电子技术基础试题库
电工电子技术试题库
电工电子技术试题库（电路分析部分）单项选择题（选择正确的答案, 将相应的字母填入题内的括号中。
每题2.0分）1.欧姆定律适合于（）A.非线性电路B.线性电路、C.任何电路答案: B题型: 单选2.基尔霍夫定律包括（）个定律。
A.1B.2C.3答案: B题型: 单选3.支路电流法是以（）为求解对象。
A. 节点电压B.支路电流C.电路功率答案: B题型: 单选4.用一个电动势和内阻串联表示的电源称为（）。
A.电压源B.电流源C.受控源答案: A题型: 单选5.用一个电激流和内阻并联表示的电源称为（）。
A.电压源B.电流源C.受控源答案: B题型: 单选6.恒流源可以等效为恒压源（）A.正确B.不正确答案: B题型: 单选9、电位是指电路中某点与（）之间的电压。
A.任意点B.参考点C.地答案: B题型: 单选10、确定交流电有（）要素。
A.1B.2C.3答案: C题型: 单选11.频率是反映交流电变化的（）。
A.位置B.快慢C.大小答案: B题型: 单选12.相位是反映交流电变化的（）A.位置B.快慢C.大小答案: A题型: 单选13.幅度是反映交流电变化的（）A.位置B.快慢C.大小答案: C题型: 单选14.相量只能表示交流电的有效值（或最大值）和（）。
A.相位B.频率C.初相位答案: C题型: 单选题型: 单选26.线电压的有效值是（）V。
A.220B.380C.510答案: B题型: 单选27、相电压的有效值是（）V。
A.220B.380C.510答案: A题型: 单选28、三相电源相电压之间的相位差是120°, 线电压之间的相位差是（）。
A.60°B.90°C.120°答案: A题型: 单选29、负载星形连接时（）。
A. B. C.不一定答案: B题型: 单选30、负载三角形连接时（）。
A. B. C.不一定答案: A题型: 单选31.电容元件是（）元件。
电子技术基础与技能试题库+参考答案
电子技术基础与技能试题库+参考答案一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、数码寄存器的输入、输出方式为A、并行输入、并行输出B、串行输入、串行输出C、串行输入、并行输出D、并行输入、串行输出正确答案：A2、在相同的时钟脉冲作用下，同步计数器与异步计数器比较，前者的工作速度A、较慢B、一样C、不确定D、较快正确答案：D3、二极管正极电位为9V，负极电位为5V，则该管处于A、零偏B、正偏C、击穿D、反偏正确答案：B4、如果三极管的基极电流是40μA ，集电极电流是2mA ，则三极管的电流放大系数为A、20B、50C、200D、500正确答案：B5、逻辑电路中，低电平应A、低于B、低于C、高于D、高于正确答案：A6、在三个输入量只有1个为1或3个全为1时，输出为1，实现这一功能的组合逻辑电路是A、奇校验器B、数据比较器C、编码器D、加法器正确答案：A7、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的漂移电压就越A、和放大倍数无关B、小C、大D、以上都不对正确答案：C8、半导体中导电的载流子是A、电子B、离子C、电子和空穴D、空穴正确答案：C9、描述放大器对信号电压的放大能力，通常使用的性能指标是A、功率放大倍数B、电流放大倍数C、电压放大倍数D、电流增益正确答案：C10、当七段共阳数码管当abcdefg分别为0110000，则显示为A、3B、6C、ED、b正确答案：C11、下列叙述中正确的是A、十进制数11用8421BCD码表示为1001B、8421BCD码0001表示的十进制数为2C、8421BCD码0111比十进制数5大D、8421BCD码0011比二进制数10小正确答案：C12、用不同数制的数字来表示十进制数2007，位数最少的是A、八进制数B、十六进制数C、二进制数D、十进制数正确答案：B13、甲乙类功放电路最大理想效率为A、60%B、75%C、50%D、78.5%正确答案：D14、十进制数5转换为二进制数为A、110B、101C、011D、100正确答案：B15、把射极输出器用作多级放大器的中间级，是利用它的A、有一定的电流和功率放大能力B、输出阻抗低C、电压跟随特性好，使放大性能稳定D、输入阻抗高正确答案：C16、下列关于电容滤波电路的叙述中，正确的是A、电路的滤波，利用了电容器的B、电路的滤波，利用了电容器的C、电容器充电时，输出电压下降；D、电容量C越大，滤波效果越差。
电子技术基础试题及答案10套
电子技术基础试题及答案10套1.PN结具有单向导电特性。
2.晶体三极管的电流放大系数一般随温度的增加而增大。
3.射极输出器放在中间级可以兼用它的输入电阻大和输出电阻小的特点，起阻抗变换作用。
4.阻抗匹配是指只有当负载电阻RL和信号源的内阻rs相等时，负载获得的功率最大的现象。
5.运算放大器的输出是一种具有深度负反馈高增益的多级直流放大器。
6.功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有甲类功放、乙类功放和甲乙类功放电路。
7.甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量偏流IBQ，以减少交越失真。
8.带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由采样电路、基准电源、比较放大电路和调整元件四个部分组成。
9.逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、逻辑加和逻辑非。
10.主从触发器是一种能防止空翻现象的实用触发器。
选择题：1.若晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该晶体二极管处于正偏。
2.当晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏时，当基极电流减小时，集电极电流减小。
3.某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数为A^3V。
4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是保证电路满足振幅平衡条件。
5.甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是有交越失真。
6.有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是7.5V。
7.为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流。
9、二进制数1011的十进制表示为11.10、在逻辑电路中，与门的输出只有当所有输入都为1时才为1，否则为0.二、简答题(每题5分，共25分)1、什么是放大电路的增益？如何计算放大电路的增益？答：放大电路的增益是指输出信号与输入信号之间的比值。
电子技术基础复习试题与答案
一、选择题：
1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( )
