第6章单片机

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单片机讲义1(第六章定时器计数器)

单片机讲义1(第六章定时器计数器)

脚与T0的逻辑关系框图如下图所示。
定时器/计数器T0分为2 个独立的8位计数器:TL0和 TH0。 TL0使用T0的状态控制位 C/ T GATE、TR0、 INT0 ,而TH0被 固定为1个8位定时器(不能 为外部计数模式),并使用 定时器T1的状态控制位TR1 和TF1,同时占用定时器T1 的中断请求源TF1。
6.2.2 方式1
6.2.3 方式 2
6.2.4 方式 3
在方式3下,T1只作 波特率发生器。在这样 情况下,T1将TF1、TR1 资源出借给T0使用。因 此,在方式3下,T0可以 构成两个独立的计数器 结构,如图6-6(a)和 图6-6(b)所示。
TL0构成一个完整的8 位定时器/计数器,而 TH0则是一个仅能对 fOSC/12脉冲计数的8位 定时器。
(l)计算初值 初值的计算公式为: X 2 n
设:需要装入T0的初值为X,则有:
t f
osc
12
16
其中:n=13、16、8 (由计数器的的工作方 式来决定n 的取值)
∵X= 2
n
t . f osc 现 n 16 12
t 1 ms
f osc 6 M Hz
∴X= 2
∵ X= 2
n

t . f osc 12
现 n 16 f osc 6 M Hz t 100 ms
所以:X=15 536=3CB0H 因此:TH0=3CH, TL0=B0H
(3)10次计数的实现 对于中断10次计数,可使T0工作在定时方式,采用循环程序的方法实现。 (4)程序设计 ORG 0000H RESET:LJMP MAIN ;上电,转主程序入口MAIN 0RG 000BH ;T0的中断入口地址 LJMP IT0P ;转T0中断处理程序ITOP ORG 1000H MAIN: MOV SP,#60H ;设堆栈指针 M0V B,#0AH ;设循环次数10次

