半导体集成电路制造工艺
半导体集成电路工艺流程
半导体集成电路工艺流程
一、wafer切割
wafer切割是半导体集成电路（IC）生产过程中的第一步，也是半导体片材料的重要环节，它是把单晶和多晶片成型成多种尺寸的半导体片的重要工艺。
经过精密加工，工艺流程从一块单晶或多晶片，变形成多根小片，均匀分开，并实现精密切削，形成一定大小的半导体片材，用于后续的处理和加工。
此外，wafer切割还可以保证切割表面的质量和光洁度，减少片材表面的细孔和针孔，减少电路间的干扰和杂讯，提高电路的可靠性。
二、Lithography
Lithography是半导体IC晶圆工艺流程中的第二步，也是半导体片材料制造的重要环节。
它是利用光刻机在半导体片上按照设计绘制图案，利用光刻技术实现图案和电路的微米级加工的工艺。
Lithography在半导体工艺流程中，相当于画笔，利用不同的光刻设备，以不同的分辨率，把原始工艺设计按照比例缩小，然后在光刻机的放射束范围内，直接绘出晶圆上的基本芯片。
通常，在Lithography步骤中，光刻机会在未经曝光的晶圆上，使用蒙特卡洛照片精确测量曝光量，保证批处理的曝光精度，然后，使用激光对晶圆表面进行曝光，形成电路设计图案，从而实现芯片逻辑反馈。
三、Dicing
Dicing是晶圆工艺流程的第三步。
半导体工艺原理-集成电路制造工艺介绍
GND
Vi
T
Vo
R VDD
23
二）、MOS集成电路芯片制 造工艺
（N阱硅栅CMOS工艺）
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1、CMOS工艺中的元器件结构
电阻
NSD和PSD电阻结构剖面图
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多晶硅电阻结构剖面图
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N阱电阻结构剖面图
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电容
CMOS工艺中PMOS晶体管电容剖面图
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CMOS工艺中N阱电容剖面图
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多晶硅-多晶硅电容器剖面图
双极工艺主要分类
3
CMOS
●标准CMOS工艺（数字电路的主流工艺 技术）特点：互补的NMOS、PMOS，工 艺流程简单，集成度高
●模拟CMOS工艺（应用最广泛的模拟IC 工艺）特点：在标准CMOS的基础上集成 高品质的无源器件，此外对阈值电压精度 和耐压的要求更高
●RF CMOS（RF IC） 特点：依靠缩小光刻尺寸提高MOS晶体管 的速度，集成模拟IC所必需的高品质无源 器件
30
二极管
PSD/N阱齐纳二极管剖面图
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PSD保护环肖特基二极管剖面图
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MOS晶体管
N阱CMOS工艺中MOS晶体管剖面图
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P阱CMOS工艺中MOS晶体管剖面图
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双阱CMOS工艺中MOS晶体管剖面图
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2、主要工艺流程图
