单光子探测器件的发展与应用_张雪皎
单光子探测器及其发展应用课件
暗物质探测
直接探测
在暗物质直接探测实验中，单光子探测 器用于探测暗物质粒子与原子核碰撞产 生的单个光子，以寻找暗物质存在的证 据。
VS
间接探测
在暗物质间接探测实验中，单光子探测器 用于探测暗物质湮灭或衰变产生的单个光 子，以研究暗物质的性质。
安全与防御
激光测距
在军事领域，单光子探测器用于激光测距和 目标识别，提高武器系统的精度和响应速度 。
类型与特点
类型
单光子探测器有多种类型，包括光电 倍增管、雪崩光电二极管和单光子计 数模块等。
特点
单光子探测器具有高灵敏度、低噪声 、快速响应等特点，能够在极低的光 子数密度下工作，广泛应用于量子通 信、量子计算、生物成像等领域。
应用领域
量子通信
生物成像
单光子探测器是量子通信中的关键器件， 用于实现安全的数据传输和密钥分发。
低温冷却技术能够提高单光子探测器的性能和稳定性。
详细描述
在低温环境下，探测器的性能得到提高，同时能够降低背景噪声和热噪声，从而提高探测器的信噪比 。这种技术需要使用低温冷却器或稀释制冷机等设备，以保证探测器在极低温度下稳定工作。
抗干扰技术
总结词
抗干扰技术能够提高单光子探测器的抗干扰能力和技术的发展，单光子探 测器有望实现更小尺寸和更高集成度 。
单光子探测器的关
03
键技术
高灵敏度探测技术
总结词
高灵敏度探测技术是单光子探测器的核心，能够实现单个光 子的探测。
详细描述
高灵敏度探测技术利用光电效应，将单个光子转化为电信号 ，从而实现对单光子的探测。这种技术需要高精度的光电转 换器件和优化的信号处理算法，以提高探测效率和准确性。
光电对抗
美国科学家开发出采用单光子上转换器的红外光谱仪
美国科学家开发出采用单光子上转换器的红外光谱仪
岳桢干
【期刊名称】《红外》
【年(卷),期】2010(31)5
【摘要】据《Photonics Spectra》杂志2009年10月报道，一款设计巧妙的单光子探测器已经使美国国家标准与技术研究所（NIST）的科学家们能够开发出工作在红外波段的高灵敏度、低成本的光谱仪。
这项技术可以运用在需要进行超灵敏光谱测量的众多领域，
【总页数】1页(P46-46)
【关键词】单光子探测器;红外光谱仪;美国科学家;开发;转换器;美国国家标准;高灵敏度;红外波段
【作者】岳桢干
【作者单位】
【正文语种】中文
【中图分类】O734
【相关文献】
1.显微红外光谱仪与显微拉曼光谱仪对纺用无色单根纤维的检测 [J], 罗仪文;孙其然;徐彻;奚建华;陈晓红
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3.基于微系统技术的NIR光谱仪——采用微系统技术降低NIR近红外光谱仪的成
本 [J], Alexander Wolter;Heinrich Gruger;Andreas Kenda
4.美国研制出性能超越傅里叶变换红外光谱仪的平面阵列红外光谱仪器 [J], 高国龙
5.美国航空航天局开发出中红外光子探测器 [J],
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单光子探测器及其发展
单光子探测器及其发展摘要：本文介绍了光电倍增管单光子探测器、雪崩光电二极管单光子探测器和真空单光子探测器以及它们的基本工作原理和特性，分析了它们各自的优缺点和未来的发展方向。
关键词：单光子探测；光电倍增管（PMT）；雪崩光电二极管（APD）；真空雪崩光电二极管（VAPD）中图分类号：TP21.14 文献标识码：A一、引言单光子探测技术在高分辨率的光谱测量、非破坏性物质分析、高速现象检测、精密分析、大气测污、生物发光、放射探测、高能物理、天文测光、光时域反射、量子密钥分发系统等领域有着广泛的应用。
由于单光子探测器在高技术领域的重要地位，它已经成为各发达国家光电子学界重点研究的课题之一。
