厚膜集成电路知识

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厚膜集成电路中基片的选择

厚膜集成电路中基片的选择

厚膜集成电路中基片的选择厚膜集成电路是一种常用的集成电路制备技术,在制备过程中需要选择合适的基片。

本文将从基片的材料、形状和尺寸、表面特征等方面来详细介绍厚膜集成电路中基片的选择。

一、基片的材料选择基片的材料是影响厚膜集成电路性能的重要因素之一。

常见的基片材料有硅、石英、蓝宝石等。

1. 硅基片:硅是最常用的基片材料之一,在厚膜集成电路中具有广泛的应用。

硅基片有成熟的加工工艺和良好的性能,在光学、电子和微机械等领域具有广泛的应用。

2. 石英基片:石英基片在厚膜集成电路中主要用于制备高频电路和光学器件。

石英基片具有优异的物理和化学性能,能够耐受高温和化学腐蚀,适合于特殊环境下的应用。

3. 蓝宝石基片:蓝宝石基片透明度高,热稳定性好,能够耐受较高的电场强度,因此在厚膜集成电路中常用于制备高功率电子装置和高频器件。

二、基片的形状和尺寸选择除了选择合适的材料,基片的形状和尺寸也是基片选择的关键因素之一。

通常情况下,基片的形状有圆形、方形和矩形等,尺寸一般为直径或边长。

1. 圆形基片:圆形基片是最常用的基片形状,其制备过程相对简单,并且能够满足大多数情况下的需求。

圆形基片广泛应用于微电子工艺、光电子技术、传感器等领域。

2. 方形基片:方形基片的制备相对复杂,但在某些特殊应用中更为适合,例如制备方形封装的集成电路和高功率电子器件等。

3. 矩形基片:矩形基片在某些应用中也有特殊需求。

例如,在某些光学器件中需要长条形的基片,以满足特定的光学设计。

基片尺寸选择的关键是根据具体的制备要求和设备限制来确定。

基片尺寸一般由工艺要求和设备能力决定,需要充分考虑材料的利用率和成本。

三、基片的表面特征选择基片的表面特征对厚膜集成电路的性能和质量有较大影响。

常见的基片表面特征包括光洁度、粗糙度和平整度等。

1. 光洁度:基片的表面光洁度决定了膜层的平整度和质量。

在厚膜集成电路制备过程中,需要选择具有较高光洁度的基片,以获得较高质量的膜层。

第3章 厚薄膜电路

第3章 厚薄膜电路

溅射蚀刻优点
(1)膜下的材料不存在任何钻蚀问题,气体离 子以基板的法线方向撞击基板。这就意味着没有 任何离子从切线方向撞击膜,因而侧面平直,与 其相反,化学蚀刻的速率在切线方向与法线方向 是相同的。因此,造成与薄膜厚度相等的钻蚀。
(2)由于不再需要用来蚀刻薄膜的烈性化学物 质,所以对人员的危害较小,而且没有污水处理 的问题。
电阻丝蒸发与电子束蒸发(2)
电子束蒸发法具有很多的优点。通过电场 加速的电子流在进入磁场后倾向与呈弧线运动, 利用这种现象,把高能电子流直接作用在蒸发 物质上。当它们轰击到蒸发剂时,电子的动能 转变成热。因为舟的电阻并不是一个影响因素, 而控制电子能量的参数是容易测量和控制的, 所以电子束蒸发是更容易控制的。此外,热将 更集中和强烈,使得在高于10-2torr温度下蒸发 成为可能,也减轻了蒸发剂与舟之间的反应。
图 电子束蒸发装置示意图
2、溅射法—可制备各类金属、合金、化合物薄 膜。
直流溅射—制备各类金属膜
磁控溅射–-是一种淀积速度高、工作气压低的溅射 技术,提高了淀积速度及膜质量,
反应溅射—采用纯金属作为靶材,在气体中混入适 量的活性气体,获得不同的化合物薄膜。
溅射淀积薄膜
如图所示,在一个大约10Pa压力的局部真空里形 成一个导电的等离子体,用于建立等离子体所用的气 体通常是与靶材不发生反应的某种惰性气体,例如氩 气。基板和靶材置于等离子体中,基板接地,而靶材 具有很高的AC或DC负电位,高电位把等离子体中的 气体离子吸引到靶材上,具有足够动能的这些离子与 靶材碰撞,撞击出具有足够残余动能的微粒,使其运 动到达基板并黏附其上。
第3章
厚/薄膜技术
概述
厚膜技术使用丝网印、干燥与烧结三种工艺方法。 薄膜技术是一种减法技术,使用镀膜、光刻与刻蚀方法。 均用于制作电阻、电容、基板上的布线导体等。

