量子点激光器
Ⅱ - Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO 量子点
268学苑论衡蓝绿激光器是近年来成为半导体激光器研究的一个重点，在1991年美国的3M 公司率先完成了Ⅱ-Ⅵ族ZnSe 基量子阱激光器77K 脉冲的相关工作，并且在当时引起了世界的瞩目，随后美国的Brown-Purdue 大学联合研究组以及荷兰的Philips 公司通过研究相继完成了激光器的室温连续工作，而Sony 公司在1996年将量子阱设为ZnSe/ZnCdSe，限制层为ZnMgSSe 的Ⅱ-Ⅵ族蓝绿激光器室温连续工作，经过研究结果显示，其寿命高达100h，但是在这一段时间内，其发展与进步并不像预期的那样，发展迅猛，其工作寿命从最初的1h 到最后的100h 花费很长的时间，将近5年，而要想进一步将其寿命提升，具有很大的困难与挑战，究其原因，ZnSe 是一类离子性强共价性弱的晶体，也就是我们俗称的质地较软，很容易出现损害，在运行受激发射时，如果温度提升，则ZnSe 的缺陷会出现大量增殖等情况[1]。
ZnSe 作为蓝绿激光器的前景受到这类材料的固有缺点的限制。
本文对Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器方面的一个新的途径——ZnO 量子点进行研究与分析，现报道如下：1.ZnO 材料的基本特性根据研究结果显示，宽禁带ZnO 半导体为直接带隙，其束缚激子能达到60mV，其是紫外半导体光电器件，具有较大的潜在价值。
在多年以前，ZnO 体材料在低温条件下已经可以观察到由电子束激发的受激发射，但是随着温度的升高，受激发射的强度便会很快淬灭，而长期以来ZnO 作为光电子材料一直没有被人们所重视，而随着GaN 体系近些年来不断火热，作为GaN 外延层与SiC 衬底间的缓冲层的ZnO 材料，具有以下几种特性：①GaN 和ZnO 具有一致的纤锌矿型晶格结构，其与GaN 的晶格失配未超过2%，其a 轴晶格常数为0.325mm，其c 轴晶格常数为0.527mm。
②ZnO 的迁移率为260cm 2/V ·s，n 型掺杂浓度可以达到1019/cm3，其电学特征良好。
量子点光谱性质研究
4）.分闸法(split-gate approach) ：以外加电压的方式在 二维量子阱平面上产生二维局限，可控制闸极改变量子点的 形状与大小，适合用于学术研究，无法大量生产。
以分闸法产生 GaAs/AlGaAs量 子点之SEM影像
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4、量子点效应
阈值条件：
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4、能级与激励阈值
量子点具有单峰辐射的特点，在短波 长抽运光的作用下，量子点吸收能量 后被激发到能级２和３（图虚线所示
过程）。能级２的粒子通过受激辐射
和自发辐射直接跃迁回基态。
由于奇偶选择定则，能级３的粒子不能直接通过辐射跃迁回基态，而是以几 率Ａ３２无辐射跃迁到能级２，再经辐射跃迁回基态。能级３到２的跃迁几率 非常大，属于带内跃迁，因此，能级３的粒子将很快跃迁到能级２ 量子点的三能级系统可用二能级近似来描述
激光器的基本结构如图所示，其中ＱＤＦ为量子点光纤，ＦＢＧ为光纤布拉 格光栅，ＬＤ为激光二极管，ＯＳＡ为光谱仪。抽运光由短波长ＬＤ产生， 导入ＱＤＦ使其中的量子点处于激发态，形成粒子数反转。在ＦＢＧ构成的 谐振腔中实现激射振荡，当增益足够大时，可产生激光。激光波长λＬ由Ｆ ＢＧ的反射波长决定，其中ＦＢＧ１对λＬ全反 （反射率为Ｒ１），ＦＢＧ ２对λＬ部分反射（反射率为Ｒ２），两者对抽运光波长λＰ均为全透。激光 从ＦＢＧ２输出到ＯＳＡ或功率计
对于核/壳结构，典型 的 核 / 壳 结 构 有 CdSe/Zn、CdTe/CdS 等。核/壳结构是在量 子点核的外面包覆上 一层或几层包覆层， 但外面的包覆层几乎 不影响内核的发光
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3、量子点的制备方法