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衬底准备
P型单晶片
P+/P外延片
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工艺流程：
氧化、光刻N-阱(nwell)
NBL
NSINK
P阱
PBL
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●BCD（智能功率集成芯片） 特点：在BiCMOS优势的基础上再集成 DMOS等功率器件，是智能功率芯片的理 想工艺平台
集成电路制造中的半导体器件工艺
集成电路制造中的半导体器件工艺绪论随着信息技术的飞速发展，集成电路制造技术已成为现代电子工业的核心领域。
集成电路是现代电子产品的基础，在计算机、通讯、军事和工业等领域都有着广泛的应用。
而半导体器件工艺是集成电路制造技术的基石，其质量和效率直接决定了集成电路的性能和成本。
本文将从半导体制造的基本流程、光刻工艺、薄膜工艺、化学机械抛光、多晶硅工艺和后台工艺六个方面详细介绍集成电路制造中的半导体器件工艺。
一、半导体制造的基本流程半导体芯片制造的基本流程包括晶圆制备、芯片制造和包装封装。
具体流程如下：晶圆制备：晶圆是半导体器件制造的基础，它是由高纯度单晶硅材料制成的圆片。
晶圆制备的主要过程包括矽晶体生长、切片、抛光和清洗等。
芯片制造：芯片制造主要包括传输电子装置和逻辑控制逻辑电路结构的摆放和电路组成等操作。
包装封装：芯片制造完成后，晶体管芯片需要被封装起来的保护电路，使其不会受到外界环境的影响。
光刻工艺是半导体工艺中的核心部分之一。
光刻工艺的主要作用是将图形预设于硅晶圆表面，并通过光刻胶定位的方式将图形转移到晶圆表面中，从而得到所需的电子器件结构。
光刻工艺的主要流程包括图形生成、光刻胶涂布、曝光、显影和清洗等步骤。
三、薄膜工艺薄膜工艺是半导体制造中的另一个重要工艺。
它主要通过化学气相沉积、物理气相沉积和溅射等方式将不同性质的材料覆盖在晶圆表面，形成多层结构，从而获得所需的电子器件。
四、化学机械抛光化学机械抛光是半导体工艺中的核心工艺之一。
其主要作用是尽可能平坦和光滑化硅晶圆表面，并去除由前工艺所形成的残余物和不均匀的层。
化学机械抛光的基本原理是使用旋转的硅晶圆，在氧化硅或氮化硅磨料的帮助下，进行机械和化学反应，从而达到平坦化的效果。
五、多晶硅工艺多晶硅工艺是半导体工艺中的一个重要工艺，主要是通过化学气相沉积厚度约8至12个纳米的多晶硅层。
该工艺可以用于形成电极、连接线、栅极和像素等不同的应用。
多晶硅工艺的优点是不需要特殊的工艺装备，因此较为简单。
半导体生产工艺
半导体生产工艺
1 半导体产业的简介
半导体技术是经过许多复杂工序所构成的一种微电子产品，被广
泛应用于电子，家用电器和工业设备等领域。
半导体技术主要利用不
导电材料制成集成电路，以存储和处理电子信号，在计算机，手机，
社交媒体，通信和医疗设备中有着重要的用途。
2 半导体生产工艺
半导体制造需要经过复杂的工艺流程，主要包括晶体制备，晶片
加工，晶片装载，晶片测试，晶片封装和外壳装配等几个阶段。
1) 晶体制备：在晶体制备阶段，一块原始晶体（一般是硅或硅锗）会被精细加工成细微的电子器件，然后被切割成各种形状和大小。
2) 晶片加工：在这一阶段，晶片会被暴露到高温高压下，并带有
金属材料，激光和化学成分，以形成晶片要求的参数，例如尺寸，导
通率和面积，以及用以连接其他元件的电路走线图。
3) 晶片装载：晶片装载是把晶片放置到电容器中的过程，电容器
由金属材料和绝缘材料构成，可以确保晶片的完整性和安全性。
4) 晶片测试：在这一步，晶片会收到一系列的压力测试，检查其
功能性和寿命。
5) 晶片封装：晶片封装是将晶片封装在一个塑料或陶瓷外壳中以防止环境因素对其施加影响的过程。
6）外壳装配：这一阶段是将所有部件组织在一起，然后使用热熔胶固定住以制造一个完整的半导体元件。
