常用场效应管参数大全 (2)
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全场效应管（MOSFET）是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。
了解场效应管的参数对于正确选用和应用场效应管非常重要。
下面是一些常用的场效应管参数的介绍：1.电荷参数：- 输入电容（Ciss）：指在恒定的源极电压下，栅源电压从0V变化到开启电压时，输入的电荷。
一般情况下，输入电容越小，开关速度越快。
- 输出电容（Coss）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压从0V变化到开启电压时，可以作用在漏极电容上的输出电荷。
输出电容越小，开关性能越好。
2.静态电流参数：-偏置电流（IDSS）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压为零时，漏极的电流。
偏置电流越大，MOSFET的放大能力越强。
- 截止电流（ID(off)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极开路时，导通电流的下限。
3.动态电流参数：- 开关时间（ton和toff）：指从栅源电压达到开启电压到漏源电压达到截止电压的时间。
开关时间越短，场效应管的开关速度越快。
- 开关过渡时间（tr和tf）：指从栅源电压从10%到90%或90%到10%的转换时间。
开关过渡时间越短，场效应管的切换速度越快。
4.饱和区电流参数：- 饱和漏源电流（ID(on)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极电压达到饱和时，漏极的电流。
- 饱和压降（VDSat）：指在饱和状态下，漏极电压和源极电压之间的电压降。
5.开关特性参数：- 截止电压（VGS(off)）：指在恒定的源极电压下，栅源电压为零时，漏源电压的电压降。
- 开启电压（VGS(th)）：指在恒定的源极电压下，漏源电压达到截止电压时的栅源电压。
6.热特性参数：-热阻（θJA）：指导热回路中的芯片与环境之间的热阻，表示芯片散热的能力。
- 最大结温（TJmax）：指芯片能够承受的最高结温。
超过最大结温可能会损坏场效应管。
以上是一些常用的场效应管参数的介绍。
了解这些参数可以帮助我们选择和应用场效应管。
在实际应用中，我们通常根据具体的需求和电路要求来选择合适的场效应管，以保证电路性能的稳定和高效。
场效应管参数对照表
场效应管参数对照表场效应管（Field Effect Transistor，简称FET），是一种常用的半导体器件，其工作原理基于场效应。
场效应管分为两种基本类型：N-沟道型场效应管（N-channel FET）和P-沟道型场效应管（P-channel FET）。
场效应管有着很多特性参数，下面是场效应管常见参数的对照表。
1. 驱动电压（Vds）：场效应管的驱动电压是指在引脚之间的电压差，也成为漏极与源极之间的电压。
该驱动电压决定了场效应管的导通与截止，一般用正参考电压。
2. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指场效应管悬浮增益区通过导通的初始电压，也就是漏极电流开始出现的电压。
阈值电压决定了FET是否在导通状态，一般用负参考电压。
3.漏极电流（Id）：漏极电流是指通过场效应管漏极的电流，当驱动电压大于阈值电压时，场效应管导通，漏极电流会随之增加。
4. 器件尺寸（Size）：场效应管的尺寸通常由器件的长度（L）和宽度（W）决定。
尺寸越大，场效应管的漏极电流也越大。
5. 开关速度（Switching Speed）：场效应管的开关速度指的是从导通到截止或者从截止到导通的反应时间。
开关速度快的场效应管适用于高频应用。
6. 衰减（Attenuation）：场效应管的衰减是指信号经过场效应管后的信号衰减量。
7. 耐压（Vdss）：耐压是指场效应管在截止状态下可以承受的最大电压。
一般情况下，Vdss会比驱动电压Vds的值要大。
8. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管输入端的容量。
输入电容决定了场效应管对输入信号的响应速度。
9. 输出电阻（Rds）：输出电阻是指场效应管导通状态下，漏极与源极之间的等效电阻。
输出电阻越小，对负载输出能力越强。
10. 控制源电压（Vgs）：控制源电压是指场效应管的栅极电压，通过改变栅极电压，可以控制场效应管的导通与截止。
以上是几个常见的场效应管参数对照表。
不同应用场景的场效应管参数有所不同，使用时需根据具体需求来选择合适的场效应管。
用场效应管参数大全
用场效应管参数大全场效应管是一种常用的半导体器件，也被称为FET（Field Effect Transistor）。
它是由三个电极组成的，分别是栅极、漏极和源极。
场效应管的工作原理是通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流。
以下是场效应管的一些重要参数的详细介绍：1. 负极限电压（VDSmax）：它是场效应管允许的最大漏极与源极之间的电压。
超过此电压会使管子损坏。
2. 正极限电压（VGSmax）：它表示了场效应管允许的最大栅极与源极之间的电压。
超过此电压会引起栅极结击穿。
3. 最大漏极电流（IDmax）：它是场效应管允许的最大漏极电流。
超过此电流会使管子损坏。
4.静态工作点（Q点）：它是场效应管的直流偏置点，通常用IDQ和VGSQ来表示。
正确的偏置点有助于管子的稳定工作。
5. 漏极饱和电压（VDSsat）：它是在饱和状态下，漏极电压与源极电压之间的最小差值。
当漏极电压小于这个值时，管子进入饱和状态。
6. 开启电压（Vth）：它是栅极电压与源极电压之间的最小差值，使场效应管开始导通。
7.电流增益（μ）：它是漏极电流与栅极电流之间的比值。
它表示了栅极电流对漏极电流的放大能力。
8. 输入电阻（Rin）：它是场效应管输入端的电阻。
它表示了输入信号对管子的负载能力。
9. 输出电阻（Rout）：它是场效应管输出端的电阻。
它表示了管子输出信号对负载的影响。
10. 控制转移函数（gfs）：它是栅极电流和源极电流之间的比值。
它表示了控制信号对输出信号的调节能力。
11.反射损耗（RL）：它是输出端与负载之间的阻抗差异引起的信号反射损耗。
12.噪声系数（NF）：它是场效应管的噪声输出与输入之比，描述了场效应管对噪声的放大能力。
这些是场效应管的一些重要参数，它们对于正确选择和应用场效应管至关重要。
不同的场合需要考虑不同的参数，以确保电路的正常工作和性能优化。
常用二极管三极管场效应管参数资料
IC=2A
5A
表 9 3DG 高频小功率硅管及其他同类型硅管（NPN 型）
部标新型
旧型号
PCM
号
/W
极限参数
直流参数 交流参数
ICM BUCBO BUCEO ICBO ICEO hFE /mA /V /V /μA /μA /β
fT /MHZ
3DG6A 3DG100M
20 15
25～2 ≥150
70
3DG6A 3DG100A
≤1 -6~4 550 1
50
10
53 2
250
2CW 2CW1
5.5~6.5 38
≤0.5 -3~5 500 1
30
10
54 3
2CW 2CW1 6.2~7.5 33
55 4
≤6 400 1
15
10
2CW 2CW1 7~8.8 29
56 5
≤7 400 1
15
5
2CW 2CW1 8.5~9.5 26
400
2CZ54G 2CP
500
2CZ54H 2CP1E
600
2CZ54K 2CP1G
800
测试条件 25℃ 25℃
12 25℃ 0.01s
5℃
2CP10 2CZ82A
2CP11 2CZ82B
2CP12 2CZ82C
2CP14 2CZ82D
2CP16 2CZ82E
2CP18 2CZ82F
2CP19 2CZ82G
工作电流= 10 mA
表 4 发光二极管
型号发光Biblioteka 颜色发光最大工作 正向压降 一般工作
发光亮度 发光功率
波长/
电流/mA /V 电流/mA
场效应管参数用途大全
场效应管参数用途大全场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种主要用于放大、开关和调节信号的电子器件。