目前，量子点的制备方法 主要有以下四种. 1）.化学溶胶法 (chemical colloidal method)：以化学溶胶方 式合成，可制作复层量子 点(multilayered)，过程 简单，且可大量生产。
量子点激光器课件
量子点激光器的可扩展性及集成问题
可扩展性
量子点激光器的可扩展性是其未来发展的关键问题之 一。目前，量子点激光器的尺寸和功率都相对较小， 难以满足大规模、高功率的应用需求。因此，需要研 发具有更大尺寸和更高功率的量子点激光器，并实现 其可扩展性。
生物医学成像
基于量子点激光器的生物医学成像技术
量子点激光器可以作为激发源，用于荧光探针标记，实现高分辨率、高灵敏度的 生物医学成像。
量子点激光器在光学分子成像中的应用
量子点激光器可以提供稳定、高效的激发光源，有助于推动光学分子成像技术的 发展。
光谱学与传感
基于量子点激光器的光谱学研究
量子点激光器具有宽光谱范围和窄线宽特性，可用于光谱学研究，如高分辨率 光谱测量和量子频率转换等。
05
量子点激光器面临的挑战 与未来发展方向
量子点激光器的稳定性与可靠性问题
稳定性问题
量子点激光器的稳定性主要受到温度、湿度、压力等环 境因素的影响，这些因素会导致量子点尺寸的变化，进 而影响激光器的性能。为了提高量子点激光器的稳定性， 需要采取恒温、恒湿、真空封装等措施来控制环境因素 的变化。
可靠性问题
量子点激光器课件
• 量子点激光器概述 • 量子点激光器的种类和特点 • 量子点激光器的应用领域 • 量子点激光器的研究进展 • 量子点激光器面临的挑战与未来发展方向 • 量子点激光器实验技术介绍
01
量子点激光器概述
量子点 激子吸收峰值
量子点激子吸收峰值是指量子点在吸收光子能量时，激子（电子-空穴对）被激发并跃迁到较高能级的过程。
这个过程伴随着吸收峰的出现，吸收峰的波长或能量与量子点的材料、尺寸和形状等因素有关。
量子点激子吸收峰值在以下方面具有重要作用：
1. 光电器件：量子点光电器件，如太阳能电池、发光二极管和激光器等，依赖于量子点激子吸收峰值来实现光能的转换和输出。
通过调控量子点的尺寸和形状，可以实现对激子吸收峰值的调控，进而优化光电器件的性能。
2. 生物成像：量子点激子吸收峰值在生物成像领域具有广泛应用。
量子点作为荧光探针，可以标记生物分子、细胞和组织，实现高灵敏度、高分辨率的生物成像。
通过改变量子点的尺寸和形状，可以调节其激子吸收峰值，实现对不同生物对象的成像和检测。
3. 量子计算和通信：量子点激子吸收峰值在量子计算和通信领域也具有重要应用。
量子点可以作为量子比特（qubit）的载体，通过激子吸收峰值的变化来实现量子信息的存储和传输。
4. 能源转换：量子点激子吸收峰值在能源转换领域也有广泛应用，如量子点太阳能电池、量子点热电材料等。
通过调控量子点的尺寸和形状，可以提高能源转换效率，实现对可再生能源的高效利用。
总之，量子点激子吸收峰值在诸多领域具有重要应用价值，对于理解量子点的光学性质和优化光电器件性能具有重要意义。
新型光子晶体材料的研究与应用
新型光子晶体材料的研究与应用随着科技的不断发展和进步，新型材料的研究和应用也成为了当前科学领域的热点之一。
其中，新型光子晶体材料因其特殊的光学性质和应用前景备受研究人员的关注。
在本文中，我们将详细介绍新型光子晶体材料的定义、特性及其在相关领域的应用现状。
一、新型光子晶体材料的定义与特性新型光子晶体材料是一种由微结构周期排列形成的具有周期性折射率分布的材料。
与普通晶体材料相比，新型光子晶体材料的折射率分布具有周期性，能够形成完美的布拉格反射。
此外，新型光子晶体材料还具有以下特点：1. 光子带隙：光子晶体材料中，由于周期性结构的存在，能够形成一种能量带隙。
这种带隙可以阻止特定波长的光波传播，实现光波的选择性传输。
2. 高质量因子：新型光子晶体材料的结构具有高质量因子，能够增强光与材料之间的相互作用，从而实现更高效的光学性能。
3. 可调性：新型光子晶体材料的结构可以通过改变晶格参数、元素材料等方式进行调制，从而实现对其光学性质的调控，具有很大的应用潜力。
二、新型光子晶体材料在光子学领域的应用在光子学领域，新型光子晶体材料已经得到了广泛的应用。
1. 光学传感器：新型光子晶体材料的选择性光学传输性质可以应用于光学传感器中，实现对特定成分的检测，例如气体检测、化学物质检测等。
