A09T,AO9T场效应管三极管PL4009
6r190e6场效应管参数
6r190e6场效应管参数
场效应管（FET）是一种三端器件，它可以用来放大电信号、作为开关以及其他电路应用。
在选择和使用场效应管时，有几个重要的参数需要考虑。
1. 饱和漏-源电压（VDS(sat)），这是场效应管在导通状态下的漏-源电压。
它可以影响场效应管的导通特性和功耗。
2. 负载线性区漏-源电压（VDS(off)），这是场效应管在负载线性区的漏-源电压。
它可以影响场效应管的放大特性和线性范围。
3. 饱和漏-源电流（ID(sat)），这是场效应管在饱和状态下的漏-源电流。
它可以影响场效应管的开关速度和功率损耗。
4. 转导电导（gm），这是场效应管的跨导值，表示了输入信号变化对输出电流的影响。
它可以影响场效应管的放大特性和频率响应。
5. 输入电阻（Rin），这是场效应管的输入电阻，影响着输入信号的损耗和匹配。
6. 输出电导（rd），这是场效应管的输出电导，影响着输出信号的损耗和匹配。
以上是一些常见的场效应管参数，它们在不同的应用场景中都扮演着重要的角色。
在选择场效应管时，需要根据具体的电路需求和性能指标来综合考虑这些参数。
希望这些信息对你有所帮助。
d407场效应管参数
d407场效应管参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，根据其导电方式可分为耗尽型和增强型。
场效应管具有高输入电阻、低噪声、低失真等优点，广泛应用于放大、开关、调制、功率输出等电路。
一、场效应管的基本概念与分类1.耗尽型场效应管（Diffusion-controlled FET）：以电子扩散为主要导电机制，栅极电流几乎不控制漏极电流。
2.增强型场效应管（Gate-controlled FET）：以栅极电流控制漏极电流，栅极电流越大，漏极电流越大。
二、场效应管的主要参数及其意义1.漏极电流（ID）：在一定栅极电压下，漏极电流与栅极电压的关系。
2.阈值电压（Vt）：场效应管从截止区进入线性区的工作电压。
3.跨导（gm）：场效应管在截止区和线性区之间的电流增益。
4.输入电阻（Rin）：栅极输入电阻，影响信号传输失真。
5.输出电阻（Rout）：漏极输出电阻，影响负载驱动能力。
三、常见场效应管型号及应用领域1.MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）：广泛应用于放大、开关、调制等领域。
2.JFET（结型场效应管）：适用于高频、低噪声放大器。
3.IGBT（绝缘栅双极型晶体管）：用于高电压、大电流、高速度的电力电子装置。
四、场效应管的选购与使用注意事项1.根据电路需求选择合适的场效应管类型（耗尽型或增强型）。
2.选择合适的阈值电压、跨导等参数，以满足电路性能要求。
3.考虑场效应管的输入和输出电阻，影响电路的稳定性和驱动能力。
4.注意场效应管的工作温度范围、功耗和封装尺寸等指标。
5.使用时，注意栅极电压和电流的幅值，避免过电压、过电流等损坏现象。
总之，场效应管作为一种重要的半导体器件，在电子电路设计中具有广泛的应用。
f9530n场效应管参数
F9530N场效应管参数1. 简介场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常用的电子器件，它具有高输入阻抗、低噪声、低失真和高增益等特点。
F9530N是一种常见的场效应管型号，本文将对其参数进行详细介绍和解析。
2. 参数说明F9530N是一种N沟道增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor），其参数包括静态和动态参数。
下面将分别对这些参数进行详细说明。
2.1 静态参数静态参数是指在直流工作条件下场效应管的性能指标，主要包括： - 雅各布斯损耗（Junction-to-Body Schottky Diode Forward Voltage）：Vf - 阈值电压（Gate Threshold Voltage）：Vgs(th) - 静态漏极电流（Static Drain Current）：Idss - 静态漏源电压（Static Drain-Source Voltage）：Vds - 静态源极电流（Static Source Current）：Iss - 静态源极电压（Static Source-Body Voltage）：Vsb2.2 动态参数动态参数是指在交流工作条件下场效应管的性能指标，主要包括： - 输入电容（Input Capacitance）：Ciss - 输出电容（Output Capacitance）：Coss - 反馈电容（Feedback Capacitance）：Crss - 开关时间（Switching Time）：tf、tr - 负载电容（Load Capacitance）：Cl3. 参数解析3.1 雅各布斯损耗（Vf）雅各布斯损耗是指场效应管的源极与基极之间的二极管的正向电压。
F9530N的Vf一般为0.8V，该参数影响场效应管的导通特性和功耗。
3.2 阈值电压（Vgs(th)）阈值电压是指场效应管导通的临界电压，当栅极电压超过阈值电压时，场效应管开始导通。
nce3095k场效应管参数
nce3095k场效应管参数摘要：1.场效应管的基本概念与分类2.场效应管的主要参数及其作用3.3095k场效应管的特性与应用4.场效应管的选型与使用注意事项正文：一、场效应管的基本概念与分类场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种根据半导体材料的电荷载流子导电的晶体管。
它主要有两种分类：金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和增强型金属氧化物半导体场效应管（Emitter Coupled Logic，ECL）。
二、场效应管的主要参数及其作用1.阈值电压（Vth）：在场效应管的输入端电压大于阈值电压时，管子进入截止状态；小于阈值电压时，管子进入导通状态。
2.电流放大系数（β）：在场效应管导通状态下，输出电流与输入电流之比。
β值越大，放大效果越好。
3.输入阻抗（Zi）：场效应管的输入阻抗较高，可以减小信号源的内阻干扰。
4.输出阻抗（Zo）：场效应管的输出阻抗较低，可以提高负载驱动能力。
5.功耗（Pd）：在场效应管工作过程中，功耗与电流、电压有关。
合理选择参数可降低功耗。
三、3095k场效应管的特性与应用3095k场效应管是一种常用的MOSFET，具有较低的阈值电压、较高的电流放大系数和较低的功耗。
它广泛应用于放大、开关、振荡、电源管理等电路。
四、场效应管的选型与使用注意事项1.根据电路需求选择合适的场效应管类型，如MOSFET或ECL。
2.选择合适的阈值电压，以满足工作电压要求。
