SiCl4／H2为气源低温沉积多晶硅薄膜光电特性的研究
pecvd法低温沉积多晶硅薄膜的研究
pecvd法低温沉积多晶硅薄膜的研
究
PECVD法低温沉积多晶硅薄膜是一种全程低温(200-400℃)成膜的技术，它能够在低温情况下制备出比传统高温CVD要求的低温沉积多晶硅薄膜。
它采用一种叫做Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition（PECVD）的技术，通过将混合气体（如氢气、氦气、氯气等）加热到特定温度，然后放电产生等离子体，最后再把混合气体形成的气态化合物与壁面材料发生反应从而形成低温多晶硅膜。
该技术有利于提高薄膜的晶粒尺寸，在降低温度的同时保持优质的晶体结构，同时也可以提高多晶硅的抗拉强度。
另外，PECVD法还能够有效抑制热效应和衬底变形，因此在微电子制造中更加适用。
优质纳米晶硅薄膜的低温制备技术及其在太阳能电池中的应用进展陈城钊
收稿日期:2008-09-11*基金项目:韩山师范学院青年科研基金资助项目(0503)作者简介:陈城钊(1975)),男,广东潮州人,讲师,硕士.第2卷 第4期材 料 研 究 与 应 用V o1.2,N o.42008年12月M A T ERIA L S RESEA RCH A ND AP PL ICAT IONDec .2008文章编号:1673-9981(2008)04-0450-05优质纳米晶硅薄膜的低温制备技术及其在太阳能电池中的应用进展*陈城钊1,邱胜桦1,刘翠青1,吴燕丹1,李 平1,余楚迎2,林璇英1,2(1.韩山师范学院物理与电子工程系,广东潮州 521041; 2.汕头大学物理系,广东汕头 515063)摘 要:纳米晶硅薄膜是集晶体硅材料和氢化非晶硅薄膜优点于一体,可望广泛应用于薄膜太阳能电池、光存储器、发光二极管和薄膜晶体管等光电器件的一种新型功能材料.本文综述低温制备优质纳米晶硅薄膜技术的研究进展及其在薄膜硅太阳能电池上的应用.关键词:纳米晶硅薄膜;太阳能电池;低温制备;进展中图分类号:T M 914.4 文献标识码:A纳米晶硅(nc -Si z H )薄膜就是硅的纳米晶粒镶嵌在a -Si z H 网络里的一种硅纳米结构.由于它具有较高的电导率(10-3~10-18-1#cm -1)、宽带隙、高光敏性、高光吸收系数等优良的光电特性而引起学术界的重视.纳米晶硅薄膜同时具备宽带隙和高电导这两种太阳能电池窗口材料所需的优良性质,现已成为研究探索的热门纳米薄膜材料[1].除用于制备薄膜太阳能电池外,在发光二极管、光存储器、隧穿二极管、薄膜晶体管以及单电子晶体管等光电器件方面也有潜在应用[2].1 低温制备纳米晶硅薄膜的技术为了制备适用于以玻璃为衬底的太阳能电池的纳米晶硅薄膜,近年来发展了低温(<450e )制膜技术.按成膜过程可分为两大类:一类是先制备非晶态材料,再固相晶化为纳米晶硅;另一类是直接在玻璃衬底上沉积纳米晶硅薄膜[2].1.1 固相晶化法固相晶化(SPC)法的特点是非晶固体发生晶化的温度低于其熔融后结晶的温度.低造价太阳能电池的纳米晶薄膜,一般以廉价的玻璃作衬底,以硅烷气为原材料,用PECVD 法沉积a -Si B H 薄膜,然后再用热处理的方法使其转化为纳米晶硅薄膜.这种方法的优点是能制备大面积的薄膜,可进行原位掺杂,成本低,工艺简单,易于批量生产.常规的高温炉退火、金属诱导晶化、快速热退火、区域熔化再结晶等都属于固相晶化法.1.1.1 常规高温炉退火该方法是在氮气保护下把非晶硅薄膜放入炉腔内退火,使其由非晶态转变为纳米晶态[3].非晶硅晶化的驱动力是晶相相对于非晶相较低的Gibbs 自由能.固相晶化过程主要由晶核的形成及晶核长大两步完成.形核率和生长速率都受温度的影响,所以纳米晶硅薄膜的晶粒尺寸受温度的影响很大.晶硅薄膜的晶粒尺寸除受温度的影响外,与初始非晶硅膜的结构状况也有密切的关系.有研究者采用/部分掺杂法0来增大晶粒尺寸,即在基底上沉积两层膜,下层进行磷掺杂,作为成核层,上层不掺杂,作为晶体生长层,退火后可获得较大的晶粒[4].1.1.2 金属诱导晶化金属诱导晶化就是在非晶硅薄膜上镀一层金属膜或在镀有金属膜的基片上再镀一层非晶硅膜,使非晶硅与金属接触,这样可大大降低非晶硅的晶化温度(300e左右就能发生晶化),缩短晶化时间.