2. 光学放大器：通过在新型光子晶体材料中引入激光介质，可以实现高效的光学放大器，其具有高增益、低门限等优点，可以应用于激光通信、激光雷达等领域。
3. 光学滤波器：由于新型光子晶体材料具有选择性传输特性，在光学滤波器中应用可以实现波长选择性的过滤，应用于光通信、成像等领域。
三、新型光子晶体材料在电子学领域的应用除了在光子学领域，新型光子晶体材料在电子学领域也有广泛的应用。
1. 微波天线：应用新型光子晶体材料结构设计微波天线，可以实现更高的增益、更低的副瓣，具有更好的指向性和抗干扰性能。
2. 微波滤波器：应用新型光子晶体材料实现微波滤波器，可以实现高品质因子、高选择性、低损耗的特点，在无线通信领域有很好的应用前景。
量子点激光器工作原理
量子点激光器工作原理量子点激光器是一种基于量子点材料的激光器，其工作原理是通过量子点材料的特殊能带结构和量子效应实现的。
量子点是一种尺寸在纳米尺度的半导体结构，其尺寸约为1-10纳米。
量子点材料具有独特的光学和电学性质，使其在激光器领域具有广泛的应用前景。
量子点激光器的工作原理可以分为三个主要步骤：激发、载流子注入和辐射。
首先，通过外部能源的激发，如光激发或电激发，将量子点材料中的载流子激发到激发态。
这个过程可以通过吸收外部光线或施加电场来实现。
接下来，通过载流子注入，使激发态的载流子在量子点材料中形成高浓度。
载流子注入可以通过电压施加或电流注入来实现，其中电流注入是最常用的方法。
注入的载流子会在量子点材料中形成电子空穴对，这些电子空穴对会在量子点材料中快速扩散和重新组合。
由于量子点材料的能带结构和量子效应的存在，电子空穴对在扩散和重新组合的过程中会发生辐射。
这种辐射过程会产生具有特定波长和相干性的光，形成激光输出。
量子点材料的能带结构决定了激光的波长，而量子效应则决定了激光的相干性和输出功率。
量子点激光器相比传统的激光器具有许多优点。
首先，量子点材料具有宽广的发射波长范围，可以实现从紫外到红外的全波段覆盖。
其次，量子点材料具有窄的发射谱线宽度，可以实现高光谱纯度的激光输出。
此外，量子点激光器具有高的发光效率和低的激光阈值，可以实现高功率和高效率的激光输出。
量子点激光器在众多领域中具有广泛的应用。
在通信领域，量子点激光器可以用于光纤通信、无线通信和光存储等。
在显示领域，量子点激光器可以用于显示屏的背光源，可以实现更高的色彩饱和度和更广的色域。
此外，量子点激光器还可以应用于生物医学、光电子学和光学传感等领域。
然而，量子点激光器也存在一些挑战和限制。
首先，量子点激光器的制备和工艺相对复杂，需要高精度的材料生长和器件制备技术。
其次，量子点材料的发光特性受到温度和环境的影响较大，需要有效的温度控制和环境隔离措施。
物理学中的低温物理和量子输运
物理学中的低温物理和量子输运低温物理是物理学中的一个分支，其研究的是物质在极低温条件下的性质和行为，通俗地说就是物质在接近绝对零度时的变化。
绝对零度是温度尺度中的零点，也就是说在这个温度下，物质的分子运动几乎停止。
因此，低温物理研究的范围一般是在几开尔文以下的温度范围内。
随着科技的不断进步，人们对于低温物理的研究也越来越深入，这些研究不仅在技术上有着很大的应用价值，而且还有助于人们更加深刻地理解万物之理。
由于物质在低温下具有很多独特的物理性质，例如超导、超流、量子霍尔效应等，因此低温物理也被称为“第四大物态”。
其中，量子输运是低温物理中的一个重要分支。
量子输运研究的是物质中的电子随机游走的规律，它在固态电子学、量子信息和新型电子器件的研究中有着非常广泛的应用。
一个重要的概念是“量子隧穿效应”，它是指电子在能量低于物质势垒时，也能够穿过障碍物，并在障碍物的另一侧出现的现象。
这种效应在量子输运中有着非常重要的应用。
在量子输运中，电子可以被看成是携带能量和信息的粒子，它们的运动是受到各种因素的影响的。
例如，物质中的晶格振动、杂质、几何结构等都会对电子的运动产生影响。
因此，研究电子的运动的规律非常有难度。
近年来，随着量子计算、量子通信等领域的快速发展，对于量子输运的研究也变得非常重要。
量子输运在实际应用中的一个典型例子是“量子点电子器件”。