二、单光子探测器的原理及种类单光子探测是一种极微弱光探测法，它所探测的光的光电流强度比光电检测器本身在室温下的热噪声水平（10-14W）还要低，用通常的直流检测方法不能把这种湮没在噪声中的信号提取出来。
单光子计数方法利用弱光照射下光子探测器输出电信号自然离散的特点，采用脉冲甄别技术和数字计数技术把极其弱的信号识别并提取出来。
这种技术和模拟检测技术相比有如下优点[1]：（1）测量结果受光电探测器的漂移、系统增益变化以及其它不稳定因素的影响较小；（2）消除了探测器的大部分热噪声的影响，大大提高了测量结果的信噪比；（3）有比较宽的线性动态区；（4）可输出数字信号，适合与计算机接口连接进行数字数据处理。
入射的光子信号打到光电倍增器件上产生光电子，然后经过倍增系统倍增产生电脉冲信号，称为单光子脉冲。
计数电路对这些脉冲的计数率随脉冲幅度大小的分布如图1所示。
脉冲幅度较小的脉冲是探测器噪声，其中主要是热噪声；脉冲幅度较大的是单光电子峰。
V h为鉴别电平，用它来把高于V h的脉冲鉴别输出，以实现单光子计数。
可用来作为单光子计数的光电器件有许多种，如光电倍增管（PMT）、雪崩光电二极管（APD）、增强型光电极管（IPD）、微通道板（MCP）、微球板（MSP）和真空光电二极管（VAPD）等。
单光子发射与探测技术的发展及应用
单光子发射与探测技术的发展及应用随着物理学和量子力学的飞速发展，单光子发射与探测技术也日益成熟，并广泛应用于通信、量子计算、医学等领域。
本文将介绍单光子发射与探测技术的发展历程、原理和应用。
一、单光子发射技术单光子发射技术是指在一个稳定的光源中产生一个单一的光子。
早期的单光子发射技术主要是通过一些狭缝和中心缝，将光子束缩小到微小的尺寸，然后通过减小光的强度来减少光子的数量，实现单光子发射。
这种方法虽然可行，但操作要非常精确，也比较复杂，容易受到来自光源的环境干扰。
随着技术的不断发展，出现了很多新的单光子发射技术，如基于超冷原子的单光子发射、基于单个量子点的单光子发射等。
超冷原子是最早的单光子发射来源之一。
物理学家通过不断减小温度，将气体冷却到几个微开尔文以下，使其在极低温下形成玻色-爱因斯坦凝聚体。
此时，原子会产生强烈的减速效应，使其停留在光诱导的陷阱中，随后进行激光冷却，最终产生单光子。
量子点是一种半导体结构，可以产生单光子。
通过将量子点添加到纳米结构中，可以产生单光子发射。
二、单光子探测技术单光子探测技术是指当光子到达某一位置时，将其转换为电信号进行检测的技术。
单光子探测技术主要有光电倍增器探测器、超导单光子探测器等。
其中，光电倍增器探测器是一种比较常见的技术，它将光子转换为电子，并将电子倍增，放大其信号。
这种技术具有检测灵敏度高、时间分辨率高等优点，但同时也受到光子吸收效应的影响，从而限制了其检测距离和灵敏度。
超导单光子探测器是一种能够在极低温下运行的技术。
它由超导材料、微波和光探测器组成，具有灵敏度高、探测距离远等优点，但需要针对不同光源进行不同的调整，操作和维护较为麻烦。
三、单光子技术的应用单光子技术广泛应用于通信、量子计算、医学、生物学等领域。
在通信领域，单光子技术可以用于实现秘密的密钥分发、光学量子计算等。
在医学和生物学领域，单光子技术可以用于分子成像、神经元成像等应用。
在量子计算领域，单光子技术可以用于量子纠缉、量子错误更正等方面，为量子计算的实现提供了关键的技术支持。
单光子探测技术的原理和应用
单光子探测技术的原理和应用1. 简介单光子探测技术是一种高灵敏度光学测量技术，可以探测并计数光子的到达时间、位置和能量，被广泛应用于量子通信、量子计算、生物医学成像等领域。
本文将介绍单光子探测技术的原理和其在不同领域的应用。
2. 原理单光子探测技术的基本原理是利用光敏材料或光探测器来探测、测量单个光子的到达。
常见的单光子探测器有光电倍增管（PMT）、硅光电二极管（Si-APD）和超导单光子探测器等。
