经典三极管与场效应管的比较
浅谈“三极管与场效应管的对比”学习
浅谈“三极管与场效应管的对比”学习作者：李德亮来源：《读写算·基础教育研究》2016年第10期对于很多电子技术爱好者来说，要能正确地应用三极管和场效应管是不容易的，笔者从四个方面帮助初学者学习三极管和场效应管。
1.导流成分不同场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件.2.分类与符号三极管分为NPN型和PNP型；而场效应管则分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管（简称MOS管），而结型场效应管和绝缘栅型场效应管又可分别分为N沟道NPN三极管输入输出特性曲线对于NPN型三极管，C、B、三个电极的点位必须符合：UC>UB>UE；对于PNP型三极管，电源的极性与NPN型相反，应符合UC>UB>UE。
N沟道结型场效应管特性曲线P沟道结型场效应管特性曲线与N沟道结型场效应管特性曲线相反N沟道耗尽型MOS管特性曲线P沟道耗尽型MOS管特性曲线与N沟道耗尽型MOS管特性曲线相反P沟道增强型MOS管特性曲线N沟道增强型MOS管特性曲线P沟道增强型MOS管特性曲线与N沟道增强型MOS管特性曲线相反只要弄清楚三极管及场效应管的输入输出特性曲线，就可以正确的选用了。
4.怎样用万用表测量（1）三极管的测量三极管的管脚必须正确辨认，否则，接入电路不但不能正常工作，还可能烧坏晶体管。
己知三极管类型及电极，指针式万用表判别晶体管好坏的方法如下：万用表测小功率管时，一般选用R*100或R*1K挡；测大功率管时，可选用R*10挡。
首先判别管型找出基极。
以黑表笔为准，红表笔分别接另外两个管脚，如果测得两个组织均较小，则该管为NPN型，黑笔所接为基极；如果两次组织均较大，则该管为PNP型，黑表笔所接仍是基极。
基极找出后，第二步找集电极。
假设一脚为集电极C，管型是NPN型，将黑表笔接C，红表笔接发射极E，然后用手捏住基极和集电极（两级不能相碰），通过人体电阻，相当于B、C两极之间接入偏置电阻，观察指针偏转情况并记下偏转位置，再将两表笔交换极性，重复上述过程，则偏转角度大的一次黑笔所接脚为集电极。
场效应管与三极管特性比较
电流（基极电流或发 射极电流）
电压（栅-源电压）
电流控制电流源
电压控制电流源
42场/73
管型
效 比较内容 应
管 载流子类型
双极结型三极管
场效应管
多子扩散，少子漂移， 双 极 型 载 流 子 共 同 导 单极性载流子导电。
与
电。
三 输入电阻
发射结电阻较小
栅源两端电阻近似无穷大
极 管脚倒置使用情 集电极C和发射极E一 源极S和漏极D一般可以倒置
型、 P沟道增强型、P沟道耗尽型四种类型。增强型不存在
原始导电沟道，uGS只在单一极性或正或负工作；而耗尽型 存在原始沟道，uGS可正可负。 2. 场效应管是单极型电压控制器件，具有输入电阻高，一 般可达109。
制作单位：北京交通大学电子信息工程学院 《模拟电子技术》课程组
管
况 温度特性
特 静电影响
般不可倒置使用 参数受温度影响大 不易受静电影响
使用。 参数受温度影响小 易受静电影响
性 噪声
较大
小
比 驱动能力
强
较弱
较 集成能力
易大规模集成
更易大规模集成
功耗
较大
较小
43/73
小结
1. 场效应管种类很多，主要有结型和绝缘栅场效应管。 结型有N沟道和P沟道两种， 栅源必须加反偏压才能 工作，如N沟道在uGS<0下工作， P沟道在uGS>0下工作。 绝缘栅场效应管MOSFET有N沟道增强型、 N沟道耗尽
场效应管与三极管特性比较
41场/73
管型
效 比较内容 应
管
与
三 种类 极
管
特
性 比 输入控制源
较 控制关系
场效应管和三极管的区别以及生产厂家介绍
场效应管和三极管的区别以及生产厂家介绍相信很多初学者在进行电路设计时，都曾经遇到过一个选择难题：三极管和场效应管选哪个更好一些呢？其实无论是三极管还是场效应管，它们都有自己的优势，也有各自的弊端，在今天的文章中，华强北IC代购网将会对这两种管子的优缺点和区别，展开简要分析。
场效应管和三极管工作原理区别尽管场效应管和三极管功能相近，场效应管也是由三极管衍生出来的，但是两者的工作原理是有所区别的。
具体如下：1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与；2、场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换。
场效应管和三极管的应用区别就目前三极管和场效应管的应用情况来看，它们两者主要有以下四种区别：1、三极管是用电流控制，场效应管属于电压控制；2、从成本上看，三极管要比场效应管便宜；3、在功耗方面，与场效应管相比，三极管损耗更大一些；4、最后一种区别就是两者的驱动能力不同，由于场效应管常用应用在开关电路上，因此场效应管的驱动能力要比三极管的好。