它是一种三端器件，由源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）组成。
场效应管具有很多参数，下面将详细介绍这些参数的用途。
1.漏极电流（ID）：漏极电流是指通过场效应管的漏极-源极电路的电流。
它可以用来测量和控制场效应管的放大增益和工作状态。
2.栅-源电压（VGS）：栅电压与源电压之间的差值，用于控制场效应管的导通与截止状态。
当VGS小于场效应管的阈值电压时，管子截止；当VGS大于阈值电压时，管子导通。
3.漏-源电压（VDS）：漏电压与源电压之间的差值，用于测量场效应管的电压增益和功耗。
它还用于确定场效应管的工作状态，如饱和区、线性区和截止区。
4. 率定电压（VGS-off）：当栅电压小于阈值电压时，场效应管处于关断状态。
率定电压是指栅电压，使得场效应管完全截止，漏极电流为零。
5.漏极电阻（RD）：漏极电阻是指场效应管的漏极电压和漏极电流之间的比率。
它用于测量和控制场效应管的输出阻抗和信号衰减。
6.栅-漏电流（IGS）：栅-漏电流是指栅极和源极之间的电流。
它表示在截止区域时，栅极上的电流，即零漏极电压条件下的漏极电流。
7.漏极电容（CDS）：漏极电容是指场效应管的漏极电压和变化的漏极电流之间的比率。
它与场效应管的频率响应和带宽有关。
8.栅电流（IG）：栅电流是指通过场效应管的栅极-源极电路的电流。
栅电流用于测量和控制场效应管的输入阻抗和信号增益。
9.输入电容（CGS）：输入电容是指场效应管的栅极电压和变化的栅极电流之间的比率。
它与场效应管的频率响应和带宽有关。
10.输出电容（CDS）：输出电容是指场效应管的漏极电压和变化的漏极电流之间的比率。
它与场效应管的频率响应和带宽有关。
11. 开关速度（Switching Speed）：开关速度是指场效应管在从截止状态到导通状态或从导通状态到截止状态的转换时间。
场效应管参数大全2
场效应管参数大全2型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2518-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大200 20 502SK2519-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大200 10 402SK2520-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大200 10 302SK2521-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大200 18 502SK2522-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大300 18 402SK2523-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 9 602SK2524-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 9 402SK2525-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 9 802SK2526-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 5 602SK2527-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 5 402SK2528-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 4 802SK2529 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 50 35 2SK2530 SANYO N-MOSFET,用于高速开关250 2 20 2SK2532 SANYO N-MOSFET,通用开关应用250 10 402SK2533 SANYO N-MOSFET,用于高速开关250 2 20 2SK2534 SANYO N-MOSFET,通用开关应用250 16 502SK2538 PANASONIC N-MOSFET,用于高速开关、高频功率放大250 2 302SK2539 PANASONIC N-MOSFET,用于高频功率放大、模拟开关15 0.05 0.22SK2541 NEC N-MOSFET,用于高速开关50 0.1 0.252SK2542 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流500 8 802SK2543 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流500 8 402SK2544 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流600 6 802SK2545 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器驱动和电动机驱动600 6 402SK2549 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器驱动和电动机驱动16 2 1.52SK2550 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器驱动和电动机驱动50 45 1002SK2551 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器驱动和电动机驱动50 50 1502SK2553 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 50 75 2SK2553L HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 50 75 2SK2553S HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 50 75 2SK2554 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 75 150 型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2559 SHINDENGEN N-MOSFET,用于DC-DC转换、DC12-24V输入电源200 10 402SK2560 SHINDENGEN N-MOSFET,用于DC-DC转换、DC12-24V输入电源200 20 602SK2561-01R FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应管600 9 802SK2562-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放800 7 802SK2563 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 100-200V输入开关电源、换流、功率因素控制电路600 4 302SK2564 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 100-200V输入开关电源、换流、功率因素控制电路600 8 502SK2568 HITACHI N-MOSFET,用于开关整流、DC-DC转换500 12 1002SK2569 HITACHI N-MOSFET,用于低频功率开关50 0.2 0.15 2SK2570 HITACHI N-MOSFET,用于低频功率开关20 0.2 0.15 2SK2570-01MR FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应管300 10 402SK2571 PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源450 