3 结论
半导体是一种复杂的微电子技术，它被广泛应用于现代计算机，手机，医疗设备等等。
制造一个完整的半导体元件需要通过多个复杂的生产工艺过程，从晶体制备到晶片测试，晶片封装，外壳装配等。
半导体产业技术的发展一定会给我们的生活带来意想不到的惊喜。
半导体cvd工艺
半导体cvd工艺一、概述半导体CVD工艺是一种化学气相沉积技术，用于在半导体材料表面上生长薄膜。
它是制造集成电路和其他微电子器件的关键工艺之一。
本文将详细介绍半导体CVD工艺的流程、设备和应用。
二、工艺流程1. 基础材料准备在进行CVD之前，需要准备基础材料。
这包括半导体衬底（例如硅片）、预处理步骤和清洗步骤。
2. 气源准备CVD需要气源来提供反应物质。
常见的气源包括硅烷、三甲基铝、二甲基锗等。
3. 反应室设置反应室是进行CVD反应的地方。
它通常由高温炉子和反应器组成。
在进行CVD反应之前，需要将反应器清洗干净，并将所需的气源送入反应室中。
4. 气态淀积层生长一旦所有材料和设备都准备就绪，就可以开始进行气态淀积层生长了。
在此过程中，所需的气源会被引入到高温反应室中，然后在半导体衬底表面上沉积一层薄膜。
5. 氧化在CVD过程结束后，需要进行氧化处理。
这通常包括将样品放入氧化炉中，在高温和高压下进行氧化反应。
这个步骤可以增强薄膜的质量和稳定性。
6. 后处理最后，需要进行后处理步骤，以确保薄膜的完整性和可靠性。
这可能包括清洗、退火或其他处理方法。
三、设备1. 反应器反应器是CVD工艺的核心部件。
它是一个密封的容器，用于将气源送入其中，并在高温下使其反应并沉积到半导体衬底上。
2. 气源系统气源系统用于将所需的气源输送到反应器中。
它通常由几个瓶子、阀门、流量计和管道组成。
3. 炉子炉子是用于加热反应器的设备。
它可以通过控制温度来控制CVD过程中的反应速率和沉积速率。
4. 气相分析仪气相分析仪用于监测CVD过程中产生的气体。
它可以帮助确定反应条件是否正确，并且可以检测到任何意外的气体泄漏。
5. 氧化炉氧化炉用于进行氧化处理，以增强薄膜的质量和稳定性。
它通常由一个密封的炉子和一个高温和高压的环境组成。
四、应用1. 集成电路制造CVD工艺是制造集成电路中各种元件所需的关键步骤之一。
它可以用于生长多种材料，包括二氧化硅、多晶硅、金属等。
半导体集成电路生产工艺
半导体集成电路生产工艺一、引言半导体集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是现代电子技术的重要基础，广泛应用于计算机、通信、消费电子等领域。
而半导体集成电路生产工艺则是制造集成电路的关键环节，决定了集成电路的性能和质量。
本文将以半导体集成电路生产工艺为主题，介绍其基本概念、制造流程和常见工艺技术。
二、基本概念半导体集成电路生产工艺是指将半导体材料（如硅）加工成集成电路的过程。
其核心目标是在半导体材料上制造出微小的电子器件，并将其互连成功能完整的电路。
半导体集成电路生产工艺主要包括晶圆制备、晶圆工艺和封装测试三个阶段。
三、制造流程1. 晶圆制备晶圆是半导体集成电路制造的基础，通常由高纯度的单晶硅制成。
晶圆制备包括切割、抛光和清洗等步骤。
切割是将单晶硅锯成薄片，抛光是将薄片的表面磨光，清洗则是去除表面的杂质和污染物。
2. 晶圆工艺晶圆工艺是将晶圆上的半导体材料进行加工和改性，形成电子器件的过程。
主要包括掺杂、沉积、光刻、蚀刻和清洗等步骤。
掺杂是向半导体材料中引入掺杂剂，改变其电学性质；沉积是在晶圆表面形成薄膜，用于制造电极、介质等结构；光刻是利用光刻胶和光掩模，将特定图形投射到晶圆上；蚀刻是将晶圆表面的材料溶解或腐蚀，形成所需的结构；清洗是去除加工过程中产生的残留物和污染物。
3. 封装测试封装是将制造好的芯片封装到塑料或陶瓷封装体中，以保护芯片并提供电气连接。
封装工艺主要包括粘接、引线焊接和封装胶固化等步骤。