厚膜电路和设计

厚膜电路和设计

厚膜电路讲解
SMT贴片
热风回流焊
质量检验
测试
内容提要 简介 电路特点 比较优势 必要性 集成优势 设计要点 版图设计 产品分类 注意事项
厚膜电路讲解
键合机
老练筛选
储能焊封装机
军工质量体系GJB9001
厚膜电路讲解
三、 厚膜混合集成电路的特点
内容提要 电路模块 电路特点 比较优势 必要性 集成优势 设计要点 版图设计 产品分类 注意事项
厚膜电路讲解
八、厚膜电路版图平面设计要点(续)
内容提要 简介 电路特点 比较优势 必要性 集成优势 设计要点 版图设计 产品分类 注意事项
4、技术要求
4.1、 基片与版图 对于单个图形,图形与基片边缘的最小距离为300µm; 对于连片形式,规定版上图形与基片边缘的最小距离为
直接使用管芯集成组装,有利于整机小型化。因此,厚 膜集成化是整机缩小体积、降低重量的有效途径。
厚膜电路讲解
六、散装电路二次集成后将形成的优势
内容提要 简介 电路特点 比较优势 必要性 集成优势 设计要点 版图设计 产品分类 注意事项
1. 质量可靠性将大幅提高 直接采用芯片键合组装,消除了封装过程对各个元件可靠性
八、厚膜电路版图平面设计要点

九、厚膜产品主要分类
十、厚膜军工产品应用注意事项
厚膜电路讲解
一、 厚膜混合集成电路和微电路模块
内容提要 简介 电路特点 比较优势 必要性 集成优势 设计要点 版图设计 产品分类 注意事项
厚膜混合集成电路,采用厚膜平面多层布线、电子浆料印 刷、烧结成型工艺,半导体芯片二次组装集成,执行GJB2438A 《混合集成电路通用规范》标准。
厚膜工艺二次集成,直接使用管芯,避免了元器件的封装 等后道加工工序,能够有效保持元器件的管芯原有可靠性水 平。提高产品的可靠性 。

厚薄膜混合集成电路课件-4-5-6厚膜工艺

厚薄膜混合集成电路课件-4-5-6厚膜工艺

※ 4.1.7 低温共烧陶瓷(LTCC)
表4-3 低温共烧LTCC超过其他厚膜工艺的优点
超过HTCC的优点
较低的烧成温度(850-950℃对12001500℃)
标准的良好的烧成环境(空气对氢/氮气) 使用低电阻率的导体的能力(金、银和 铜对钨或钼) 不需要电镀
能共烧和集成无源元件(电阻、电容、 电感器)
※ 4.1.1 丝网印刷
丝网印刷所产生 的图形取决于使 用正的或负的原 图和已在丝网上 正的或负的光敏 乳胶
※4.1.1 丝网印刷
影响厚膜电路质量的因素

流厚

性膜

和浆

流料

动的

性液

※4.1.1 丝网印刷
➢丝网是由贴到网框上的拉紧的网布,再加上光敏乳胶。 ➢丝网的目数:每英寸长的丝网布中的开口孔数,它决定了导体和电阻的 尺寸及它们的公差,导线之间的间隔和孔的尺寸。
气保护炉内烧成。 允许使用金、银等高导电率的导体浆料,适用于高速电路,如RF
电路; 无源器件能与陶瓷共烧,埋入单片结构中。 2)通过用LTCC将互连基片、封装和引线一体化的设计方法,能产生非常 扁薄的封装 3) 可产生复杂形状或三维电子线路和封装。
用LTCC工艺生产部件有如下缺点: 由于有高的玻璃含量(50%或更大),所以热传导率非常低(2-3 W/m∙K) 较低的结构强度,原因仍是由于高的玻璃含量; 当烧成时瓷带收缩。
低的介电常数
CTE与硅器件更匹配
更好的尺寸和翘曲度控制
超过顺序烧成厚膜工艺的优点 成批层压和共烧
做多层基片时层数可以做的更多 工艺步骤少,成本低
高密度互联基片能与密封封装集成 能形成空腔和特定形状的基片 能与埋入的无源器件共烧 导体有更大的附着力

