电路电子技术习题4
电工电子技术1-4章习题题
uC () US R2 8 V R1 R2
( R1 / / R2 R3 )C 0.02 s
uc (t ) uc () [uc (0 ) uc ()]et / 8 4e50t
i1 (t ) 4 2 50 t e A 3 3
计算I、 US 、R。
12A R 9A 12Ω 6A 3Ω 18A 15A 3A 1Ω I ＝6A
12×3V－9R－15×1V＝0 R＝7／3Ω －US－ 12×3V－ 18×3V＝0 US＝－90V
《电工电子技术》1-4章复习指导
4
第二章 电路的分析方法
已知：R1=25Ω，R4=30Ω， R5=15Ω， R7=70Ω，R8=35Ω，R9=17.5Ω。 求Rab。
《电工电子技术》 1-4章复习指导
黄诗浩 信息科学与工程学院
《电工电子技术》1-4章复习指导
1
第一章 电路的基本概念和基本定律
电路图如图1所示，试写出电路中Uab 和电流I 的关系。
解： Uab =-US -IR
解： Uab =US +IR
《电工电子技术》1-4章复习指导
2
第一章 电路的基本概念和基本定律
R4
a
R1
R8
R7
R9
R5
b
R7=10+20+10x20/5=70Ω R8=5+20+5x20/10=35Ω R9=10+5+10x5/20=17.5Ω Rab=25+R8||(30||R7+15||R9)=36.25 Ω
《电工电子技术》1-4章复习指导
5
《电子技术基础》第4至7章试题及答案
《电子技术基础》（中职电工类第5版）第4至7章试题及答案一．填空题：1.将交流电变换成直流的过程叫整流。
2.在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。
3.在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.4.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。
5.检查硅整流堆正反向电阻时，对于高压硅堆应用兆欧表。
6.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。
7.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为+12 V。
8.并联型稳压电路是直接利用稳压管电流的变化，并通过限流电阻的调压作用，达到稳压的目的。
9.用“1”表示低电平，“0”表示高电平，称为负逻辑。
10.由与、或、非三种基本门电路可以组合成复合门电路。
11.集电极开路门的英文编写为OC 门.12. TTL门电路输出端不允许直接接电源或接地。
13. CMOS 集成电路的多余输人端不能悬空_。
14.为有良好的静电屏蔽，CMOS集成电路应存在密闭容器中。
15.十进制数有16个数码，基数为16 。
16.将十进制数175转换成二进制数为（10101111）217.在数字电路中，逻辑变量的值只有 2 个。
18.四位二进制编码器有十个输入端2个输出端。
19. BCD码编码器能将二进制数码编成十进制代码。
20. 优先编码器当多个信号同时输入时，只对优先级别最高位的一个进行编码。
21. 8线-3线优先编码74LS148,有 8 个输入端，3个输出端。
22. 触发器有 2 个稳定状态。
23. JK触发器的逻辑功能为置1，置0，保持和翻转。
24. JK触发器中，若J=1 ，K= 1 则实现计数功能。
25.计数器还可以用来统计，定时、分频或者进行数字运算等。
26.计数器按计数趋势不同可分为加法、减法和可逆计数器。
27.模数转换器通常要经过采样、保持、量化和编码四步完成。
28.晶闸管的电流参数有通态平均电流和维持电流等。
电子技术习题
基本半导体器件一、判断题：1、有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为-9V、-6Ｖ和-6.2Ｖ，说明这个晶体三极管是锗ＰＮＰ管。
2、晶体三极管由两个ＰＮ结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。
3、当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由Ｐ型和Ｎ型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。
4、晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。
5、Ｎ型半导体的多数载流子是电子，因此Ｎ型半导体带负电。
6、当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由Ｐ型和Ｎ到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。
7、Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。
8、若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。
9、发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。
10、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
11、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。
12、Ｎ型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。
13、在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，教自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。