单片机原理及应用第6章80C51单片机的串行口

单片机原理及应用第6章80C51单片机的串行口

单片机原理及应用第6章80C51单片机的串行口80C51单片机是一种基于哈佛架构的8位单片机,具有强大的串行口功能。

串行口是一种通信接口,可以通过单根线传输数据。

本章将介绍80C51单片机的串行口原理及其应用。

一、80C51单片机的串行口原理80C51单片机的串行口包含两个寄存器,分别是SBUF(串行缓冲器)和SCON(串行控制寄存器)。

SBUF寄存器用来存储待发送或接收到的数据,SCON寄存器用来配置和控制串行口的工作模式。

80C51单片机的串行口有两种工作模式:串行异步通信模式和串行同步通信模式。

1.串行异步通信模式串行异步通信是指通信双方的时钟频率不同步,通信的数据按照字符为单位进行传输,字符之间有起始位、数据位、校验位和停止位组成。

80C51单片机的串行口支持标准的RS-232通信协议和非标准通信协议。

在串行异步通信模式下,SCON寄存器需要配置为相应的工作模式。

首先,需要选择串行口的工作模式。

80C51单片机支持第9位,即扩展模式,可以用来检测通信错误。

其次,需要设置波特率。

波特率是指数据每秒传输的位数,用波特率发生器(Baud Rate Generator,BRGR)来控制。

然后,需要设置起始位、数据位和停止位的配置,包括数据长度(5位、6位、7位或8位)、停止位的个数(1位或2位)。

在发送数据时,将待发送的数据通过MOV指令传送到SBUF寄存器,单片机会自动将数据发送出去。

在接收数据时,需要检测RI(接收中断)标志位,如果RI为1,表示接收到数据,可以通过MOV指令将接收到的数据读取到用户定义的变量中。

2.串行同步通信模式串行同步通信是指通信双方的时钟频率同步,在数据传输时需要时钟信号同步。

80C51单片机的串行同步通信支持SPI(串行外设接口)和I2C(串行总线接口)两种协议。

在串行同步通信模式下,SCON寄存器需要配置为相应的工作模式。

首先,需要选择串行口的工作模式。

80C51单片机支持主从模式,可以作为主设备发送数据,也可以作为从设备接收数据。

单片机原理及应用 第06章定时计数器

单片机原理及应用  第06章定时计数器

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6.5 定时器/计数器的编程
初始化
1 根据要求给方式寄存器TMOD送一个方式控制 字,以设定定时器的工作方式; 2 根据需要给TH和TL选送初值,以确定需要的 定时时间或计数的初值; 3 根据需要给中断允许寄存器IE送中断控制字, 以开放相应的中断和设定中断优先级;
也可用查询方式来响应定时器。
JBC TF1,RP1 SJMP DEL2
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6.6.4 长定时时间的产生
例 假设系统时钟为6MHz,编写定时器T0产生 1秒定时的程序。 (1)T0工作方式的确定 定时时间较长,采用哪一种工作方式? 由各种工作方式的特性,可计算出: 方式0最长可定时16.384ms;
方式1最长可定时131.072ms; 方式2最长可定时512μs。 选方式1,每隔100ms中断一次,中断10次为1s。
8
6.3 定时/计数器的4种工作方式 方式0、方式1(13位、16位定时计数方式)
T1工作于方式0的等效框图(M1M0=00、01)
GATE=0、A=1、TR1=1 GATE=1、INT1=1、TR1=1。注意定时器初值与定时时间的不同
9
6.3.1 方式0、方式1的说明 定时/计数器T1工作在方式0时,为13位的计数器,由TL1 的低5位和TH1的8位所构成。TL1低5位溢出向TH1进 位,TH1计数溢出置位TCON中的溢出标志位TF1。 GATE位的状态决定定时/计数器运行控制取决于TR1 一个条件还是TR1和INT1引脚这两个条件。 当GATE=0时,A点电位恒为1,则只要TR1被置为1,B 点电位即为1,定时/计数器被控制为允许计数(定时/计 数器的计数控制仅由TR1的状态确定,TR1=1计数, TR1=0停止计数)。 当GATE=1时,B点电位由INT1输入的电平和TR1的状 态确定,当TR1=1,且INT1=1时,B点电平才为1,才 允许定时器/计数器计数(计数控制由TR1和INT1二个条 件控制)。 方式1时,TL1的8位都参与计数,因而属于16位 定时/计数器。其控制方式,等效电路与方式0完全相 10 同。

单片机第六章定时器

单片机第六章定时器
计数溢出时,TFx置位。如果中断允许,CPU响应中 断并转入中断服务程序,由内部硬件清TFx。TFx也可以 由程序查询和清零。
这种方式下,计数寄存器由13位组成,即THx高八位(作计数器)
和TLx的低5位构成。TLx的高3位未用。
计数时,TLx的低5位溢出后向THx进位,THx溢出后 将TFx置位,并向CPU申请中断。
用软件控制,置 l时,启动 T1;清0时,停止 T1。
TF0(TCON.5)——T0的溢出标志。
TR0(TCON.4)——T0的运行控制位。
用软件控制,置1时,启动T0;清 0时,停止 T0。
• IE1(TCON.3)——外部中断1中断请求标志位。
• IE0(TCON.1)——外部中断0中断请求标志位。
器之外,还可用作串行接口的波特率发生器。
6.2
定时器/计数器T0、T1
T0、T1 的内部结构简图示于图6-1中。从图中 可以看出,T0、T1由以下几部分组成:
• 计数器TH0、TL0和TH1、TL1;


特殊功能寄存器TMOD、TCON;
时钟分频器;

输入引脚T0、T1。
6.2.1 与定时器/计数器T0、T1有关的 特殊功能寄存器
⑵定时器/计数器T1
T0方式3时,T1可以工作在方式0、1、2三种方式 T1的结构如图6–6所示。 由于T0占用了原来T1的启动位TR1和溢出标志TF1, 所以此时T1溢出时不能置位溢出标志,不能申请中断, 其溢出信号送给串行口,此时T1作为波特率发生器。
T1的启停由写入方式字控制,当写入方式0/1/2 时,T1立即启动,写入方式3 时,立即停止工作。
分析:设置T0工作在方式2,计数功能,每记满100个外 部脉冲,从P1.0输出一个低电平脉冲信号(简化的打包 操作)。

第06章 MCS-51单片机定时计数器

第06章 MCS-51单片机定时计数器

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2 8位计数初值自动重装,TL(7 ~ 0)
TH(7 ~ 0)
11
3 T0运行,而T1停止工作,8位定时/计数。
▪ 2.定时/计数器控制寄存器(TCON)

D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
位符号 TF1 TR1 TF0 TR0 IE1 IT1 IE0 IT0
TR0:定时 / 计数器0运行控制位。软件置位,软件复位。与GATE有关, 分两种情况:
GATE = 0 时:若TR0 = 1,开启T0计数工作;若TR0 = 0,停止T0计 数。
GATE = 1 时:若TR0 = 1 且/INT0 = 1时,开启T0计数; 若TR0 = 1 但 /INT0 = 0,则不能开启T0计数。 若TR0 = 0, 停止T0计数。
TR1:定时 / 计数器1运行控制位。用法与TR0类似。
▪ (1)计算计数初值。欲产生周期为1000μs的等宽方波脉冲, 只需在P1.7端交替输出500μs的高低电平即可,因此定时 时间应为500μs。设计数初值为X,则有:
▪ (216-X)×1×10-6=500×10-6
▪ X=65536-500=65036=FE0CH
▪ 将X的低8位0CH写入TL1,将X的高8位FEH写入TH1。
;清TCON,定时器中断标志清

