三极管、基本放大电路、多级放大器知识点
第4章 三极管及放大电路基础1
与 的关系
IC IC ICBO I E ICBO IC I B ICBO
(1 ) IC I B ICBO
I CBO IC IB 1 1
IE
N
P
N
I'C ICBO IC
IC I B (1 ) ICBO
共射直流电流放大倍数： IC I B 1.7 42.5 0.04 共射交流电流放大倍数： IC I B 2.5 1.7 40 0.06 0.04 说明： 例：UCE=6V时： 曲线的疏密反映了 的大小； IC(mA ) 160mA 电流放大倍数与工作点的位置有关； I 5 140mA CM 120mA 交、直流的电流放大倍数差别不大， 4 100mA 今后不再区别；
3 80mA
___
4. 集电极最大电流ICM 当值下降到正常值的三分之二时的 集电极电流即为ICM。
IC
2.5 2 1.7
1 0 2 4 6 8
IB 40mA
IB=60mA 20mA IB=0 10 UCE(V)
六、主要参数
5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳热为： PC =ICUCE 导致结温 上升，PC 有限制， PCPCM 7. 频率参数
扩散 I C 复合 I B
IC
C
N
IB
P N
EC
或者 IC≈IB
I E IC I B (1 ) I B
EB
E
IE
二、电流放大原理
第一章 基本放大电路
33 MHz
学习方法
对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和 正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器 件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对 器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似， 以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就 不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、 工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。
33 MHz
二极管电路分析举例
导通 定性分析：判断二极管的工作状态 截止 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零， 反向截止时二极管相当于断开。
否则，正向管压降 硅0.6~0.7V 锗0.2~0.3V
分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 >V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通
温度愈高，晶体中产 生的自由电子便愈多。
空穴
33 MHz
价电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子 来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当 于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。
当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出 现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 电子电流 (2)价电子递补空穴 空穴电流 自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复 合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态 平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能 也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。
参考点
t
33 MHz
三极管基本放大电路
7、如图所示的单管放大电路中，设晶体管的β=40， （1）估算放大电路的静态工作点IBQ、ICQ 、VCEQ （2）估算放大器电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
6、放大器的交流参数有哪些？
7、如何估算基本放大电路的静态工作点？
8、如何估算基本放大电路的交流参数？
◇ 要点点拔
一、三极管基本放大电路
三极管V：核心元件，放大电流。
电源VCC：保障三极管处于放大状态。 RB：基极偏置电阻，提供适当的 基极电流，以使电路获得合 适的静态工作点。 RC：将集电极电流的变化转化成 集射之间的电压变化。 共发射极放大电路
2、交流参数的估算： 依据：交流通路
三极管输 r ≈300+（1+β） be 入电阻rbe ：
ri=Rb//rbe ≈rbe
三极管输 出电阻： rce
ro=Rc//rce≈Rc
Av = vo/ vi= -β (RC// RL)/ rbe
举例分析：
用估算法分析下图的静态工作点,已知β=37.5。
Hale Waihona Puke U CC U BE IB RB
说明：1、从波形图上能看出，该电路对输入信号进行了放大。
2、输出信号与输入信号相位相反，这种共发射极放大电路又称反相放大器。
