第11章 静电场中的导体和电介质

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静电场中的导体与电介质习题课

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静电场中的导体和介质习题课
全部分布在外表面。 (2)连接后电荷 +q全部分布在外表面。 )连接后电荷Q+ 全部分布在外表面
Q+q U1 = U 2 = 4πε 0 R3
(3)内球接地,U1=0。内球带电 ´,外球壳内表面- q´, )内球接地, 。内球带电q´ 外球壳内表面- ´ 外表面Q+ ´ 外表面 + q´,
− q′ Q + q′ U1 = + + =0 4πε 0 R1 4πε 0 R2 4πε 0 R3 R1 R2Q q′ = R1 R2 + R3 ( R2 − R1 )
U 2 = −∫
R1 R2
q′
− q′( R2 − R1 ) Edr = ∫ dr = R2 4πε r 2 4πε 0 R1 R2 0
静电场中的导体和介质习题课
例:计算机键盘的键结构如图。按键连有一可移动的金属片。 计算机键盘的键结构如图。按键连有一可移动的金属片。 下面是一固定的金属片,中间是软的绝缘介质( )。两 下面是一固定的金属片,中间是软的绝缘介质(εr=2)。两 )。 块金属片就构成一个平板电容器。当键按下时, 块金属片就构成一个平板电容器。当键按下时,电容器的电容 发生变化,与之相连的电路就能检测出哪一个键被按下, 发生变化,与之相连的电路就能检测出哪一个键被按下,从而 给出相应的信号。设金属片面积为50mm2,两金属片间距 给出相应的信号。设金属片面积为 0.6mm。如果电路能检测出的电容的变化是 。如果电路能检测出的电容的变化是0.25pF,那么需要 , 将键按下多大的距离才能给出必要的信号? 将键按下多大的距离才能给出必要的信号? 解:按键前电容 C = ε r ε 0 S 1 d ε rε 0 S 按键后电容 C2 = d − ∆d

2、静电场中的导体和电介质

2、静电场中的导体和电介质

思考题
1. 导体静电平衡时,有什么特点? 2. 现有甲、乙二人,站在与地绝缘的泡沫板上, 甲带有正电荷,乙不带电。你只有一根导线。 (1)如何让乙也带上正电荷? (2)如何让乙带上负电荷? 3. 电极化强度矢量满足何种边界条件?
学习动物精神

11、机智应变的猴子:工作的流程有时往往是一成不变的, 新人的优势在于不了解既有的做法,而能创造出新的创意 与点子。一味 地接受工作的交付, 只能学到工作方法 的皮毛,能思考应 变的人,才会学到 方法的精髓。
垂直的端面上出现极化电荷。

对于非均匀电介质,除在电介质表面上出现极化
电荷外,在电介质内部也将产生体极化电荷。
2.5.2
电极化强度
当电介质处于极化状态时,在电介质内部任一宏观小 体积元V内分子的电矩矢量和不等于零,即Σp≠0(其中p 为分子电矩)。 为了定量地描述电介质的极化程度,引入电极化强度 矢量P,它等于介质单位体积内分子电矩的矢量和。
导体静电平衡的特点

(1)导体内部任意一点的电场强度等于零。


(2)导体表面上任一点的场强必定垂直于导体表面。
(3)导体为等势体,导体表面是等势面。 (4)电荷都分布在导体的表面上,导体内部任一小体积 元内的净电荷等于零。 (5)导体在电场中达到静电平衡时,其表面上电荷的分

布不一定是均匀的,一般地讲,表面曲率大的地方,电荷
力线只能终止(或起始)于导体表面,并与导体表面垂直,
不能穿过导体进入内部。也就是说,空腔导体内部的物体不 会受到外部电场的影响。 空腔导体使其内部不受外电场影响的性质叫静电屏蔽。 在静电防护领域,为了使对静电敏感的器件不受外界静
电场的影响,通常将敏感器件装在屏蔽袋中。