集成电路芯片封装技术第三章 厚薄膜技术

集成电路芯片封装技术第三章 厚薄膜技术
玻璃-氧化物粘接机理: 氧化物一般为氧化锌或氧化钙,低温下可发生反应,克
服了上述两种粘结剂的缺点,称之为混合粘结系统。
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第三章
传统金属陶瓷厚膜浆料成分—有机粘结剂
有机粘接剂通常是一种触变的流体,作用: 可使有效物质和粘接成分保持悬浮态直到膜烧制完 成; 可为浆料提供良好的流动特性以进行丝网印刷。
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球磨设备和临界速率
第三章
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厚膜浆料的参数
第三章
厚膜浆料的参数: 粒度(FOG 细度计测量) 固体粉末百分比含量(400℃煅烧测量) 粘度(锥板或纺锤粘度计测量)。
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厚膜技术
第三章
厚膜技术是采用丝网印刷、干燥和烧结等工艺,将传统 无源元件及导体形成于散热良好的陶瓷绝缘基板表面,并用 激光处理达到线路所需之精密度, 再采用SMT技术, 将IC或 其他元器件进行安装, 构成所需要的完整线路, 最后采用多 样化引脚和封装方式, 实现模块化的集成电路——厚膜混 合集成电路(HIC,Hybrid Integrated Circuit)。
溶剂或稀释剂用于烧结前的有机粘结剂的稀释, 烘干和烧结时挥发掉。
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厚膜浆料的制备
第三章
配制浆料时,须将各成分按一定比例充分混合。制造 过程开始于粉末态的物质,通过从化学溶液中沉淀出来 的金形成的金粉末与细筛的玻璃粉混合,加入运载剂 (由适当的溶剂、增稠剂或胶混合)后用球磨机使混合 物充分混合来减小玻璃料和其他脆性材料的颗粒尺寸, 最后由三辊轧膜机将浆料的组分弥散开,保证颗粒尺寸 均匀。
厚膜印刷所用材料是一种特殊材料——浆料,而薄膜技 术则是采用镀膜、光刻和刻蚀等方法成膜。

厚膜混合集成电路第7章

厚膜混合集成电路第7章
管壳为圆型,外壳与底座均为金属
优点:(1)散热性能好。 (2)全密性。 (3)高频性能好。 缺点:封装成本较高。
* 双列直插式封装 从基板的两个方向伸出外部引线。 可以为金属、陶瓷
* 单列直插式封装:
从基板的一个方向伸出外部引线。
7.2密封及其方法 Nhomakorabea密封的形式 全密封封装:高可靠性 半密封封装:民用产品
• 锡焊材料: 软焊料:一种低熔点的合金,如63%的锡 /37%的铅。 熔点:183 ℃ 硬焊料:一种熔点较高的合金,如80%的 金/20%的锡。 熔点:280 ℃
* 熔焊 • 两金属通过外加热直接熔接在一起。 • 加热方式:激光焊、电子束焊等。
玻璃密封: • 将做成预制片形式或浆料形式的玻璃加在被 焊表面之间,用夹具夹紧; • 通过传送带炉子,玻璃熔化后与陶瓷管壳中 的一些玻璃成分或金属氧化物成分熔融。 • 冷却
第七章 厚膜混合集成电路的封装
7.1 封装概述 7.2 密封及其方法
7.1
• 封装:
封装概述
把已装配好有源器件和无源器件的基板组 装到一个封装壳内。
一、封装的作用
1)保护电路免受外界环境污染 2)使HIC的元器件与外界隔绝,免受 机械损伤 3)提供内外电路的电气连接
二、封装结构的种类
(1)平卧式引出封装结构 其引出线沿封装底平面的平行方向引出。
2、半密封封装: 以树脂材料为主的封装结构
–优点:材料价廉、加工方便; –缺点:防潮性差;
• 本章小结: 掌握厚膜电路的封装技术。
可伐合金或类似的合金作引线框架,密封在硼硅 玻璃外壳。
优点:密封性好、工艺简单、成本低;
缺点:导热性差。
•陶瓷-玻璃封装结构 采用75%—95%的Al2O3陶瓷做成装配结构件,用 可伐合金作引线框,再用玻璃将它们熔合制成封 装结构。 优点:密封性和导热性较好,成本适中。

