三极管和场效应管 练习题2
三极管练习题
第二章 基本放大单元电路一、填空题1、三极管具有电流放大作用的内部条件是：（ 基区 ）区很薄；（ 发射 ）区的多数载流子浓度很高；（ 集电 ）区的面积较大。
2、三极管具有放大作用的外部条件是：（ 发射 ）结正向偏置；（集电 ）结反向偏置。
3、三极管电流放大作用是指三极管的（ ）电流约是（ ）电流的β倍，即利用（ ）电流来控制（ ）电流。
4、某个放大电路的对数电压增益为40dB ，换算成电压放大倍数为（ ）倍；另一个放大电路的电压放大倍数为150倍，换算成对数电压增益应是（ ）dB 。
5、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入3K的负载电阻后，输出电压降为3V ，则该放大电路的输出电阻R o =（ ）KΩ。
6、FET 管属于（ ）控制器件；BJT 管则可以认为是（ ）控制器件。
7、已知某基本共射放大电路V 6V ,V 4R I CEQ 'L CQ ==，现在输入一个正弦信号，若逐渐增大信号的幅度，首先出现的失真是（ ）；若要使该电路具有最大的动态范围应使（ ）=（ ）。
8、单管共射放大电路、三极管的输出特性曲线、直流和交流负载线如下图所示。
根据图填空回答下列问题：V o-+-+V CCR bR c R LV i C 1 C 2 0μA10μA 20μA 30μA 40μA i B =50μAi C (mA)v CE (V)1 2 3 4 5 6（1）电源电压VCC=（）；（2）静态集电极电流ICQ =（）；静态管压降VCEQ=（）；（3）集电极负载电阻RC =（），负载电阻RL=（）；（4）放大电路输出最大不失真正弦电压有效值约为（）；（5）当输入信号幅度逐渐增大时，将首先出现（）失真现象；（6）要使放大电路不出现失真，基极正弦电流的振幅应小于（）。
9、判断下列说法是否正确，正确的在括号中画√，错误的画x。
（1）利用微变等效电路可以方便地分析计算小信号输入时三极管的静态工作点。
（）（2）三极管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故与静态工作点无关。
三极管试题及答案
三极管试题及答案一、选择题1. 三极管的三个主要极是发射极、基极和______。
A. 集电极B. 栅极C. 门极D. 源极答案：A2. 在NPN型三极管中，基极电流增加时，集电极电流的变化趋势是______。
A. 减少B. 增加C. 不变D. 先增加后减少答案：B3. 三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对______电流的控制。
A. 基极B. 发射极C. 集电极D. 栅极答案：C二、填空题4. 三极管的工作原理是基于______效应。
答案：PN结5. 在三极管放大电路中，基极与发射极之间的电压称为______电压。
答案：正向偏置三、判断题6. 三极管可以工作在截止、饱和和放大三种状态。
（）答案：正确7. 所有的三极管都可以用作开关。
（）答案：错误四、简答题8. 简述三极管放大电路的基本工作原理。
答案：三极管放大电路的基本工作原理是利用三极管的电流放大作用，通过控制基极电流，实现对集电极电流的放大。
当基极电流增加时，由于基极与集电极之间的电流放大倍数（β值），集电极电流也会相应增加，从而达到放大信号的目的。
9. 什么是三极管的饱和状态？答案：三极管的饱和状态是指在三极管的集电极与发射极之间电压达到最大值，使得集电极电流达到最大，此时三极管的放大作用达到极限，无法进一步放大信号。
五、计算题10. 已知NPN型三极管的β值为100，基极电流为20μA，求集电极电流。
答案：根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，集电极电流IC = 100 * 20μA = 2mA。
六、分析题11. 某三极管放大电路的基极电流为50μA，若要使集电极电流增加到5mA，需要调整基极电流到多少？答案：首先，根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，可以求出基极电流IB = IC / β。
已知IC为5mA，β值未知，设β值为X，则有5mA = 50μA * X。
解得X = 100。
因此，基极电流需要增加到50μA * 100 = 5mA。
三极管复习题及答案
三极管复习题及答案三极管是电子技术中常用的一种器件，广泛应用于放大、开关和稳压等电路中。
它由三个掺杂不同材料的半导体区域组成，分别是基区、发射区和集电区。
三极管的工作原理是基于PN结的导电特性，通过控制基区的电流来控制发射区和集电区之间的电流。
在学习三极管的过程中，我们需要通过复习题来巩固所学的知识。
下面是一些常见的三极管复习题及其答案，希望对大家的学习有所帮助。
1. 什么是三极管的放大倍数？答：三极管的放大倍数是指集电极电流变化与基极电流变化之间的比值。
一般用β表示，也叫做电流放大倍数或直流放大倍数。
2. 三极管的三个区域分别是什么？答：三极管的三个区域分别是基区、发射区和集电区。
其中，基区位于发射区和集电区之间，发射区连接基区和集电区。
3. 三极管的工作原理是什么？答：三极管的工作原理是基于PN结的导电特性。
当基极电流为零时，三极管处于截止状态，没有集电极电流。
当基极电流大于零时，三极管处于饱和状态，有较大的集电极电流。
4. 什么是共射放大电路？答：共射放大电路是一种常见的三极管放大电路，也是最常用的一种。
在共射放大电路中，输入信号与基极之间串联，输出信号与集电极之间并联。
5. 三极管的工作状态有哪些？答：三极管的工作状态分为截止状态、饱和状态和放大状态。
截止状态下，三极管的集电极电流为零；饱和状态下，三极管的集电极电流较大；放大状态下，三极管的集电极电流受到基极电流的控制。
6. 三极管的常见应用有哪些？答：三极管在电子技术中有广泛的应用。
它可以用于放大电路、开关电路、振荡电路、稳压电路等。
例如，三极管可以用于放大音频信号，使得声音更加清晰；它还可以用于开关电路，控制其他器件的开关状态。
通过对这些复习题的学习，我们可以更好地理解和掌握三极管的工作原理和应用。
同时，我们也要多做一些实际的电路设计和调试，加深对三极管的理解。
当然，除了以上的复习题，还有很多其他的问题和知识点需要我们去学习和掌握。
三极管练习题
晶体三极管一、填空题（40分）1、半导体三极管按结构分为型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。
2、三极管放大作用的实质是是电流对电流的控制作用。
3、三极管的三个管脚电流关系是，直流电流放大系数β的定义式是。
4、三极管处于正常放大状态，硅管的V BE约为V,锗管的V BE约为。
5、三极管的输出特性曲线可分为、和三个区域。