静电场中的导体和电介质

静电场中的导体和电介质

静电场中的导体和电介质静电平衡时导体是个等势体,导体表面是等势面,大前提是整个导体都是一样的,不要因为单独说导体表面是个等势面就误以为导体表面和内部不是等势的。

(证明省略)由此公式得出:导体表面电荷密度大的地方场强大,面电荷密度小的地方场强小。

导体表面电荷分布规律①与导体形状有关②与附近有什么样的带电体有关。

定性分析来说,孤立导体面电荷密度与表面的曲率有关,但是并不是单一的函数关系。

拓展知识(尖端放电的原理以及应用;避雷针的原理)这是一个从带电体上吸取全部电荷的有效方法。

测量电量时,要在静电计上安装法拉第圆筒,并将带电体接触圆筒的内表面,就是为了吸取带电体的全部电量,使测量更准确。

库仑平方反比定律推出高斯定理,高斯定理推出静电平衡时电荷只能分布导体外表面。

所以可以由实验精确测定导体内部没有电荷,就证明了高斯定理的正确,进而就证明了库仑平方反比定律的正确。

所以说这是精确的,因为通过实验测定数据是一定会存在误差的,而通过实验测定导体内部没有电荷是不会存在误差的,所以是很精确的。

以上是库仑平方反比定律验证的发展历史。

见图2-1,导体壳内部没有电荷时,导体的电荷只是分布在外表面上,为了满足电荷守恒定理,见图2-1c,就要一边是正电荷,而另一边是负电荷,其实空腔内没有电场的说法是对于结果而言的,并不能看出本质,本质是外电场和感应电荷的电场在导体腔的内部总的场强为0。

使带电体不影响外界,则要求将带电体置于接地的金属壳或者金属网内,必须接地才能将金属壳或者金属网外表面感应电荷流入地下。

则外界不受带电体场强的作用,而本质上也是带电体的场强和内表面感应电荷的场强叠加作用使外界总场强为0。

孤立导体的电容:电容C与导体的尺寸和形状有关,与q,U无关,它的物理意义是使导体每升高单位电位所需要的电量。

电容器及其电容:对电容的理解要升高一个层次:电容是导体的一个基本属性,就好像水桶的容量一样,C=U/q。

然而导体A的附近有其他导体时,导体的电位不仅与自己的q 有关,还受到其他导体的影响。

静电场中的导体和电解质

静电场中的导体和电解质

Q + + + + ++ + + + + E= 0 S+ + + + + + + + ++
Q q + + + +++ + +-q + + - E= 0 S + 结论: 电荷分布在导体外表面, 导体 + q + + 内部和内表面没净电荷. + - - + + + + ++ 腔内有电荷q: E 0 q 0

i
结论: 电荷分布在导体内外两个表面,内表面感应电荷为-q. 外表面感应电荷为Q+q.
NIZQ
第 5页
大学物理学 静电场中的导体和电介质
结论: 在静电平衡下,导体所带的电荷只能分布在导体的 表面,导体内部没有净电荷. • 静电屏蔽 一个接地的空腔导体可以隔离内 外电场的影响. 1. 空腔导体, 腔内没有电荷 空腔导体起到屏蔽外电场的作用. 2. 空腔导体,腔内存在电荷 接地的空腔导 体可以屏蔽内、 外电场的影响.
NIZQ
第 3页
大学物理学 静电场中的导体和电介质
• 静电平衡时导体中的电场特性
E内 0
场强:
ΔVab
b
a
E dl 0
• 导体内部场强处处为零 E内 0 • 表面场强垂直于导体表面 E表面 // dS
• 导体为一等势体 V 常量 • 导体表面是一个等势面
S
0 E P dS qi