量子点电子器件是由一些小的半导体晶体组成的，它们的大小大约只有几纳米，而具有非常优异的电子输运性能。
量子点电子器件可以应用于量子计算、量子通信、光电传感等领域。
例如，在一些高速通信设备中，量子点激光器可以提供比其他激光器更高的速度和更高的性能。
总之，低温物理和量子输运是物理学中非常重要的一个分支，它们的研究不仅拓展了人们对于自然科学的认识，而且还在实际应用中发挥了重要的作用。
未来，在科技的推动下，低温物理和量子输运的研究将会更加深入，也许会诞生更多令人惊奇的科技和应用。
量子点发光材料综述
量子点1.量子点简介1.1量子点的概述量子点(quantum dot, QD)是一种细化的纳米材料。
纳米材料是指某一个维度上的尺寸小于100nm的材料，而量子点则是要求材料的尺寸在3个维度都要小于100nm[1]。
更进一步的规定指出，量子点的半径必须要小于其对应体材料的激子波尔半径，其尺寸通常在1-10nm左右[2]。
由于量子点半径小于对应体材料的激子波尔半径，量子点能表现出明显的量子点限域效应，此时载流子在三个方向上的运动受势垒约束，这种约束主要是由静电势、材料界面、半导体表面的作用或是三者的综合作用造成的。
量子点中的电子和空穴被限域，使得连续的能带变成具有分子特性的分离能级结构[1]。
这种分离结构使得量子点有了异于体材料的多种特性以及在多个领域里的特殊应用。
1.2量子点的特性由于量子点中载流子运动受限，使得半导体的能带结构变成了具有分子原子特性的分离能级结构，表现出与对应体材料完全不同的光电特性。
1.2.1 量子尺寸效应纳米粒子中的载流子运动由于受到空间的限制，能量发生量子化，连续能带变为分立的能级结构，带隙展宽，从而导致纳米颗粒的吸收和荧光光谱发生变化[3]。
这种现象就是典型的量子尺寸效应。
研究表明，随着量子点尺寸的缩小，其荧光将会发生蓝移，且尺寸越小效果越显著[4]。
1.2.2 表面效应纳米颗粒的比表面积为，也就是说量子点比表面积随着颗粒半径的减小而增大。
量子点尺寸很小，拥有极大的比表面积，其性质很大程度上由其表面原子决定。
当其表面拥有很大悬挂键或缺陷时，会对量子点的光学性质产生极大影响[5]。
1.2.3 量子隧道效应量子隧道效应是基本的量子现象之一。
简单来说，即当微观粒子(例如电子等)能量小于势垒高度时，该微观粒子仍然能越过势垒。
当多个量子点形成有序阵列，载流子共同越过多个势垒时，在宏观上表现为导通状态。
因此这种现象又称为宏观量子隧道效应[6][7]。
1.2.4 介电限域效应上世纪七十年代Keldysh等人首先发现了介电限域效应[8]。
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声子散射要求能量 守恒和动量守恒。 对于量子阱来说,由 于子能带的存在,这 两个条件很容易同 时满足。但对于量 子点而言,由于电子 能级都是分离的,很 难使两个能级能量 差恰好等于一个光 学声子的能量。因 此,认为量子点缺乏 一种有效的载流子 弛豫途径后来的实验证明,这个问题并不象 原来想象的那么严重。在量子点中存在一 个很快的捕获和弛豫机制。现在已经提出 一种弛豫机制:俄歇过程。理论计算表明, 如果二维电子- 空穴等离子体的密度为 1010每平方厘米 ,则电子和空穴的弛豫时 间将达10ps ,而这一密度对量子点来说容 易达到,但这一弛豫机制还需要实验证明。 • 从制造工艺上,量子点的尺寸大小均匀性 不好控制,也使它的发展受到了阻碍。
2. 1997年，Maximov等将量子点置入 GaAs/AlGaAs量子阱中，使量子点中载流子的 逸出势垒高度增加，大大降低了载流子的逸 出几率，减小了漏电流，使激光器的特征温 度T0在工作温度80K-330K之间高达385K，远远 高于量子阱激光器的特征温度，但提高T0的同 时却带来了阈值电流密度的大幅提升。1999 年Shernyakov报道了世界上第一只在室温 （低于40℃）下同时具有高特征温度T0 (160K） 和低阈值电流密度Jth=65A/cm2 ，三层量子点 阵列的GaAs基量子点激光器，工作波长为 1.3μ m。而目前工作在同波段的InP基量子阱 激光器，最高的特征温度T0为60-70K ，最低 的阈值电流密度Jth为300-400A/cm2。