相关参数比较表生产厂家介绍1、ROHMRohm是在系统LSI以及最新半导体技术是首屈一指的主导企业，以“用不坏的零件”为目标，实现了世界最高质量和可靠性。
产品包括大规模集成电路、模块、光学元件、模块组件、分立元件、无源元件等。
2、Toshiba东芝半导体，拥有先进的加工技术，高精度的产品开发能力以及对全球客户在宽带设备销售方面的经验，将东芝定位于全球半导体市场的持续领导地位。
产品齐全,公司经营主要有TLP光藕系列。
3、ON Semiconductor安森美半导体(ON Semiconductor，其高能效电源和信号管理、逻辑、分立及定制方案阵容，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战。
场效应管和三极管的比较总结
场效应管和三极管的比较总结场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。
三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。
场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。
场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，但这都是相对的。
电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。
就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。
1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换；5、场效应管的频率特性不如三极管；6、场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级；7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。
场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）的简称。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。
普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。
场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。
在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。
经典三极管与场效应管的 比较
第2章晶体三极管和场效应管教学重点1．掌握晶体三极管的结构、工作电压、基本连接方式和电流分配关系。
2．熟练掌握晶体三极管的放大作用；共发射极电路的输入、输出特性曲线；主要参数及温度对参数的影响。
3．了解MOS管的工作原理、特性曲线和主要参数。
教学难点1．晶体三极管的放大作用2．输入、输出特性曲线及主要参数学时分配2.1晶体三极管晶体三极管：是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。
特点：管内有两种载流子参与导电。
2.1.1一、晶体三极管的基本结构1．三极管的外形：如图2.1.1所示。
2．特点：有三个电极，故称三极管。
3．三极管的结构：如图2.1.2所示。
图2.1.1 三极管外形晶体三极管有三个区――发射区、基区、集电区；两个PN结――发射结(BE结)、集电结(BC结)；三个电极――发射极e(E)、基极图2.1.2 三极管的结构图b(B)和集电极c(C)；两种类型――PNP型管和NPN型管。
工艺要求：发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区体积大且掺杂少。
二、晶体三极管的符号晶体三极管的符号如图2.1.3所示。
箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。
文字符号：V三、晶体三极管的分类1．三极管有多种分类方法。
按内部结构分：有NPN型和PNP型管；按工作频率分：有低频和高频管；按功率分：有小功率和大功率管；图2.1.3 三极管符号按用途分：有普通管和开关管；按半导体材料分：有锗管和硅管等等。
2．国产三极管命名法：见《电子线路》P249附录二。