静电场中的导体和电介质

静电场中的导体和电介质
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静电场中的导体 和电介质
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静电场中的导体和电介质
静电场中的导体和电介质
静电场是指在没有电流流动的情况下,电荷分布所产生的电场。在静电场中,导体和电介质 是两种不同的物质,它们的特性和作用也不同,本文将探讨导体和电介质在静电场中的性质 和应用 首先,我们需要了解导体和电介质的基本概念。导体是一种具有良好导电性能的物质,常见 的导体包括金属等。导体内的自由电子可以在外加电场的作用下移动,形成电流。而电介质 则是一种不良导电的物质,它的电导率远远低于导体。电介质在外加电场下无法形成连续的 电流,而是通过极化现象来响应电场的作用 在静电场中,导体和电介质的行为有很大的不同。对于导体来说,其特点是在静电平衡状态 下,内部电场为零。这是因为导体内的自由电子能够自由移动,它们会在外加电场的作用下 重新分布,直到达到平衡状态。这种现象被称为电荷运动的屏蔽效应。导体的另一个重要性 质是表面上的电荷分布是均匀的,这也是导体可以用来储存电荷的
与导体不同,电介质在静电场中的响应更加复杂。当外加电场作用于电介质时,电介 质分子会发生极化现象,即分子内部正、负电荷的分离。这种分离会导致电介质内部 产生电位移场,从而相应地改变电场分布。电介质的极化程度可以用极化强度来衡量 ,极化强度与外加电场的强度成正比。除了极化现象,电介质还可能发生击穿现象, 即在电场强度过高时,电介质内部的绝缘失效,导致电流的突然增加
0
静电场中的导体和电介质
导体在静电场中的一个重要应用 是电路中的导线。电路中的导线 由导体制成,它们能够有效地传 导电流。在电力系统中,导体连 接电源和电器设备,将电能传输 到目标地点。此外,在电子设备 制造中,导体用于制作电路板, 连接不同的电子元件,实现电信 号的传输和处理

大学物理——静电场中的导体和电介质

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v E
二、导体上电荷的分布 由导体的静电平衡条件和静电场的基本性 dV 质,可以得出导体上的电荷分布。 1.导体内部无静电荷 证明:在导体内任取体积元 dV
E内 = 0
r r 由高斯定理 E dS ⋅ = 0 ∫
S
∑q = ∫ ρ dV = 0
i i V
Q体积元任取 导体带电只能在表面!
ρ =0
证毕
A B σ1 σ 2σ 3
场 两板之间 强 分 布 两板之外
Q E = ε0S
r E
E=0
练习
已知: 两金属板带电分别为q1、q2 求:σ1 、σ2 、σ3 、σ4
q1
q2
q1 + q2 σ1 = σ 4 = 2S
σ1
σ2
σ3
σ4
q1 − q2 σ 2 = −σ 3 = 2S
2.导体表面电荷 表面附近作圆柱形高斯面
r r σΔS 0 ∫ E • dS = E ⋅ ΔS ⋅ cos 0 =
σ
r E
ΔS
ε0
σ ∴E = ε0
r σ ^ ^ E表 = n n :外法线方向
ε0
3.孤立带电导体表面电荷分布 一般情况较复杂;孤立的带电导体,电荷 分布的实验的定性的分布: 曲率较大,表面尖而凸出部分,电荷面密度较大 曲率较小,表面比较平坦部分,电荷面密度较小 曲率为负,表面凹进去的部分,电荷面密度最小
例3.已知:导体板A,面积为S、带电量Q,在其旁边 放入导体板B。 求:(1)A、B上的电荷分布及空间的电场分布 (2)将B板接地,求电荷分布
σ1 σ 2 σ 3 σ4 − − − =0 a点 2ε 0 2ε 0 2ε 0 2ε 0
A B σ1 σ 2σ 3 σ 4

静电场中的导体与电介质

§2 静电场中的导体和电介质§2-1 静电场中的导体1. 导体的静电平衡条件当电荷静止不动时,电场散布不随转变,该体系就达到了静电平衡。

在导体中存在自由电荷,它们在电场的作用下可以移动,从而改变电荷的散布……导体内自由电荷无宏观运动的状态。

导体的静电平衡的必要条件是其体内图2-1导体的静电平衡场强处处为零。

从静电平衡的条件动身可以取得以下几点推论:推论1)导体是等位体,导体表面是等位面:2)导体表面周围的场强处处与它的表面垂直:因为电力线处处与等位面正交,所以导体外的场强必与它的表面垂直。

(注意:本章所用的方式与第一章不同,而是假定这种平衡以达图2-2导体对等位面的控制作用到,以平衡条件动身结合静电场的普遍规律分析问题。

)2.电荷散布1) 体内无电荷,电荷只散布在导体的表面上:当带电导体处于静电平衡时,导体内部不存在净电荷(即电荷的体密度)电荷仅散布在导体的表面。

可以用高斯定理来证明:设导体内有净电荷,则可在导体内部作一闭合的曲面,将包围起来,依静电条件知S面上处处, 即由高斯定理必有q=02) 面电荷密度与场强的关系:当导体静电平衡时,导体表面周围空间的 与该处导体表面的面电荷密度 有如下关系:论证: 在电荷面密度为 的点取面元设 点为导体表面之外周围空间的点,面元。