可作诱导的金属有Al,Au,Ni,Pt,T i,Cr,Pd等,不同的金属诱导晶化效果略有不同.由于Al的含量丰富、价格便宜,因此铝诱导晶化备受青睐[5].对于产生低温晶化的原因,比较一致的解释是:在a-Si B H与Al的界面处,由于Al扩散到非晶硅中,形成了间隙原子,使Si)Si共价键转变为Si) Al金属键,极大地降低了激发能.界面处的这些硅化物加速了Al和Si原子的相互扩散,导致了Al) Si混合层的形成.由A-l Si相图可知,低温下(<300 e),硅在铝中的固溶度几乎可以忽略,因此铝中的超饱和硅以核的形式在a-Si B H和Al的界面析出.这些固体沉淀物逐渐长大,最后形成了晶体硅和铝的混合物.与传统的固相晶化技术相比,该技术能大大降低退火温度,缩短退火时间,制备出较大晶粒的纳米晶硅薄膜[6].然而,有研究发现利用该技术制备的纳米晶硅薄膜会引入大量的金属原子,在很大程度上破坏了硅薄膜的电特性.这是一个不太容易解决的问题.1.1.3快速热退火快速热处理技术(RTP)是近年来发展很快的半导体工艺新技术.快速热退火属于快速热处理的范畴,是一种新的退火方式,它的热源是卤钨灯.与传统的退火炉相比,该方法有很多优点,除了用时短、耗热少、产量大、过程易控外,晶化后的纳米晶硅膜缺陷较少、内应力小.一些研究发现对非晶膜进行快速热退火时,温度的改变、时间的延长对晶粒尺寸的影响不大;但升温速率对晶粒尺寸的影响很大,升温速率较大时,硅晶粒较小,升温速率较小时,硅晶粒较大[7].1.1.4区域熔化再结晶区域熔化再结晶是将一束很窄的能量源在硅薄膜的表面移动使硅薄膜材料的不同区域依次熔化而结晶.比较成熟和用得较普遍的是激光加热,即激光晶化法.该晶化技术的特点是可以采用不同类型的激光在很短的时间内将非晶硅材料加热到很高的温度使其熔化然后结晶,由于熔化结晶的时间很短,因此衬底的温度不太高,从而能够使用廉价的玻璃作为衬底.准分子激光由于其脉冲时间极短(10~30 ns),且波长处于超紫外范围,因而是在玻璃衬底上制备硅薄膜材料理想的能量束.在硅薄膜上所照射的激光束频率、受光次数以及激光能量密度等都会影响非晶硅薄膜的结晶状况.另外,激光束的形状和扫描方向也会影响晶化过程中晶粒的生长方向[8-9].该技术的缺点是设备昂贵、工艺的重复性较差、难以实现大面积制备等.1.2直接沉积纳米晶硅薄膜采用固相晶化法制备纳米晶硅薄膜,由于需先沉积非晶硅薄膜,再转化为纳米晶硅薄膜,所需时间较长.如果沉积非晶硅薄膜和热处理不在同一系统中,则在转移非晶硅薄膜的过程中,容易造成薄膜的氧化,生成SiO2,或引入其它杂质,对薄膜的性能产生不良的影响.近几年来,许多科研工作者都在探索不经退火,直接在同一系统中制备纳米晶硅薄膜的新技术,这些技术包括:热丝化学气相沉积(H WCVD),高压rf-PECVD和采用新气源等.1.2.1热丝化学气相沉积法当硅烷或其它源气体通过装在衬底附近、温度高达2000e的钨丝时,源气体的分子键发生断裂,形成各种中性基团,在衬底上沉积成纳米晶硅薄膜.沉积时衬底的温度约175~400e,可用廉价的玻璃作衬底[10].用H WCV D法制备的纳米晶硅薄膜的晶粒尺寸约0.3~ 1.0L m,具有柱状结构,择优取向于(110)晶面,可应用于光伏打器件.由于钨丝的温度很高,对部分设备的耐热要求较高.而且晶粒尺寸较小,不适宜大面积均匀薄膜的制备,所以应用范围受到较大限制.1.2.2高压高氢稀释硅烷PECVD法最近,我们用常规的13.56M H z的rf-PECVD 系统,采用较高的反应气压,匹配比较高的激励功率.以0.7nm/s制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜[11].薄膜的晶化率约60%,平均晶粒尺寸约6.0 nm,暗电导率为10-3~10-48-1#cm-1,薄膜的SEM图如图1所示.在本实验室的条件下,制备纳米晶硅薄膜时有以下结论:(1)射频功率太小薄膜中没有晶态成分.在其他条件不变的情况下,功率太大晶化率反而下降.