例如：3DG表示高频小功率NPN型硅三极管；3CG表示高频小功率PNP型硅三极管；3AK表示PNP型开关锗三极管等。
2.1.2 三极管的工作电压和基本连接方式一、晶体三极管的工作电压三极管的基本作用是放大电信号；工作在放大状态的外部条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。
图2.1.4 三极管电源的接法如图2.1.4所示：V为三极管，G C为集电极电源，G B为基极电源，又称偏置电源，R b为基极电阻，R c为集电极电阻。
常用场效应管与三极管参数
常用场效应管与三极管参数一、场效应管（MOSFET）场效应管是一种基于场效应原理工作的半导体器件。
它具有高输入阻抗、低输出阻抗和良好的高频响应。
场效应管有N沟道和P沟道两种类型。
常用的N沟道场效应管为N-沟道金属氧化物半导体场效应管（NMOS），而常用的P沟道场效应管为P-沟道金属氧化物半导体场效应管（PMOS）。
1. 阈值电压（Vth）- 阈值电压是场效应管的一个重要参数。
它指的是在场效应管的控制电压达到一定程度时，导电性开始有效的电压。
对于NMOS，控制电压高于阈值电压时，NMOS将开启，并使电流通过。
而对于PMOS，控制电压低于阈值电压时，PMOS将开启，并使电流通过。
2. 饱和电流（IDsat）- 饱和电流是场效应管导通时的最大电流。
当场效应管被完全点通时，达到饱和电流的最大值。
它决定了场效应管的能力和性能。
3. 导通电阻（Ron）- 导通电阻指的是场效应管在线性区域时的等效电阻。
导通电阻越小，线性区域的电流控制能力越强。
4. 最大漏极-源极电压（Vdsmax）- 最大漏极-源极电压是场效应管可以承受的最大电压。
超过这个电压，场效应管可能损坏。
5. 输出电容（Coss）- 输出电容是场效应管的一种内部电容。
它与频率响应和开关速度有关。
较大的输出电容可能导致电压上升和下降的延迟。
6. 开关时间（ton、toff）- 开关时间指场效应管从关闭到打开的时间和从打开到关闭的时间。
开关时间越短，场效应管的开关速度越快。
7.漏极电流-漏极电压特性（Id-Vd）-这个特性曲线描述了场效应管的非线性特性。
在不同的漏极电压下，漏极电流的变化将给出场效应管的工作区域。
二、三极管（BJT）三极管是一种基于电流控制原理工作的半导体器件。
它由基极（B）、发射极（E）和集电极（C）三个区域组成。
常见的三极管有NPN和PNP两种类型。
1.饱和电流增益（β）-饱和电流增益是指集电极电流与基极电流之间的比率。
它决定了三极管的放大能力。
场效应管与三级管的比较
场效应管与三级管的比较：1）场效应管是电压控制元件，而三级管是电流控制元件；2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称为单极性器件，而三级管既有多子，也有少子导电，称之为双极性器件；3）场效应管灵活性比三级管好；4）场效应管的制造工艺更适合于集成电路。
发表于2007-5-30 05:23 资料个人空间短消息加为好友MOS,场效应管,三极管.区别场效应管。
它是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，它不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入电阻很高，它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。
场效应管是靠一种极性的载流子导电，它又被称为单极性三极管，它分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）张先生管理员UID 3847精华8积分93131 帖子7799 经验77814 点人气96 点阅读权限200注册2007-3-24来自陕西咸阳状态在线#4发表于2007-5-30 05:48 资料个人空间短消息加为好友MOS = 金属氧化物绝缘栅半导体F ET=场效应管MOS管= 场效应管的一种，目前最常见的。
其原理是由电场改变沟道宽度，从而改变漏源电阻，或者说电场控制漏源电阻。
还可以分P型沟道和N沟道，增强型和匮乏型。
三极管= 利用PN结的原理做成，分为NPN型，PNP型[本帖最后由张先生于2007-5-30 06:46 编辑]MOS,场效应管,三极管.区别他们是不是都是由三极管组成的，还是另外的芯片,能给我发个对应主板上的图片看看吗??我是刚开始学维修的，这两天看论坛我快被这三个管弄疯了,2007-5-30 05:22 张先生先看[url]/viewthread.php?tid=5144[/url]2007-5-30 05:23 黄定宇MOS,场效应管,三极管.区别场效应管。