充分小,可以为 上的面电荷密度 是均匀的,以为横截面作扁圆柱形高斯面(S ),上底面过P 点,把电荷q= 包围起来. 通太高斯面的电通量是:3) 表面曲率的影响、尖端放电导体电荷如何散布,定量分析研究较复杂,这不仅与这个导体的形状有关,还和它周围有何种带电体有关。

对孤立导体,电荷的散布有以下定性的规律:图2-3导体表面场强与电荷面密度曲率较大的地方(凸出而尖锐处),电荷密度e 较大;曲率较小的地方(较平坦处)电荷密度e 较小;曲率为负的地方(凹进去向)电荷密度e 更小。

1) 端放电的利和弊3 导体壳(腔内无带电体情况)大体性质:当导体壳内无带电体时,在静电平衡当导体壳内无 带电体时,在静电平衡下:导体壳内表面上处处无电荷,电荷仅散布在外 表面;空腔内无带电场,空腔内电位处处相等。

大学物理第11章第二次课11(3-4)

1 q0 E ; 2 4 r
→ε,
1 q0 U 4 r
[例] 点电荷在介质场中:
讨论: D 1、 无物理意义,只是为了简化公式而引入的辅助物理量。 D线从自由正电荷出发,终止于自由负电荷。

E线
D线
2、有介质的高斯定理与真空中的高斯定理都是普遍适用的。
3、闭合面上电位移矢量 D 的通量只与面内自由电荷q 0 有关。 但 D 并不是只由 q0 产生。因为 D的通量和 D是两个 不同的概念。
则此时: P2 n21 P2 n
(4)、极化强度与体电荷密度的关系:
在介质内如取一闭合曲面S,因极化而越过dS面向外移出 闭合面S的电荷为
d q出 P d S
S
于是,通过整个闭合曲面S向外移动的极化电荷总量为:
由电荷守恒定律 :
q出= P d s
三、 电介质的极化规律
1、电介质中的场强: ( E —总场; E0 —外场; E — 极化场)
E E0 E
2、P、 关系: E
实验证明: (
P 0 e E
e — 电介质的极化率)
e r 1
若介质中各点 e 相等,则称为均匀介质 。
P = 常矢,则称为均匀极化 。
导体: 0 P
2) 真空:P 0
2、极化强度与极化电荷的关系: 在外电场作用下,电介质被极化.产生束缚电荷, , .
描述电介质极化程度的物理量是极化强度 P . 所以,束缚电荷 , 与极化强度 P 之间必有一定关系.


pe 0
ⅱ] 在外电场中,分子中的正、负电荷受到 相反方向的电场力,因正、负电荷中心 发生微小相对位移,形成电偶极矩沿外 场方向排列起来。 ⅲ] 沿电场方向的两侧面也将分别呈正、 负束缚电荷,介 质的这种极化称为 位移极化 。 注意

电场中的导体和电介质


二、电容器
1、电容器的定义
两个带有等值而异号电荷的导体 所组成的系统,叫做电容器。
+Q
-Q
2、电容器的电容
如图所示的两个导体放在真空中,它们所 带的电量为+Q、-Q,它们的电势分别为 V1、V2,定义电容器的电容为: 计算电容的一般步骤为: •设电容器的两极板带有等量异号电荷; •求出两极板之间的电场强度的分布; •计算两极板之间的电势差; •根据电容器电容的定义求得电容。
3-4 物质中的电场
在静电场中总是有导体或电介质存在的,而且静电场 的一些应用都要涉及静电场中导体和电介质的行为, 以及它们对静电场的影响。
一、静电场中的导体
1、静电感应及静电平衡
若把导体放在静电场中,导体中的自由电子将在电场力的 作用下作宏观定向运动,引起导体中电荷重新分布而呈现 出带电的现象,叫作静电感应。 开始时, E’< E0 ,金属内部的场强不零, 自由电子继续运动,使得E’增大。这个过 程一直延续到E’= E0即导体内部的场强为零 时为止。此时导体内没有电荷作定向运动, 导体处于静电平衡状态。




