关于碳纳米管的研究进展综述

关于碳纳米管的研究进展1、前言1985年9月，Curl、Smally和Kroto发现了一个由个60个碳原子组成的完美对称的足球状分子，称作为富勒烯。

这个新分子是碳家族除石墨和金刚石外的新成员,它的发现刷新了人们对这一最熟悉元素的认识,并宣告一种新的化学和全新的“大碳结构”概念诞生了。

之后,人们相继发现并分离出C70、C76、C78、C84等。

1991年日本的Iijima教授用真空电弧蒸发石墨电极时,首次在高分辨透射电子显微镜下发现了具有纳米尺寸的碳的多层管状物—碳纳米管。

年,日本公司的科学家和匆通过改进电弧放电方法,成功的制备了克量级的碳纳米管。

1993年，通过在电弧放电中加入过渡金属催化剂,NEC和IBM研究小组同时成功地合成了单壁碳纳米管；同年，Yacaman等以乙炔为碳源，用铁作催化剂首次针对性的由化学气相沉积法成功地合成了多壁碳纳米管。

1996年,我国科学家实现了碳纳米管的大面积定向生长。

1998年,科研人员利用碳纳米管作电子管阴极同年,科学家使用碳纳米管制作室温工作的场效应晶体管;中国科学院金属研究所成会明研究小组采用催化热解碳氢化合物的方法得到了较高产率的单壁碳纳米管和由多根单壁碳纳米管形成的阵列以及由该阵列形成的数厘米长的条带。

1999年,韩国的一个研究小组制成了碳纳米管阴极彩色显示器样管。

2000年,日本科学家制成了高亮度的碳纳米管场发射显示器样管。

2001年,Schlitter等用热解有纳米图形的前驱体,通过自组装合成了单壁碳纳米管单晶,表明已经可以在微米级制得整体材料的单壁碳纳米管,并为宏量制备指出了方向。

2、碳纳米管的制备方法获得大批量、管径均匀和高纯度的碳纳米管,是研究其性能及应用的基础。

而大批量、低成本的合成工艺是碳纳米管实现工业化应用的保证。

因此对碳纳米管制备工艺的研究具有重要的意义。

目前,常用的制备碳纳米管的方法包括石墨电弧法、化学气相沉积法和激光蒸发法。

一般来说,石墨电弧法和激光蒸发法制备的碳纳米管纯度和晶化程度都较高,但产量较低。

化学气相沉积法是实现工业化大批量生产碳纳米管的有效方法,但由于生长温度较低,碳纳米管中通常含有较多的结构缺陷,并伴有较多的杂质。

对于单壁碳纳米管,由于其半径较小、石墨层片卷曲的曲率大,其生长条件比多壁碳纳米管更苛刻一些,例如要求催化剂粒径更小、反应温度更高。

1）电弧放电法电弧法是最早的、最典型的碳纳米管合成方法,它又可分直流电弧法、交流电弧法、电弧催化法等。

在真空反应器中充以一定压力的惰性气体氦气（He）,采用面积较大的石墨电极为阴极,细石墨棒为阳极,电弧反应中阳极石墨电极不断消耗,蒸发出的碳烟灰在阴极上沉积出含碳纳米管的产物。