13 1002SK2571-01 FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应管300 10 802SK2573 PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源500 20 1002SK2573-01 FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应300 20 1252SK2586 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 60 125 2SK258H N-FET,高频放大（射频放大）,功率放大250 8 125 IRF2322SK2590 HITACHI N-MOSFET,用于开关整流、DC-DC转换、电动机控制200 7 125502SK2592 SANYO N-MOSFET,通用开关应用250 13 602SK2593 PANASONIC N-MOSFET,用于低频放大、开关55 0.03 0.1252SK2597 NEC N-MOSFET,用于900MHz基站便携式电话功率放大60 15 2902SK2598 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动250 13 602SK2599 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 22SK259H N-FET,高频放大（射频放大）,功率放大350 5 125 IRF3232SK2601 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动500 10 1252SK2602 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流600 6 1252SK2603 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动800 3 1002SK2604 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流800 5 1252SK2605 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流800 5 452SK2606 TOSHIBA N-MOSFET,用于DC-DC转换、继电器和电动机驱动800 8 852SK2607 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动800 9 150型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2608 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流900 3 1002SK260H N-FET,高频放大（射频放大）,功率放大400 5 125 IRF3222SK261 N-FET,功率放大,音频(低频) IRF5122SK2610 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 5 1502SK2611 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动900 9 1502SK2613 TOSHIBA N-MOSFET,用于开关调整、DC/DC 转换和电动机驱动300 32 2002SK2614 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动50 20 402SK2615 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动60 2 0.52SK2616 SANYO N-MOSFET,用于高速开关500 2 302SK2617ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用500 5 252SK2617LS SANYO N-MOSFET,通用开关应用500 4 252SK2618ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用500 6.5 302SK2618LS SANYO N-MOSFET,通用开关应用500 5 302SK262 N-FET,功率放大,音频(低频) IRF613 2SK2623 SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 1.5 302SK2624ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 3.5 252SK2624FG SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 3.5 252SK2624FS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 3.5 252SK2624LS SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 3 252SK2625ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 5 302SK2625LS SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 4 302SK2627 SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 5 402SK2628ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 7 352SK2628FG SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 7 352SK2628FS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 7 352SK2628LS SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 6 352SK263 N-FET,功率放大,音频(低频) IRF613 2SK2631 SANYO N-MOSFET,用于高速开关800 1 302SK2632LS SANYO N-MOSFET,通用开关应用800 2.5 252SK2638-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 10 50型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2639-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 10 1002SK264 N-FET,功率放大,音频(低频) IRF6122SK2640-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 502SK2641-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 1002SK2642-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大500 15 502SK2643-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 15 1252SK2645-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关600 9 50 2SK2646-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 