集成电路芯片封装技术之厚膜技术

集成电路芯片封装技术之厚膜技术
氮气中烧结的有机载体必须发生分解和热解聚。
第三章
传统金属陶瓷厚膜浆料成分—溶剂或稀释剂
自然形态的有机粘结剂太粘稠不能进行丝网印刷, 需要使用溶剂或稀释剂,稀释剂比粘结剂较容易挥发, 在大约100℃以上就会迅速蒸发,典型材料是萜品醇、 丁醇和某些络合的乙醇;
溶剂或稀释剂用于烧结前的有机粘结剂的稀释, 烘干和烧结时挥发掉。
球磨设备和临界速率
第三章
厚膜浆料的参数
第三章
厚膜浆料的参数: 粒度(FOG 细度计测量) 固体粉末百分比含量(400℃煅烧测量) 粘度(锥板或纺锤粘度计测量)。
为适应丝网印刷,浆料需具有下述特性: 【流体比须具有一个屈服点】—印刷后静止不流动,流动最 小压力远大于重力 【流体应具有某种触变性】—剪切速率影响流体流动性 【流体应具有某种程度滞后作用】—粘度随压力降低而增加
厚膜技术
第三章
厚膜技术是采用丝网印刷、干燥和烧结等工艺,将传统 无源元件及导体形成于散热良好的陶瓷绝缘基板表面,并用 激光处理达到线路所需之精密度, 再采用SMT技术, 将IC或 其他元器件进行安装, 构成所需要的完整线路, 最后采用多 样化引脚和封装方式, 实现模块化的集成电路——厚膜混 合集成电路(HIC,Hybrid Integrated Circuit)。
牛顿内摩擦定律表达式:τ=μγ 式中:τ--所加剪切应力;
γ--剪切速率(流速梯度); μ--度量液体粘滞性大小的物理量—黏度,其物 理意义是产生单位剪切速率所需要的剪切应力。 服从牛顿内摩擦定律的流体称为牛顿流体。
厚膜多层制作步骤
第三章
厚膜浆料
第三章
厚膜浆料可分为聚合物厚膜、难熔材料厚膜和金属陶 瓷厚膜;其中,难熔材料厚膜是特殊一类金属陶瓷厚膜, 需要在较之传统金属陶瓷材料更高的温度下进行烧结。

集成电路芯片封装技术第三章 厚薄膜技术(二)

集成电路芯片封装技术第三章 厚薄膜技术(二)
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第三章
厚膜介质材料
厚膜介质材料是以多层结构形式用作导体层间的绝缘体, 可在介质层上留有开口区或通孔以便相邻导体层互连。 厚膜介质材料通常是结晶或可再结晶的,介质材料在较低 温度下熔化后和玻璃相物质混合形成熔点比烧结温度更高的 均匀组分,在随后烧结过程中保持固态,提供稳定的基础。
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第三章
初始电阻性能—电阻温度系数 初始电阻性能 电阻温度系数TCR 电阻温度系数
材料电阻随温度变化的特性称为电阻温度系数 电阻温度系数,温度电阻温度系数 电阻之间的变化关系通常是非线性关系。
dR(T ) TCR (T ) = dT
∆R TCR = ∆T
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第三章
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第三章
初始电阻性能—电阻电压系数 初始电阻性能 电阻电压系数VCR 电阻电压系数
电阻电压系数表征电阻对高电压的敏感性,电阻 漂移-电压梯度之间也是非线性关系。
R (V2 ) − R (V1 ) VCR = ×106 (×10−6 / V ) R (V1 ) (V2 − V1 )
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第三章
厚膜电阻工艺控制
为了控制厚膜电阻电性能,厚膜电阻的印刷和烧 结工艺很关键,烧结过程中某一温度下停留时间的 烧结过程中某一温度下停留时间的 微小改变或烧结气氛参数控制不良均会对电阻阻值 造成显著影响。 造成显著影响 厚膜电阻的制作对烧结气氛要求很高,空气烧结 的电阻系统要具有很强的氧化气氛,以防止还原性 气氛里将金属氧化物还原为金属。高阻值电阻比低 阻值电阻对气氛要求更加敏感。
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第三章
厚膜导体材料基本类型 可空气烧结厚膜导体:主要是指不容易形成氧化物
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厚膜集成电路用丝网印刷和烧结等厚膜工艺在同一基片上制作无源网络,并在其上组装分立的半导体器件芯片或单片集成电路或微型元件,再外加封装而成的混合集成电路。

