶体管设计与实现的开题报告摘要:本文主要介绍关于Ku频段内匹配微波功率场效应晶体管设计与实现的研究。
随着无线通信技术的发展,Ku频段的应用越来越广泛,然而缺乏高功率、高效率的Ku波段微波功率放大器限制了其应用的进一步发展。
因此,本文旨在研究对Ku频段内匹配的微波功率场效应晶体管进行优化设计,以提高功率放大器的性能和功率输出。
本文主要包括以下部分:首先介绍研究背景和意义,其次阐述相关理论知识,接着介绍所采用的设计方法,并讨论设计结果和实现过程。
最后对研究工作进行总结,提出未来的研究方向。
关键词:Ku频段,微波功率场效应晶体管,匹配,功率放大器Abstract:This paper mainly introduces the research on the design andimplementation of microwave power field effect transistor matching inKu band. With the development of wireless communication technology, the application of Ku band is becoming more and more extensive.However, the lack of high-power and high-efficiency Ku-bandmicrowave power amplifiers restricts the further development of itsapplication. Therefore, this paper aims to study the optimized design of microwave power field effect transistors matched in Ku band to improve the performance and power output of power amplifiers. This paper mainly includes the following parts: firstly, introduction of research background and significance, secondly, elaboration of relevant theoretical knowledge, then introduction of the design method adopted, and discussion of the design results and implementation process. Finally, the work is summarized and future research directions are proposed.Keywords: Ku band, microwave power field effect transistor,matching, power amplifier。
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3 设计过程
3.1 设计目标
Ku 频 段 放 大 器 的 设 计 指 标 如 下 。 工 作 频 率 :
低。通过分析,有以下几方面的原因:
1)传输线连接处的处理不够精细,对射频信号的影
响较大;
2)馈电高阻线的长度偏长,使输出功率最大频率点
偏低,需进行微调;
3)功放管的输入 / 输出阻抗非理想的 50 欧姆,级联
时有一定程度的失配,需适当调整匹配电路。
经过调试,输出功率和增益都有了明显的提高,测
试数据见表 4。
(下转第 56 页)
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通信对抗
2009 年第 2 期
Open and Closed Loop Amplitude Responses
dB(Vout_Open_Lp)
m1 freq=327.3kHz dB(Vout_Closed_Lp)=3.088
dB(Vout_Closed_Lp)
freq, Hz
关键词:微波功率放大器;腔体;偏置电路
De s ign of Ku Ba nd Microwa ve P owe r Amplifie r
YANG Xian-song
(No.36 Research Institute of CETC, Jiaxing, Zhejiang 314033, China)
Abstract: Microwave power amplifiers have wide applications in the fields of satellite communications, radar and electronic countermeasures. The design technology of solid- state microwave power amplifier is one of frontier- technologies in electronic countermeasures. Based on an example of the design of a Ku band power amplifier, the design method of utilizing a sealed power amplifying tube and the test results are represented in the paper.
5 电路制作和测试
设计完成后,就可以进行结构件和电路板的加工。 图 2 为结构装配示意图,上半部分为微波电路,下半部 分为电源电路。微波电路的腔体由管子压块分为了三个 腔,完成了信号输入和输出之间的空间隔离,提高了放 大电路的稳定性。
加电测试后的结果如表 3 所示。
dB(S(2,1)) dB(S(1,1))
本文通过一个 Ku 频段放大器的设计实例,介绍了 如何用封装的放大管来设计微波功率放大器,并给出了
收稿日期:2008-12-25
总第 106 期
杨贤松:Ku 频段微波功率放大器的设计
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试验结果。
2 设计要点