802SK2647-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 402SK2648-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 9 1502SK2649-01R FUJI 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 9 1002SK2651-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大900 6 502SK2652-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 6 1252SK2653-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大900 6 802SK2654-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 8 1502SK2655-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大2SK266 TOSHIBA 停产,N-FET,电容话筒专用15 0.1 PN4119A 2SK2661 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 5 752SK2662 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动500 5 352SK2663 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 1 102SK2664 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 502SK2665 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 502SK2666 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 302SK2667 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 652SK2668 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 402SK2669 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流2SK2670 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 5 602SK2671 SHINDENGEN关电源、高压电源、换流900 5 402SK2672 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 5 802SK2673 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 5 50型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2674 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 7 1002SK2675 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 7 552SK2676 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 10 1202SK2677 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 10 652SK2679 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动400 5.5 352SK2682LS SANYO N-MOSFET,用于高速开关250 13 35 2SK2684 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 30 50 2SK2684L HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 30 50 2SK2684S HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 30 50 2SK2685 HITACHI GAAS N-MOSFET,用于UHF低噪声放大6 0.02 0.12SK2687-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 50 602SK2688-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大30 50 602SK2689-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关30 50 402SK2690-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 80 1252SK2691-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放60 70 1002SK2695-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换700 5 602SK2698 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动500 15 1502SK2699 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 12 1602SK270 TOSHIBA 停产,用2SK389代替,N-FET,配对管,音频（低频）40 0.02 0.6 U4052SK2700 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 3 402SK2701 SANKEN N-MOSFET 450 7 35 2SK2702 SANKEN N-MOSFET 450 10 35 2SK2703 SANKEN N-MOSFET 450 10 75 2SK2704 SANKEN N-MOSFET 450 13 40 2SK2705 SANKEN N-MOSFET 450 13 75 2SK2706 SANKEN N-MOSFET 450 18 85 2SK2707 SANKEN N-MOSFET 600 4.5 35 2SK2708 SANKEN N-MOSFET 600 7 40 2SK2709 SANKEN N-MOSFET 600 8.5 85 2SK271 TOSHIBA 停产,用2SK405代替,N-FET,功率放大,音频（低频）140 8 120 2SK405型号PDF厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2710 SANKEN N-MOSFET 600 12 85 2SK2715 ROHM N-MOSFET，用于开关500 2 202SK2717 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动900 5 45机驱动2SK2718 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动900 2.5 402SK2719 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 3 1252SK272 TOSHIBA 停产,用2SK405代替,N-FET,功率放大,音频（低频）140 8 120 2SK2712SK2723 NEC N-MOSFET,用于大电流开关60 25 252SK2724 NEC