6、三极管的微小变化，将会引起的较大变化，这说明三极管具有放大作用。
7、当U CE不变时，和之间的关系曲线称为三极管的输入特性曲线；当I B一定时，和之间的关系曲线称为三极管的输出特性曲线。
8、硅三极管发射结的死区电压约V，锗三极管死区电压约V。
晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为V，锗管约为V。
9、当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区；发射结、集电结或时工作在饱和区；发射结或、集电结时，工作在截止区。
10、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管。
11、三极管的极限参数分别是、和。
12、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
二、判断题（5分）1、三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。
（）2、为使晶体三极管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。
（）3、无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。
（）4、对于某晶体三极管的I B=10μA时，I C=0.44mA;当I B=20μA时，I C=0.89mA，则它的电流放大系数为45。
（）5、已知某三极管的射极电流I E=1.36 mA，集电极电流I C=1.33mA，则基极电流I B=30μA。
（）三、选择题（30分）1、三极管是一种（）的半导体器件。
A 电压控制B电流控制C既是电压又是电流控制2、三极管的（）作用是三极管最基本和最重要的特性。
A、电流放大B、电压放大C、功率放大D、电压放大和电流放大3、三极管的伏安特性是指它的（）。
(完整)三极管习题汇总,推荐文档
两种类型，均具有两个 PN 结，即______和______。
3. NPN 型三极管三个极电位分别有 VC=3.3V，VE=3V，VB=3.7V，则该管工作在（ ）
3.放大电路中，测得三极管三个电极电位为 U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是______类型管子，
A．饱和区
B．截止区
7. 工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从 10 微安变化到 22 微安时，集电极电流从 1 毫安变为 6. 有万用表测得 PNP 晶体管三个电极的电位分别是 VC=6V，VB=0.7V，VE=1V 则晶体
2.1 毫安，则该三极管的 β 约为
；α 约为
。
管工作在（ ）状态。
8. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为 U1=-9V，U2=-6V，U3=-6.2V，则电极
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的是（ ）。
A. UCE 3V, IC 10mA C. UCE 6V, IC 20mA
B. UCE 2V, IC 40mA D. UCE 20V, IC 2mA
12. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（
）。
A. IE IB IC
B. IC IB
C. ICBO (1 )ICEO
-8V
+7.1V
+5V
+3.5V
-3V
+6.9V
+5V
①②③
2. 某放大电路中，三极管三个电极的电流如图所示，测得 IA=2mA，IB=0.04m A，IC=2.04mA，
则电极 为基极， 为集电极，
三极管练习题
11三极管练习题一、填空题：1．晶体管工作在饱和区时发射结 偏；集电结 偏。
2．三极管按结构分为_ 和 两种类型，均具有两个PN 结，即______和______。
3.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U 1=6.5V ,U 2=7.2V ,U 3=15V ，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。
4．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。
5.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
6．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。
二、选择题：1.有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。
A 、 放大B 、截止C 、饱和D 、损坏 2、三级管工作在截止区，要求（ ）A 、发射结正偏，集电结正偏B 、发射结正偏，集电结反偏C 、发射结反偏，集电结正偏D 、发射结反偏，集电结反偏 3. NPN 型三极管三个极电位分别有V C =3.3V ，VE =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ）A ．饱和区B ．截止区C ．放大区D ．击穿区4.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ）A V C =0.3V ，V E =0V ， VB =0.7V B VC =-4V ， V E =-7.4V ，V B =-6.7V C V C =6V ， V E =0V ， V B =-3VD V C =2V ， VE =2V ， V B =2.7V 5.如果三极管工作在饱和区，两个PN 结状态（ ）A ．均为正偏B ．均为反偏C ．发射结正偏，集电结反偏D ．发射结反偏，集电结正偏6. 有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。
电子电路技术 考研习题及其详解 第4章 半导体二极管、三极管和场效应管
一、选择题(6小题,共10.0分)(02 分)1.从括号中选择正确答案，用A、B、C、…填空。
在纯净半导体中掺入三价硼元素后，形成____（A．P型B．N型）半导体；其导电率（C．增大，D．减小，E．不变）；这种半导体的多数载流子是____，少数载流子是____ （F．空穴，G．自由电子）。
(01 分)2.选择正确的答案用A、B、C填空。
随着温度升高，晶体管的电流放大系数____，穿透电流____，在I B不变的情况下b-e结电压U BE____。
（A．增大，B．减小，C．不变）(02 分)3.选择正确的答案用A、B、C…填空。