根据静电平衡条件,空腔 由静电平衡条件,腔内壁非均匀 分布的负电荷对外效应等效于: 导体内表面总的感应电荷为 -q, 非均匀分布;外表面,总的感 在与 q 同位置处置 q 。 应电荷为 q,非均匀分布。
9





R


q q q U U U U U 0 q 壳 地 内壁 外壁 q q O o d q外壁 0
C Q V
Q C= 4 0 R V

第章静电场中的导体和电介质PPT课件


q2
EA
1 2 o
2 2 o
3 2 o
4 2 o
0
EB
1 2 O
2 2 O
3 2 o
4 2 o
0
1
23
4
由电荷守恒:
1S 2 S q1
A
B
3S 4S q2
1
4
q1 q2 2S
2
3
q1 q2 2S
20
1
4
q1 q2 2S
q1
2
3
q1 q2 2S
1
2
上述结果表明:平板相背的两面带电等
R3 R2
R3
RR11
qq1 1
RR33
问题:电势表
达式能直接写
R2 R1
q1
4 or
2
dr
R3
(q q1 )
4 or 2
dr
出来吗?
q1
4 o
1 R1
1 R2
q q1
4 o R3
V1 V2
同理,球壳的电势为:
V2
E dl
R3
R3
(q
4
q1 ) or 2
dr
q q1
2.内屏蔽
+
+
壳外表面上的电荷分布与腔内带电体的位置无关,只 取于导体外表面的形状。
若将空腔接地,则空腔外表面上的感应电荷被大地电荷 中和,腔外电场消失,腔内电荷不会对空腔外产生影响。即 接地空腔对内部电场起到了屏蔽作用,这是静电屏蔽的另外 一种——内屏蔽。
高压设备用金属导体壳接地做保护。 14
五、利用静电平衡条件和性质作定量计算
例1:半径为R和r的球形导体(R>r),用很长的细导线连 接起来,使两球带电Q、q,求两球表面的电荷面密度。
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第十一章 静电场中的导体和电介质§11-1 静电场中的金属导体一、静电感应 导体的静电平衡条件1、静电感应现象:导体在静电场中,在两侧出现等量异号电荷的现象叫做静电感应现象。

产生的电荷称为感应电荷。

Swf: 11-1-1 金属中的电子 Swf: 11-1-2导体的静电感应 Swf: 11-1-3静电平衡2、导体静电平衡条件(1)导体的静电平衡:当导体中(内部,表面)没有电荷作宏观定向运动时,称这种状态为导体的静电平衡。

(2)静电平衡条件 Swf: 11-1-5导体的静电平衡条件 从场强角度看:①导体内任一点,场强0=E ;②导体表面上任一点E与表面垂直。

从电势角度也可以把上述结论说成:①⇒导体内各点电势相等;②⇒导体表面为等势面。

用一句话说:静电平衡时导体为等势体。

Swf: 11-1-6 静电感应问题的讨论 二、静电平衡时导体上的电荷分布1、导体内无空腔时电荷分布导体电荷为Q ,在其内作一高斯面S ,高斯定理为:∑⎰=⋅内S Sq s d E 01ε导体静电平衡时其内0=E,∴ 0=⋅⎰s d E S, 即0=∑内S q 。

S 面是任意的,∴导体内无净电荷存在。

结论:静电平衡时,净电荷都分布在导体外表面上。

图11-1图11-22、导体内有空腔时电荷分布(1)腔内无其它电荷情况如图11-3所示,导体电量为Q ,在其内作一高斯面S ,高斯定理为:∑⎰=⋅内SSq s d E 01ε静电平衡时,导体内0=E∴ 0=∑内S q ,即S 内净电荷为0,空腔内无其它电荷,静电平衡时,导体内又无净电荷 ∴ 空腔内表面上的净电荷为0。

但是,在空腔内表面上能否出现符号相反的电荷,等量的正负电荷?我们设想,假如有在这种可能,如图所示,在A 点附近出现+q ,B 点附近出现-q ,这样在腔内就分布始于正电荷上终于负电荷的电力线,由此可知,B A U U >,但静电平衡时,导体为等势体,即B A U U =,因此,假设不成立。

结论:静电平衡时,腔内表面无净电荷分布,净电荷都分布在外表面上,(腔内电势与导体电势相同)。

(2)空腔内有点电荷情况如图11-4所示,导体电量为q ,其内腔中有点电荷+q ,在导体内作一高斯面S ,高斯定理为∑⎰=⋅内S Sq s d E 01ε静电平衡时0=E, ∴0=∑内S q 。