N-MOSFET,用于大电流开关60 35 302SK2725 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 5 302SK2726 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 7 302SK2727 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 10 100 2SK2728 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 18 150 2SK2729 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 20 150 2SK273 GaAs,微波,超高频8 0.1 0.3 MGF-1400 2SK2730 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 25 1752SK2731 ROHM N-MOSFET，用于开关30 0.2 0.22SK2733 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 1 602SK2734 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 5 0.9 2SK2735 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 20 20 2SK2735L HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 20 20 2SK2735S HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 20 20 2SK2736 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 30 25 2SK2737 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 45 302SK2738 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 40 302SK274 GaAs,微波,超高频8 0.1 0.3 MGF-1402 2SK2740 ROHM N-MOSFET，用于开关600 7 302SK2741 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动60 5 2.52SK2742 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动100 3 2.52SK2744 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动50 45 1252SK2745 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动50 50 150型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2746 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动800 7 1502SK2749 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 7 1502SK275 GaAs,微波,超高频8 0.1 0.3 MGF-1412 2SK2750 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 3.5 352SK2751 PANASONIC N-JFET,用于低频阻抗转换、红外传感器40 0.01 0.22SK2751J ON N-JFET,用于低频放大器、恒流源和阻抗转换等40 0.01 0.022SK2753-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大120 50 1502SK2754-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放450 10 80大2SK2754-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大450 10 802SK2755-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大450 18 1252SK2756-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大450 18 802SK2757-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 802SK2758-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 802SK2758-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 802SK2759-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 15 802SK276 GaAs,微波,超高频 6 0.08 0.22SK2760-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大600 9 602SK2761-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大600 10 502SK2762-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 802SK2762-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 802SK2763-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 1002SK2764-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 802SK2765-01 FUJI 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 7 1252SK2766-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 7 802SK2767-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 3.5 802SK2768-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大900 3.5 802SK2768-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大900 3.5 802SK2769-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大900 3.5 402SK277 N-MOSFET,功率场效应管350 7 100 BUZ632SK2770-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 3.5 100型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2771-01R FUJI N-MOSFET,用于开关900 9 100 2SK2775 SANYO N-MOSFET,用于高速开关100 25 402SK2776 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 8 652SK2777 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 