厚膜混合集成电路是一种微型电子功能部件。

1.特点和应用与薄膜混合集成电路相比,厚膜混合集成电路的特点是设计更为灵活、工艺简便、成本低廉,特别适宜于多品种小批量生产。

在电性能上,它能耐受较高的电压、更大的功率和较大的电流。

厚膜微波集成电路的工作频率可以达到4吉赫以上。

它适用于各种电路,特别是消费类和工业类电子产品用的模拟电路。

带厚膜网路的基片作为微型印制线路板已得到广泛的应用。

2.主要工艺根据电路图先划分若干个功能部件图,然后用平面布图方法转化成基片上的平面电路布置图,再用照相制版方法制作出丝网印刷用的厚膜网路模板。

厚膜混合集成电路最常用的基片是含量为96%和85%的氧化铝陶瓷;当要求导热性特别好时,则用氧化铍陶瓷。

基片的最小厚度为0.25毫米,最经济的尺寸为35×35~50×50毫米。

在基片上制造厚膜网路的主要工艺是印刷、烧结和调阻。

常用的印刷方法是丝网印刷。

丝网印刷的工艺过程是先把丝网固定在印刷机框架上,再将模版贴在丝网上;或者在丝网上涂感光胶,直接在上面制造模版,然后在网下放上基片,把厚膜浆料倒在丝网上,用刮板把浆料压入网孔,漏印在基片上,形成所需要的厚膜图形。