(A)掺入杂质的浓度、(B)材料、(C)温度
2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( )
(A)放大状态 、(B)饱和状态、(C)截止状态
3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( )
28．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A2A1A0=110时，输出 应为______。
29．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM， 该ROM有______根地址线。
30．能够实现“线与”的TTL门电路叫______。
31．差分放大电路，若两个输入信号uI1=uI2，则输出电压，uO=0； 若 u I1=100V，u I2=80V则差模输入电压uId=20V；共模输入电压uIc=90V。
参考答案
一、选择题：1、C2、C3、C4、B5、C6、C7、C8、B9、B10、A
11、C12、B13、B14、C15、B16、A17、C18、A19、C
20、C21、A22、C23、B24、A25、A
二、填空题：1、自由电子、空穴2、单向导电
3、发射结正偏、集电结反偏4、差动
5、φA +φF=2nπ（n=0、1、2……） 、AF=1
(1)静态工作点IB，IC，UCE；
(2)电压放大倍数Au。
5．已知如图VＣＣ=12V，RB=100KΩ，RW=400KΩ，RC＝4KΩ，β＝37.5，
当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 （设UBE= 0 ）。 （10分）
7．写出下图输出与输入的关系表达式：
《电工电子技术基础》试题库(附有答案)
一、填空题1. 已知图中 U1＝2V, U2＝-8V, 则UAB＝ -10 。
2. 电路的三种工作状态是通路、断路、短路。
3. 有三个6Ω的电阻, 若把它们串联, 等效电阻是 18 Ω；若把它们并联, 等效电阻 2Ω；若两个并联后再与第三个串联, 等效电阻是 9 Ω。
4. 用电流表测量电流时, 应把电流表串联在被测电路中；用电压表测量电压时, 应把电压表与被测电路并联。
5. 电路中任意一个闭合路径称为回路；三条或三条以上支路的交点称为节点。
6．电路如图所示, 设U=12V、I=2A、R=6Ω, 则UAB= -24 V。
7. 直流电路如图所示, R1所消耗的功率为2W, 则R2的阻值应为 2 Ω。
8. 电路中电位的参考点发生变化后, 其他各点的电位均发生变化。
9. 在直流电路中, 电感可以看作短路 , 电容可以看作断路。
9. 我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。
10. 三相对称负载作三角形联接时, 线电流IL与相电流IP间的关系是: IP＝ IL。
11. 电阻元件是耗能元件, 电容元件是储能元件。
12. 已知一正弦电压u=311sin(628t-60º)V, 则其最大值为 311 V, 频率为 100 Hz, 初相位为 -60º。
13．在纯电阻交流电路中, 已知电路端电压u=311sin(314t-60º)V, 电阻R=10Ω, 则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0º , 电阻消耗的功率P= 4840 W。
14．三角形联结的三相对称负载, 若线电压为380 V, 则相电压为 380 V；若相电流为10 A, 则线电流为 17.32 A。
15. 式QC=I2XC是表示电容元件在正弦电路中的无功功率计算公式。
16. 正弦交流电压的最大值Um与其有效值U之比为。
17. 电感元件是一种储能元件, 可将输入的电能转化为磁场能量储存起来。
18. 若三相电动势依次达到最大值的次序为e1—e2—e3, 则称此种相序为正序。
电子技术基础试题库及参考答案
电子技术基础试题库及参考答案试卷一一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共13小题，总计34分)1、(本小题2分)由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为 ( )。
(a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门2、(本小题2分)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。
(a) 正、反向电阻相等(b) 正向电阻大，反向电阻小(c) 反向电阻比正向电阻大很多倍(d) 正、反向电阻都等于无穷大3、(本小题2分)运算放大器电路如图所示，RF1和RF2均为反馈电阻，其反馈极性为 ( ) 。
(a) RF1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈(b) RF1和RF2引入的均为负反馈(c) RF1和RF2引入的均为正反馈(d) RF1引入的为负反馈，RF2引入的为正反馈4、(本小题2分)振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在（）。
(a) O 点(b) A 点(c) B 点(d) C 点5、(本小题2分)电容三点式振荡电路如图所示，其振荡频率为（）。
(a)fL C C C Co ≈+121212π()(b) fLC CC Co≈+121212π()(c) fLC CC Co≈+11212()6、(本小题2分)整流电路如图所示，直流电压表V（内阻设为无穷大）的读数均为90 V，二极管承受的最高反向电压为141 V 的电路是下列图中（）。
7、(本小题2分)若晶闸管的控制电流由小变大，则正向转折电压（）。
(a) 由大变小 (b) 由小变大(c) 保持不变8、(本小题2分)某数/模转换器的输入为8 位二进制数字信号（D7 ~ D0），输出为 0~ 的模拟电压。
若数字信号的最低位是“1”其余各位是“0”，则输出的模拟电压为( )。
(a) (b) (c)9、(本小题3分)电路如图所示，已知U CC＝12V，RC＝3k，β＝40且忽略U BE,若要使静态时U C E＝9V，则R B应取（）。
电子技术基础考试试题及参考答案
B电子技术基础考试试题及参考答案试题一、填空题 （每空 1 分，共 30 分）1. 硅二极管的死区电压为 V ，锗二极管的死区电压为V 。
2. 常用的滤波电路主要有 、 和 三种。
3. 晶体三极管的三个极限参数为 、 和 。
4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小 ，相位 的信号电压。
5. 互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为 电路，并有 通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为 电路，输出直接连接负载，而不 需 要 。
6.功率放大器主要用作 ，以供给负载 。
7. 集成稳压电源 W7905 的输出电压为 伏。
