肖特基二极管常用参数大全分析
肖特基整流二极管参数
肖特基整流二极管参数
肖特基二极管，也叫热电子二极管，主要由金属半导体(Metal-Semiconductor)制成，与传统半导体二极管不同，它具有更高的速度和更低的噪音水平，可用于射频和高速电路等领域。
下面，我们将阐
述肖特基二极管的参数特性。
1. 正向电压临界值：肖特基二极管的正向宽幅临界电压尤为重要，正
常范围是0.2 V到 0.5 V。
当这个电压在设备中超过这个限制，指定的功能将无法正常工作。
2. 反向电流 (I_Leakage)：即在正向电压下所引起的漏电流，通常为
pA级别，也就是微小的电流。
如果设备的反向电流大于这个值，将会导致设备的性能下降。
3. 稳定性：肖特基二极管具有很好的热稳定性，能够在极端环境下工作，比如极寒或极热的温度环境下，其性能也相对稳定。
4. 瞬时响应速度：肖特基二极管具有极快的响应速度，可以在亚纳秒(nS)的时间内响应。
这种快速响应时间非常适合处理大量的高速数据。
5. 更低的开关延时：肖特基二极管实现布尔逻辑电路的开关控制时，
具有比传统半导体二极管更低的开关延迟，从而可以在更短的时间内完成数据处理。
6. 热耐性：由于肖特基二极管的制造材料具有一定的热稳定性，因此耐高温的性能相对而言更好。
可以在高温环境下使用，而不会导致过多的性能下降。
总之，肖特基二极管具有响应速度快、稳定性好、耐高温等特点，适用于高速电路和射频领域等领域，在实际应用中有非常广泛的应用价值。
肖特基二极管参数及特点
肖特基二极管参数及特点肖特基二极管肖特基（Schottky ）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通信电源、变频器等中比较常见。
肖特基二极管参数：（1） VF 正向压降Forward Voltage Drop（2） VFM 最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop（3） VBR 反向击穿电压Breakdown Voltage（4） VRMs 能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage（5）VRRM峰值反复反向电压Peak RepeTITIve Reverse Voltage（6）VRsM Non-RepeTITIve Peak Reverse Voltage （halfwave，single phase，60 Hz）非反复反向峰值电压（半波，单相，60Hz ）（7） VRwM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage （8） Vpc 最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage （9） Trr 反向恢复时间Reverse Recovery Time（10） Ip（Av 正向电流Forward Current（11）IrsM 最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent（12） IR 反向电流Reverse Current（13） Ta 环境温度或自由空气温度Ambient Temperature（14） Tj 工作结温Operating Junction Temperature（15） TsTG 储存温度Storage Temperature Range（16） Tc 管子壳温Case Temperature肖特基二极管特点：1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
肖特基二极管参数表
肖特基二极管参数表【原创版】目录一、肖特基二极管概述二、肖特基二极管参数表详解三、肖特基二极管的应用场景四、结论正文一、肖特基二极管概述肖特基二极管，又称为肖特基势垒二极管，是一种金属与半导体接触的整流器件。
它具有很高的工作效率和较低的正向电压降。
肖特基二极管广泛应用于整流、限幅、开关和稳压等电路中。
二、肖特基二极管参数表详解肖特基二极管参数表主要包括以下几个方面：1.最大重复峰值反向电压（VRRM）：表示二极管能够承受的最大重复峰值反向电压。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VRRM 为 200V。
2.最大直流闭锁电压（VDC）：表示二极管在最大直流电压下仍能保持导通状态的电压值。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VDC 为 200V。
3.最大正向平均整流电流（I(AV)）：表示二极管在最大正向电压下能够通过的平均整流电流。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 I(AV) 为10.0A。
4.最大瞬时正向电压（VF）：表示二极管在最大正向电流下对应的正向电压。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VF 为 0.92V。
5.额定直流阻断电压下的最大直流反向电流（IR）：表示二极管在最大直流阻断电压下能够承受的最大直流反向电流。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 IR 分别为 0.1mA（TA25）和 20.0mA（TA125）。
6.工作温度和存储温度范围（TJ,TSTG）：表示二极管能够正常工作的温度范围和存储温度范围。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 TJ,TSTG 为 -65to 175。
三、肖特基二极管的应用场景肖特基二极管广泛应用于以下场景：1.整流电路：将交流电转换为直流电，例如在电源电路中。
2.限幅电路：限制信号波形的幅值，例如在音频处理电路中。
3.开关电路：实现开关控制功能，例如在场效应管开关电路中。
4.稳压电路：稳定输出电压，例如在稳压电源电路中。
肖特基二极管常用参数大全
肖特基二极管常用参数大全1.电流电压特性：肖特基二极管的电流电压特性是其最重要的参数之一、它包括正向电压、反向电压和漏泄电流。
正向电压是指在正向偏置情况下肖特基二极管所支持的最大电压值。
反向电压是指在反向偏置情况下肖特基二极管所能承受的最大电压值。
漏泄电流是指当肖特基二极管处于反向偏置状态时，从阳极到阴极电流的数值。
2.规格参数：肖特基二极管的规格参数包括最大额定电流、最大额定功率和最大频率。
最大额定电流是指肖特基二极管所能承受的最大电流值。
最大额定功率是指肖特基二极管所能承受的最大功率值。
最大频率是指肖特基二极管所能支持的最高工作频率。
3.转导电导：转导电导是指肖特基二极管在正向偏压下的导纳值。
它是电流和电压的比值，用来衡量肖特基二极管的导电能力。
4.热稳定性：5.漏极电容：漏极电容是指肖特基二极管的漏极到阴极之间的电容值。
它与肖特基二极管的工作频率密切相关。
6.正向压降：正向压降是指肖特基二极管在正向偏压下的电压降。
较低的正向压降意味着肖特基二极管的能耗较低。
7.动态电阻：动态电阻是指肖特基二极管在正向偏压下的阻抗大小。
它与肖特基二极管的导通特性相关。
8.寿命：寿命是指肖特基二极管的使用寿命。
一个好的肖特基二极管应该具有较长的寿命。
9.噪声：噪声是指肖特基二极管产生的噪声信号。
较小的噪声意味着肖特基二极管具有较低的噪音水平。
10.尺寸与封装：尺寸与封装是指肖特基二极管的物理尺寸和封装形式。
常见的封装包括TO-220、TO-247等。