在一定的射频功率范围内,薄膜中的晶态成分随功率增大而增加.(2)在一定的温度范围内,薄膜中的晶态成分随温度的升高而增加,晶粒随温度的升高而增大.(3)随着H2稀释度R H= H2/(SiH4+H2)的增加,薄膜晶化率变大,生长速率变小.结合Raman和FT IR谱,认为在高氢条件下,氢的作用在于通过刻蚀反应表面弱的Si-Si#451#第2卷第4期陈城钊,等:优质纳米晶硅薄膜的低温制备技术及其在太阳能电池中的应用进展键,形成牢固的Si-Si 键,从而调整nc -Si z H 薄膜的微观结构及其键合特征.(4)反应气压在一定程度上能提高薄膜的晶化率和沉积速率,但太高的压强所造成的反应离子对薄膜表面的轰击反而会降低晶化率和沉积速率.图1 纳米晶硅薄膜的表面形貌(a)三维原子力显微镜(AF M )图;(b)表面SEM 图1.2.3 采用新原材料的PECVD 技术有人把研究方向转向寻找适合PECV D 低温生长的新材料组合,试图采用PECVD 直接沉积纳米晶硅薄膜.目前,普遍采用卤硅化合物(如SiF 4或SiCl 4)来代替硅烷气体.还有用混合气体(SiCl 4/H 2)作为源气体,使直接沉积纳米晶硅薄膜的衬底最低温度下降到200e ,所获得的纳米晶硅薄膜具有择优取向[12-14].但SiCl 4气体有强烈的腐蚀性,在沉积过程中形成的H Cl 对仪器有较大的腐蚀性,对系统的防腐性要求高,提高了生产成本.2 纳米晶硅薄膜太阳能电池在太阳能利用方面,太阳光伏电池是近年来发展最快、最具活力的研究领域.目前,虽然晶体硅太阳能电池仍处于主导地位,但它的高温扩散工艺限制了其生产效率的提高和产品成本的进一步降低,难以普及.1976年,非晶硅薄膜太阳能电池问世以来逐渐显示出其强大的生命力,但其稳定性和光电转换效率却比不上单晶硅,由于它具有亚稳态结构,长时间发光后会出现明显的不稳定性(称为S -W 效应).纳米晶硅薄膜太阳能电池基本上克服了S -W 效应,制备纳米晶硅薄膜时无须高温扩散,与现代半导体工业技术相匹配可以降低成本,从而激发了国内外对纳米硅薄膜的研究兴趣.Sukti H azra 等人首次用纳米硅薄膜作为太阳能电池的本征层,做成了本征型纳米硅p --i n 单结太阳电池[15].电池结构为glass/T CO/a -Si z H /nc -Si z H /Back co ntact/Al(图2).实验结果表明,所制作的太阳能电池在长时间光照条件下具有优良的稳定性,而且开路电压也比较高,达到了0.93V.胡志华等人运用美国宾州大学开发的AM PS 程序模拟分析并计算了n 型纳米硅(n +-nc -Si z H )/p 型晶体硅(p -c -Si)异质结太阳能电池的光伏特性[16].此结构电池是用纳米硅薄膜作为太阳电池窗口层的.运用AM PS 程序计算出这种电池在理想情况下的理论极限效率G max =31.17%.这个高效率主要由于宽带隙窗口层的引入,引入宽带隙窗口层提高了光子的吸收效率,从而提高了电池的开路电压和填充因子.中国科学院研究生院物理科学学院张群芳等人采用H WCVD,系统地研究了纳米晶硅层的晶化度以及晶体硅表面氢处理时间对nc -Si z H /c -Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过优化工艺参数,在p 型晶体硅衬底上制备出转换效率为17.27%的n -nc -Si B H /-i nc -Si B H /p -c -Si 异质结电池[17].#452#材 料 研 究 与 应 用2008图2纳米晶硅/非晶硅薄膜叠层电池结构及其光谱响应谱线另外,胡志华等人还制备出了纳米非晶硅太阳能电池,此电池是g lass/ITO/p-a-SiC:H/-i na-Si z H/n-nc-Si z H/A l结构的p--i n太阳能电池[18],同样也是利用纳米晶硅薄膜的高电导性和高光敏性,电池的开路电压高达0.94V,同时还能保证72%以上的填充因子,光电转换效率达到8.35%.开路电压和填充因子都高于Sukti H azra等人的报道.中国科学院半导体研究所的郝会颖用这种含有少量纳米晶相的相变域硅薄膜作为本征层制备了太阳能电池[19].