六、直流通路与交流通路
1、直流通路的画法： 将电容视为开路，其他不变。
将电容和电源视为短路，其他不变。 2、交流通路的画法：
用来分析放大电 路中的静态工作点
用来分析放大电 路中的交流参数
5、在共射极放大电路中，偏置电阻Rb增大，三极管
的（
A、VCE减小
）。
B、IC减小 C、IC增大 D、IB增大
6、在如图所示的放大电路中，三极管的电流放大 系数β=60，VBEQ=0.7V,试求:
第三章 基本放大电路
输出
话筒
放
大
器
喇叭
应用举例
直 流 电 源
基本放大电路
输入 放大器 输出
1、定义：放大电路的目的是将微弱的变化信 号不失真的放大成较大的信号。。
2、组成：三极管、场效应管、电阻、电容、电感、 变压器等。 3、特点：
①输出信号的功率大于输入信号的功率；
②输出信号的波形与输入信号的波形相同。
基本放大电路
RC
ui
T
C2
RL
基本放大电路
3.2.2 放大器中电流电压符号使用规定含义 “小大” uBE—小写字母，大写下标，表示交、直混合量。 “大大” UBE — 大写字母，大写下标，表示直 流量。 “小小” ube—小写字母，小写下标，表示交流分量。
“大小” Ube—大写字母，小写下标，表示交流分量有效值。 uA
电路改进：采用单电源供电 +VCC RC C1 T
可以省去
C2
RB VBB
基本放大电路
+VCC RB C1 T RC C2
单电源供电电路
基本放大电路
（1）电路的简化
C1
ui （2）电路的简化画法
VCC
RB
C1
只用一个电源，减 少电源数。
T
C2
RL
RB
RC
VCC
uo
uo
不画电源符号， 只写出电源正 极对地的电位。
T
I CQ
U CEQ
(b) 首先画出放大电路的交流通路
基本放大电路
VCC
交流通路
晶体三极管及其基本放大电路
22
2.4、三极管的主要参数
• 1、电流放大系数 • i)共射极电流放大系数
直流电流放大系数 IC
IB
交流电流放大系 数 Vic
Vib
h（ fe 高频）
一般工作电流不十分大的情况下,可认为
Ma Liming
Electronic Technique
23
ii)共基极电流放大系数
共基极直流电流放大系数
3
6
9
IB=0 12 vCE(V)
区时, 有:VB>VC Rb
+
－
UBB
Ma Liming
+ 对于PNP型三极管,工作在饱和区 UCC 时, 有:VB<VC<VE
－
Electronic Technique
13
例:如图，已知三极管工作在放大状态, 求:1).是NPN结构还是PNP结构?
Ma Liming
Electronic Technique
20
方法二：用万用表的 hFE档检测 值
1. 拨到 hFE挡。
2.将被测晶体管的三个引脚分别插入相应的插孔 中（TO-3封装的大功率管，可将其3个电极接 出3根引线，再插入插孔），三个引脚反过来 再插一次，读数大的为正确的引脚。
3.从表头或显示屏读出该管的电流放大系数。
N
b
c PV
Rb
eN
+
－
UBB
Ma Liming
+
UCC 对于PNP型三极管,工作在放大区 － 时, 有:VC<VB<VE
Electronic Technique
10
iC(mA ) 4 3
2 1
(完整版)三极管及放大电路原理
测判三极管的口诀三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。
”下面让我们逐句进行解释吧。
一、三颠倒，找基极大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。
根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管，图1是它们的电路符号和等效电路。
测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。
图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。
由图可见，红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。
假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。
测试的第一步是判断哪个管脚是基极。
这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。
在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。
二、PN结，定管型找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。
将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。
三、顺箭头，偏转大找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。
(1) 对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路如图3所示。
根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c 极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。
三极管及放大电路—多级放大电路(电子技术课件)
ሶ
20 ሶ = 20 1
=1
3.单级放大器频率特性
下限频率fL