它是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，它不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入电阻很高，它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。
三极管和场效应管
4.极管和场效应管的比较可以归纳以下几点：一、在三极管中，空穴和自由电子都参与导电，称为双极型器件，用BJT表示；而场效应管只有多子导电，称为单极型器件，用FET表示。
由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响，在环境变化剧烈的条件下，选用FET比较合适。
这也就是我们通常所说的场效应管比较稳定的原因。
二、在放大状态工作时，三极管发射结正偏，有基极电流，为电流控制器件，相应的输入电阻较小，约103Ω；FET在放大状态工作时无栅极电流，为电压控制器件，输入电阻很大，JFET的输入电阻大于107Ω，MOS管的输入电阻大于109Ω。
三、场效应管的源极和漏极在结构上对称，可以互换使用(但应注意，有时厂家已将MOS 管的源极与衬底在管内已经短接，使用时就不能互换)。
对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零，使用时比较灵活。
三极管的集电极和发射极一般不能互换使用。
四、在低电压小电流状态下工作时，FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关。
五、MOS管工艺简单，功耗小，适合于大规模集成。
三极管的增益高，非线性失真小，性能稳定。
在分立元件电路和中、小规模集成电路中，三极管仍占优势。
六、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化，场效应管的转移特性按平方规律变化，因此场效应管的非线性失真比三极管的非线性失真大。
七、场效应管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路，由于场效应管的栅极无电流，所以输入电阻R'i≈∞。
跨导gm比三极管的小一个数量级，gm我们可以用转移特性求导得到.三极管的一些特殊用法扩流把一只小功率可控硅和一只大功率三极管组合，就可得到一只大功率可控硅，其最大输出电流由大功率三极管的特性决定，见附图1。
图2为电容容量扩大电路。
利用三极管的电流放大作用，将电容容量扩大若干倍。
这种等效电容和一般电容器一样，可浮置工作，适用于在长延时电路中作定时电容。
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第2章晶体三极管和场效应管教学重点1 •掌握晶体三极管的结构、工作电压、基本连接方式和电流分配关系。
2 •熟练掌握晶体三极管的放大作用；共发射极电路的输入、输出特性曲线；主要参 数及温度对参数的影响。
3•了解MOS 管的工作原理、特性曲线和主要参数。
教学难点1 •晶体三极管的放大作用2 •输入、输出特性曲线及主要参数学时分配序号内 容 学时1 2.1晶体三极管 42 2.2场效应管43 本章小结与习题4本章总课时82.1晶体三极管晶体三极管：是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。
特点：管内有两种载流子参与导电。
2.1.1三极管的结构、分类和符号一、晶体三极管的基本结构1 •三极管的外形：如图 2.1.1所示。
2 •特点：有三个电极，故称三极管。
3•三极管的结构：如图2.1.2所示。
晶体三极管有三个区一一发射区、 基区、集电区；两个PN 结一一发射结（BE 结）、集 电结（BC 结）；三个电极一一发射极 e （ E ）、基极图2.1.2三极管的结构图图2.1.1三极管外形雄対箱革极集电姑坯射纬UK 堆电紬b(B)和集电极c(C)；两种类型一一PNP 型管和NPN 型管。
工艺要求：发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区体积大且掺杂少。
二、 晶体三极管的符号 晶体三极管的符号如图 2.1.3所示。
箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。
文字符号：V三、 晶体三极管的分类1 .三极管有多种分类方法。
按内部结构分：有 NPN 型和PNP 型管； 按工作频率分：有低频和高频管； 按功率分：有小功率和大功率管； 按用途分：有普通管和开关管； 按半导体材料分：有锗管和硅管等等。
2 .国产三极管命名法：见《电子线路》 P 249附录二。