根据工作频率的不同,放大器设计的方法也不同。 在短波和超短波频段,工作波长远远大于放大器的几何 尺寸,因此电路都是用集中参数元件来设计,可以忽略 分布参数的影响。随着工作频率的提高,分布参数的影 响越来越大,到了 1GHz 以上,电路基本采用微带电路 的形式。而 Ku 频段的工作波长只有 20mm 左右,印制 板及盒体尺寸对电路性能的影响非常大,需要重点考 虑。在设计微波功率放大器时,有以下几点注意事项:
1)损耗小。在工作频带内呈现的纯电阻要小,且不 能使频带内的高频能量沿馈电电路泄漏出去;
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通信对抗
2009 年第 2 期
2)噪声小。电路尽量使用无耗网络,特别是在放大 器的前几级;
3)反射小。即对主传输线的附加驻波要小,有利于 放大电路的级联。
偏置电路有无源偏置和有源偏置两种电路形式,无 源偏置电路一般是由电阻、电容等无源元件及微带线构 成,结构简单。缺点是当工作温度变化较大时,功放管的 工作点会发生漂移,影响放大电路的性能。为了稳定工 作点,可以在偏置电路中加入 BJT 等有源器件,构成有 源偏置电路,但电路结构会复杂一些。一般功率放大器 都有较好的散热措施,而且微波电路的几何尺寸小,大 多使用无源的偏置电路。
14.5~15.5GHz;输入功率:10dBm;输出功率:5W;效率:15%。
根据设计要求,可以选择 EXCELICS 公司的 RF-
MA1216- 2W 和 EID1416- 8 作为放大器件,其技术参数
如表 1 所示。
表 1 放大管型号参数
型号
RFMA1216- 2W EID1416- 8
工作频率 (GHz)
l,a,b,并满足 l>a>b 的条件[1]。产生串联谐振的条件为:
l
= pλg0 /2 =
p 2
λ0 姨1- (λ0 /λc)2
(1)
其中,λ0 为谐振波长,λg0 为对应于谐振波长的波导波
长,λc 为截止频率。
姨姨 姨 姨 姨 姨 姨 λ0 =
2
n a
2
+
m b
2
+
p l
2
(2)
式(2)表明,矩形腔的谐振波长除了决定于腔体尺
12.5~15.5 14~16
输出功率 (dBm)
33 39.5
增益 (dB)
28 6
工作电压 (V)
7 10
由表 1 可知,两管级联后输出功率为 39dBm,增益 34dB。为提高放大器的稳定性,在输入、输出及中间各加一 个隔离器,每个隔离器的损耗约为 0.5dB。这样,放大器的最 终输出功率为 38dBm,总增益 32.5dB,符合设计要求。
3.5 电源电路设计
一般微波频段的放大管都是用 GaAs 场效应管,工作 电压 10V 左右,栅极加负偏压。其加电次序为:上电时先栅 极加负偏压,再漏极加正电压;断电时则相反。如果加电次 序不对,又没有限流措施,就会烧毁功放管。因此电源电路 的设计是微波放大器设计中的一个重要组成部分。
能实现加电时序控制的电路有多种,设计者可根据 需要选择合适的电源电路。200来自 年第 2 期 ·总第·106 期
通信对抗 COMMUN通ICATIO信N COU对NTERM抗EASURES
No.2 2009 2009 年Su第m.21期06
Ku 频段微波功率放大器的设计
杨贤松
(中国电子科技集团公司第三十六研究所,浙江嘉兴 314033)
摘 要:微波功率放大器在卫星通信、雷达、电子对抗等领域有着广泛的应用,固态微波功放的设 计技术属于电子对抗的前沿技术之一。通过一个 Ku 频段放大器的设计实例,介绍了如何用封装的放 大管来设计微波功率放大器,并给出了试验结果。
Keywords: microwave power amplifier; cavity; bias circuit
1 引言
微波功率放大器是卫星通信、雷达、电子对抗等系 统中的主要设备,伴随着半导体技术的不断发展,新材 料、新工艺的运用,使用微波晶体管作为放大器件的固 态微波功放技术已日趋成熟。固态微波放大器相对于行 波管放大器具有小体积、高线性、高可靠性及低噪声等 优点,因此将固态放大前级和行波管末级进行组合,是 目前大功率微波放大器的主要设计形式。如在现代大 功率雷达系统中,放大器的前级基本采用了固态放大电 路,既满足了高增益、低噪声等指标要求,又因固态放大 电路体积小,不需要高压电源,可以减小发射机的体积; 而末级行波管可以输出很大的功率。在相控阵雷达系统
本设计选用法国 Neltec SA 公 司 的 NY9220- 0015
偏置电路,又称为馈电电路,是微波电路设计中的 重要一环。特别是到了 C 波段以上后,功放管基本上是 内匹配到 50 欧姆,可以在 50 欧姆系统中进行直接的级 联。因此,微波电路的设计在很大程度上是偏置电路的 设计。偏置电路的设计应满足以下要求:
中应用的 MPM 模块,则是将固态激励和小型化的电真 空器件封装在一起成为一个基本放大单元,可以在宽频 带范围内输出百瓦级的功率。
微波功率管是固态放大电路的核心器件,其内部由 多个管芯合成并进行封装。到 Ku 频段以上,封装对管 子性能的影响越来越大,放大器大多采用微波单片集成 电路(MMIC)来设计。尽管 MMIC 体积更小,但对电路的 设计及加工工艺有很严格的要求,如微组装工艺、金丝 焊接工艺等,而国内的许多厂所并不具备这些条件。因 此在输出功率不大的情况下,用封装的功率管来设计放 大器是个不错的选择。
16×8×32(2 个) 10.5 13.3 19.3 21 19.3 21
由表 2 可见,在工作频段 14.5~15.5GHz 范围内没有谐 振频率点,离工作频率最近的谐振频率模式为 TE102 模。
3.2 选择电路基板
3.4 偏置电路设计
电路基板是微波信号的传输媒介,其物理特性对放 大电路的性能有直接的影响。电路基板的参数主要有: 介电常数、介质损耗、介质均匀度、介质及铜表面的光洁 度等。微波信号因其波长短,对介质的要求很高。一般国 产印制板的特性不如进口的材料,特别是在介质均匀性 和光洁度方面,推荐使用欧美厂家的成熟产品。
寸 a、b、l 外,还决定于 n、m、p,每一组 n、m、p 值代表一
种震荡模式。理论上矩形腔有无穷多个震荡模式,设计
时应使腔体的最低谐振频率高于工作频率。
在 15GHz 时,为提高最低谐振频率,矩形腔的宽边
长要小于 9mm,工程实现上存在困难。此时只有降低谐
振频率,但必须保证各次谐振频率不落在工作频带之