6 652SK2778 SANKEN N-MOSFET 100 12 302SK2779 SANKEN N-MOSFET 100 20 352SK278 N-MOSFET,功率场效应管400 7 100 BUZ632SK2782 TOSHIBA 关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动60 20 40 2SK2787LS SANYO N-MOSFET,通用开关应用450 8 40 2SK2788 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 2 12SK2789 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动100 27 602SK279 GaAs,功率放大,微波,超高频8 0.25 1 MGF-1801 2SK2792 ROHM N-MOSFET,用于开关600 4 302SK2793 ROHM N-MOSFET,用于开关500 5 302SK2796 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 5 202SK2796L HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 5 202SK2796S HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 5 202SK2798 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 100V输入开关电源、高压电源、换流350 6 302SK2799 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 100V输入开关电源、高压电源、换流350 10 502SK280 GaAs,功率放大,微波,超高频 5 0.1 0.27 NE13783 2SK2800 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 40 50 2SK2802 HITACHI N-MOSFET,用于低频功率开关30 0.5 0.152SK2803 SANKEN N-MOSFET 450 3 302SK2804 SANKEN N-MOSFET 450 5 352SK2805 SANKEN N-MOSFET 450 15 802SK2806-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大30 35 302SK2807-01L FUJI 电源、DC-DC转换、一般功率放大30 35 302SK2807-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大30 35 302SK2808-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大30 35 202SK2809-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大60 50 50第59页共120页型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK281 GaAs,超高频,甚高频 5 0.12 0.3 NE218892SK2823 TOSHIBA N-MOSFET,用于便携式仪表、高速开关、模拟开关20 0.1 0.22SK2824 TOSHIBA N-MOSFET,用于便携式仪表、高速开关、模拟开关20 0.1 0.12SK2825 TOSHIBA N-MOSFET,用于便携式仪表、高速开关、模拟开关20 0.1 0.12SK2826 NEC N-MOSFET,用于大电流开关60 70 100 2SK2827-01 FUJI N-MOSFET,用于开关600 9 602SK2828 HITACHI N-MOSFET,高速功率开关,用于开关整流、DC-DC转换700 12 1752SK283 N-FET,激励、驱动80 0.0017 0.15 2SK2832-01 FUJI N-MOSFET,用于开关60 50 80 2SK2833-R FUJI N-MOSFET,用于开关120 50 100 2SK2834-01 FUJI N-MOSFET,用于开关600 9 80 2SK2835 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动200 5 1.32SK2836 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 1 2.52SK2837 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 20 1502SK2838 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动400 6.6 402SK2839 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动30 10 2.52SK283R3 N-FET,激励、驱动80 0.0012 0.15 2SK283R4 N-FET,激励、驱动80 0.0025 0.15 2SK283R5 N-FET,激励、驱动80 0.005 0.15 2SK283R6 N-FET,激励、驱动80 0.01 0.152SK2841 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动400 10 802SK2842 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 12 402SK2843 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 10 452SK2844 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动30 35 602SK2845 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 1 402SK2846 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 2 1.32SK2847 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动900 8 852SK2848 SANKEN N-MOSFET 600 2 302SK2849-01L FUJI N-MOSFET,用于开关200 18 50 2SK2849-01S FUJI N-MOSFET,用于开关900 6 125型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2850-01 FUJI N-MOSFET,用于开关200 18 50 2SK2851 HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 5 0.9 2SK2854 TOSHIBA N-MOSFET,用于UHF波段放大10 0.5 0.5 2SK2855 TOSHIBA N-MOSFET,用于UHF波段放大10 1 0.52SK2856 TOSHIBA N-MOSFET,用于UHF波段低噪声放大3 0.08 0.12SK2858 NEC N-MOSFET,用于高速开关30 0.1 0.15 2SK2859 SANYO N-MOSFET,用于高速开关100 2 1.6 2SK286 N-FET,功率放大,音频(低频) 60 8 1002SK2862 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动500 3 252SK2864 SANYO N-MOSFET,用于高速开关200 20 50 2SK2865 