8. 异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为 0，另一个为 1 时，输出为 ；而两个输入端均为 0 或均为 1 时，输出为 。
9．(1111)2+(1001) 2=( ) 2 (35)10=( ) 2(1010) 2–(111)2=( ) 2 (11010)2=( ) 10(1110)2×(101) 2=( ) 2 10. 逻辑函数可以用 、 、 等形式来表示。
11. 组合逻辑电路包括 、 、 和加法器等。
二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“× 。
全打“√”或全打“×”不给分。
每小题 1 分，共 10 分） ” 1. 放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。
（ ） 2. 小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大 RI 减小， 从而使工作点下降到所需要的位置。
（ ）3. 对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。
（ ）4. 交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。
（ ）5. 同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。
（ ）6. 只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。
（ ）7. 多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。
（ ）8. TTL 集成电路的电源电压一般为 12 伏。
电子技术试题及答案
电子技术试题及答案一、选择题1. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可放大D. 可滤波答案：B2. 在数字电路中，逻辑“与”门的输出为高电平时，输入条件是什么？A. 所有输入均为高电平B. 至少有一个输入为高电平C. 至少有一个输入为低电平D. 所有输入均为低电平答案：A二、填空题1. 电子电路中，_______ 是指电路中电流的流动方向不随时间变化的电流。
答案：直流电2. 在半导体材料中，_______ 是指在室温下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。
答案：半导体三、简答题1. 请简述什么是晶体管的放大作用？答案：晶体管的放大作用是指利用晶体管的电流控制特性，将输入的微弱信号电流放大成较大的输出电流，从而实现信号放大的功能。
2. 什么是数字信号？请简述其特点。
答案：数字信号是一种用数字形式表示的信号，其特点是离散的，即信号的取值是离散的，而非连续的。
数字信号具有抗干扰能力强、易于存储和传输等优点。
四、计算题1. 假设有一个串联电路，电阻R1=100Ω，R2=200Ω，总电压U=300V，请计算通过R1的电流I1。
答案：首先计算总电阻R_total = R1 + R2 = 100Ω + 200Ω =300Ω。
根据欧姆定律，电流I = U / R_total = 300V / 300Ω = 1A。
由于是串联电路，通过R1的电流I1等于总电流I，即I1 = 1A。
2. 一个数字逻辑电路中，有一个逻辑“或”门，输入A和B，当A=1，B=0时，求输出Y的值。
答案：根据逻辑“或”门的真值表，当A=1，B=0时，输出Y为1。
五、论述题1. 论述集成电路的发展对电子技术的影响。
答案：集成电路的发展极大地推动了电子技术的革新。
通过将多个电子元件集成在一个小型的硅芯片上，集成电路不仅减小了电子设备的体积和重量，还提高了电路的可靠性和性能。
此外，集成电路的广泛应用降低了生产成本，促进了电子设备在各个领域的普及。
电子技术试题和答案解析(
《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳 3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。
一、填空题：第一章半导体二极管○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。
Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。
○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。
Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。
○5、PN结具有单向导电特性。
○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。
Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类；○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。
★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。
○10、硅二极管导通时的正向管压降约 0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。
Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。
★12、发光二极管将电信号转换为光信号。
★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。
第二章半导体三极管及其放大电路○15、三极管是电流控制元件。
○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。
★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。
Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。
★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。
Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小 .Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 100 。
电子技术基础测试题(含答案)
电子技术基础测试题（含答案）一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真A、交越B、截止。
C、饱和。
正确答案：C2、与门的逻辑功能是。
A、全高为高。
B、部分高为高。
C、全低为高。
正确答案：A3、射极跟随器的特点是。
A、输入电阻大，输出电阻小。
B、输入电阻小，输出电阻大。
C、输入电阻大，输出电阻大。
正确答案：A4、JK触发器具有（）种逻辑功能。