测试则是对封装好的芯片进行功能和可靠性测试，以确保芯片符合设计要求。
四、常见工艺技术1. CMOS工艺CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）工艺是目前集成电路制造中最常用的工艺之一。
它采用p型和n型MOSFET互补工作的原理，具有低功耗、低噪声和高集成度的特点，适用于各种应用场景。
2. BJT工艺BJT（Bipolar Junction Transistor）工艺是一种双极型晶体管工艺，适用于高频和高功率应用。
半导体集成电路集成电路的基本制造工艺
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材料挑战与解决方案
材料挑战
半导体集成电路制造过程中需要使用各种高纯度、高性能的材料，如高纯度硅片、特种气体性有着至关重要的影响。
材料解决方案
为了解决材料挑战，可以采用先进的材料制备技术和质量控制手段，确保材料的纯度和质量。同时，加强材料研 发和优化也是提高材料性能和可靠性的重要手段。
半导体集成电路的应用领域
01
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通信
手机、基站、路由器等通信设 备中大量使用集成电路。
计算机
CPU、GPU、内存等计算机 核心部件都是集成电路的典型
应用。
消费电子
电视、音响、游戏机等消费电 子产品中广泛应用集成电路。
工业控制
自动化设备、仪器仪表等工业 控制领域离不开集成电路的支
持。
半导体集成电路的发展历程
05
06
1990年代至今
集成电路技术不断进步，进入纳米工艺时代， 智能手机、平板电脑等便携式智能设备成为主 流应用领域。
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制造工艺流程
晶圆制备
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晶圆是制造集成电路的基础材 料，其制备过程包括多晶硅的 提纯、单晶生长、晶片切割等
步骤。
多晶硅的提纯是将硅元素中的 杂质去除，获得高纯度的多晶
性能。
光刻胶需要具备优良的感光性能、分辨 率和附着力，同时要与刻蚀液兼容，易
于去除。
光刻胶的选用和加工工艺对集成电路的 制造成本和可靠性有着重要影响。
其他材料
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其他材料在集成电路中用于辅助 制造和封装，如化学试剂、气体 、陶瓷等。
02
其他材料的选用和加工工艺对集 成电路的性能和可靠性有着重要 影响，需要与制造工艺相匹配。
半导体集成电路
半导体集成电路半导体集成电路（Integrated Circuits，简称IC）是现代电子技术中的一种重要组成部分。
它是在单块硅片上通过半导体工艺将多个电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一起制造的完整电路。
半导体集成电路可以实现复杂的电子功能，因此被广泛用于计算机、通信设备、消费电子产品等各个领域。
半导体集成电路的制造过程十分复杂，涉及到多道工艺步骤。
首先，在硅片上生长一层绝缘层，然后使用光刻技术将电路图案投射在硅片表面。
接下来，利用化学腐蚀和离子注入等工艺将晶体管、电阻等电子元件制造出来，形成一个个微小的电子元件。
最后，通过金属线路将这些电子元件连接起来，形成一个完整的电路。
半导体集成电路相比传统的离散元件电路，有着更多的优势。
首先，半导体集成电路在体积上更小，不仅可以将复杂电路集成到一个小芯片上，还可以将多个芯片集成在一个封装中，大大提高了电子设备的集成度。
其次，半导体集成电路功耗低，运行速度快，能够更好地满足现代电子设备对低功耗和高性能的要求。