对于零维的量子点而言，体系在x、y、z三个方向受限， 载流子的能量在三个方向上都是量子化的，不存在能量的 连续分布。所以，量子点的态密度与能量的关系表示为δ 函数的形式，即
ρ3D(E) = ∑ δ ( E - E )
i
i
其中Ei是体系的能量可取值，可表示为
量子点的能态图形为类氢光谱状的分离线， 如图(d)所示。
量子点(Quantum Dots) 和 量子点激光器
• 量子点(quantum dot)是准零维(quasi-zerodimensional)的纳米材料，由少量的原子构成。 外观恰似一极小的点状物，粗略地说，量子点三 个维度的尺寸都在100纳米(nm)以下。量子点内 部电子在各方向上的运动都受到局限，所以量子 局限效应(quantum confinement effect)特别显 著。量子局限效应会导致类似原子的不连续电子 能阶结构，故量子点可用来作激光器的工作物质， 而量子点也因此被称为“人造原子”(artificial atom)。量子点有极大的应用潜力。科学家已经 发明许多不同的方法来制造量子点，并预期这种 纳米材料在二十一世纪的纳米电子学 (nanoelectronics)上有极大的应用潜力。
4.分闸法(splitgate approach)： 以外加电压的方式 在二维量子井平面 上产生二维侷限， 可控制闸极(Gate) 改变量子点的形状 与大小，适合用于 学术研究，但无法 大量生产。
以分闸法产生GaAs/AlGaAs量子点之SEM影像
• 量子点的用途相当广泛，例如：可用于蓝光 雷射、光感测元件、单电子电晶体(single electron transistor, SET)、记忆储存、触 媒以及量子计算(quantum computing)等， 在医疗上更利用各种发光波长不同的量子点 制成萤光标签，成为生物检测用的「纳米条 码」。 • 量子点是目前理论上与实验上的热门研究题 目，世界各国无不积极投入研究，主要领先 的有美国、日本、欧盟及俄罗斯等，台湾也 正在急起直追中。
λF = 2π / kF
量子阱、量子线及量子点能级 比较关系示意图
• 所以并非小到100nm以下的材料就是量子 点，真正的关键尺寸是由电子的德布罗意 波长或平均自由程。一般而言，电子费米 波长在半导体内较在金属内长得多，例如 在半导体材料砷化镓GaAs中，费米波长约 40nm，在铝金属中却只有0.36nm。
若要严格定义量子点，则必须由量子力学(quantum mechanics)出发。 我们知道电子具有粒子性与波动性，电 子的物质波特性取决于其费米波长(Fermi wavelength)
• 在一般块材中，电子的波长远小于块材尺寸，因此量子局限 效应不显着。 • 如果将某一个维度的尺寸缩到小于一个波长，此时电子只能 在另外两个维度所构成的二维空间中自由运动，这样的系统 我们称为量子阱(quantum well)； • 如果我们再将另一个维度的尺寸缩到小于一个波长，则电子 只能在一维方向上运动，我们称为量子线(quantum wire)； • 当三个维度的尺寸都缩小到一个波长以下时，就成为量子点 了（quantum dot）。
3. 对于理想的量子点激光器量子点，它应只有单
一电子能级和空穴能级，很容易实现单模工作。 1996年Kirstaedter 等在77K 低温下稍高于阈值 电流密度情况下就观察到了单模工作。而相比之 下，量子阱激光器只有远高于阈值电流密度的情 况下才能实现单模工作。
•量子点激光的瓶颈问题
从量子点本身的性 质出发,存在声子瓶 颈效应。当电子被 注入到势垒区的高 能级上时,它必须依 靠与声子的散射作 用(放出声子) ,才 能弛豫到量子阱或 量子点中的低能级 上。
(1) 对于三维体系,在固体物理中,已求得其态 密度与能量的关系是抛物线形,如图(a) 所示。
(2)当体系为在某个方向(如z向)受限的二维体系(量子阱) 时，受限方向(z向)的平移对称性被破坏，kz不再是好量 子数，该方向发生能级分裂。一个本征态的能量可以写 为E=Ei + Exy（kx，ky），其中Ei是z方向的量子化的能级 值。 在量子阱中，电子能量
1.化学溶胶法