A、4B、2C、3正确答案：A5、三极管的反向电流ICBO是由（）组成的。
A、多数载流子B、少数载流子。
C、多数载流子和少数载流直。
正确答案：B6、稳压电源是一种将交流电转化成稳定直流电的电路。
A、✔B、×正确答案：A7、多谐振荡器是一种无稳态触发器。
A、×B、✔8、为使电路输入电阻高，输出电阻低，应引入（）A、电流并联负反馈。
B、电流串联负反馈。
C、电压串联负反馈。
正确答案：C9、TTL器件输入脚悬空相当于输入（）电平A、负B、高C、低正确答案：B10、将二进制数1111011写成八进制数应是（）A、173B、1323C、177正确答案：A11、组合逻辑电路的输出与电路的原状态（）A、有关B、无关C、不一定正确答案：A12、PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（）A、既有多数载流子又有少数载流子。
B、少数载流子。
C、多数载流子。
正确答案：C13、逻辑代数运算于普通代数运算结果（）A、有的相同，有的不相同。
B、不想同C、相同正确答案：A14、集成运放在开环情况下，一定工作在非线性区。
A、×B、✔15、数字电路比模拟电路抗干扰能力（）A、强B、相同C、差正确答案：A16、同步二进制计数器一般由t触发器组成。
A、×B、✔正确答案：B17、在由运放组成的电路中运放工作在非线性状态的电路是。
（）A、电压比较器。
B、差值放大器。
C、反相放大器。
正确答案：A18、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真A、截止。
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１电子技术基础(模拟篇)第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。
A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。
A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ）A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。
5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。
A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。
A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。
A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。
A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同12. 在25ºC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35ºC 时，下列哪组数据可能正确：（ ）。
A U th≈0.525V，I S≈0.05pAB U th≈0.525V，I S≈0.2pAC U th≈0.475V，I S≈0.05pAD U th≈0.475V，I S≈0.2pA二、判断题1. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）2.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
（）3.二极管在工作频率大于最高工作频率f M时会损坏。
（）4.二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。
（）5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）6.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）7.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。
（）三、填空题1.当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度，因而少子漂移而形成的反向电流，二极管反向伏安特性曲线移。
2.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。
3.二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
4.在本征半导体中掺入价元素得N型半导体，掺入价元素则得P型半导体。
5. PN结在时导通，时截止，这种特性称为。
6.光电二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。
7.发光二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。
8.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。
9.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中是可逆的，而会损坏二极管。
10.半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。
11.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子为。
12. PN结正偏是指P区电位N区电位。
13.温度升高时，二极管的导通电压，反向饱和电流。
14.普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。
15.构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的方能实现稳压。
16.纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。
17.在PN结形成过程中，载流子扩散运动是作用下产生的，漂移运动是作用下产生的。
18. PN结的内电场对载流子的扩散运动起作用，对漂移运动起作用。
19.发光二极管通以就会发光。
光电二极管的随光照强度的增加而上升。
20.硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的。
２３四、计算分析题1. 电路如图（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝4V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。
试分别画出u O1和u O2的波形。
(a)(b)(c)2. 已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝3mA ，最大值I ZM ＝20mA ，试问下面电路中的稳压管能否正常稳压工作，U O1和U O2各为多少伏。