肖特基二极管参数表
肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有低功耗、大电流、超高速特性的半导体器件。
它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管的参数表通常包括以下内容：1. VF（Forward Voltage Drop）：正向压降。
这是肖特基二极管在正向导通时，从阳极到阴极的电压降。
通常情况下，VF的值较低，大约在0.4V到0.7V之间。
2. VFM（Maximum Forward Voltage Drop）：最大正向压降。
这是设备在正向工作时所能承受的最大电压。
VFM决定了二极管是否能在特定电路中进行可靠的操作。
3. VBR（Reverse Breakdown Voltage）：反向击穿电压。
这是肖特基二极管在反向偏置时，能够承受的最大电压，超过这个电压会导致器件损坏。
4. VRRM（Peak Reverse Voltage）：峰值反向电压。
这是设备在反向工作时所能承受的最大电压。
VRRM通常高于VBR，以确保器件在正常操作中不会因反向电压而损坏。
5. VRsM（Non-Repetitive Peak Reverse Voltage）：非反复峰值反向电压。
这是设备在非反复模式（如单次脉冲）下所能承受的最大反向电压。
6. VRwM（Reverse Working Voltage）：反向工作电压。
这是设备在反向偏置时能够安全工作的电压。
7. Vpc（Maximum DC Blocking Voltage）：最大直流截止电压。
这是肖特基二极管能够承受的最大直流电压，用于防止器件因过压而损坏。
8. Trr（Reverse Recovery Time）：反向恢复时间。
这是肖特基二极管从反向偏置到正向偏置的恢复时间，通常很短，大约在几纳秒到几十纳秒之间。
肖特基二极管主要参数
肖特基二极管主要参数
肖特基二极管是一种半导体二极管，它具有相比传统矽二极管更高的开关速度和低噪声特性。
以下是肖特基二极管的主要参数：
1. 正向电压降（Forward Voltage Drop）：肖特基二极管在正向导通状态下的电压降。
通常为0.2-0.5V，较低矽二极管的典型值更小。
2. 反向电压（Reverse Voltage）：肖特基二极管可以承受的最大反向电压。
通常为30-200V。
3. 正向电流（Forward Current）：肖特基二极管在正向导通状态下可以通过的最大电流。
通常为几十毫安到几安。
4. 反向漏电流（Reverse Leakage Current）：肖特基二极管在反向偏置状态下的漏电流。
通常非常小，一般为几微安到几毫安。
5. 开关速度（Switching Speed）：肖特基二极管的响应速度。
由于肖特基二极管中没有存储电荷，所以其开关速度较矽二极管更快。
6. 热稳定性（Thermal Stability）：肖特基二极管的温度特性。
肖特基二极管具有较低的温度导致电流变化的特点。
7. 噪声系数（Noise figure）：肖特基二极管的噪声性能。
由于肖特基二极管的结构特点，其在高频应用中具有较低的噪声系数。
这些参数可以帮助工程师选择合适的肖特基二极管用于特定应用，例如高频放大器、开关电路和功率电源等。
肖特基二极管原理和常用参数和检测方法
肖特基二极管原理肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，形成肖特基势垒来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V左右。
其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。
因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
肖特基二极管（Schottky Barrier Diode)是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。
其正向起始电压较低。
其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。
其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。
这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。
由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。
其工作频率可达100GHz。
并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。
它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。
肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
肖特基二极管通用参数全套汇编
肖特基二极管通用参数全套汇编
1.最大反向电压（VRRM）：肖特基二极管能够承受的最大反向电压。
超过此电压，二极管可能会被击穿。
2.推荐工作温度（TJ）：在此温度下，肖特基二极管的性能指标可以
得到保证。
3.最大正向连续工作电流（IF）：在该电流下，二极管能够维持正常
工作。
4.最大稳态功耗（PD）：在该功耗下，二极管能够正常工作而不发生
过热。
5.正向压降（VF）：当二极管正向导通时，导通电流下的电压降。
6.反向电流（IR）：当二极管反向偏置时，反向流过的电流。
7.正向容量（CJ）：该参数是指正向偏置下的二极管电容。
8.反向容量（CR）：该参数是指反向偏置下的二极管电容。
9.串联电阻（RS）：该参数是指二极管正向导通时产生的串联电阻。
10.反向恢复时间（TRR）：指二极管从正向导通到反向截止的恢复时间。
11.正向导通时的电流增益（hFE）：指二极管正向导通时的放大倍数。
12.耐压（VR）：指肖特基二极管所能承受的最大反向电压。
13.工作频率：指肖特基二极管能够稳定工作的频率范围。
14.反向压降漂移：指反向电压增加时，反向压降随之增加的量。
15.动态电阻（RD）：指正向导通时肖特基二极管的动态导通电阻。
上述是关于肖特基二极管通用参数的一些重要内容，并不是细致的详
细解释，但是它们在设计和选择肖特基二极管时都是需要考虑的。
这些参
数的不同取值会对肖特基二极管的性能有直接的影响，所以在具体应用中，我们应该根据需要选择合适的肖特基二极管以确保电路的可靠性和稳定性。
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肖特基（势垒）二极管（简称SBD）整流二极管的基本原理•FCH10A15型号简称：10A15•主要参数：IF(AV)=10A, VRRM=150V•产品封装：TO-220F•脚位长度：6-12mm•可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR•型号全名：FCH20A15•型号简称：20A15•主要参数：20A 150V•产品封装：TO-220F•可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR•在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V左右。
其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。