Iijima就是采用该方法首次制备出单壁碳纳米管。

2）激光蒸发法激光蒸发法是一种简单有效的制备碳纳米管的新方法。

其基本原理为用高能量密度激光照射置于真空腔体中的靶体表面,将碳原子或原子团簇激发出靶的表面,在载体气体中这些原子或原子团簇相互碰撞而形成碳纳米管。

靶体为渗入一定金属催化剂（Ni、Co等）的碳粉压制而成,载体气体一般为氩气。

氮气作为非惰性气体会与碳进行键合,而往往被认为会阻止碳纳米管的形成。

然而激光蒸发的碳原子与氮气分子的反应只在低压条件下得到验证,在制备单壁碳纳米管时,腔中气压一般为几万帕。

研究表明在氮气气氛中依然能得到单壁碳纳米管含量超过50%的产物,并且其碳纳米管结构和形貌与在氢气气氛中得到的类似。

这些碳纳米管形成束状结构,产物中也含有金属粒子与无定形碳等其它形式的碳结构。

3）化学气相沉积法化学气相沉积法因制备条件简单、可大规模生产等优点得到人们的普遍使用。

它主要以C2H2作为碳源,以金属催化剂作晶种,在相对低的温度（500-1000℃）下C 2H2裂解而得到碳纳米管。

经对Fe、Co、Ni、Cu进行研究,结果发现用Co作催化剂时得到了最细、石墨化最好的碳纳米管。

这种碳氢化合物气体催化分解的方法,可以严格控制温度,并且由于可以稳定连续地供气,所以随反应时间的延长,碳纳米管的长度可延长。

这种方法突出的优点是残余反应物为气体,可以离开反应体系,得到纯度较高的碳纳米管,同时温度亦不需要很高,相对而言节省了能量。

但是制得的碳纳米管管径不整齐,形状不规则,并且在制备过程中必须要用到催化剂。

目前这种方法的主要研究方向是希望通过控制模板上催化剂的排列方式来控制生成的碳纳米管的结构,已经取得了一定进展。

如中科院物理所的科学家已利用改进的化学气相法制备出长度达到的2-3mm的碳纳米管。

4）固相热解法固相热解法是将常规含碳亚稳固体在高温下热解生长碳纳米管的新方法,这种方法过程比较稳定,不需要催化剂,并且是原位生长。

但受到原料的限制,生产不能规模化和连续化5）火焰合成法火焰法合成碳纳米管成本低,效率高,能连续合成高质量的单壁碳纳米管、多壁碳纳米管及碳纳米纤维。

它主要是将气体燃料与气体氧化剂分别送入燃烧室燃烧或混合后送入燃烧室燃烧,直接利用火焰做热源,将催化材料置入火焰中即可制得碳纳米管。

火焰法合成碳纳米管己经取得了一些重要进展,但还有大量工作需要进一步深入研究,例如在火焰发生装置的设计、燃气和催化剂的优化选择、火焰的稳定性、规模化生产等方面仍需要进一步改进。

3、碳纳米管的可控合成纳米碳管的研究发展到目前阶段,其产业化大规模应用仿佛就在不远的将来,但是在大规模应用之前,纳米碳管的研究者们必须回答如下问题纳米碳管的生长机理是什么如何才能控制纳米碳管的生长位置、方向、直径、长度、螺旋度生长机理跟可控制备研究是密不可分的,只有充分解决纳米碳管的生长机理问题,才能预知影响因素的作用原理,达到控制生长的目的。