此外，半导体集成电路的可靠性高，容易实现批量生产，降低了生产成本。
随着科技的不断进步，半导体集成电路的发展也在不断壮大。
现在，半导体集成电路已经发展到了纳米级别，微观上的细节得以精确控制。
同时，新的制造工艺和材料的引入，进一步提高了半导体集成电路的性能。
预计未来，半导体集成电路将进一步向更高的集成度、更低的功耗、更快的运行速度和更强的功能发展，为人们创造更多更强大的电子产品，推动科技的进步。
总而言之，半导体集成电路是现代电子技术中不可或缺的重要组成部分。
它通过多道工艺将多个电子元件集成在一起，形成一个完整的电路，具有体积小、功耗低、运行速度快、可靠性高等优点。
随着科技的发展，半导体集成电路的性能将进一步提升，为人们带来更多更强大的电子产品。
半导体集成电路的发展经历了数十年的积累和创新。
从最早的小规模集成电路（SSI）到中规模集成电路（MSI），再到现代的大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI），每一代集成电路的诞生都给电子行业带来了革命性的变革。
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半导体集成电路制造工艺一、集成电路的定义：集成电路是指半导体集成电路，即以半导体晶片材料为主，经热氧化工艺：干氧氧化、水汽氧化、湿氧氧化加工制造，将无源元件、有源元件和互连线集成在基片内部、表面或基片之上，执行十八、根据器件要求确定氧化方法：1、高质量氧化：干氧氧化或分压氧化；2、厚某种电子功能的微型化电路。
微型化电路有集成电路、厚膜电路、薄膜电路和混合层的局部氧化或场氧化：干氧（10min）+湿氧+干氧(10min)或高压氧化；3、低表面态电路等多种形式。
氧化：掺氯氧化；湿氧氧化加掺氯气氛退火或分压氧化（H2O或O2+N2 或Ar 或He 等）。
二、集成电路的分类：十九、热氧化过程中硅中杂质的再分布1、硅中掺磷(1)温度一定时，水汽氧化（湿氧按电路功能分类：分为以门电路为基础的数字逻辑电路和以放大器为基础的线性电氧化）导致杂质再分布程度较大，其NS/NB 大于干氧氧化；(2)同一氧化气氛下，氧化路，还有微波集成电路和光集成电路等。
温度越高，磷向硅内扩散的速度越快，表面堆积现象减小，NS/NB 趋于1。
2、硅中按构成集成电路基础的晶体管分类：分为双极型集成电路和MOS型集成电路两大类。
掺硼(1)温度一定时，水汽氧化（湿氧氧化）导致杂质再分布程度增大，NS/NB 小前者以双极型平面晶体管为主要器件；后者以MOS场效应晶体管为基础。
于干氧氧化；(2)同一氧化气氛下，氧化温度越高，硼向硅表面扩散速度加快，补三、衡量集成电路的发展DRAM( 3*107（集成度）, 135mm2（外型尺寸）, 0.5 μm偿了表明杂质的损耗，NS/NB 趋于1。
看看运动方向（特征尺寸）, 200mm （英寸）) ，二十二、热氧化过程四、摩尔定律：IC集成度每1.5年翻一番五、集成电路的发展展望目标：集成度↑、可靠性↑、速度↑、功耗↓、成本↓。
努力方向：线宽↓、晶片直径↑、设计技术↑六、硅微电子技术发展的几个趋势：1、单片系统集成（SoC）System on a chip Application Specific Integrated Circuit 特定用途集成电路2、整硅片集成（WSI）3、半定制电路的设计方法4、微电子机械系统（MEMS）5、真空微电子技术七、集成电路制造中的基本工艺技术横向加工：图形的产生与转移（又称为光刻，包括曝光、显影、刻蚀等）。
纵向加工：薄膜制备（蒸发、溅射、氧化、CVD 等），掺杂（热扩散、离子注入、中子嬗变等）八、补充简要说明工艺1-1 1、氧化剂扩散穿过滞留层达到SiO2 表面，其流密度为F1 。
2、氧化剂扩散穿过SiO2层达到SiO2-Si界面，流密度为F2 。
3、氧化剂在Si 表面与Si 反应生成SiO2 ，流密度为F3。