2.1 光电倍增管（PMT）光电倍增管是一种真空光电离探测器，可以测量极弱光信号。
其工作原理是将光子转化为光电子，然后经过倍增过程得到带电荷的脉冲信号。
PMT具有高增益、快速响应和宽动态范围等特点，适用于低光强条件下的单光子探测。
2.2 硅光电二极管（Si-APD）硅光电二极管是一种半导体光电探测器，利用内部电子增益机制实现单光子探测。
当光子入射到硅光电二极管上时，会产生电子-空穴对，电子会经过电子增益过程放大，并被探测电路记录。
Si-APD具有高探测效率、快速响应、低噪声等优点，在光通信和量子密钥分发等领域有广泛应用。
2.3 超导单光子探测器超导单光子探测器是一种基于超导材料的光电探测器，能够实现极高的灵敏度和探测效率。
超导单光子探测器利用超导材料的超导态和非超导态之间的转变来探测光子的到达。
它具有极高的探测效率、快速响应时间和低噪声等优点，是量子信息领域的关键技术之一。
3. 应用单光子探测技术在众多领域中发挥着重要作用。
以下是几个常见领域的应用实例：3.1 量子通信量子通信依赖于传输和检测单个光子的能力，单光子探测技术的高灵敏度和高探测效率使其成为实现量子通信的重要技术。
通过单光子探测技术，可以实现安全的量子密钥分发和量子隐形传态等量子通信协议。
3.2 量子计算量子计算是利用量子力学原理进行计算的一种新型计算方法，其基本单位是量子位或量子比特（Qubit）。
单光子探测技术可以用于测量量子比特的准确状态，为量子计算提供了必要的信息。
单光子探测技术
单光子探测技术单光子探测技术介绍单光子探测技术（Single Photon Detection Technology）是指一种用于检测光子粒子的技术，它可以实现单个光子的探测和计数。
在物理、化学、生物医学领域中，单光子探测技术具有极大的应用价值，它可以用于光子学交换、量子计算、分子成像、生物体内光学成像等众多领域。
单光子探测技术的发展将大大提高各个研究领域的科研水平。
目前，单光子探测技术已经成为现代物理研究的重要手段之一，并且在实际应用中发挥了重要作用。
下面，我们将从单光子探测技术的原理、方法、技术发展等几方面进行详细介绍。
单光子探测技术的原理单光子探测技术是一种基于光电效应的技术，它利用探测器感受光子的单个物理事件，在信号放大后通过放大电子学电路记录每个事件。
而探测器能否探测到单个光子则决定了单个光子探测技术的可行性。
探测器的种类与原理目前，单光子探测技术主要采用以下两种探测器：1. 光电二极管（Photomultiplier Tube，PMT）：PMT是目前最常用的单光子探测器，具有高灵敏度、高时间分辨率的优点。
它利用光电效应，在高电场作用下，从一个光子中释放出许多电子，随后这些电子在电场作用下形成电流，从而输出探测信号。
图1 光电二极管2. 硅单光子探测器（Silicon Single Photon Detector，SSPD）：SSPD是一种基于超导原理的单光子探测器，它具有高计数速度、高时间分辨率、宽光谱响应等优点。
SSPD的探测原理是基于光子的到来会产生热能，并引起超导材料中的超导态损耗，从而造成电压变化，探测单个光子信号。
SSPD的响应时间通常在几十皮秒以内。
图2 硅单光子探测器探测器的性能主要受到噪声和分辨率的影响。
其中噪声主要来自于热电子噪声、暗计数噪声和光电倍增管烷基噪声等，因此，在单光子探测技术中通常采用探测器阵列的方法，将多个探测器阵列进行综合测量，以提高信噪比，降低噪声，并实现高灵敏度、高时间分辨率的单光子探测。
单光子源与单光子检测器的发展
单光子源与单光子检测器的发展光子是宇宙中最基本的粒子之一，也是光与电磁波的基本组成部分。
随着科技的发展，人们对光子的研究越来越深入，也让单光子源与单光子检测器的发展变得越来越重要。
什么是单光子源？单光子源是指能够产生单个光子的设备。
在光学与计算机科学等领域，单光子源在量子通讯、量子计算、量子隐形传态等方面有着广泛的应用。