常用丝网有不锈钢网和尼龙网,有时也用聚四氟乙烯网。

在烧结过程中,有机粘合剂完全分解和挥发,固体粉料熔融,分解和化合,形成致密坚固的厚膜。

厚膜的质量和性能与烧结过程和环境气氛密切相关,升温速度应当缓慢,以保证在玻璃流动以前有机物完全排除;烧结时间和峰值温度取决于所用浆料和膜层结构。

为防止厚膜开裂,还应控制降温速度。

常用的烧结炉是隧道窑。

为使厚膜网路达到最佳性能,电阻烧成以后要进行调阻。

常用调阻方法有喷砂、激光和电压脉冲调整等。

3.厚膜材料厚膜是指在基片上用印刷烧结技术所形成的厚度为几微米到数十微米的膜层。

制造这种膜层的材料,称为厚膜材料。

厚膜材料是一类涂料或浆料,由一种或几种固体微粒(0.2~10微米)均匀悬浮于载体中而形成。

为了便于印刷成形,浆料必须具有合适的粘度和触变性(粘度随外力而改变的性质)。

固体微粒是厚膜的组成部分,决定膜的性质和用途。

载体在烧结过程中分解逸出。

载体至少含有三种成分,树脂或聚合物粘合剂、溶剂和表面活化剂。

粘合剂给浆料提供基本的流变特性;溶剂稀释树脂,随后挥发掉,以使印刷图样干涸;活化剂使固体微粒被载体浸润并适当分散于载体中。

按厚膜的性质和用途,所用的浆料有五类:导体、电阻、介质、绝缘和包封浆料。

导体浆料用来制造厚膜导体,在厚膜电路中形成互连线、多层布线、微带线、焊接区、厚膜电阻端头、厚膜电容极板和低阻值电阻。

焊接区用来焊接或粘贴分立元件、器件和外引线,有时还用来焊接上金属盖,以实现整块基片的包封。

厚膜导体的用途各异,尚无一种浆料能满足所有这些用途的要求,所以要用多种导体浆料。

对导体浆料的共同要求是电导大、附着牢、抗老化、成本低、易焊接。

常用的导体浆料中的金属成分是金或者金-铂、钯-金、钯-银、铂-银和钯-铜-银。

在厚膜导体浆料中,除了粒度合适的金属粉或金属有机化合物外,还有粒度和形状都适宜的玻璃粉或金属氧化物,以及悬浮固体微粒的有机载体。

玻璃可把金属粉牢固地粘结在基片上,形成厚膜导体。

常用无碱玻璃,如硼硅铅玻璃。

厚膜电阻是厚膜集成电路中发展最早、制造水平最高的一种厚膜元件,可以制造各种电阻。

对厚膜电阻的主要要求是电阻率大、阻值温度系数小、稳定性好。

与导体浆料相同,电阻浆料也有三种成分:导体、玻璃和载体。

但是,它的导体通常不是金属元素,而是金属元素的化合物,或者是金属元素与其氧化物的复合物。

常用的浆料有铂基、钌基和钯基电阻浆料。

厚膜介质用来制造微型厚膜电容器。

对它的基本要求是介电常数大、损耗角正切值小、绝缘电阻大、耐压高、稳定可靠。

介质浆料是由低熔玻璃和陶瓷粉粒均匀地悬浮于有机载体中而制成的。

常用的陶瓷是钡、锶、钙的钛酸盐陶瓷。

改变玻璃和陶瓷的相对含量或者陶瓷的成分,可以得到具有各种性能的介质厚膜,以满足制造各种厚膜电容器的需要。

厚膜绝缘用作多层布线和交叉线的绝缘层。

对它的要求是绝缘电阻高、介电常数小,并且线膨胀系数能与其他膜层相匹配。

在绝缘浆料中常用的固体粉粒是无碱玻璃和陶瓷粉粒。

厚膜混合集成电路(HIC)技术厚膜混合集成电路(HIC)技术简介介绍厚膜混合集成电路(HIC)的概念及电路的特点,生产工艺的工序及过程,生产中所使用的各种材料。

同时介绍了厚膜混合集成电路的应用和发展方向。

? 关键词:集成电路(IC),厚膜混合集成电路(HIC)。

一。

概述集成电路是微电子技术的一个方面,也是它的一个发展阶段。

微电子技术主要是微小型电子元件器件组成的电子系统。

集成电子则是为了完成电子电路功能,以特定的工艺在单独的基片之上(或之内)形成无源网络并互连有源器件,从而构成的微型电子电路。

随着半导体技术。

小型电子元器件及印制板组装技术的进步,电子技术在近年来取得了飞速发展。

然而,过多的连线。

焊点和接插件严重地阻碍了生产率和可靠性的进一步提高。

此外,工作频率和工作速度的提高进一步缩短信号在系统内部的传输延迟时间。

所以这些都要求从根本上改革电子系统的结构和组装工艺。

从上世纪六十年代开始,厚膜混合集成电路就以其元件参数范围广。

精度和稳定度高。

电路设计灵活性大。

研制生产周期短。

适合于多种小批量生产等特点,与半导体集成电路相互补充。

相互渗透,业已成为集成电路的一个重要组成部分,广泛应用于电控设备系统中,对电子设备的微型化起到了重要的推动作用。

虽然在数字电路方面,半导体集成电路充分发挥了小型化。

高可靠性。

适合大批量低成本生产的特点,但是厚膜混合集成电路在许多方面,都保持着优于半导体集成电路的地位和特点:•低噪声电路•高稳定性无源网络•高频线性电路•高精度线性电路•微波电路•高压电路•大功率电路•模数电路混合随着半导体集成电路芯片规模的不断增大,为大规模与厚膜混合集成电路提供了高密度与多功能的外贴元器件。