例如：3DG 表示高频小功率 NPN 型硅三极管；3CG 表示高频小功率 PNP 型硅三极 管；3AK 表示PNP 型开关锗三极管等。
2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式一、晶体三极管的工作电压 三极管的基本作用是放大电信号； 工作在放大状态的外部条件是发射结加正向电压,集电结加反向电压。
如图2.1.4所示：V 为三极管，G C 为集电极电源，G B 为基极电源，又称偏置电源， R b 为基极电阻，R c 为集电极电阻。
二、晶体三极管在电路中的基本连接方式如图2.1.5所示，晶体三极管有三种基本连接方式： 共发射极、共基极和共集电极接法。
最常用的是共发射极接法。
但八PIS 型 (b) 型 图2.1.3三极管符号图2.1.4 三极管电源的接法2.1.3三极管内电流的分配和放大作用一、电流分配关系 动画三极管的电流分配关系测量电路如图2.1.6所示：调节电位器 R P ,测得发 射极电流I E 、基极电流I B 和集电极电流I C 的对应数据 如表2.1.1所示。
何状发射极接法 巾)共恳扱按法 心戏集収规接法图2.1.5 三极管在电路中的三种基本联接方式I B /mA-0.001 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 I c /mA 0.001 0.01 0.56 1.14 1.74 2.33 2.91 k/mA 0 0.01 0.57 1.161.772.372.96表 2.1.1 由表2.1.1可见，三极管中电流分配关系如下： I E = I C +1 B 因I B 很小，贝U (2.1.1)I C ： I E 说明： 1 . I E =0 时，I c _ _ I B = I CBO 。
I CBO 称为集电极 -------------------- 基极反向饱和电流， 见图2.1.7(a)。
一般I CBO 很小，与温度有关。
2.咕=0 时，I c =丨 E =I CEO 。
I CEO 称为集电极一一发射极反向电流，又 叫穿透电流，见图 2.1.7(b)。
I CEO 越小，三极管温度稳定性越好。
硅管 的温度稳定性比锗管好。
二、晶体三极管的电流放大作用 动画三极管的电流放大作用由表2.1.1得出玉 0.58 mAI B 一 0.01 mA结论:L 群£ !!■ ■图2.1.7 I CBO 和I CEO 示意图1 •三极管有电流放大作用一一基极电流微小的变化，引起集电极电流I C较大变化。
2.交流电流放大系数一：一一表示三极管放大交流电流的能力二土（2.1.3）应B3.直流电流放大系数――表示三极管放大直流电流的能力4.通常，『-■: I-'，所以l c =了4可表示为l c =曰 B 考虑IcEO,则1 C = ■ 1 B 1 CEO(2.1.6)2.1.4三极管的输入和输出特性一、共发射极输入特性曲线动画三极管的输入特性输入特性曲线：集射极之间的电压V CE一定时, 发射结电压V BE 与基极电流I B之间的关系曲线，如图2.1.9所示。
由图可见：1.当V CE _2V时，特性曲线基本重合。
2 .当V BE很小时，I B等于零，三极管处于截止状态；3.当V BE大于门槛电压（硅管约0.5 V ,锗管约0.2 V）时，I B逐渐增大，三极管开始导通。
4 .三极管导通后，V BE基本不变。
硅管约为0.7 V，锗管约为0.3 V，称为三极管的导通电压。
5.V BE与I B成非线性关系。
二、晶体三极管的输出特性曲线动画三极管的输出特性输出特性曲线：基极电流I B一定时，集、射极之间的电压V CE 与集电极电流I c的关系曲线，如图2.1.10 所示。
由图可见：输出特性曲线可分为三个工作区。
1.截止区条件：发射结反偏或两端电压为零。
特点：I B =0, I c =I CEO。
2.饱和区条件：发射结和集电结均为正偏。
特点：V CE =V CES。
(2.1.4)(2.1.5)f ll图2.1.9 共发射极输入特性曲线图2.1.10三极管的输出特性曲线V CES称为饱和管压降，小功率硅管约0.3 V，锗管约为0.1 V。
3.放大区条件：发射结正偏，集电结反偏。
特点：I C受I B控制，即%二I B。
在放大状态，当I B一定时，I c不随V CE变化，即放大状态的三极管具有恒流特性。
2.1.5三极管主要参数三极管的参数是表征管子的性能和适用范围的参考数据。
一、共发射极电流放大系数1.直流放大系数「。
2.交流放大系数1。
电流放大系数一般在10 ~ 100之间。
太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。
一般取30、80为宜。