单光子源的发展历程20世纪初，第一颗半导体激光器的问世，标志着人们开始研究单光子源的发展。
1990年代，全球的科学家们依托于同步辐射光源和金属纳米颗粒的离子簇轰击技术，成功实现了单光子的发射。
2000年，科学家们使用晶体的量子点，成功地实现了小尺寸、低能耗、可控性好的单光子的发射，进一步推动了单光子源的研究。
单光子源的功能与应用单光子源不但能够帮助科学家们研究光与电磁波产生的基本机理，同时也将推动各个领域的科技发展。
例如，压缩成像、高空间分辨率成像、纳米光学对普通的激光无法处理的问题进行处理，同时也能够在量子隐形传态中实现信息的传输和存储。
单光子检测器单光子检测器是指能够实时检测单个光子的设备，它能够对于单光子源的发展起到至关重要的作用。
单光子检测器的发展历程1970年代，单光子检测器的研究得到了初步进展。
科学家们先后提出了计数探头、布朗管、微通道板检测器等原理分别需要借助基于二次检测器的测量工具，这局限了单光子检测器的应用范围和灵敏度。
但在1990年，以时间分辨探测为基础的单光子检测器问世，进一步推动了单光子检测器的技术发展。
单光子检测器的功能与应用单光子检测器在种种实验室条件下得到了广泛的应用，尤其是在量子信息科学、量子电路设计、光学、原子物理学、遥感以及生物领域等方面。
特别是在量子计算机的发展中，单光子检测器的应用更加广泛，它具有较低的物理噪声和时间漂移，保证了在各种精密度量级下的准确测量。
单光子源与单光子检测器的发展意义单光子源与单光子检测器的发展不但为各个领域的科技发展提供了源动力，而且也在量子交换和量子计算等领域中提供了更加高效和可靠的工具。
空间混合辐射环境器件单粒子在轨错误率预估及不确定度分析方法
第K期 ! ! 张 付 强 等 空 间 混 合 辐 射 环 境 器 件 单 粒 子 在 轨 错 误 率 预 估 及 不 确 定 度 分 析 方 法
DKL
入 射 到 设 备 舱 中共 同 作 用 到 电 子 器 件 及 系 统 上 产 生 协 合 效 应 严 重 干 扰 电 子 设 备 性 能 评 估 选用和任务执行
摘要针对空间混合辐射对器件单粒子在轨错误率的影响基于典型静态随机存储器利 用 中 国 原 子 能 科 学研究院 ^;#':串列加速器以及钴源总剂量模拟辐照 试 验 装 置 开 展 协 合 效 应 研 究发 展 了 一 种 器 件 在 混合辐射环境下的单粒子在轨错误率计算方法并利用该方法计算了协合效应影响下的航天器典型任 务周期器件的在轨错误率同时分析了器件在轨错误 率 计 算 中 的 不 确 定 度 来 源 并 计 算 了 在 轨 错 误 率 不 确 定 度 结 果 表 明 对 于 该 类 型 器 件 空 间 混 合 辐 射 场 导 致 的 协 合 效 应 将 降 低 器 件 单 粒 子 在 轨 错 误 率 关 键 词 单 粒 子 在 轨 错 误 率 协 合 效 应 不 确 定 度 分 析 混 合 辐 射 中图分类号ERDDeAL'*'!!! 文献标志码Z!!!文章编号'===#TD:'8=8K=K#=DKA#=L &'('=*LA:NJd>*8=8:*J1PU(/5*=ALK
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象检测 、精密 分析 、大 气 测污 、生 物 发光 、放射 探 测 、高 能物 用的 特性为与光谱响应度有关的量子效率 , 与入射 光波长和
理 、天文测光 、光时域反射(OTDR)、量子密钥分发系统(QKD) 灵敏 度有关的光谱响应特性 , 增益(一般 为 104 ～ 107)和暗电
等领域有着 广泛的应 用 。 由于 单光 子探测 器在 高技 术领域 流 。 一般倍增 光电管阴极与阳极之间电压为 上千伏 , 电子传
Then give a view for the perspective and the development of these devi ces .