利用厚膜多层布线技术和先进的组装技术进行混合集成,所制成的多功能大规模混合集成电路即为现在和将来的发展方向。

一块大规模厚膜混合集成电路可以是一个子系统,甚至是一个全系统。

二。

工艺过程厚膜混合集成电路通常是运用印刷技术在陶瓷基片上印制图形并经高温烧结形成无源网络。

制造工艺的工序包括:•电路图形的平面化设计:逻辑设计。

电路转换。

电路分割。

布图设计。

平面元件设计。

分立元件选择。

高频下寄生效应的考虑。

大功率下热性能的考虑。

小信号下噪声的考虑。

•印刷网板的制作:将平面化设计的图形用显影的方法制作在不锈钢或尼龙丝网上。

•电路基片及浆料的选择:制作厚膜混合集成电路通常选择96%的氧化铝陶瓷基片(特殊电路可以选择其它基片),浆料一般选择美国杜邦公司。

美国电子实验室。

日本田中等公司的导带。

介质。

电阻等浆料。

•丝网印刷:使用印刷机将各种浆料通过制作好电路图形的丝网印刷在基片上。

•高温烧结:将印刷好的基片在高温烧结炉中烧结,使浆料与基片间形成良好的熔合和网络互连,并使厚膜电阻的阻值稳定。

•激光调阻:使用厚膜激光调阻机将烧结好的电路基片上印刷厚膜电阻阻值修调到规定的要求。

•表面贴装:使用自动贴装机将外贴的各种元器件和接插件组装在电路基片上,并经再流焊炉完成焊接,包括焊接引出线等。

•电路测试:将焊接完好的电路在测试台上进行各种功能和性能参数的测试。

•电路封装:将测试合格的电路按要求进行适当的封装。

•成品测试:将封装合格的电路进行复测。

•入库:将复测合格的电路登记入库。

三。

材料在厚膜混合集成电路中,基片起着承载厚膜元件。

互连。

外贴元件和以及包封等作用,在大功率电路中,基片还有散热的作用。

厚膜电路对基片的要求包括:平整度。

光洁度高;有良好的电气性能;高的导热系数;有与其它材料相匹配的热膨胀系数;有良好的机械性能;高稳定度;良好的加工性能;价格便宜。

通常厚膜电路选择96%的氧化铝陶瓷基片,如果需要散热条件更好的基片则可选择氧化铍基片。

在厚膜混合集成电路中,无源网络主要是在基片上将各种浆料通过印刷成图形并经高温烧结而成。

使用的材料包括:导体浆料。

介质浆料和电阻浆料等。

厚膜导体是厚膜混合集成电路中的一个重要组成部分,在电路中起有源器件的互连线。

多层布线。

电容器电极。

外贴元器件的引线焊区。

电阻器端头材料。

低阻值电阻器。

厚膜微带等作用。

导体浆料中,通常的厚膜混合集成电路使用的是钯银材料,在部分军品电路和高精度电路中使用的是金浆料,在部分要求不高的电路中使用的是银浆料。

厚膜电阻浆料也是厚膜混合集成电路中的一个重要组成部分,用厚膜电阻浆料制成的厚膜电阻是应用最广泛和最重要的元件之一。

厚膜电阻浆料是由功能组份。

粘结组份。

有机载体和改性剂组成,一般选用美国杜邦公司的电阻浆料。

厚膜介质浆料是为了实现厚膜外贴电容的厚膜化。

步线导体的多层化以及厚膜电阻的性能参数不受外部环境影响而应用的。

包括电容介质浆料。

交叉与多层介质浆料和包封介质浆料。

四。

应用随着技术的发展,厚膜混合集成电路使用范围日益扩大,主要应用于航天电子设备。

卫星通信设备。

电子计算机。

通讯系统。

汽车工业。

音响设备。

微波设备以及家用电器等。

由此可见,厚膜混合集成电路业已渗透到许多工业部门。

在欧洲,厚膜混合集成电路在计算机中的应用占主要地位,然后才是远程通信。

通讯。

军工与航空等部门。

而在日本,消费类电子产品大量采用厚膜混合集成电路。

美国则主要用于宇航。

通讯和计算机,其中以通讯所占的比例最高。

在彩电行业,厚膜电路一般用作功率电路和高压电路,包括开关稳压电源电路。

视放电路。

帧输出电路。

电压设定电路。

高压限制电路。

伴音电路和梳状滤波器电路等。

在航空和宇航行业,厚膜混合集成电路由于其结构和设计的灵活性。

小型化。

轻量化。

高可靠性。

耐冲击和振动。

抗辐射等特点,在机载通信。

雷达。

火力控制系统。

导弹制导系统以及卫星和各类宇宙飞行器的通信。

电视。

雷达。

遥感和遥测系统中获得大量应用。

在军工行业,厚膜电路一般用作高稳定度。

高精度。

小体积的模块电源,传感器电路,前置放大电路,功率放大电路等。

在汽车行业,厚膜电路一般用作发电机电压调节器。

电子点火器和燃油喷射系统。

在计算机工业,厚膜电路一般用于集成存储器。

数字处理单元。

数据转换器。

电源电路。

打印装置中的热印字头等。

在通讯设备中,厚膜混合集成压控振荡器。

模块电源。

精密网络。

有源滤波器。

衰减器。

线路均衡器。

旁音抑制器。

话音放大器。

高频和中频放大器。

接口阻抗变换器。

用户接口电路。

中继接口电路。

二/四线转换器。

自动增益控制器。

光信号收发器。

激光发生器。

微波放大器。

微波功率分配器。

微波滤波器。

宽带微波检波器等。

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