又因为此时导体内部无净电荷,而腔内有电荷+q ,∴ 腔内表面必有感应电荷-q ,。

结论:静电平衡时,腔内表面有感应电荷-q ,外表面有感应电荷+q 。

3、导体表面上电荷分布设在导体表面上某一面积元S ∆(很小)上,电荷分布如图所示 ,过S ∆边界作一闭合柱面,S 上下底1S 、2S 均与S ∆平行,S 侧面3S 与S ∆垂直,柱面的高很小,即1S 与2S 非常接近S ∆,此柱面并且是关于S ∆对称的。

如图11-5所示。

S 作为高斯面,高斯定理为∑⎰=∙内S Sq s d E 01ε图113 图11-4SE ES ds E sd E s d E s d E s d E s d E s S S S S S S∆==⋅=⋅=⋅+⋅+⋅=⋅⎰⎰⎰⎰⎰⎰111321很小S q S ∆=∑σεε011内S S E ∆=∆⇒σε010εσ=E (注意与无限大带电平面02εσ=E 的区别)。

结论:导体表面附近,σ∝E 。

4、导体表面曲率对电荷分布影响根据实验,一个形状不规则的导体带电后,在表面上曲率越大的地方场强越强。

由上面讲到的结果知,E 大的地方,σ 必大,所以曲率 大的地方电荷面密度大。

如图所示5、尖端放电 Swf:11-1-7 尖端放电Swf: 11-1-8尖端放电三、静电屏蔽 Swf: 11-1-9静电屏蔽由于空腔中的场强处处为零,放在空腔中的物体,就不会受到外电场的影响,所以空心金属球体对于放在它的空腔内的物体有保护作用,使物体不受外电场影响。

如图11-7所示。

图11-5另一方面,一个接地的空心导体可以隔绝放在它的空腔内的带电体和外界的带电体之间的静电作用,这就是静电屏蔽原理。

Swf:11-1-10静电起电机应用:如电话线从高压线下经过,为了防止高压线对电话线的影响, 在高压线与电话线之间装一金属网等。

如图11-8所示。

关于静电平衡的几个问题:1、关于静电平衡的结论适用于一切金属导体,但是,不同导体的微观结构不同,电导率等性质不同,为什么静电平衡条件相同?2、若从导体内部某点输入一定量的电荷,到静电平衡时“电荷只分布在导体表面,导体内部无净余的电荷”的状态,经历多长时间?导体内部电荷体密度 随时间变化的关系如何?静电平衡过程的驰豫时间:00εγρρ-=e可参考:贾瑞皋 薛庆忠,《电磁学》,高等教育出版社,2003.13、导体表面上“曲率大处电荷绵密度大”。

若导体的大小形状一定,曲率分布一定,当带电荷一定时,电荷面密度与曲率的定量关系如何? 此问题至今无结果。

例11-1:在电荷+q 的电场中,放一不带电的金属球,从球心 O 到点电荷所在距离处的矢径为r ,试问(1)金属球上净感应电荷='q ?(2)这些感应电荷在球心O 处产生的场强E?解:如图11-9所示,(1)='q 0 (2)球心O 处场强0=E (静电平衡要求),即+q 在O 处产生的场强+E与感应电荷在O 处产生场强的矢量和=0。

0=++感E Er rq E E 304πε=-=+感 方向指向+q 。

(感应电荷在 O 处产生电势=?球电势=?选无穷远处电势=0。

)图11-7 图11-8图11-9§11-2 电容 电容器一、孤立导体的电容在真空中设有一半径为R 的孤立的球形导体,它的电量为q ,那么它的电势为(取无限远处电势=0)RqU 04πε=对于给定的导体球,即R 一定,到q 变大时,U 也变大,q 变小时,U 也变小,但是R Uq04πε=确不变,此结论虽然是对球形孤立导体而言的,但对一定形状的其它导体也是如此,Uq仅与导体大小和形状等有关,因而有下面定义。

定义:孤立导体的电量q 与其电势U 之比称为孤立导体电容,用C 表示,记作:U qC = (11-1)对于孤立导体球,其电容为R Rq qUq C 0044πεπε===。