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 2 202SK2866 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 10 1252SK2869 HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 20 30 2SK2870-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 502SK2870-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 502SK2871-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 502SK2872-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 302SK2873-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 602SK2874-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 502SK2874-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 502SK2875-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 502SK2876-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 302SK2877-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 602SK2879-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 20 1502SK287K N-FET,高频放大(射频放大),功率放大,开关60 8 1002SK2882 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动150 18 452SK2883 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动800 8 752SK2884 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换800 5 1002SK2885 HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 45 75 2SK2885L HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 45 75 型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2885S HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 45 752SK2886 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动60 45 402SK2887 ROHM N-MOSFET,用于开关200 3 20 2SK2889 ROHM N-MOSFET,用于开关600 10 1002SK288K N-FET,高频放大（射频放大）,功率放大,开关80 8 1002SK2890-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 50 502SK2891-01 FUJI N-MOSFET,用于开关30 100 1252SK2892-01R FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 90 1002SK2893-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 100 1502SK2894-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 100 1252SK2895-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 602SK2896-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 602SK2897-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 402SK2898-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 100 1502SK2899-01R FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 100 1252SK289H N-FET,高频放大（射频放大）,功率放大,开关80 8 1002SK2900-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 602SK2901-01L FUJI N-MOSFET,用于开关60 45 60 2SK2901-01S FUJI N-MOSFET,用于开关60 45 602SK2902-01MR FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 402SK2903-01MR FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 50 502SK2904-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 80 1252SK2905-01R FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 70 1002SK2906-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 100 1502SK2907-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 100 125。
常用场效应管和晶体管全参数大全
常用场效应管和晶体管全参数大全1.常用场效应管参数：(1)静态参数：a.离子阱截止电压（Vp）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流为零的栅极-源极电压。
b. 饱和漏极电流（Idss）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流的最大值。
c. 调整电压（Vto）：指在栅极与源极间电压为零时，栅极与源极间的电流。
d. 输入电容（Ciss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极之间的电容。
e. 输出电容（Coss）：指当栅极-源极电压为零时，漏极之间的电容。
f. 反馈电容（Crss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极与漏极之间的电容。
(2)动态参数：a.输入电导（Gm）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与栅极-源极电压之比。
b. 输入电阻（Rin）：指在栅极-源极电压为零时，输入电阻的值。
c. 输出电导（Gds）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与漏极电压之比。
d. 输出电阻（Rout）：指在栅极-源极电压为零时，输出电阻的值。
e. 转封闭电压（Breakdown Voltage）：指在栅极-源极电压为零时，输出特性曲线开始变弯的电压。
2.晶体管参数：(1)静态参数：a. 饱和电压（Vce）：指在负载线上工作时，集电极与发射极之间的电压。