生长机理研究比较多的是电弧放电法生长纳米碳管的机理和法生长纳米碳管的机理。

普通法（CVD）可控制备纳米碳管的可行性：普通法即热法,根据催化剂加入或者安置方式的不同,通常可以分为两种方法：1）基体承载法2）流动催化法。

基体承载法是将催化剂放在特定基上进行碳源气体的高温分解,在催化剂颗粒生长出纳米碳管,该法可以合成纯度较高的纳米碳管,但是较难实现连续性操作。

流动催化法的优点是气-固接触较好,可以充分地利用催化剂颗粒的表面。

催化剂颗粒处于运动状态,相互之间的距离比基体承载法大,其外表面更容易生长出纳米碳管。

该法可以通过催化剂和含碳气体的连续加入,以及产物的及时收集,较易实现连续化合成。

另外,在合成定向纳米碳管阵列时,水平流动催化法和基体承载法相比,不需要对纳米碳管阵列的基底进行特殊处理,是一种相对简便的制备工艺。

热法中,产物受到催化剂和反应条件等诸多因素的影响。

普通法CVD法纳米碳管生长的影响因素：普通热法生长纳米碳管的影响因素很多,但归纳起来不外乎三个方面催化剂、反应温度、反应气氛。

这三个方面互相协调作用,不能孤立的来看。

但在一个固定的体系里面也有主次之分。

这些因素一般可以从CVD法生长纳米碳管的生长模型来解释。

（1）催化剂的活性组分过渡元素金属铁、钻、镍是常见的用于纳米碳管生长的三种催化剂元素,但是三者的催化性能是有一定差异的。

Klinke等利用硅负载的铁、钴、镍催化剂裂解乙炔气体制备纳米碳管阵列,发现铁为催化剂时得到的碳管密度最大。

Nagy等的结果显示铁的催化性能要比钴高,但是铁催化生长的纳米碳管结晶度和结构完整性要比钴的差。

当利用二元或多元金属作为催化剂时,催化剂的催化性能有时会发生较大的变化。

根据Rao等的报道,在利用铁催化剂制备常规纳米碳管阵列时如果在催化剂中掺入金属钛,将会得到大量的长分叉纳米碳管。

Lee等发现如果将金属Pd掺入Co-Ni (Co/Ni=1：1.5)双金属催化剂中能够在较低的反应温度500℃下合成纳米碳管,将金属Cr 掺入Co-Ni (Co/Ni=1：1.5)双金属催化剂中能够在550℃的反应温度合成纳米碳纤维。

（2）反应温度对产率的影响主要归因于其对催化剂活性及碳源气体裂解速度的影响,温度越高,催化剂活性越强,但是温度过高,催化剂会烧结,且碳源气体会发生自分解生成其它副产物。

在高温下催化剂活性组分微晶易团聚长大,所以不同温度下催化剂活性组分的直径是有所差别的,因此反应温度最终也会影响到纳米碳管的直径。

因此反应温度受到催化剂活性组分和碳源气体的制约。

一般情况下,对于热法,催化剂活性越高,需要的反应温度越低单壁纳米碳管的反应温度高于多壁纳米碳管的反应温度。

（3）反应过程的气氛包括碳源气体、载气和掺杂气体。

碳源气体直接提供碳源,其分解速率、温度、气压直接关系到纳米碳管的生长。

Hernadi等系统研究了各种碳源对纳米碳管产量及形貌的影响,反应温度为700-800℃,他们发现利用乙炔气体合成的纳米碳管产量最大;碳源气体的活性有较大的差异,其中乙炔＞丙酮＞乙烯＞正戊烷＞丙烯＞甲醇＞甲烷。

载气一般起到对碳源气体的分散和载流作用,但研究表明载气对纳米碳管的生长也有一定的作用。

Sharon等利用三种不同的载气即氢气、氩气、氢气及氩气的混合气来合成纳米碳管,发现载气会直接影响到纳米碳管的生长。

掺杂气体一般是为了得到结构比较特殊的纳米碳管而人为加入的气体成分。

它的作用各式各样,或者为了得到高纯度纳米碳管,或者为了达到对纳米碳管的掺杂。

2004年Iijima等发现微量水汽的掺入能够促进单壁纳米碳管的生长,他们认为水可以氧化去除催化剂表面能够导致其中毒的无定形碳,有利于保持催化剂的催化活性,利用此技术他们成功合成了纯度大于99%的单壁纳米碳管。

Dai等研究了热法中氧气气氛对单壁纳米碳管生长的影响,发现掺入1%的氧气可以显著提高催化剂的催化活性;在热CVD法中碳源的分解会产生大量高活性氢物种而不利于纳米碳管的生长,加入氧气可以清除这些氢物种并能够控制C/H比例,利用此技术他们合成了高产量、高纯度的垂直单壁纳米碳管阵列。

4、碳纳米管表征分析技术主要分为以下几类：（1）对纳米材料进行晶体结构分析的表征手段，主要有：X射线衍射（XRD）、电子衍射分析谱（EDAS）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）等；（2）表征纳米材料的尺寸和形貌的仪器主要有：扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和原子力显微镜（AFM）等；表征纳米材料的光学和电学等性质，主要有紫外可见（UV-Vis）吸收光谱和表面增强拉曼光谱（SERS）等。

比如，X射线分析技术：X射线衍射可以用于物相鉴定以及材料的结构分析。

但是X射线衍射技术主要用于测定长程有序的材料结构，对于无序的结构，它的运动则受到限制；电子显微分析技术：电子显微镜中的透射电子显微镜（TEM）可以观察材料的形貌，通过测量其尺寸，可以给出材料的尺寸分布。

对样品的制备要求较高。

而高分辨透射电镜（HRTEM）的分辨率高，可以对微区进行更精确的分析，尤其是对界面结构提供准确的判断，可以观察到样品的晶格。