3.考虑电流放大系数，确保放大效果。
4.注意场效应管的功耗和热设计，确保其在高温环境下的稳定性。
5.使用时，注意防止静电击穿，避免损坏场效应管。
6.合理选择电路布局和元件参数，以减小相互干扰，提高电路的稳定性。
总之，场效应管作为一种重要的半导体器件，在电子电路设计中具有广泛的应用。
59n30场效应管参数
59n30场效应管参数摘要：1.场效应管的基本概念与分类2.场效应管的主要参数及其作用3.59n30场效应管的特性与应用4.59n30场效应管的优缺点分析5.如何选择合适的59n30场效应管正文：场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种根据半导体材料的电荷载流子浓度调节电流的半导体器件。
它具有高输入电阻、低噪声、低失真等特点，广泛应用于放大、开关、调制、功率输出等电路。
根据导体通道的材质和结构，场效应管可分为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、绝缘层场效应管（IGFET）、增强型和耗尽型等不同类型。
在众多场效应管中，59n30场效应管是一种常见的功率场效应管，具有较高的电流密度和优异的稳定性。
它的主要参数包括：1.漏极电流（ID）：在一定栅极电压下，漏极电流与栅极电压之间的关系。
59n30场效应管的漏极电流较小，有利于降低功耗。
2.阈值电压（Vth）：场效应管从截止区进入线性区的工作电压。
59n30场效应管的阈值电压较低，有利于实现高精度放大和开关控制。
3.跨导（gm）：表示场效应管在一定栅极电压下，漏极电流与栅极电流之间的比例关系。
59n30场效应管具有较高的跨导，可以实现高速响应和低失真度。
4.输入电阻（Rin）：场效应管输入端的电阻。
59n30场效应管具有较高的输入电阻，可以减小外部干扰对电路性能的影响。
59n30场效应管在实际应用中具有以下优点：1.低噪声：59n30场效应管的噪声较低，有利于提高电路的信号传输质量。
2.高频响应：59n30场效应管具有较高的跨导和较低的阈值电压，可以实现高速响应。
3.线性度好：59n30场效应管的线性度较好，有利于实现高精度放大和控制。
4.稳定性好：59n30场效应管具有较高的电流密度和稳定性，有利于长时间运行。
然而，59n30场效应管也存在一定的局限性，如易受温度、电压等环境因素影响，以及栅极漏极电容较大等。
因此，在选择59n30场效应管时，应充分考虑其适用场景和性能要求。
场效应管二三极管参数
场效应管二三极管参数135********陈先生专业二三级管及MOS管07N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS 55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N135********陈先生专业二三级管及MOS管6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片135********陈先生专业二三级管及MOS管A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各一A0D405 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N 高压板MOS管贴135********陈先生专业二三级管及MOS管A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。
场效应管的作用、规格及分类
场效应管的作用、规格及分类1.什么叫场效应管？FET是Field-Effect-Transistor的缩写,即为场效应晶体管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。
然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。
2. 场效应管的工作原理：(a) JFET的概念图(b) JFET的符号图1(b)门极的箭头指向为p指向 n方向，分别表示内向为n沟道JFET，外向为p沟道JFET。
图1（a）表示n沟道JFET的特性例。
以此图为基础看看JFET的电气特性的特点。
首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS =0）。
在此状态下漏极-源极间电压VDS 从0V增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区。
VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。
此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS 表示。
与此IDSS 对应的VDS 称为夹断电压VP ，此区域称为饱和区。
其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方向增加，ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少，对某VGS 值ID =0。
将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS (off)示。
n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID=0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。
关于JFET为什么表示这样的特性，用图作以下简单的说明。
场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的I，用以门D"。
d9n40场效应管参数
d9n40场效应管参数摘要：I.场效应管简介A.场效应管的基本结构B.场效应管的工作原理II.d9n40 场效应管参数A.导电类型B.漏极电压C.源极电压D.耗尽模式和增强模式E.静态阻尼比F.最大漏极电流G.最大耗散功率III.d9n40 场效应管应用领域A.电源管理B.放大器C.逻辑电路D.射频电路IV.d9n40 场效应管的优缺点A.优点1.高输入阻抗2.低噪声3.低失真B.缺点1.耗散功率较低2.工作温度范围有限正文：场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种根据栅极电压控制漏极电流的半导体器件。
它具有高输入阻抗、低噪声和低失真等优点，广泛应用于电源管理、放大器、逻辑电路和射频电路等领域。
本文将重点介绍d9n40 场效应管的参数及其应用。