其结构为glass/SnO2/p-a-SiC:H/-i a-Si z H/ n-a-Si z H/A l.初始时电池的开路电压V oc=0.912 V,填充因子F F=0.690,短路电流密度J sc=15.894 mA/cm2,光电转换效率为10.008%.在AM 1.5 (100mW/cm2)的光强下曝光820min后,开路电压升高了5.2%,而光电转换效率仅衰减了2.9%,显示出优良的光电性质和稳定性.3结语固相晶化需要高温退火过程,激光晶化和热丝化学气相沉积等方法不适合大面积均匀成膜,这些方法均不适用于大规模工业化生产.射频等离子体化学气相沉积因其在制备大面积、高均匀度的薄膜方面具有工艺简单、成熟及成本低廉的优势,已成为重要的半导体薄膜沉积技术,目前已有完整的沉积非晶硅薄膜的工业化生产线.低温条件下在同一系统中直接在衬底上高速沉积光电性能优良的纳米晶硅薄膜是一种产业化前景较好的方法.目前,纳米硅太阳能电池的转换效率还不到10%,应通过优化设计纳米硅太阳能电池的结构,精确控制工艺参数,使其转换效率接近理论极限.如何提高纳米硅薄膜太阳能电池的光电转换效率、大幅度降低生产成本,使其进入民用,是研究热点之一.参考文献:[1]ECO FF EY S,BO U V ET D,IO N ESCU A,et al.Lo w-pressur e chemical v apo ur depo sitio n of nano g r ain poly-silico n ult ra-thin films[J].Nanotechno lo gy,2002,13: 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SiC半导体在薄膜物理制备中的研究
SiC半导体在薄膜物理制备中的研究SiC半导体材料具有优异的物理、化学性质和广泛的应用前景，在光电子器件、功率电子器件、传感器等领域具有重要的应用价值。
然而，由于其特殊的结晶属性以及物理和化学性质的特点，SiC薄膜在制备过程中存在一些难题和挑战。
因此，研究SiC薄膜制备的物理过程对于大规模应用具有重要意义。
在SiC薄膜的制备中，主要使用的方法有物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和分子束外延（MBE）等。
这些方法的选择主要取决于所需薄膜的特点和应用。
PVD方法通过蒸发源加热、高能量粒子轰击等方式，使源材料在真空中蒸发，然后沉积在靶材上。
这种方法具有高温加热、大能量粒子轰击等特点，可控性好，但制备速度较慢。
CVD方法通过在载气中引入气相中的原材料，并在高温下进行化学反应，形成SiC薄膜。
该方法具有制备速度快、适用范围广等优点，是SiC薄膜制备的主要方法。
MBE方法是一种靠分子束在真空中生长晶体的技术，该方法能够在低温下实现薄膜的生长，具有生长速度快、控制性好等优势。
在薄膜物理制备中，研究重点包括SiC薄膜生长机理、晶体结构以及薄膜的物理性质等方面。
首先，研究者需要探索不同方法下SiC薄膜的生长机理和生长过程中可能存在的问题。
例如，CVD方法生长SiC薄膜时，粒子尺寸、载气流速、沉积温度等因素都会影响薄膜的结晶度和质量。
其次，研究者需要研究SiC薄膜的晶体结构和晶格匹配度，以寻找适合不同应用场景的薄膜生长条件。
最后，研究者还需要研究薄膜的物理性质，如光学、电学、磁学等性能，以验证薄膜在实际应用中的可行性。
除此之外，研究SiC薄膜物理制备还面临一些挑战。
首先，SiC材料的高结晶度要求制备工艺更加复杂和严格。
其次，薄膜生长过程中可能会出现SiC薄膜表面的缺陷，如溅射、聚集和晶界等，这些缺陷会对薄膜的性能和应用产生负面影响。
最后，目前SiC薄膜的制备技术在生长速率、晶体质量和尺寸控制等方面仍然存在一些限制，需要进一步改进和优化。
多晶硅薄膜材料的热导特性分析与优化策略研究
多晶硅薄膜材料的热导特性分析与优化策略研究多晶硅薄膜材料在光伏领域具有广泛的应用前景，然而其热导特性对其性能和稳定性有着重要影响。