(a)(b)3. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o 。
设二极管的导通压降为0.7V 。
o(c)(d)o4. 已知稳压管的稳定电压U Z = 6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA ，最大功耗P ZM =150mW 。
试求稳压管正常工作时电阻R 的取值范围。
+－O４5. 如图所示电路中，发光二极管导通电压U D ＝1V ，正常工作时要求正向电流为5～15mA 。
试问： （1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？（2）R 的取值范围是多少？+V DD R VS6. 二极管双向限幅电路如图所示，设tV u i ωsin 10=，二极管为理想器件，试画出输出u i 和u o 的波形。
7. 电路如图所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，常温下U T ≈26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV ，试问二极管中流过的交流电流有效值是多少？Ci D8. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o 。
设二极管的导通压降为0.7V 。
５Vo(a)V(b)o9. 电路如图（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，设二极管导通电压可忽略。
试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值。
V 2u ou I1u I2+5V（a ）u I1/V u I2/V 50.350.3tt（b ）10. 下图所示电路中，稳压管的稳定电压Uz = 12V ，图中电压表流过的电流忽略不计，试求：（1）当开关S 闭合时，电压表V 和电流表A1、A2的读数分别为多少？ （2）当开关S 断开时，电压表V 和电流表A1、A2的读数分别为多少？U i R 2ΩS11. 电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A 点的电位。
设二极管的正向压降为0.7V 。
500Ω2k V６12. 电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A 点的电位。
设二极管的正向压降为0.7V 。
R1R 2I DV +10V 3k Ω10k ΩR 32k Ω第二章 半导体三极管一、单选题1. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。
A. NPN 管和PNP 管B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管D. 三极管和二极管2. 放大电路如图所示，已知三极管的05=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定3. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。
A. 增强型PMOSB. 增强型NMOSC. 耗尽型PMOSD. 耗尽型NMOS4. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ，则此时三极管工作于（ ） 状态。
A. 饱和B. 截止C. 放大D. 无法确定5. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
７A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定 6. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。
A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定7. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。
A. mA 10,V 3C CE ==I UB. mA 40,V 2C CE ==I UC. mA 20,V 6C CE ==I UD. mA 2,V 20C CE ==I U8. 下面的电路符号代表（ ）管。
A. 耗尽型PMOSB. 耗尽型NMOSC. 增强型PMOSD. 增强型NMOS9. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。
A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>10. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。
A.C B E I I I +=B. B C I I β≈C. CEO CBO I I )1(β+=D. βααβ=+11. （ ）情况下，可以用H 参数小信号模型分析放大电路。
A. 正弦小信号B. 低频大信号C. 低频小信号D. 高频小信号12. 场效应管本质上是一个（ ）。
A 、电流控制电流源器件B 、电流控制电压源器件C 、电压控制电流源器件D 、电压控制电压源器件二、判断题1. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。
８2. I DSS 表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS =0时的漏极电流。
3. 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN 结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
4. 三极管工作在放大区时，若i B 为常数，则u CE 增大时，i C 几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。
5. 对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H 参数小信号模型替代。
6. 三极管的C 、E 两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C 、E 两个电极互换使用。
7. 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
8. 双极型三极管由两个PN 结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。
9. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。
10. 分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。