上限频率fH
通频带BW = fH - fL≈fH
4.两级相同放大器的幅频率特性
绘制多级放大电路的
频率特性曲线时，只要将
各级对数频率特性在同一
横坐标上频率所对应的电
压增益相加，即为幅频特
性。
5.两级相同放大器的相频率特性
绘制多级放大电路的相
频特性曲线时，只要将各级
对数频率特性在同一横坐标
上频率所对应的相位差相加
，即为相频特性。
多级放大电路组成及耦合方式
2.6.1 多级放大电路组成及耦合方式
一、多级放大电路的组成
多级放大电路的组成框图如图所示，第一级的输入为电路总的输入，前级输出
工作点的相互影响。
直接耦合的两级共射放大电路
常用的解决电路形式
（a）
（b）
（a）采用电阻Re2提高VT2发射极电位，从而提高VT1集电极电位，避免
VT1进入饱和区。
（b）采用电阻R、稳压管VZ构成稳压电路，提高VT2发射极电位，从而
提高VT1集电极电位，避免VT1进入饱和区。
常用的解决电路形式
（c）
=
(−1)
总电压放大倍数为：
1 2
AU =
=
∙
∙⋯
= AU1 ∙ AU2 ∙ ⋯ ∙ AUN
1
1 1
(−1)
二、多级放大电路的级间耦合方式
多级放大器级间耦合方式一般有：阻容耦合，变压器耦合，直接耦合三种。
1.阻容耦合
前级输出信号通过电容、下
级输入电阻，传递到下一级的连
(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
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晶体三极管和基本放大电路知识点
1、晶体三极管是由个PN结组成，它有三个区、和，每个区各引出一个电极、、，分别用字母表示。
2、之间的PN结称为发射结，
之间的PN结称为集电结。
3、国产三极管的型号命名法：第一部分的含义：；第二部分的含义：，A：，B：，C：，D：，E：；第三部分的含义：，X：，G：，D：，A：。
4、画出三极管的图形符号
5、可不可以用两个二极管代替三极管（三极管的发射极和集电极可不可以对调使用）？为什么？
6、三极管三极的电流关系为。
7、当，这种现象称为三极管的电流放大作用。
三极管是控制元件。
8、三极管的交流β的计算公式为，直流β的计算公式为。
9、三极管工作在各个区的条件：
截止区：，即NPN型：，PNP型：；饱和区：，即NPN型：，PNP型：；放大区：，即NPN型：，PNP型：；
10、三极管的门坎电压：硅：，锗：。
三极管的导通电压：硅：，锗：。
11、三极管处于截止状态的特点是。
12、三极管处于饱和状态的特点是。
12、三极管处于放大状态的特点是。
14、三极管的反向饱和电流是，记作。
15、三极管的穿透电流是，记作。
它会随温度的升高而，它越大说明三极管的温度稳定性越。
16、如何用万用电表来判断三极管的基极？
17、如何用万用电表来判断三极管的管型？
18、如何用万用电表来判断三极管的集电极？
18、如何用万用电表来判断三极管的β值的大小？
19、称为放大电路，简称为放大器。
放大器必须对电信号有放大作用。
20、电压放大倍数的计算公式为，电流放大倍数的计算公式为，功率放大倍数的计算公式为，功率放大倍数与电压放大倍数和电流放大倍数的关系是
21、电压增益的计算公式为，电流增益的计算公式为，功率增益的计算公式为，功率增益与电压增益和电流增益的关系是
22、在计算电路的增益时，若增益出现负值，则该电路。
23、画出固定偏置单级共发射极放大电路的电路图，并画出其交流通路和直流通路。
其中C1、C2的作用是，R b的作用是。
24、直流分量用字母和下标的符号，交流分量用字母和下标的符号，总量用字母和下标的符号。
25、画直流通路时，电容视为，电感线圈视为，其他不变。
26、画交流通路时，电容视为，直流电源视为，电感线圈视为。
27、把放大器的输入端短路，则放大器处于状态，称为静态，此时三极管的直流电压和对应的统称为静态工作点Q，常记作。
静态工作点的计算公式为。
28、单级放大器工作时有下列特点：①为了使放大器不失真地放大信号，放大器必须建立合适的。
②单级共发射极放大电路兼有和作用。
③在交流放大器中同时存在着和两种成分。
29、画直流负载线的步骤：①找短路电流点M，；②找开路电压点N，③。
30、画交流负载线的步骤：①；②；③。
31、静态工作点Q选择不当，会使放大器工作时产生信号小型的失真，若Q点在交流负载线上的位置过高，信号的正半周可能进入区，产生失真；反之若Q 点在交流负载线上的位置过低，信号的正半周可能进入区，产生失真。
由于它们都是晶体管的工作状态离开线性放大区进入区所造成的，因此叫做失真。
32、若放大器产生饱和失真，应将电阻调，若放大器产生截止失真，应将电阻调，
33、图解分析法比较直观，但是分析步骤复杂，准确性差，常应用于分析放大电路。
估算法常用于分析放大电路。
34、三极管共发射极接法时的输入电阻r be≈。
35、放大器的输入电阻r i≈。
放大器的输出电阻r o≈。
36、估算电压放大倍数的公式：A v= 。
37、放大器常采用分压式偏置电路，主要目的是为了。
38、画出分压式偏置共发射极放大电路的电路图，并画出直流通路和交流通路。
39、多级放大器中每个单管放大电路称为，级与级之间的连接称为。
常用的耦合方式有：、、。
40、简述各种级间耦合方式的特点。
41、两级放大器总的电压放大倍数A v等于单独每一级的电压放大倍数A v1与A v2的乘积。
42、n级放大器的电压放大倍数为。
n级放大器的电压增益为。
应该注意的是，这里每一级的电压放大倍数并不是孤立的，而是考虑了后级输入电阻对前级的影响后所得的放大倍数。
43、简述射极输出器的特性。