b.饱和电流（Ic）：指在负载线上工作时，通过集电极的电流。
c. 漏电流（Iceo）：指在基极与集电极之间断开时，通过集电极的漏电流。
d. 输入电容（Cib）：指输入电容的值。
e. 输出电容（Cob）：指输出电容的值。
(2)动态参数：a. 横向混频增益（hfe）：指输入电流与输出电流之比。
b. 纵向封闭电流放大因数（hie）：指基极-发射极之间的电阻。
c.输出电流（Ib）：指基极电流。
d. 纵向式封闭输出电阻（hre）：指输出电流与输入电流之比。
值得一提的是，晶体管比场效应管多一种参数：工作频率。
此参数指示了晶体管在给定频率下的性能。
这些是常见的场效应管和晶体管的主要参数。
不同的型号和规格的场效应管和晶体管可能会有其他额外的参数依赖于具体应用和要求。
最实用的场效应管参数
最实用的场效应管参数场效应管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子电路中，具有许多实用的参数。
本文将详细介绍场效应管的一些最实用的参数。
1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指在场效应管工作时，控制栅极电压与源极电压之间的差值，当栅极电压超过阈值电压时，场效应管开始导通。
阈值电压是评估场效应管导通特性的重要指标，对于电路设计和选型具有重要意义。
2. 最大漏源电压（VDSmax）：最大漏源电压是指场效应管可以承受的最高电压，超过该电压会导致场效应管击穿，失去正常工作状态。
在实际应用中，需要确保电路中的电压不会超过场效应管的最大漏源电压。
3. 最大漏极电流（IDmax）：最大漏极电流是指场效应管可以承受的最高电流，超过该电流会导致场效应管过载，失去正常工作状态。
在电路设计中需要确保电路中的电流不会超过场效应管的最大漏极电流。
4.开关速度：场效应管的开关速度是指场效应管从关断到导通或从导通到关断的时间，开关速度影响着场效应管在高频电路中的应用。
开关速度较快的场效应管适用于高频电路，而开关速度较慢的场效应管适用于低频电路。
5. 输出电导（gm）：输出电导是指场效应管输出特性曲线上的斜率，表示场效应管的放大效果。
输出电导越大，说明场效应管具有更好的放大效果，适用于放大电路。
6. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管输入端电容的总和，包括栅极到源极电容和栅极到漏极电容。
输入电容影响着场效应管对输入信号的响应速度，输入电容越大，响应速度越慢。
7. 输出电容（Coss）：输出电容是指场效应管输出端电容，包括漏极到源极电容和漏极到栅极电容。
输出电容影响着场效应管的输出特性，输出电容越大，输出特性越不稳定。
8. 开启电压（VGSth）：开启电压是指场效应管开始导通时，栅极电压与源极电压之间的差值。
开启电压越小，场效应管的导通能力越强。
9. 内部电阻（Ron）：内部电阻是指场效应管导通时，漏源之间的电阻。
内部电阻越小，场效应管导通时的功耗越小。
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型号材料管脚用途参数
IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2
IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2
IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5
IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5
IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2
IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 *******
IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1
IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W
IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3
IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W
IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W
IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117
J177 PMOS SDG 开关
M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W
MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W
MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W
MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05
MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3
MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3
MTP40N06 NMOS GDS 开关 (双)60V40A150W/70nS0.3 MTW20N50 NMOS GDS 开关 500V20A250W0.27
RFP40N10 NMOS GDS 开关 100V40A160W30/20nS0.04 RFP50N05 NMOS GDS 开关 50V50A132W55/15nS0.022 RFP50N06 NMOS GDS 开关 60V50A145W55/15nS0.022 RFP6N60 NMOS GDS 开关 600V6A75W80/100nS1.50 RFP60N06 NMOS GDS 开关 60V60A120W50/15nS0.03 RFP70N06 NMOS GDS 开关 60V70A150W
SMP50N06 NMOS GDS 开关 50V60A125W50nS0.026 SMP60N06 NMOS GDS 开关 60V60A125W50nS0.023 SMW11N20 NMOS GDS 开关 200V11A150W
SMW11P20 PMOS GDS 开关 200V11A150W
SMW20N10 NMOS GDS 开关 100V20A150W
SMW20N10 PMOS GDS 开关 100V20A150W
SSH7N90 NMOS GDS 高速开关 900V7A150W
SSP6N60 NMOS GDS 高速开关 600V6A150W
SSP5N90 NMOS GDS 高速开关 900V5A125W
SSP7N80 NMOS GDS 高速开关 800V7A75W
SUP75N06 NMOS GDS 开关 60V75A125W0.05
W12NA50W NMOS GDS 开关 50V12A150W300/600nS GT15Q101 NMOS GDS IGBT 1400V15A150W
GT25J101 NMOS GDS IGBT 800V25A150W
GT25Q101 NMOS GDS IGBT 1400V25A180W
GT40T101 NMOS GDS IGBT 1500V40A300W
GT60M103 NMOS GDS IGBT 900V60A300W
GT60M301 NMOS GDS IGBT 900V60A300W
IMBH60 NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W
IMBH60D NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W(带阻) SDT3055 NMOS GDS
TSD45N50V NMOS 场效应模块 500V45A400W
TN2460L
35N120 1200V35A250W
EXB841 IGBT驱动。