因此，对多晶硅薄膜材料的热导特性进行深入分析和优化研究具有重要意义。
本文将从多晶硅薄膜材料的热导机制入手，探讨其影响因素，分析其热导特性，并提出相应的优化策略。
一、多晶硅薄膜材料的热导机制多晶硅薄膜材料的热导机制主要包括晶格热导和界面热导两部分。
晶格热导是指晶格振动传递热量的过程，而界面热导是指晶界和晶粒之间传递热量的过程。
多晶硅薄膜材料的热导机制对其热导特性有着重要影响，因此需要深入研究。
二、多晶硅薄膜材料热导特性的影响因素多晶硅薄膜材料的热导特性受多种因素影响，包括晶粒大小、晶界密度、晶格缺陷等。
晶粒大小对热导特性有着重要影响，晶界密度和晶格缺陷也会影响热导性能。
因此，需要对这些影响因素进行深入分析。
三、多晶硅薄膜材料热导特性的分析方法多晶硅薄膜材料的热导特性可以通过实验方法和理论模拟方法进行分析。
实验方法包括热导率测试和热导率显微镜观察等，理论模拟方法包括分子动力学模拟和有限元分析等。
通过这些方法可以深入分析多晶硅薄膜材料的热导特性。
四、多晶硅薄膜材料热导特性的优化策略针对多晶硅薄膜材料的热导特性，可以采取一系列优化策略，包括晶粒控制、晶界工程、缺陷修复等。
通过这些优化策略可以提高多晶硅薄膜材料的热导性能，从而提高其在光伏领域的应用性能。
五、结论多晶硅薄膜材料的热导特性对其性能和稳定性有着重要影响，因此需要深入研究和优化。
本文从热导机制、影响因素、分析方法和优化策略等方面对多晶硅薄膜材料的热导特性进行了系统分析和探讨，为进一步提高多晶硅薄膜材料的性能和应用提供了重要参考。
六、展望未来，可以进一步深入研究多晶硅薄膜材料的热导特性，探索新的优化策略，提高其在光伏领域的应用性能。
同时，可以结合其他材料和技术，进一步提高多晶硅薄膜材料的性能和稳定性，推动其在光伏领域的广泛应用。
低压化学气相淀积多晶硅薄膜工艺研究
２ 讨 论
２．１ 影响 多 晶硅 薄膜质 量 的 因素 热 壁 ＬＰＣＶＤ 多晶硅 薄膜 表 面质 量 的好 坏 与器
件关 系较 大 。要 克 服 多 晶硅 表 面 的“雾 状 ”，关 键 是 严格掌 握操 作 规程 ，硅片 进炉 之 前 ，反 应 系统 内 的残
·３４ ·
《新 技 术新 工艺》·涂层 技 术性 能研 究 ２００６年 第 １１期
增加趋 势逐步放 缓 ，并最终 保持稳 定 。选 择合适 的 淀
积压 强是获得 晶粒 细 、表 面光 亮 、均匀 的多 晶硅 薄 膜
的关键 。若淀 积压强在 ８Ｏ～１３３ Ｐａ，则 制备 的多晶硅
薄膜 的晶粒要粗 一些 ，这样 容易 产生针 孔 。严 格选择 最佳工 艺条件 ，才能制备 高质量 的多晶硅薄膜 。
当温 度远 低于 ６００℃时 ，淀 积速 率变 得太慢 ，以致 不 能应用 。多 晶硅淀 积 常 常 调 节 温 度 分 布 ，使 炉 子 尾 部 区域 温 度 比前部 及 中心 区域 高 出 ５～１５℃ 。较 高 的温度 增 加 了淀积 速率 ，补偿 了 ＳｉＨ 的消耗 。
Ｉ．ＰＣＶＤ系统 的 压 强 可 以 通 过 ３种方 式 加 以调 节 ：１）改变输 入气 体 的流 量 ，维 持 泵速 不变 ；２）改变 泵速 ，保持输入 气体流量 不变 ；３）当输入气体 为 Ｓｉｌ 与 的７昆合 物 时 ，改 变 Ｎ 的流量 ，维 持 Ｓｉｌ 流量 不变 ；或者 Ｓｉｌ 和 Ｎ 的流量 均改变但保持 两者 的比 例不变 。以上 ３种方 法 ，无论采 用哪种 ，都 比较 恒定 ， 均可以控制反 应系统 的压强 。如果 总 的流量改 变 （比 例和泵 速 恒 定 ），那 么淀 积速 率 是 压 强 的线 性 函 数 。 但是 ，如果 泵速 和 Ｎ：流量 变化 ，那 么淀积速率仅与 压 强呈较弱 的关 系 （见 图 ２）。当进 入 的气体 流 量 保持 恒定 ，压强 由泵速来 控制 ，淀积 的重复性最好 。
多晶硅薄膜的制备方法
多晶硅薄膜的制备方法随着科技的不断发展，人们对于材料的要求也越来越高，多晶硅薄膜作为一种新材料，具有独特的性能，在太阳能电池、光电器件等领域得到广泛应用。
那么，多晶硅薄膜的制备方法有哪些呢？一、化学气相沉积法化学气相沉积法是一种利用高纯度硅源在氢气氛围下制备多晶硅薄膜的方法。