随着温度升高，晶体管的共射正向输入特性曲线将_______________，输出特性曲线将_______________，输出特性曲线的间隔将_______________。
（A．上移，B．下移，C．左移，D．右移，E．增大，F．减小，G．不变）(01 分)4.用“大”、“小”填空：场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流_____；绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的____。
二、是非题(3小题,共6.0分)(02 分)1.判断以下说法的正误，用√表示正确，用×表示错误。
1．晶体三极管具有两个PN结，因此把两个二极管反向串联起来，也能具有放大能力。
（）2．测出某晶体管的共基电流放大系数小于1，表明该管子没有放大能力。
（）3．由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。
（）(02 分)2.判断以下说法的正误，在相应括号内画√表示正确，画×表示错误。
1．场效应管的优点是有很高的输入电阻和很低的输出电阻。
（）2．绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的小。
（）3．耗尽型绝缘栅场效应管的栅极静态电流比增强型绝缘栅场效应管的小。
（）(02 分)3.判断下列说法的正、误，在相应的括号内画√表示正确，画×表示错误。
三极管试题及答案
三极管试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 三极管的三个极分别是：A. 基极、发射极、集电极B. 基极、阴极、阳极C. 基极、发射极、阴极D. 基极、阳极、集电极答案：A2. NPN型三极管的基极电压相对于发射极电压：A. 必须高于B. 必须低于C. 可以相等D. 无要求答案：A3. 三极管放大作用的实质是：A. 电流放大B. 电压放大C. 功率放大D. 电阻放大答案：C4. 在三极管的三种工作状态中，放大状态的特点是：A. 基极电流变化引起集电极电流变化B. 基极电流变化引起发射极电流变化C. 基极电流变化引起基极电流变化D. 基极电流变化引起阳极电流变化答案：A5. 要使三极管工作在放大区，其基极电流与发射极电流的关系是：A. 基极电流大于发射极电流B. 基极电流小于发射极电流C. 基极电流等于发射极电流D. 基极电流与发射极电流无关答案：B6. 三极管的放大倍数β表示的是：A. 基极电流与集电极电流的比值B. 基极电流与发射极电流的比值C. 发射极电流与集电极电流的比值D. 集电极电流与基极电流的比值答案：D7. 三极管的饱和区是指：A. 基极电流很小，集电极电流很大B. 基极电流很大，集电极电流很小C. 基极电流很小，集电极电流很小D. 基极电流很大，集电极电流很大答案：D8. 为了减小三极管的热稳定性，可以采取的措施是：A. 增加基极电流B. 降低基极电流C. 增加集电极电流D. 降低集电极电流答案：B9. 三极管的截止状态是指：A. 基极电流为零B. 基极电流很大C. 集电极电流为零D. 集电极电流很大答案：A10. 三极管的开关特性是指：A. 三极管可以作为开关使用B. 三极管可以作为放大器使用C. 三极管可以作为整流器使用D. 三极管可以作为稳压器使用答案：A二、填空题（每题2分，共10分）1. 三极管的放大作用是通过______来实现的。
答案：基极电流控制集电极电流2. 在三极管的放大区，基极电流与集电极电流的比值称为______。
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三极管和场效应管 练习题2
一、单选题(每题1分)
1. 场效应管本质上是一个（ ）。
A 、电流控制电流源器件
B 、电流控制电压源器件
C 、电压控制电流源器件
D 、电压控制电压源器件
2. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止
B. 饱和
C. 放大
D. 无法确定
3. 放大电路如图所示，已知三极管的05=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止
B. 饱和
C. 放大
D. 无法确定
4. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。
A. mA 10,V 3C CE ==I U
B. mA 40,V 2C CE ==I U
C. mA 20,V 6C CE ==I U
D. mA 2,V 20C CE ==I U
5. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。
A. 增强型PMOS
B. 增强型NMOS
C. 耗尽型PMOS
D. 耗尽型NMOS 6. （ ）情况下，可以用H 参数小信号模型分析放大电路。
A. 正弦小信号
B. 低频大信号
C. 低频小信号
D. 高频小信号
7. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。
A.C B E I I I +=
B. B C I I β≈
C. CEO CBO I I )1(β+=
D. βααβ=+ 8. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ，则此时三极管工作于（ ） 状态。
A. 饱和
B. 截止
C. 放大
D. 无法确定
9. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。
A. 放大
B. 截止
C. 饱和
D. 无法确定
10. 下面的电路符号代表（ ）管。
A. 耗尽型PMOS
B. 耗尽型NMOS
C. 增强型PMOS
D. 增强型NMOS
11. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。
A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>
B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>
C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>
D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>
12. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。
A. NPN 管和PNP 管
B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管