14、一般来说，硅晶体二极管的死区电压。
小于诸晶体二极管的死区电压。
15、ＰＮ结具有单向导电性，即加反向电压时，ＰＮ结导通，加正向电压时，ＰＮ结截止。
16、为使晶体三极管在放大器中正常工作，其发射结应加反向电压，集电结都应加正向电压。
17、无论是哪种类型的晶体三极管，当工作于放大区时，ｂ极电位总是高于ｅ极电位，ｃ极电位也总是高于ｂ极电位。
18、晶体三极管的交流电流放大系数表示为β=Ie/Ib，它不随工作点而改变。
19、晶体三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体（Ｎ型的或Ｐ型的）构成的，故ｅ极和ｃ极可以互换使用。
20、晶体三极管的直流输入电阻和交流或入电阻都和工作温度有关，温度升高，Ｒ、ｒbe都增高。
电路与电子技术习题集
电路与电子技术复习题涵盖所有考试知识点，但90%的考试题都有变化。
一、填空与选择题复习内容1. 基尔霍夫定律的概念，会列写KCL 、KVL 方程。
2. 在图示电路中，已知电流I1＝1 A ，I3＝－2 A ，则电流I2=?3. 下图中，已知：U 1= U 2= U 3= 4 V ，则 U 4 =？4. 电路进行支路电流法分析时，独立的KCL 和KVL 方程数是多少？5. 下图列写回路电压方程6. 参考方向的概念，直流电路中某物理量参考方向与实际方向之间的关系，运算结果出现负号表示什么意思？7. 在电路中欲使电源不作用，应当将电压源、电流源怎么处理，短路？断路？ 8. 下图中U S = 3V ，等效电流源的I S =? R =？9. 应用叠加原理分析电路时，可采用 的方法使电路中的电源不作用。
（a ）电压源短路、电流源短路（b ）电压源断路、电流源断路（c ）电压源短路、电流源断路 （d ）电压源断路、电流源短路10. 计算电路中电源的功率P ，说明电源工作在负载工作状态还是电源工作状态，如下图。
3V+-11. 如下图所示，已知：电流I =4.5 A ，如果电流源断开，则电流I =？12. 图中电路元件，已知12V U =、2A I =-，计算元件的功率并判断元件是负载还是电源。
IIUU 13. 电源的等效模型变化。
例如将图示电路化简为等效电压源模型，并画出等效电路。
Ω5V 2Aab10Ω6V 6Aab2A6Aab5Ω10V10V(a)(c)(d)14.常用的储能元件有有哪些？15.电感元件的电压与电流的关系？16.电容元件的电压与电流的关系？17.在直流稳态电路中，电感是短路？断路？还是需要根据具体电路而定？电容呢？18.正弦交流电的三要素是什么？19.正弦交流电路中谐振的概念，现象是什么？20.感性负载正弦交流电路采用什么方法提高功率因数？21.给日光灯电路并联补偿电容后，电路的总电流数值将怎样变化？日光灯回路路的电流数值怎样变化？22.正弦交流电路中，有效值与最大值的关系是什么？交流电压表的读数是平均值？有效值？还是幅值？23.电感电路的端电压为u = 10sin( ωt +︒60)V，当X L = 5Ω时，写出电感电流的相量表示式。
电工电子技术练习题
电工与电子技术练习题一、单项选择题(1). 图示电路中，发出功率的电路元件为（ ）。
a. 电压源； b. 电流源； c. 电压源和电流源。
(2). 图示电路中， 电流值I=（ ）。
a. 2A ；b. 4A ；c. 6A ；d. -2A 。
(3). 图示电路中，电压相量U=100∠30°V ，阻抗Z=6+j8Ω，则电路的功率因数COS φ为（ ）。
a. 0.5；b. 0.6；c. 0.8；d. 0.866。
(4). 某电路总电压相量U=100∠30°V ，总电流相量I =5∠-30°A ，则该电路的无功功率Q=（ ）。
a. 0var ；b. 250var ；c. 3250var ；d. 500var 。
(5). 额定电压为380V 的三相对称负载，用线电压为380V 的三相对称电源供电时，三相负载应联接成（ ）。
a. 星形；b. 三角形；c. 星形和三角形均可。
(6). 当发电机的三个绕组联成Y 接时，在对称三相电源中，线电压)30sin(2380o BC t u -=ωV ，则相电压A u =( )。
a. () 90sin 2220+t ωV ；b.()30sin 2220-t ωV ；C.()120sin 2220+t ωV ； d. ()60sin 2220+t ωV 。
(7). 图示电路中，三相对称电源线电压为380V ，三相对称负载Z=6+j8Ω，则电路中A 相线电流大小IA=（ ）。
a. 338A ；b. 38A ；c. 322A ；d. 22A 。
(8). 图示电路中，开关S 在位置”1”时的时间常数为τ1，在位置”2”时的时间常数为τ2，则τ1与τ2的关系为( )。
a.τ1=τ2；b.τ1=τ2/2；c.τ1=2τ2。
(9). 图示电路中，E=40V ，R=50K Ω，C=100μF ，t=0时刻开关S 闭合，且0)0(=-c u V 。
则t=5s 时，c u =（ ）。
电力电子技术复习题四到九章知识点
第四章课后题：1、无源逆变和有源逆变电路有什么不同？答：与整流相对应，把直流电变成交流电称为逆变。
当交流侧接在电网上，即交流侧接有电源时，称为有缘逆变。
当交流侧直接和负载连接时，称为无源逆变。
2、换流方式有哪几种？各有什么特点？答：器件换流:利用全控型器件的自关断能力进行换流称为器件换流。
电网换流:由电网提供换流电压称为电网换流。
负载换流:由负载提供换流电压称为负载换流。
凡是负载电流的相位超前于负载电压的场合,都可以实现负载换流.当负载为电容性负载时,就可实现负载换流。
3、什么是电压型逆变电路？什么是电流型逆变电路？二者各有什么特点？电压型逆变电路：直流侧是电压源或直流侧并联一个大电容。
特点:①直流侧为电压源，或并联有大电容，相当于电压源。
直流侧电压基本无脉动，直流回路呈现低阻抗。
②由于直流电压源的钳位作用，交流侧输出电压波形为矩形波，并且与负载阻抗角无关。