二、极间反向饱和电流1.集电极----- 基极反向饱和电流I CBO。
2.集电极---- 发射极反向饱和电流I CEO。
I CEO=(1 -：)I CBO(2.1.7)反向饱和电流随温度增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。
因此，常把它作为判断管子性能的重要依据。
硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。
三、极限参数1.集电极最大允许电流I CM三极管工作时，当集电极电流超过I C M时，管子性能将显著下降，并有可能烧坏管子。
2.集电极最大允许耗散功率P CM当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时，管子性能变坏或烧毁。
3.集电极--- 发射极间反向击穿电压V(BR)CEO管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。
当电压越过此值时，管子将发生电压击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子。
2.1.6三极管的简单测试一、硅管或锗管的判别判别电路如图2.1.11所示。
当V =0.6、0.7V时，为硅管；当V =0.1 •-0.3V时，为锗管。
图2.1.11判别硅管和锗管的测试电路图2.1.12 估测：的电路二、 估计比较1的大小NPN 管估测电路如图 2.1.12所示。
万用表设置在 R 1k 「挡，测量并比较开关 S 断开和接通时的电阻值。
前后两个读数相差越大，说明管子的［越高，即电流放大能力越大。
估测PNP 管时，将万用表两只表笔对换位置。
三、 估测I CEONPN 管估测电路如图2.1.13所示。
所测阻值越大，说 明管子的I CEO 越小。
若阻值无穷大，三极管开路；若阻值 为零，三极管短路。
测PNP 型管时，红、黑表笔对调，方法同前。
四、 NPN 管型和PNP 管型的判断 将万用表设置在R 1］或R 100门挡，用黑表笔和任一管脚相接(假设它是基极b)，红表笔分别和另外两个管脚相 接，如果测得两个阻值都很小，则 黑表笔所连接的就是基极，而且是 NPN 型的管子。
如图 2.1.14(a)所 示。
如果按上述方法测得的结果均 为高阻值，则黑表笔所连接的是PNP 管的基极。
如图 2.1.14(b)所示。
五、e 、b 、c 三个管脚的判断 首先确定三极管的基极和管型，然后采用估测"直的方法判断c 、e 极。
方法是先假定一个待定电极为集电极 (另一个假定为发射极)接入电路，记下欧姆表的摆动幅度，然 后再把两个待定电极对调一下接入电路，并记下欧姆表的摆动幅度。
摆动幅度大的一次，黑表笔所连接的管脚是集电极c ,红表笔所连接的管脚为发射极 e ,如图2.1.12所示。
测PNP 管时，只要把图 2.1.12电路中红、黑表笔对调位置，仍照上述方法测试。
2.2场效应管场效应管：是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的电压控制型器件。
特点：管子内部只有一种载流子参与导电，称为单极型晶体三极管。
2.2.1结型场效应管一、结构和符号N 沟道结型场效应管的结构、符号如图2.2.1所示；P 沟道结型场效应管如图 2.2.2所示。
特点：由两个 PN 结和一个导电沟道所组成。
三个电极分别为源极 S 、漏极D 和栅极G 。
漏极和源极具有互换性。
图2.1.13G O 的估测红笔工作条件：两个 PN 结加反向电压。
、工作原理动画结型场效应管的工作原理当栅源电压V GS 向负值方向变化时，漏极电流I D 逐渐减小;当栅源电压 V GS -V P 时，漏极电流I D -0 , V P 称为夹断电压。
2.输出特性曲线表示在栅源电压一定条件下，漏极电流与漏源电压之间的关系。
如图(1) 可调电阻区(图中I 区)图2.2.1 .N 沟道结型场效应管以N 沟道结型场效应管为例，原理电路如图2.2.3所示。
工作原理如下:G DS 0 ； G GS ：：：0。
在漏源电压V DS 不变条件下，改 变栅源电压V GS ,通过PN 结的变化，控制沟道宽窄，即 沟道电阻的大小，从而控制漏极电流I D 。
结论：1 .结型场效应管是一个电压控制电流的电压控制 型器件。
2.输入电阻很大。
一般可达107、108。
三、结型场效应管的特性曲线和跨导1 •转移特性曲线反映栅源电压 V GS 对漏极电流I D 的控制作用。
如图 2.2.5所示，若漏源电压一定： 当栅源电压V GS =0时，漏极电流1D = 1DSS ,1DSS 称为饱和漏极电流;环丿图2. 2. 6结型场效应管的输岀特性曲线2.2.6所示。