MOV TMOD,#10H
;工作方式1设定

MOV TH1,#0FEH
;计数1初值设定

MOV TL1,#0CH

MOV IE,#00H
;关中断

SETB TR1
;启动计数器1
▪ LOOP0:JBC TF1,LOOP1 ;查询是否溢出

第6章 单片机的定时器计数器

第6章 单片机的定时器计数器
T1(P 3.5)
T0(P 3.4)
T0 (8CH) (8AH)
TH0(8位) TL0 (8位)
7 0 7 0
T1 (8DH) (8BH)
TH1(8位) TL1 (8位)
7
0
7
0
CPU
溢 启 出 动 溢 出
启 动
工作方式 TMOD(89H)
工 作 方 式
TCON(88H)
定时/计数器逻辑结构
T0
2个16位T/C分别由8位计数器TH0、TL0、 TH1、TL1组成 “+1” 计数器 T1 控制寄存器TCON:控制T/C的启停、中断等
第6章 单片机的定时器/计数器
6.1 定时/计数器的结构与工作原理
6.2 定时器/计数器的控制
6.3 定时/计数器的工作方式
6.4 定时/计数器的编程和应用
实现定时一般有三种方法: 利用软件实现(延时程序); 优点:简单,控制方便;缺点:CPU效率低。 硬件实现,专门设计一个单稳态定时器: 优点:CPU效率高;缺点:修改参数麻烦。 利用计数器实现 1us 输入脉冲 计算机一般利用第三种方法实现 8位 计数器 预置数 256us 溢出
控制T0
GATE C/T M1 M0 0 0 0 1
查 询 方 式
#include <reg51.h> sbit P1_0=P1^0; void main (void) { TMOD=0x01; //定时器0方式1 TR0=1; for( ; ; ) { TH0=(65536-1000)/256; //置计数初值 TL0=(65536-1000)%256; while(!TF0); //查询等待TF0复位 P1_0=!P1_0; //定时时间到P1.0反相 TF0=0; //软件清TF0 } }

单片机教程 第6章-中断系统

单片机教程 第6章-中断系统

TCON位功能:
TF0/TF1:定时器溢出中断申请标志位: =0:定时器未溢出; =1:定时器溢出申请中断,进中断后自动清零。
③ IE1 —— 外中断中断请求标志 当P3.3引脚信号有效时,IE1=1 ④ IE0 —— 外中断中断请求标志 当P3.2引脚信号有效时,IE0=1
IE0/IE1:外部中断申请标志位: =0:没有外部中断申请; =1:有外部中断申请。
=1:在INT0/INT1端申请中断的信号负跳变有效.
6.2
51单片机的中断系统
3、串行口中断设定
串行控制寄存器SCON控制字,字节地址:98H
SCON 位名称 位地址 功能 D7 D6 — — — — — — D5 — — — D4 — — — D3 — — — D2 — — — D1 TI 99H 串行发送 中断标志 D0 RI 98H 串行接收 中断标志
6.1
中断的概念
6.1.3 中断的分类 可分为三类: * 可屏蔽中断:由CPU的可屏蔽中断引脚INT引起的 中断。 * 非屏蔽中断:由CPU的非屏蔽中断引脚NMI引起的 中断(8086CPU)。 * 软件中断:由中断指令引起的中断(8086CPU)。 • 51单片机的中断可以分为:
①外部中断,由外部可屏蔽中断和外部计数器中断组成; ②内部中断,由内部定时器、串口传输中断等组成。
输入引脚。允许用户设定外部中断源以低电平或 者是负跳变方式触发。
6.2
51单片机的中断系统
②定时器溢出中断源:内部中断,51内部有两
个16位定时/计数器,它们由内部定时脉冲(主脉 冲12分频)或外部引脚T0、T1输入的外部计数脉 冲计数。当计数值溢出时,产生中断请求。这两 个16位定时/计数器的初值可由用户设定。