4、反应的副产物离开界面。
二十三、CVD的薄膜及技术分类化学气相淀积（Chemical Vapor Deposition）是指单独地或综合的利用热能、辉光放电等离子体、紫外光照射、激光照射或其它形式的能源，使气态物质在固体的热表面上发生化学反应并在该表面上淀积，形成稳定的固态物质的工艺过程二十四、CVD薄膜分类：半导体集成电路制造中所用的薄膜材料，包括介质膜、半导体膜、导体膜以及超导膜等，几乎都能用CVD工艺来制备。
九、扩散定义：扩散是将一定数量和一定种类的杂质掺入到硅片或其它晶体中，以改介质膜：SiO2、Al2O3、半导体：Si、Ge、导体：Al、Au、超导体：Nb3Sn、NbN、变其电学性质，并使掺入的杂质数量和分布情况都满足要求CVD技术分类：常压CVD APCVD、低压CVD LPCVD、等离子体增强CVD PECVD、光-CVDdN(x,t)电学特性：N型，P型PCVDJ(x,t)??D十、费克第一定律：dx 含义:在一维情况下，单位时间内垂直扩散二十五、VLSI对图形转移的要求：通过单位面积的粒子数——即扩散粒子流密度J( x, t )与粒子的浓度梯度成正比式中负号表示扩散是由高浓度处向低浓度处进行；比例常数D 是粒子的扩散系数（取决于粒子本身的性质和扩散条件）；D的大小直接表征着该种粒子扩散的快慢。
发生扩散的必要条件是扩散的粒子具有浓度梯度. 对于半导体中杂质原子的扩散，大量事实证明，扩散系数D与温度T（K）之间有如下指数关系：D = D∞e —ΔE/kT 十一、杂质原子扩散到半导体中的方式有两种扩：间隙式，替位式2 式中假定D 十二、扩散方程（费克第二定律）? N ( x , t ) ? N(x,t)?D为常数，与杂质浓刻蚀转移图形的三种常见情况?t?x度N( x, t )无关，x 和t 分别表示位置和扩散时间。
针对不同边界条件求出方程（2-8）1、图形转移的保真度要高，设纵向刻蚀速率为vv，横向刻蚀速率为vl。
刻蚀的各的解，可得出杂质浓度N的分布，即N与x 和t 的关系。
向异性表示为：十三、半导体中杂质原子扩散的浓度分布：恒定表面浓度的扩散特点：在整个扩散（7.1）过程中，杂质不断进入硅中，而表面杂质浓度始终保持不变。
边界条件1：N（0, t）= Ns （2-9）（7.2）假定杂质在硅片内要扩散的深度远小于硅片的厚度，则(1)若vl = 0，A = 0，表明刻蚀仅沿深度方向进行，图形转移中失真畸变最小，即各边界条件2：N（∞, t）= 0（2-10）向异性，如图7.1(a)；在扩散开始时，除了硅片表面与杂质源相接触，其浓度为Ns 外，硅片内没有(2)若vv =vl，A = 1，表示不同方向刻蚀特性相同，图形转移中失真畸变最大，即各杂质扩进，因而初始条件为：N（x, 0）= 0 x > 0 （2-11）向同性；x 由上述边界条件与初始条件可求出扩散方程（2-7）的解，即恒定表面源扩散(3)通常vv ? vl，1>A>0，如图7.1(b)、(c)，刻蚀同时在纵向、横向进行?22Dt??2??x?各向异性是图形转移中保真程度的反映的杂质分布情况：?N(x,t)?Ned??NSerfc??S?1??0 ?2Dt? 2、选择比大（即被刻蚀材料与掩蔽材料的刻蚀速率比尽可能大）??3、均匀性好上式中：Ns 代表表面杂质恒定浓度（原子/cm3），D代表扩散系数（cm2/s），x 是由表大面积硅片上生长的薄膜厚度的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀将导致面算起的垂直距离（cm），t 代表扩散时间(s) ，erfc表示余误差函数。
刻蚀图形转移的不均匀性?圆筒型?等离子腐蚀?平行平板电极型干法刻蚀?反应离子腐蚀?离子束腐蚀腐蚀方法：（1 自由基或自由基+活性离子(2)反应离子腐蚀反应物3离子束腐蚀反应物非活性离子恒定表面源扩散（图2.1）的主要特点如下：二十七、平行平板型反应器（1）表面杂质浓度Ns由该杂质在扩散温度下（900℃~1200℃）的固溶度决定，该结构特点：（1）上下电极彼此平行，间距2~5cm，电场均匀地分布在平行在恒定扩散温度下，表面杂质浓度维持不变。