C 的单位为:F (法),1F=1C/1V 。

在实用中F 太大,常用F μ或pF ,他们之间换算关系: pF F F 12610101==μ。

(电容与电量的存在与否无关) 二、电容器 swf: 11-2-1电容实际上,孤立的导体是不存在的,周围总会有别的导体,当有其它导体存在时,则必然因静电感应而改变原来的电场分布,当然影响导体电容。

下面我们具体讨论电容器的电容。

1、电容器:两个带有等值而异号电荷的导体所组成的带电系统称为电容器。

电容器可以储存电荷,以后将看到电容器也可以储存能量。

2、电容器电容:两个导体A 、B 放在真空中,它们所带的电量分别为+q ,-q ,如果A 、B 电势分别为A U 、B U ,那么A 、B 电势差为B A U U -,电容器的电容定义为:B A U U qC -= (11-2)由上可知,如将B 移至无限远处,B U =0。

所以,上式就是孤立导体的电容。

所以,孤立导体的电势相当于孤立导体与无限远处导体之间的电势差。

所以,孤立导体电容是B 放在无限远处时B A U U qC -=的特例。

导体A 、B 常称电容器的两个电极。

三、电容器电容的计算1、平行板电容器的电容设A 、B 二极板平行,面积均为S ,相距为d ,电量为+q ,-q ,极板线度比d 大得多,且不计边缘效应。

所以A 、B 间为均匀电场。

如图11-11所示由高斯定理知,A 、B 间场强大小为 )(0Sq E +==σεσ。

dS U U qC d S q Ed U U B A B A 00εε=-=⇒==-(11-3)2、球形电容器设二均匀带电同心球面A 、B ,半径A R 、B R ,电荷为+q ,-q 。

A 、B 间任一点场强大小为:204rqE πε=,如图11-12所示。

BA AB B A R R R R R R B A R R R R q R R q drrq Edr r d E U U BABABA00204)(]11[44πεπεπε-=-===⋅=-⎰⎰⎰AB B A BA AB B A R R R R R R R R q qU U q C -=-=-=0044)(πεπε 讨论:①当A A B R R R 〈〈-时,有A B R R ≈,令d R R A B =-,则dS d R U U qC A A B A 0204επε==-=即——平行板电容器结果。

②A 为导体球或A、B均为导体球壳结果如何? 3、圆柱形电容器圆柱形电容器是两个同轴柱面极板构成的,如图所示,设A 、B 半径为A R 、B R ,电荷为+q ,-q ,除边缘外,电荷均匀分布在内外两图11-10图11-11图11-12圆柱面上,单位长柱面带电量lq=λ,l 是柱高。

由高斯定理知,A 、B 内任一点P 处E 的大小为(如图11-13所示。

)rE 02πελ=AB R R R R R R B A R R dr r Edr r d E U U BABABAln 2200πελπελ===⋅=-⎰⎰⎰ AB A B BA R R lR R qU U qC ln 2ln 200πεπελ==-=(可知:在计算电容器时主要是计算两极间的电势差)。

Swf: 11-2-2影响电容器电容的因素 四、电介质对电容器电容的影响 Swf: 11-2-3电介质的影响以上所得电容是极间为真空情况,若极间充满电介质(不导电的物质),实际表明,此时电容C 要比真空情况电容0C 大,可表示10>=r C Cε,或0C C r ε=。

r ε 与介质有关,称为相对介电系数 。

以上各情况若充满电介质(极间),有:球形: A B B A A B B A r B A R R R R R R R R U U qC -=-=-=πεεπε440; 平板:d Sd S C r εεε==0;柱形:AB A B r R R ln lR R ln l C πεεπε220==。

r εεε0=称为介质的介电常数。

000C C C r εεε=−−−−→−→充介质后(1>r ε)五、电容器的串联与并联在实际应用中,现成的电容器不一定能适合实际的要求,如电容大小不合适,或者电容器的耐压程度不合要求有可能被击穿等原因。

因此有必要根据需要把若干电容器适当地连接起来。

若干个电容器连接成电容器的组合,各种组合所容的电量和两端电压之比,称为该电容器组合的等值电容。

1、 串联:几个电容器的极板首尾相接(特点:各电容的电量相同)。

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