而交流侧输出电流波形和相位因负载阻抗情况的不同而不同。
③当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率，直流侧电容起缓冲无功能量的作用。
为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂都并联了反馈二极管。
电流型逆变电路：直流侧是电流源或直流侧串联一个大电感。
特点：①直流侧串联大电感，相当于电流源。
直流侧电流基本无脉动，直流回路呈现高阻抗。
②电路中开关器件的作用仅是改变直流电流的流通路径，因此交流侧输出电流为矩形波，并且与负载阻抗角无关。
而交流侧输出电压波形和相位则因负载阻抗情况的不同而不同。
③当交流侧为阻抗负载时需要提供无功功率，直流侧电感起缓冲无功能量的作用。
因为反馈无功能量时直流电流并不方向，因此不必像电压型逆变电路那样要给开关器件反并联二极管。
4、电压型逆变电路中反馈二极管的作用是什么？为什么电流型逆变电路中没有反馈二极管？答：1）在电压型逆变电路中，当交流侧为阻感负载时，需要提供无功功率。
直流侧电容起缓冲无功能量的作用。
为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂都并联了反馈二极管，当输出交流电压和电流的极性相同时，电流经电路中可控开关器件流通，而当输出电压电流极性相反时，由反馈二极管提供电流通道。
《电力电子技术》习题答案(第四版,
第1章电力电子器件1. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：uAK>0且uGK>0。
2. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
第2章整流电路1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电，L＝20mH，U2＝100V，求当α＝0和60时的负载电流Id，并画出ud与id波形。
解：α＝0时，在电源电压u2的正半周期晶闸管导通时，负载电感L储能，在晶闸管开始导通时刻，负载电流为零。
在电源电压u2的负半周期，负载电感L 释放能量，晶闸管继续导通。
因此，在电源电压u2的一个周期里，以下方程均成立：考虑到初始条件：当ωt＝0时id＝0可解方程得：==22.51(A)ud与id的波形如下图：当α＝60°时，在u2正半周期60~180期间晶闸管导通使电感L储能，电感L储藏的能量在u2负半周期180~300期间释放，因此在u2一个周期中60~300期间以下微分方程成立：考虑初始条件：当ωt＝60时id＝0可解方程得：其平均值为==11.25(A)此时ud与id的波形如下图：2．图2-9为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，问该变压器还有直流磁化问题吗？试说明：①晶闸管承受的最大反向电压为2；②当负载是电阻或电感时，其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。
答：具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，该变压器没有直流磁化的问题。
因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中，正负半周内上下绕组内电流的方向相反，波形对称，其一个周期内的平均电流为零，故不会有直流磁化的问题。
以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。
电子技术习题
基本半导体器件一、判断题：1、有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为-9V、-6Ｖ和-6.2Ｖ，说明这个晶体三极管是锗 ＰＮＰ管。
2、晶体三极管由两个ＰＮ结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。
3、当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由Ｐ型和Ｎ型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。
4、晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。
5、Ｎ型半导体的多数载流子是电子，因此Ｎ型半导体带负电。
6、当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由Ｐ型和Ｎ到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。
7、Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。
8、若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。
9、发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。
10、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
11、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。
12、Ｎ型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。
13、在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，教自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。