Key words:single-photon detector ;PMT;APD ;SSPD
随着探测技术的发展 , 人们对信号 探测灵敏 度的要求逐 一定的级间电压 。 对精密 测量 用光 电倍增 管要 求有很 高的
1 光电倍增管(PMT)
光电倍增管是利用 外光电 效应 来探测 光信 号的 电真空 器件 。 主要由光阴极 、打拿级和阳极 组成 。 当光 信号照射到 阴极表面时 , 光 电 阴极 吸 收光 子并 由 外光 电效 应 产生 光电 子 , 光电子在 PMT 内强电场的作用下被加速后碰到 打拿级并
目前对 PMT 的改进一般有 选用新 的光阴极 材料以 拓宽 光谱 响应范围 , 使用棱镜改变入射角和 改变光电阴 极构型来 提高 光阴极光子吸收能 力〔7〕 , 改变 打拿 级的形 状及 数量(如 微通 道板〔9〕)以增加 增益 , 在外 电路 方面优 化分 压电路 以提 高线 性度〔6〕 , 采用半导体制冷器件来降 低暗电流以 减小暗记 数脉 冲和提高量子效率〔10〕 。
的重要地位 , 它已经成为各发达国家光 电子学界 重点研究的 输响 应时间为纳秒量级 , 光 谱响 应范围 由光 阴极 材料决 定 ,
课题之一 。
工作在近紫 外及 可 见光 范围 , 在该 范围 内 量子 效率 一 般在
因为单光子已不是 连续 光 , 并且单 光子 能量很 小 , 产生 30 %左右 。
《
激光杂志》
2007
张雪 年第
皎等 :单光子探测器件的发展与应用 28 卷第 5 期 LASER JOURNAL(Vol
.28 .No
.5 .2007)
13
单光子探测器件的发展与应用
张雪皎 , 万钧力
(三峡大学电气信息学院 , 宜昌 443002)
提要 :介绍了最近几年单光子探测技术的应用和研究进展 。 阐述了光电倍增管 、雪崩光电二极管和超导单光子探测器的基本工作原理 , 分
平坦结构增大光敏面积 , 分 离吸 收和 倍增区 , 改 进掩 膜和扩 散技术对边缘弯曲部分的处理 , 在边缘 增加安全 环结构以降 低边缘击穿可能性等都为减小暗记数率而考虑〔16〕 。
APD 的光谱响应 范围很 广 , 这是 它的 一大 优点 , 其中 Si
-APD 工作在 400nm ～ 1100nm, Ge -APD 在 800nm ～ 1550nm , InGaAs-APD 在 900nm ～ 1700nm。 尤 其是在光 纤传输 损耗较 小的红外波段 InGaAs -APD 有很 大优 势 。 APD 单 光子 探测
探测的器件 有 :光电 倍增管(PMT), 雪崩 光电二 级管(APD), 超紫 外和可见光谱范围使其无法在红外通信 波段中应 用 , 抗
真空雪崩光电二极管(VAPD)和 增强光 电二极管(IPD), 超导 单光
外磁 场差 , 使用维护 复杂等 , 因 此不 少国家 和机 构投入 大量 人力 物力继续对 PMT 进行研究改进 。
和暗计数率 。 量子效率与器件结 构 、工 作波长及光 吸收区材 料有关 , 在 400-900nm 范围 , 盖革模 式下 , 硅 APDs 可 以达到
14
《
激光杂志》
2007
张雪 年第
皎等 :单光子探测器件的发展与应用 28 卷第 5 期 LASER JOURNAL(Vol
.28 .No
成的真空雪崩光电二极管(VAPD)。VAPD 由光阴极和一个大光 敏面积的 APD 封装在真空容器中 。 入射光照到光阴极产生的
光电子 , 在强电场中被加速, 与 APD 碰撞后产生大量电子空穴 对。两者增益可达 106 , 此外 ,VAPD 还具有低噪声和动态范围大
的优点。 增强光电二极管(IPD)则是让光电子经强电场加速聚 焦后打到半导 体 PIN 结或 肖特基 二极管 上而得 到高的 增益。
间缩短至 120ns , 记数率达到 8MHz 以上 。 对 APD 外围电路的改进另 一方面 是增加 或改进 制冷电
路 , 由于 APD 对温度变 化非常敏 感 , 其雪崩电 压 、隧穿 噪声 、 暗电流热噪声等都随着温度而变化 , 要 使其稳定 的工作必须 将其放在恒定的温度下 , 为了减少噪声应尽量 降低 APD 的工
由于要使 APD 的灵敏度达到能探测单光子 , 其 工作电压
要高于雪崩击穿电压 , 这种工作模式 称为盖革 模式 。 在盖革 模式下 , 任何光子的 吸收都 会产 生自 持雪崩 , 如 不加 以抑制
将导致 APD 的损坏 , 所以需要抑制电路进行控制 。 早期有无 源抑制和有源抑制电路 , 这种电路使 APD 处于高于 雪崩电压 状态 , 对其寿命有不 利影响 , 并 且由 后脉冲 和散 粒噪 声导致