因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
肖特基整流二极管的主要参数•以下是部分常用肖特基二极管型号，以及耐压和整流电流值：肖特基二极管肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 400.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BAT54A PS SOT23 0.20 300.5010MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .6510MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 60.34SS12 GS DO214 1.00 200.50MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .3910BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55SS14 GS DO214 1.00 400.50MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .6010BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57SS16 GS DO214 1.00 600.7510BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 510MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .5115MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45.3530BQ040 IR SMC 3.00 40 0 .5130BQ060 IR SMC 3.00 60 0 .5830BQ100 IR SMC 3.00 100 0.7 9STPS340U STM SOD6 3.00 40 0.84MBRS340T3 ON - 3.00 40 0 .52RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45MBRS360T3 ON - 3.00 60 0 .7030WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.6 230WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.7 030WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.5 250WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.5 350WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.5 76CWQ06FN IR DPAK 6.60 60 0.586CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 100 0.811N5817 ON 轴向 1.00 20 0.751N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55SB130 GS 轴向 1.00 30 0.501N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60MBR150 ON 轴向 1.00 50 1.00MBR160 ON 轴向 1.00 60 1.0011DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.5511DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.5811DQ06 IR 轴向 1.10 60 0.58MBRS340TR IR SMC 3.00 40 0.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.851N5821 ON 轴向 3.00 30 0.381N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52MBR360 ON 轴向 3.00 60 1.00SS32 GS DO214 3.00 203.00SS34 GS DO214 3.00 400.5031DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57SB540 GS DO201 5.00 40 0.5750SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.66 50SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66MBR735 GS TO220 7.50 35 0.84MBR745 GS TO220 7.50 45 0.84MBR745 IR TO220 7.50 45 0.8480SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53STQ080 IR TO220 8.00 80 0.728TQ100 TO220 8.00 1000.7280SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 35 0.53HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 600 1.7095SQ015 轴向 9.00 15 0.3190SQ040 轴向 9.00 40 0.4810TQ045 TO220 10.00 45 0.5 7MBR1035 GS TO220 10.00 35 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2 40 50 10 SR250 2 50 50 10 SR260 2 60 50 10 SR280 2 80 50 10 SR2A0 2 100 50 10 1N5820 3 20 80 20 1N5821 3 30 80 20 1N5822 3 40 80 20 SB320 3 20 80 20 SB330 3 30 80 20 SB340 3 40 80 20 SB350 3 50 80 10 SB360 3 60 80 10 SR320 3 20 80 20 SR330 3 30 80 20 SR340 3 40 80 20 SR350 3 50 80 20 SR360 3 60 80 20 SR380 3 80 80 20 SR3A0 3 100 80 20 SB520 5 20 150 50 SB530 5 30 150 50SB540 5 40 150 50 SB550 5 50 150 25 SB560 5 60 150 25 SR520 5 20 150 50 SR530 5 30 150 50 SR540 5 40 150 50 SR550 5 50 150 25 SR560 5 60 150 25 SR580 5 80 150 25 SR5A0 5 100 150 25。