(chemical colloidal method)： 可制作复层 (multilayered)量子 点，过程简单，且可 大量生产。
2.自组成法(selfassembly method) 采用分子束磊晶 (molecular-beam epitaxy)或化学气 相沉积(chemical vapor deposition) 制程，并利用晶格 不匹配(lattice mismatch)的原理， 使量子点在特定基 材表面自聚生长， 可大量生产排列规 则的量子点。
量子点的制造方法：量子点的制备可采用分子束外延技术在各种 自然表面上直接生长的方法。如在小偏角表面(vicinal surface) 超台阶面( super steps) 、高指数表面等或者在一些由人工做出 的图形衬底上生长。如V 形槽、在掩膜表面上选择局部生长、自 组织生长法等。下面介绍几种具体的制备方法
一个实际的量子点激光器的能带结构和生长结构示意图
量子点激光器能带结构和生长结构示意图 1、9为上下欧姆电极接触层；2、8为超晶格缓冲层；3、 7为上下包层；4、6为上下折射率梯度改变分别限制区； 5为量子点有源区。
• 量子点激光器的优点
1. 实际制作的量子点激光器的阈值电流密度己 经远远低于传统激光器以及量子阱激光器。 1996年N. N. Ledelltsov采用10层 In0.5Ga0.5As/ A10.15Ga0.85As量子点超晶格结 构为量子点激光器的有源区，使室温下的阈 值电流密度降到90A /cm2。1999年G. T. Liu 等研制成功了室温下阈值电流密度26A/cm2 的InAS/In0.15Ga0.85As量子点激光器。
量子点激光器的未来 量子点激光器的研制在近几年内取得了长足进步， 已经向传统半导体激光器开始了强有力的挑战， 但其性能与理论预测相比仍有较大的差距。进一 步提高量子点激光器的性能，必须解决以下几个 问题：
(l) 如何生长尺寸均匀的量子点阵列。虽然量子点 的材料增益很大，但由于尺寸分布的不均匀性，使 量子点发光峰非均匀展宽，发光峰半宽比较宽，远 大于量子阱材料（meV）。实际上只有很少一部 分量子点对激光器的发光有贡献，限制了光增益， 影响了激光器激射阈值的进一步降低； (2) 如何增加量子点的面密度和体密度，尽可能提 高量子点材料的增益； (3) 如何优化量子点激光器的结构设计，使其有利 于量子点对载流子的俘获和束缚； (4) 如何通过控制量子点的尺寸或者选择新的材料 体系，拓宽量子点激光器的激射波长工作范围，争 取覆盖WDM网络中的1.4-1.6μm波段。
• 量子点可视为电子物质波的 共振腔，电子在量子点内会 有类似电磁波在一般共振腔 中的共振现象。当局限位能 壁（potential-wall）较薄时， 量子点中的电子可因穿隧效 应（tunneling effect）而逃 离，我们称之为开放式量子 点（open quantum dot）， 如图所示，其类似一开放共 振腔（open cavity），此时 电子能阶不再是稳态 (stationary state)而是一种 准稳态（quasi-stationary state）；电子停留在准稳态 约一个生命周期（life time） 后就会逃离量子点。
在GaAs基材上以自组成法生 长 InAs量子点的STM影像(取自Ref.2)
3.微影蚀刻法 (lithography and etching)： 以光束或电 子束直接在 基材上蚀刻 制作出所要 之图案，由 于相当费时 因而无法大 量生产。
以GaAs基材蚀刻窄圆柱式量子点<br> 之SEM影像，水 平线条约0.5微米
量子点激光器
简单地说,量子点激光器是由一个激光母体材料和组装在其中 的量子点以及一个激发并使量子点中粒子数反转的泵源所构 成。一个实际量子点激光器（砷化镓铟量子点激光器）的结 构示意图如图所示。
能态计算 对于不同维度的电子体系,许多独特的光学性质 来源于它们的态密度。态密度是指单位体积在 能量E附近单位能量间隔内的电子态数。每一 个量子态可被自旋向上和向下的两个电子所占 据。半导体激光器从三维到二维、再到一维、 零维,这种不断发展变化的内因在于不同维度材 料的态密度不同,从而激光器的性能不断改善。
所以一个E的分裂值对应一个由各种不同Exy造成的子能 带，该子能带对应的态密度为