The development and application of single -photon detectors
ZHANG Xue -jiao, WAN Jun -li
(The College of Electrical Engineering &Information Technology , China Three Gorges University , Yichang 443002 , China)
的暗记数很多 。 后来又发展了门控模式 , 即让 APD 两端的电 压低于雪崩电压 , 当光子要到达时向 APD 提供一个 门脉冲电
压使其处于接受单光子状态 , 雪崩过后即将门 关上使 APD 两 端电压恢复 到低电压 状态 。 门 模式 可以更 有效 的降 低猝灭
时间和减少 恢 复时 间与 暗记 数 , 并且 延长 了 APD 的工 作寿 命 。通过门 控方式 , 使由于热激发而产 生暗记数 的概率大大 降低 。因此 现在大多数单 光子探测 研究用 的 APD 电 路都用
收稿日期 :2007 -03 -20 基金项目 :湖北省教育厅重点科研基金资助项目(编号 :2003A 002) 作者简介 :张雪皎(1980), 男 , 湖北 当阳人 , 三 峡大学电 气信 息学院 硕士研究生 , 研究方向为微弱信号检测 。
图 2 APD 雪崩探测原理 用于单光子探测 APD 的两 个最重 要的特性 是量子 效率
雪崩 过程如图 2 所示 。
图 1 光电倍增管工作原理 Ev :入射光 ;K :阴极 ;a:阳极 ;D :聚焦极 D1 -D10:倍增极 ;RL:负载 ;Vo:输出电压 光电倍增管工作原理如图 1 所 示 , 在阴 极 K 与阳 极 a 之 间加上上千伏的高压 , 同时 在阴 极 、打拿级 和阳 极之 间分配
的光电流比室温下光电检测器本身的噪声 还低 , 所以需要特
由于 PMT 具有高增益 , 低噪声等效功率(暗电流小)等优
别的仪器和 检测手段 。 目前单 光子 检测技 术基 本上 都是在 点 , 在光电检测领域 获得广 泛的 应用 , 但它 也有 些缺点 限制
以前微弱光信号检测的基础上发展起来的 , 已用 来做单光子 了在某些方面 的应用 , 如体积庞大 、反向偏压 高 , 只 能工作在
门控模式 。 但要保持门脉冲与光子到达同 步 , 尤 其是远距离 传输时怎样使光子到达时门刚好打开 , 这是需要 研究的一项
课题 。 全主动抑制电 路是 最近 刚出 来的 一个 技术〔11〕 , 其 原理
为用精确的时序开关控制电路雪崩猝灭与 恢复过程 , 将雪崩 信号反馈到 APD 加速 其猝 灭 , 而后将 与 APD 串联 的高 阻切 换为低电阻 从而达到 快速 充电恢 复的 目的 。 此 方式 使死时
析了它们的相关参数并进行了比较 。 讨论了各器件的工作特点及优缺点 , 最后对单光子探测技术应用发展前景作了展望 。
关键词 :单光子探测器 ;PMT :APD ;SSPD
中图分类号 :O572 .21 +2 文献标识码 :A 文章编号 :0253-2743(2007)05 -0013 -03
产生更多的二次电子 , 这样经过多次加 速与碰撞 就产生足够 多的电子 , 由阳极收 集并输 出形 成电 流被检 测出 来 , 并且电
2 雪崩光电二级管(APD)
流的大小反映了光信号的强弱 。 对于单光 子探测 , 当单光子
雪崩光电二级管是利用内光电效应探测 光信号的 器件 ,
打在阴极时 , 产生的光电流是离散的 脉冲形式 。 对脉冲进行 在 APD 两端加上 反偏 电压 , 光子 被 APD 的吸 收层 吸收 并产
.5 .2007)
60 %的光子探 测效率 , 暗计数低 于 100 每秒 。 对 于长波长范
围 , 有报道用 InGaAs-InPAPD 对 1550nm 可以达 到 10 %的光 子探测效率 , 50%的量子效率〔12〕 。 暗记数率起因于后脉冲记
数 , 隧穿效应 , 散粒噪声及热噪声等 , 与 APD 两端偏压 , 温度 , 过剩噪声因子等因素有关 。
器具有量子效率高 、功耗低 、工作频谱范围大、体积小、工作电压 较低等优点, 但同时也有增益低 、受温度影响大 , 噪声大、记数率
低、外围控制电路及热电制冷电路复杂等缺点, 目前大量的研究 集中在改进 APD 的制作工艺〔11〕与外围电路两方面 。
针对 PTM 和 APD 的特点, 研究人员开发出了由两者结合而