14、一般来说，硅晶体二极管的死区电压。
小于诸晶体二极管的死区电压。
15、ＰＮ结具有单向导电性，即加反向电压时，ＰＮ结导通，加正向电压时，ＰＮ结截止。
16、为使晶体三极管在放大器中正常工作，其发射结应加反向电压，集电结都应加正向电压。
17、无论是哪种类型的晶体三极管，当工作于放大区时，ｂ极电位总是高于ｅ极电位，ｃ极电位也总是高于ｂ极电位。
18、晶体三极管的交流电流放大系数表示为β=Ie/Ib，它不随工作点而改变。
19、晶体三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体（Ｎ型的或Ｐ型的）构成的，故ｅ极和ｃ极可以互换使用。
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电路电子技术习题41．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；其门坎电压V th 约为 0.5 伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ增大，I CQ增大，U CEQ减小。
19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。
集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。
20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V， V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是硅管管（材料）， NPN 型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。
21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为80 dB，总的电压放大倍数为 10000 。
22、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。
某放大电路中的三极管，测得管脚电压V a = -1V，V b =-3.2V, V c =-3.9V, 这是硅管（硅、锗）， NPN 型，集电极管脚是 a 。
23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和_变压器耦合_，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。
24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。
多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。
25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4 kΩ。
26、为了保证三极管工作在放大区，要求：①发射结正向偏置，集电结反向偏置。
②对于ＮＰＮ型三极管，应使V BC＜0 。
27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。
28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射组态有电流放大作用，共射和共集组态有倒相作用；共集组态带负载能力强，共集组态向信号源索取的电流小，共基组态的频率响应好。
29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。
30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。
31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O和V I的波形，则V O和V I的相位差为1800；当为共集电极电路时，则V O和V I的相位差为 0 。
32、放大器有两种不同性质的失真，分别是饱和失真和截止失真。
33、晶体管工作在饱和区时，发射结 a ，集电结 a ；工作在放大区时，集电结 b ，发射结 a 。
（填写a正偏，b反偏，c零偏）34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态。
35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻 大 ，热稳定性 好 36、影响放大电路通频带下限频率f L 的是 隔直 电容和 极间 电容。
37、三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置，集电结保持 反向 偏置。
38、场效应管有 共源 、 共栅 、 共漏 三种组态。
39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带 窄 。
40、场效应管从结构上分成 结型FET 和 MOSFET 两大类型，它属于 电压 控制型器件。
41、场效应管属于 电压控制电流 型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是 电流控制电流型器件。
42、场效应管是 电压控制电流器件 器件，只依靠 多数载流子 导电。
43、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为 可变电阻区 、恒流区、 击穿区 和截止区四个区域。
44、当栅源电压等于零时，增强型FET 无 导电沟道，结型FET 的沟道电阻 最小 。
45、FET 是 电压控制 器件，BJT 是 电流控制 器件。
46、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为 甲类 。