该方法具有操作简单、精度高、制备多晶硅晶体的可能性大等特点。
在实验中，将硅源加热至高温，与氢气反应生成SiH4，再通过热解过程，在硅基材料表面不断沉积多晶硅薄膜。
二、低压化学气相沉积法低压化学气相沉积法使用和化学气相沉积法相似的制备方式，不过采用的是低压下进行反应。
通过精确控制反应物的流速和压力，可以获得高质量的多晶硅薄膜。
该方法可以利用氢气还原或者氮化物来降低多晶硅薄膜中氧、碳等杂质的含量。
三、放电等离子体增强化学气相沉积法放电等离子体增强化学气相沉积法，顾名思义，就是在化学气相沉积法的基础上加入放电气体等离子体，通过这种方法可以在普通化学反应无法实现的低温下制备多晶硅薄膜。
该方法所需设备复杂，但是可以得到薄膜品质优良、生长速度快、成本较低等优点。
四、分子束外延法分子束外延法利用了分子束加热的方式，将硅源蒸发成分子束，在金属基板上生长多晶硅。
这种方法可以得到优质的多晶硅薄膜，但是成本较高，设备要求较高，不适用于大规模制备。
五、射频磁控溅射法射频磁控溅射法是在真空环境下，通过将多晶硅目标制备成薄膜，然后利用高能量的离子轰击目标，使目标上的原子受到冲击后脱落并沉积在基板上形成多晶硅。
该方法可以得到膜层均匀、晶体品质好的多晶硅薄膜。
综上所述，多晶硅薄膜的制备方法非常多样化，根据不同的需求可以选择不同的制备方式，以达到最佳效果。
SiCl4／H2为气源低温沉积多晶硅薄膜低温电学特性的研究
１ ． Ｐ 的 低 温 真 空 室 中 ， 蔽 光 和 电 磁 作 用 都 比较 ３３ ａ 屏
好 ， 品 电极 采 用银胶 共 面平 行 电极 ， 样 电极 间狭 缝 尺寸 为ｌ ｍｍ×１ ｍｍ ， 用伏 安 法 测 量 电阻 。实验 采用 的 ０ 利
有较 好 的电学特性 ， 用 于太 阳能 电池 的有 源 层 ， 被 并且 在现 代集成 电路 中起 着 重 要 的作 用 ， 如作 为双 极 晶体
晶硅 薄膜是 由许 多 晶 粒 组 成 ， 晶 粒 之 间 的 晶粒 间界 各 是一层 很薄 的无 序 区， 晶 粒 间 界存 在 杂质 分 凝 和 载 在 流子 陷阱两 种作用 机制 。２ Ｏ世 纪 ７ Ｏ年 代 Ｙ． ｅｏ１ Ｓ ｔＬ 和 ］
Ｇ． ａｅ ｒｎ［ 等人 提 出并 完善 了晶 粒 间 界 载 流 子 陷 Ｂ ｅａａ ｉ ２
人 考 虑 了晶粒 间界 杂质 分 凝 、 流子 陷 阱 和载 流 子 反 载 射效 应 ， 并结 合载 流子 的热 发射 和 隧穿效 应 ， 释 了多 解
文章 编号 ：Ｏ ｌ９ ３ （０ ７ ０ －８ ６０ ｌ ０ 一７ ｌ ２ ０ ）６０ ７ —３
１ 引 言
多 晶硅 薄膜具 有与 ａＳ ： 薄膜 相 似 的对 可见 光 —ｉ Ｈ 高 吸收系数 特性 ， 同时 又 具 有 较 高 的载 流 子迁 移 率 和
光照稳 定性 等优点 。以 ＳＣ Ｈ。为 源气 体 ， 采用 成 ｉＩ ／ 可 熟的 Ｐ Ｃ Ｅ ＶＤ技术 ， 于 实 现低 温 、 面 积 、 成 本 的 易 大 低 要求 。最近 的研究 结果 表 明 ， 化未 掺杂 的 多 晶硅 ， 优 具
如下 ： 源气体 是 ＳＣ Ｈ。 反 应室 气 压 为 ８ Ｐ ， ｉＩ ／ ， ０ ａ 玻璃 衬 底 温 度 为 ３ ０ ， 体 总 流 量 保 持 ４ ｍｌｍｉ ， ｉＩ／ ０℃ 气 ８ ／ ｎ ＳＣ Ｈ。为 ８ ０ ４ ， 过 改 变 射 频 功 率 获 得 不 同结 晶度 的 ．／０ 通
多晶硅纳米薄膜电学特性的实验研究
关键词 ：多晶硅 纳米 薄膜 ； 电学特性 ； 掺杂浓度 ； 膜厚
中 图 分 类 号 ：０ ３ ７８ 文献 标 识 码 ：Ａ 文 章 编 号 ：１０ －９ ８ （０ ８ ０ — ０５ ３ ００ ７７ ２０ ）８ ０ ４ －０
Ｅｘ ｅ ｉ ｅ ｔｓｕｄ ｎ ｅｅ ｔ ｉ ａ ｏ ｅ ｔｅ ｆ ｐ ｒｍ ｎ ｔ ｙ Ｏ ｌ ｃ ｒｃ ｌｐｒ ｐ ｒ ｉｓ ｏ
刘晓为 ， 李金锋 揣荣岩 ， ， 施长治 ，陆学斌 吴娅静 ，