C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管
D. 三极管和二极管
二、判断题(每题1分)
1. 对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H 参数小信号模型替代。
2. 分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。
3. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。
4. 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN 结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
5. 三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交流分析时可视为开路。
6. 三极管的C 、E 两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C 、E 两个电极互换使用。
7. 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
8. I DSS 表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS =0时的漏极电流。
9. 双极型三极管由两个PN 结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。
10. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。
11. 场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。
12. 三极管工作在放大区时，若i B 为常数，则u CE 增大时，i C 几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。
三、填空题(每题2分)
1. 工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安时，集电极电流从1毫安变为
2.1毫安，则该三极管的β约为 ；α约为 。
2. 当u gs =0时，漏源间存在导电沟道的称为 型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为 型场效应管。
3. 场效应管具有输入电阻很 、抗干扰能力 等特点。
4. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ，U 2=-6V ，U 3=-6.2V ，则电极 为基极， 为集电极， 为发射极，为 型管。
5. 场效应管是利用 效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。
6. β反映 态时集电极电流与基极电流之比；β反映 态时的电流放大特性。
7. 三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。
8. 当温度升高时，三极管的参数β会 ，CBO I 会 ，导通电压会 9. 对三极管放大电路进行直流分析时，工程上常采用 法或 法。
10. 用于构成放大电路时，双极型三极管工作于 区；场效应管工作于 区 。
11. _______通路常用以确定静态工作点； 通路提供了信号传输的途径。
12. 某三极管的极限参数mA 20CM =I 、mW 100CM =P 、V 20(BR)CEO =U 。
当工作电压V 10CE =U 时，工作电流I C 不得超过 mA ；当工作电压V 1CE =U 时， I C 不得超过_____ mA ；当工作电流mA 2C =I 时， U CE 不得超过 V 。
13. 场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。
14. 双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种，它们的符号分别_______和
15. 某放大电路中，三极管三个电极的电流如图所示，测得I A =2mA ，I B =0.04m A ，I C =2.04mA ，则电极 为基极， 为集电极， 为发射极；为 型管；=β 。
16. 三极管工作在放大区时，发射结为 偏置，集电结为 偏置。
17. 硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于 状态。
四、计算分析题(每题5分)
1. 场效应管电路如图所示，已知)mV (sin 20i t u ω=，场效应管的mS 58.0m =g 试求该电
路的交流输出电压u o 的大小。
2. 场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出U GS （off ）、I DSS ；对于增强型管求出U GS （th ）。
3. 场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出U GS （off ）、I DSS ；对于增强型管求出U GS （th ）。
4. 图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B 、I C 、U CE 的值，判断三极管工作在什么状态。
5. 三极管电路如图所示，已知三极管的80=β， U BE （on ）=0.7V ，r bb´=200Ω，输入信号
)mV (sin 20s t u ω=,电容C 对交流的容抗近似为零。
试：
（1）计算电路的静态工作点参数I BQ 、I CQ 、U CEQ ；（2）画出电路的微变等效电路，求u BE 、i B 、i C 和u CE 。
6.图中三极管均为硅管，试求各电路中的I C、U CE及集电极对地电压U O。
7.图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B、I C、U CE的值，判断三极管工作在什么状态。
8.三极管电路如图所示，已知β=100，U BE（on）=0.7V，试求电路中I C、U CE的值。
9.图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B、I C、U CE的值，判断三极管工作在什么状态。
10.场效应管的输出特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出U GS（off）、I DSS；对于增强型管求出U GS（th）。