47、一个输出功率为10W 的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则应选额定功耗至少应为 2W 的功率管 2 只。
48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为 甲类 ，为了消除交越失真常采用 甲乙类 电路。
49、乙类功放的主要优点是 效率高 ，但出现交越失真，克服交越失真的方法是 采用甲乙类 。
50、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫 交越 失真。
51、双电源互补对称功率放大电路（OCL ）中V CC =8v ，R L =8Ω，电路的最大输出功率为 4W ，此时应选用最大功耗大于 0.8W 功率管。
52、差动放大电路中的长尾电阻Ｒe 或恒流管的作用是引人一个 共模负 反馈。
53、已知某差动放大电路A d =100、K CMR =60dB ，则其A C = 0.1 。
集成电路运算放大器一般由 差分输入级 、中间级、输出级、 偏置电路 四部分组成。
54、差分式放大电路能放大直流和交流信号，它对 差模信号 具有放大能力，它对 共模信号具有抑制能力。
55、差动放大电路能够抑制 零漂 和 共模输入信号 。
56、电路如图1所示，T 1、T 2和T 3的特性完全相同，则I 2≈ 0.4 mA ，I 3≈0.2mA ，则R 3≈ 10 k Ω。
57、集成运放通常由 输入级 、中间级；输出级、 偏置级 四个部分组成。
58、正反馈是指 反馈信号增强净输入信号 ；负反馈是指 反馈信号减弱净输入信号 。
59、电流并联负反馈能稳定电路的 输出电流 ，同时使输入电阻 减小 。
60、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高 增益的稳定性 、减小 非线性失真 、抑制反馈环内噪声 、扩展 频带 、改变输入电阻和输出电阻。
61、为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：①降低电路对信号源索取的电流： 串联负反馈 。
②当环境温度变化或换用不同β值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定： 直流负反馈 。
③稳定输出电流： 电流负反馈 。
62、电压串联负反馈能稳定电路的 输出电压 ，同时使输入电阻 大 。
63、某负反馈放大电路的开环放大倍数Ａ=100000，反馈系数Ｆ＝0.01，则闭环放大倍数f A ≈ 100 。
64、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是 01=+F A。
65、负反馈放大电路的四种基本类型是 电压串联 、 电压并联 、 电流串联 、 电流并联 。
66、为稳定电路的输出信号，电路应采用 负 反馈。
为了产生一个正弦波信号，电路应采用 正图1反馈。
67、理想集成运算放大器的理想化条件是A ud = ∞ 、R id = ∞ 、K CMR = ∞ 、R O = 068、理想运算放大器的理想化条件中有A vd = 无穷 ，K CMR = 无穷 。
69、电流源电路的特点是，直流等效电阻 小 ，交流等效电阻 大 。
70、电流源的特点是输出电流 恒定 ，直流等效电阻 小 ，交流等效电阻 大 。
71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是 虚断 和 虚短 。
72、理想运算放大器，A d = 无穷大 、R i = 无穷大 、R o = 0 。
73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或 正反馈 状态。
74、如果有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器；如果希望500 Hz 以下的有用信号，可选用 低通 滤波器。
75、选取频率高于1000Hz 的信号时, 可选用 高通 滤波器；抑制50 Hz 的交流干扰时，可选用 带阻 滤波器；如果希望抑制500 Hz 以下的信号，可选用 高通 滤波器。
76、有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰，可选用 带阻滤波器；如果希望只通过500Hz 到1kHz 的有用信号，可选用 带通 滤波器。
77、根据工作信号频率范围滤波器可以分为：低通滤波器、 高通滤波器 、带通滤波器及 带阻滤波器 。
78、集成运算放大器在 线性 状态和 理想工作 条件下，得出两个重要结论，它们是： 虚断 和 虚短 。
79、通用型集成运算放输入级大多采用 差分放大 电路， 输出级大多采用 共集 电路。
80、正弦波振荡电路是由 放大电路 、、选频网络、 稳幅环节 四个部分组成。
81、正弦波振荡电路产生振荡时，幅度平衡条件为 1= ，相位平衡条件为πn F A 2±=Φ+Φ n=0、1、2… 。
82、信号发生器原理是在电路负反馈时••F A = -1 ，例如 自激 电路。
在正反馈时••F A = 1 ，例如 文氏 振荡电路。
83、石英晶体振荡器是 LC 振荡电路 的特殊形式，因而振荡频率具有很高的稳定性。
84、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是 1=F A 、其中相位平衡条件是=φ+φf aπn 2，n 为整数 、为使电路起振，幅值条件是 1>F A 。
85、正弦波振荡电路必须由 放大电路 、 反馈网络 、 选频网络 、 稳幅环节 四部分组成。
86、RC 正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有：V A = 3 、V F = 31 、0ωω== RC 1 。