（ ． 尔 滨 工 业 大 学 Ｍ ＭＳ中 心 ， 龙 江 哈 尔 滨 １０ ０ ； １哈 Ｅ 黑 ５０ １ ２ 沈 阳 工 业 大 学 信 息科 学 与 工程 学 院 。 宁 沈 阳 １０ ２ ） ． 辽 １０ ３
Ｓ ｅ ｙ ｎ １ ０ ３。 ｉａ） ｈ ｎ ａ ｇ１ ０ ２ Ｃｈ ｎ
Ａｂ ｔａ ｔ ｓ ｒ ｃ ：Ｔ ｅ ｐ ｌｓｌ ｏ ａ ｏ ｆ ｍｓ ｗｉ ｈ ｃ ｎ ｓ ｅ ｒ ｍ ０￣２ ０ｎ ａｅ ｄ ｐ ｓｔｄ ｂ Ｐ ＶＤ ｔ ｎ ｅ ｔ ａ ｅ ｈ ｏｙ ｉ ｃ ｎ ｎ ｎ — ｌ ｔ ｔ ｉ ｋ ｅ ｓ ｓ ｆ ｉ ｉ ｈ ｏ ６ ５ ｍ ｒ ｅ ｏ ｉ ｙ Ｌ Ｃ ｏ ｉｖ ｓｉ ｔ ｅ ｇ ｔ ｅｉ ｆ ｅ ｃ ｆ ｈｃ ｎ ｓ ｎ ｏ ｉ ｇ ｃ ｎ ｅ ｔ ｔ ｎ ｏ ｈ ｌｃ ｒ ａ ｒ ｐ ｒ ｅ ｆ ｏ ｙ ｉ ｅ ｎ ｎ ｎ — ｌ ． ｏ ｉ ｅ ｈ ｎ ｌ ｎ ｅ ｏ ｉｋ ｅ ｓａ ｄ ｄ ｐ ｎ ｏ ｃ ｎ ｒ ｉ ｎ ｔ ｅｅ ｅ ｔ ｃ ｌ ｏ ｅｔ ｓｏ ｌｓｌ ｏ ａ ｏ ｆ ｍｓ Ｃ ｍｂ ｎ ｄ ｕ ｔ ａｏ ｉ ｐ ｉ ｐ ｉ ｉ ｗ ｔ ｈ Ｅ ｐ ｃｕ ｅ ｆ ｈ ｌ ， ｅ ｉｆ ｅ ｃ ｓａ ａ ｚ ｄ ｔ ｅ ｒｔ ａ ｌ ａ ｅ ｎ ｔ ｅｔ ｓｅ ｅ ｕｔ ｆｒｓｓｉｉ ｉ ｔ ｅ Ｓ Ｍ ｉｔ ｒｓ ｏ ｅ ｆ ｍｓ ｔ ｎ ｌ ｎ ｅ ｉ ｎ ｌ ｅ ｈ ｏ ｅｉｌ ｙ ｂ ｓ ｄ ｏ ｈ ｅ ｔ ｄ ｒ ｓ ｌ ｏ ｉｔ ｔ ｈ ｔ ｉ ｈ ｕ ｙ ｃ ｓ ｅ ｖｙ ａ ｄ ｔ ｍｐ ｒ ｔ ｒ ｏ ｆ ｃ ｅ ｔｏ ｅ ｉｔ ｉ ． ｈ ｅ ｕｔ ｎ ｉ ａｅ ｔ ａ ｈ ｅ ｖ ｏ ｅ ｏｙ ｉ ｃ ｎ ｎ ｎ ｆｌ ａ ｅ ｎ ｅ ｅ ａ ｕ ｅ ｃ ｅｆ ｉｎ ｆｒ ｓｓｉ ｔ Ｔ ｅ ｒ ｓ ｌ ｉ ｄ ｃ ｔ ｈ ｔｔ ｅ ｈ ａ ｙ ｄ ｐ ｄ ｐ ｌｓｌ ｏ ａ ｏ ｍｓ ｈ ｖ ｉ ｖｙ ｓ ｉ ｉ ｂ ｔ ｒｔ ｍｐ ｒ ｔ ｒ ｈ ｒｃ ｅ ｓｉｓ ａ ｄ ｔ ｅｒｔ ｍｐ ｒ ｔ ｒ ｏ ｆ ｃｅ ｔｏ ｅ ｉｔ ｉ ａ ｏ ａｕ ｔ１ ×１ ｅ ｔ ｅ ｅａ ｕ ｅ ｃ ａａ ｔ ｒ ｔ ． ｎ ｈ ｉ ｅ ｅ ａｕ ｅ ｃ ｅｆ ｉｎ ｆｒ ｓｓ ｖｔ ｈ ｓ ａ ｌ ｗ ｖ ｌ ｅ ａ ｅ ｉ ｃ ｉ ｉ ｙ ０一 一
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第４
Ｖ ｏｌ ２， ｜ ＮＯ． ４ Ｄｅ ｃ． ２ＯＯ ８
２ＯＯ８年 ｌ２月
Ｍ ＡＴＥＲＩ ＡＬＳ ＲＥＳ ＥＡＲＣＨ ＡＮＤ ＡＰＰ Ｃ ＬＩ ＡＴＩ） （ Ｎ
文章 编 号 ： ６ ３ ９ ８ （ ０ ８ Ｏ 一 ４ ７Ｏ ｌ ７ — ９ １ ２ ０ ） ４ Ｏ ３ 一４
钨灯作 为光 源 ， 卤钨 灯 由变 压 器 提 供 ２ 直 流 电 ＯＶ
压， 光通过 窗 口垂 直入 射到样 品上 ， 由控 温仪设 置样
底温度 ３ ０℃， 体 总 流 量保 持 ４ ｍ。ｍｉ， 中 ０ 气 ８ｃ ／ ｎ 其
品温度． ｅｔｌｙ公 司 生产 的 型号 为 ６ ７的 可 编程 Ｋｉ ｅ ｈ １ 静 电计 可提供 Ｏ Ｏ Ｖ 的 电压输 出 ， 能测 量 相应 ～５ Ｏ 并
电极 ， 电极 间 的狭缝 为 １ｍｍ×１ Ｏｍｍ． 验装 置 如 实 图 １ 示． 用伏安 法测 量样 品的 电导率 ， 光 照条 所 采 无 件下 测量暗 电导率 ． 测量 光 电导 率 时采 用 ３ ０ｗ 卤 ０
１ 实 验 方 法
采 用频率 １． ６ＭＨｚ的 Ｐ Ｃ Ｄ 方 法 制 备 多 ３ ５ Ｅ Ｖ 晶硅 薄膜 ， 制备工 艺如 下 ： 反应 室压 强 ８ ａ 玻璃 衬 ＯＰ ，
４８ ３
材
料
研
究
与
应
用
的电流 大小．
在光 照条件下 ， 隔 ２℃测量样 品的光 电导 ， 每 一
２ 实验 结 果与 分 析
２ １ 多晶硅 薄膜 的光 、 ， 暗电导率及 晶化率 和光敏性
的 关 系
直测到 ｌ Ｏ℃． ５ 薄膜 的光 电导 、 电导和激 活能的测 暗