极板之间，电场中的离子垂直硅片表面作定向运动，使腐蚀具有各向异性的特点；（2）（2）扩散时间越长，扩散温度越高，扩散进硅片内的杂质数量越多。
具有腐蚀速率高，选择性好，设备简单，成本低等特点。
（3）扩散时间越长，温度越高，扩散深度越大2通过表面的原子流密度为：?x/4Dtsx?0x?0s 式子含义：J（0 , t）越大，则意味着扩散越快。
（1）随着扩散时间的推移，扩散速度将越来越慢，原因在于开始时杂质浓度梯度较大而后来浓度逐渐变小；（2）表面浓度Ns越大，扩散越快，因为Ns的增大将使浓度梯度提高；（3）提高扩散温度，扩散系数增加，因而扩散速度也增大。
有限表面源扩散扩散开始时，表面放入一定量的杂质等离子腐蚀性能：腐蚀速率，腐蚀均匀性，负载效应源，而在以后的扩散过程中不再有杂质加入，此种扩散称为有限源扩散。
二十八、反应离子刻蚀RIE 刻蚀装置：有限源扩散的特点如下：（1）杂质分布：由图可见，扩散时间越长，杂质扩散得越深，表面浓度越低；扩散时间相同时，扩散温度越高，杂质扩散得也越深，表面浓度下降得越多；（2）在整个扩散过程中，杂质总量Q保持不变。
图中各条曲线下面所包围的面积即杂质的数量，且相等；（3）表面杂质浓度可控两步扩散：第一步称为预扩散或预淀积，第二步称为主扩散或再分布十四、电场效应：在高温扩散下，掺入到硅中的杂质一般处于电离状态，离化的施主和电子，或离化的受主与空穴将同时向低浓度区扩散。
因电子或空穴的运动速度比离化杂质快得多，因而在硅中将产生空间电荷区，建立一个自建场，使离化杂质产生特点（1）化学反应与物理反应相结合，产生各向异性腐蚀，刻蚀效果好；（2）一个与扩散方向相同的漂移运动，从而加速了杂质的扩散。
RIE的反应气压极低发射区推进效应：在NPN窄基区晶体管中，若基区和发射区分别扩散B、P，则发射二十九、金属化工艺的作用：金属化系统和金属化工艺的优劣将影响整个电路的电特区正下方的内基区要比外基区深，该现象称为发射区陷落效应。
为避免此现象发生，性和可靠性。
为提高电路速度与集成度，应可能缩短互连线，采用多层金属化系统。
发射区应采用As 扩散，或采用多晶硅发射极三十、金属-半导体接触：肖特基接触，当金属的功函数?M大于N型半导体的功十五、杂质扩散方法很多，按所用杂质源的形式来分，可有固态源扩散、液态源扩散、函数?SN或小于P型半导体的功函数?SP 时，两者接触为肖特基接触，即整流接触气态源扩散；按所用扩散系统的形式来分，有开管式扩散、闭管式扩散以及箱法扩散。
（具有单向导电性）；欧姆接触流过金属-半导体接触区的电流随电压成正比关系，近杂质的扩散主要有：硼扩散，磷扩散，砷扩散，锑扩散。
似服从欧姆定律。
其主要特点是：引线孔处接触电阻上的电压降与硅体内的电压降相十六、结深的测量：测量结深的方法主要有磨角法、磨槽法和光干涉法。
具体看PPT比可忽略形成欧姆接触的措施：（1）半导体高掺杂；工艺2，3 （2）适当选取金属电极（如Pt、Ti 等），使得与半导体接触的势垒较低。
十七、§3.1 离子注入设备三十一、蒸发工艺流程（蒸铝膜）1、离子源：用于离化杂质的容器，有阴阳两个电极，阴极接地，阳极接高压（约1000V）。
（a）挂铝丝（99.99%纯度）并放置硅在衬底加热器上，转动活动挡板，使之位于蒸常用的杂质源为PH3 、B2H3 、BF2 、AsH3 等。
2、质量分析器：由相互垂直的电场发源与硅片之间，盖好钟罩；（b）抽真空：开动机械泵，打开低真空阀，待真空度和磁场组成。
不同离子的质量不同，则在分析器中偏转的角度不同，由此可分离出所高于1.3Pa后，转到扩散泵抽高真空；（c）硅片加热：当真空度抽到6.7?10-3Pa后，需的杂质离子，且离子束很纯。