d9n40 场效应管是一种双极型晶体管（BJT）的替代产品，具有更高的性能和更小的体积。
它的基本结构包括源极、漏极和栅极三个端口。
通过改变栅极电压，可以控制漏极电流的大小。
d9n40 场效应管有两种导电类型，分别是N-沟道和P-沟道，分别适用于不同的应用场景。
d9n40 场效应管的参数包括导电类型、漏极电压、源极电压、耗尽模式和增强模式等。
其中，导电类型决定了器件的导电性能；漏极电压和源极电压则是器件的工作电压；耗尽模式和增强模式则影响了器件的工作模式。
此外，d9n40 场效应管还具有静态阻尼比、最大漏极电流和最大耗散功率等参数，这些参数决定了器件的性能和应用范围。
在应用领域方面，d9n40 场效应管可以广泛应用于电源管理、放大器、逻辑电路和射频电路等领域。
例如，在电源管理领域，它可以用于开关电源、线性稳压器等；在放大器领域，它可以用于音频放大器、射频放大器等；在逻辑电路领域，它可以用于各种逻辑门、寄存器等；在射频电路领域，它可以用于无线通信、射频识别等。
总之，d9n40 场效应管具有诸多优点，如高输入阻抗、低噪声和低失真等，使其成为高性能电子设备的理想选择。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
Symbol
Typ Max 659085125R θJL 4360Maximum Junction-to-Lead C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics Parameter
Units Maximum Junction-to-Ambient
A
t ≤ 10s R θJA °C/W Maximum Junction-to-Ambient A
Steady-State °C/W
Symbol
Min Typ
Max
Units BV DSS 30
V 1T J =55°C
5I GSS 100nA V GS(th)0.7 1.1
1.4
V I D(ON)
30
A 22.828T J =125°C
323927.333m Ω
43.352
m Ωg FS 10
15S V SD 0.71
1V I S
2.5
A C iss 823
1030pF C oss 99pF C rss 77pF R g
1.2 3.6ΩQ g 9.7
12nC Q gs 1.6nC Q gd 3.1nC t D(on) 3.3
5ns t r 4.87ns t D(off)26.340ns t f 4.16ns t rr 1620ns Q rr
8.9
12nC
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
Gate resistance
V GS =0V, V DS =0V, f=1MHz
Turn-Off Fall Time
Maximum Body-Diode Continuous Current
Input Capacitance Output Capacitance Turn-On DelayTime DYNAMIC PARAMETERS I F =5A, dI/dt=100A/µs
V GS =0V, V DS =15V, f=1MHz SWITCHING PARAMETERS Total Gate Charge V GS =4.5V, V DS =15V, I D =5.8A
Gate Source Charge Gate Drain Charge Turn-On Rise Time Turn-Off DelayTime V GS =10V, V DS =15V, R L =2.7Ω, R GEN =3Ω
m ΩV GS =4.5V, I D =5A I S =1A,V GS =0V V DS =5V, I D =5A
R DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage
I DSS µA Gate Threshold Voltage V DS =V GS I D =250µA V DS =24V, V GS =0V
V DS =0V, V GS =±12V Zero Gate Voltage Drain Current Gate-Body leakage current Electrical Characteristics (T J =25°C unless otherwise noted)STATIC PARAMETERS Parameter
Conditions Body Diode Reverse Recovery Time
Body Diode Reverse Recovery Charge I F =5A, dI/dt=100A/µs
Drain-Source Breakdown Voltage On state drain current
I D =250µA, V GS =0V V GS =2.5V, I D =4A
V GS =4.5V, V DS =5V V GS =10V, I D =5.8A
Reverse Transfer Capacitance A: The value of R θJA is measured with the device mounted on 1in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The value in any given application depends on the user's specific board design. The current rating is based on the t ≤ 10s thermal resistance rating.
B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.
C. The R θJA is the sum of the thermal impedence from junction to lead R θJL and lead to ambient.
D. The static characteristics in Figures 1 to 6,12,14 are obtained using 80 µs pulses, duty cycle 0.5% max.
E. These tests are performed with the device mounted on 1 in 2
FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The SOA curve provides a single pulse rating. Rev 4 : June 2005。