量 结果均列 于表 １ ． 从表 １可 以看 出， 活 能随 着 暗 电导 的增 大而 激 减少 ． 验 测得 的激 活能 多 数 在 ０ ４ ０ ６ Ｖ 之 实 ． ～ ． ５ｅ
由样 品的拉曼谱 （ ２ 可知 ，５号 、Ｏ号 、 ９号 图 ） ７ ６ ５ 样 品的 晶化率 ｘｃ 别是 ７ ％ ，１ ， ５ ． 分 ５ ６ ４
间 ， 于单 晶硅 与非 晶硅 的禁 带宽度 值之 间 ， 比较 介 这
符合 多晶硅薄 膜 的激 活 能． 同工 艺 条件 下制 备 的 不 薄膜 都具有较 高 的暗 电导 率 ， １ ０ ～１ Ｏ 达 ×ｌ ×１ Ｓ・ ｍ～， ｃ 与未掺杂 多 晶硅 薄膜 的 电导 率 １ Ｏ ～ ×１ １ Ｏ Ｓ・ ｍ－ 相当 ， ×１ ｃ １ 比非 晶硅 薄 膜 的暗 电导率 ｌ
移率 和光照稳定 性等 优点． 化 的未 掺杂 的多 晶硅 ， 优 具有较 好的光 电特 性 和 较低 的制 备成 本 ， 广泛 应 被 用于 大规模 集成 电路 和半 导 体分立 器件 ［ ］ 多 晶硅 １．
ＳＣ 和 Ｈ ｉｌ 的流量 分别 为 ８ Ｏ ４ ｍ。ｍｉ． ． ，Ｏｃ ／ ｎ 通过 改
过程 影响到界 面的 电荷并使 晶粒 间界 的势垒高 度 降
低， 于是 由晶粒 间界势 垒控 制的多子 电流增 加 ， 成 形
光 电导． 晶硅 薄膜 的平均光 电导率 与 晶化 率 、 多 晶粒
大小 、 照强度 、 光 吸收 系数 、 膜厚度 、 薄 晶粒 间界密 度
图 １ 电 导率 测 试 实 验 装 置
定 性 的研 究 表 明 ， 化率 较 低 的多 晶 硅 稳定 性 好 于 普 通 非 晶 硅 材 料 ， 仍 然 存 在 着 光 衰 减 ； 化 率 较 高 晶 但 晶 的 多 晶硅 材 料 显 示 出稳 恒 光 电 导效 应 ， 不存 在 光 衰 退 现 象 ； 照 时 多 晶 硅 材 料 的 电 导 率 增 加 ， 注 入 后 光 光
ＳＣ４Ｈ 为气源低温 沉积 多晶硅薄膜光 电特性 的研 究 ｉＩ ２ ／
刘 丽 娟 ，罗 以琳 一 ，林 璇 英
（． 头 大 学 物 理 系 ， 东 汕头 ５ ５ ６ ； ．深 圳 市 宇 光 高科 新 能 源 技 术 有 限 公 司 ， 东 深 圳 ５ ８ １） １汕 广 １Ｏ ３ ２ 广 ｌ ｌ６ 摘 要 ： 用 Ｐ Ｃ Ｄ 技 术 ， 过 改 变射 频 功 率 制 备 了 晶化 率 不 同 的 多 晶 硅 薄 膜 ． 多 晶 硅 材 料 光 照 稳 采 Ｅ Ｖ 通 对
收 稿 日期 ： ０ ８ Ｏ —８ ２ ０ 一 ７ １
＊基金 项 目 ： 家重 点 基 础 研 究 发展 规 划 项 目资助 的课 题 （ ０ ｏ ２ ２８ 国 Ｇ２ ０ｏ ８Ｏ ） 作 者简 介 ： 丽娟 （９ ２ ）女 ， 刘 １ ８ 一 ， 山东 菏 泽 人 ， 工程 师 ， 士 ． 硕
（ 阱密度 ） 陷 以及 陷 阱 的俘 获 截 面有 关． 文研 究 了 本
光照和结 晶度对 多 晶硅 薄 膜 电 学特 性 的影 响 ， 这对 多晶硅薄膜 电导 的研 究具 有一定 意义 ．
测量 电导率 时 ， 品放在 真空 度低 于 ３Ｐ 样 ａ的真
空 室 中（ 蔽光 和 电磁 ） 样 品 电极 为银 胶 共 面平 行 屏 ，
变射 频功率 制备 晶化率 不 同的薄膜．
卤钨灯
的光 电导机 理与单 晶硅 的不 同 ， 是多 子效应 的结 果．
多晶硅薄膜 因存 在 晶 粒 间界 ， 以存 在 晶粒 间界 势 所 垒． 晶硅 薄膜 的载 流 子输 运 和 电 导受 晶粒 间界 势 多
机械泵
垒的控制． 照作用 使 晶粒 内产 生附加 载流子 ， 生 光 光 附加载流子在 晶 粒 间界 处 通过 界 面 陷 阱复 合 ， 这一
因光 生 载 流 子 对 缺 陷 态 的 填充 使 费 米 能 级 上 移 ， 活 能 减 小． 激
关键 词 ： 晶硅 薄 膜 ； 多 持续 性 光 电导 ； 晶化 率
中 图分 类 号 ： ） ８ ． （４ ４ ３ 文献 标 识 码 ： Ａ
多 晶硅 薄膜具有 与 ａＳ ： 薄 膜相似 的对 可见 —ｉ Ｈ 光 吸收系数 高的 特性 ， 同时 又具 有 较 高 的载 流 子迁