第06章-单片机串行通信系统-习题解答

第06章-单片机串行通信系统-习题解答

第6章单片机串行通信系统习题解答一、填空题1.在串行通信中,把每秒中传送的二进制数的位数叫波特率。

2.当SCON中的M0M1=10时,表示串口工作于方式 2 ,波特率为 fosc/32或fosc/64 。

3.SCON中的REN=1表示允许接收。

4.PCON 中的SMOD=1表示波特率翻倍。

5.SCON中的TI=1表示串行口发送中断请求。

6.MCS-51单片机串行通信时,先发送低位,后发送高位。

7.MCS-51单片机方式2串行通信时,一帧信息位数为 11 位。

8.设T1工作于定时方式2,作波特率发生器,时钟频率为11.0592MHz,SMOD=0,波特率为2.4K时,T1的初值为 FAH 。

9.MCS-51单片机串行通信时,通常用指令 MOV SBUF,A 启动串行发送。

10.MCS-51单片机串行方式0通信时,数据从 P3.0 引脚发送/接收。

二、简答题1.串行口设有几个控制寄存器?它们的作用是什么?答:串行口设有2个控制寄存器,串行控制寄存器SCON和电源控制寄存器PCON。

其中PCON 中只有PCON.7的SMOD与串行口的波特率有关。

在SCON中各位的作用见下表:2.MCS-51单片机串行口有几种工作方式?各自的特点是什么?答:有4种工作方式。

各自的特点为:3.MCS-51单片机串行口各种工作方式的波特率如何设置,怎样计算定时器的初值? 答:串行口各种工作方式的波特率设置:工作方式O :波特率固定不变,它与系统的振荡频率fosc 的大小有关,其值为fosc/12。

工作方式1和方式3:波特率是可变的,波特率=(2SMOD/32)×定时器T1的溢出率 工作方式2:波特率有两种固定值。

当SM0D=1时,波特率=(2SM0D/64)×fosc=fosc/32当SM0D=0时,波特率=(2SM0D/64)×fosc=fosc/64计算定时器的初值计算:4.若fosc = 6MHz ,波特率为2400波特,设SMOD =1,则定时/计数器T1的计数初值为多少?并进行初始化编程。

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第6章 压电式传感器
机机质
压压压压
压质
图6-1 压电效应可逆性
第6章 压电式传感器 在自然界中大多数晶体都具有压电效应,但压电效应十分微 弱。随着对材料的深入研究,发现石英晶体、钛酸钡、锆钛酸铅 等材料是性能优良的压电材料。 压电材料可以分为两大类:压电晶体和压电陶瓷。 压电材料的主要特性参数有: ① 压电常数: 压电常数是衡量材料压电效应强弱的参数,它 直接关系到压电输出灵敏度。 ② 弹性常数: 压电材料的弹性常数、刚度决定着压电器件的 固有频率和动态特性。
第6章 压电式传感器 当晶体受到沿y轴方向的压力作用时,晶体的变形如图6-3c) 所示。与图6-3(b)情况相似,P1增大,P2、P3减小。在x轴上 出现电荷,它的极性为x轴正向为正电荷。在y轴方向上仍不出 现电荷。 如果沿z轴方向施加作用力,因为晶体在x方向和y方向所产 生的形变完全相同,所以正负电荷重心保持重合,电偶极矩矢 量和等于零。这表明沿z轴方向施加作用力,晶体不会产生压电 效应。 当作用力Fx、Fy的方向相反时,电荷的极性也随之改变。
第6章 压电式传感器
6.2 压电式传感器测量电路
6.2.1 压电式传感器的等效电路 由压电元件的工作原理可知,压电式传感器可以看作一个电 荷发生器。同时,它也是一个电容器, 晶体上聚集正负电荷的 两表面相当于电容的两个极板,极板间物质等效于一种介质, 则其电容量为
Ca =
ε rε 0 A
d
(6-4)
第6章 压电式传感器
x + - o y + P2 P3 - + P1 - y -
x
Fx +
x Fy y A + + + + + P1 - - P2 P o 3 C + + - B - - - - Fy
A - - - - - - P1 o - - P3 +
+ P2
D
B + + + + + + Fx
(a)
第6章 压电式传感器
压电 方方
(a) (b)
图6-4 压电陶瓷的极化 (a) 未极化; (b) 电极化
第6章 压电式传感器 极化处理后陶瓷材料内部存在有很强的剩余极化,当陶瓷 材料受到外力作用时,电畴的界限发生移动,电畴发生偏转, 从而引起剩余极化强度的变化, 因而在垂直于极化方向的平面 上将出现极化电荷的变化。这种因受力而产生的由机械效应转 变为电效应,将机械能转变为电能的现象,就是压电陶瓷的正 压电效应。电荷量的大小与外力成如下的正比关系:
第6章 压电式传感器
+ + + + + - + + + + + - - - - -
(a) (b)

+ + +
图6-5 压电元件连接方式 (a) 相同极性端粘结; (b) 不同极性端粘结
第6章 压电式传感器 在上述两种接法中,并联接法输出电荷大,本身电容大, 时间常数大,适宜用在测量慢变信号并且以电荷作为输出量的 场合。 而串联接法输出电压大,本身电容小,适宜用于以电压 作输出信号,并且测量电路输入阻抗很高的场合。 压电式传感器中的压电元件,按其受力和变形方式不同, 大致有厚度变形、长度变形、体积变形和厚度剪切变形等几种 形式, 如图6-6所示。目前最常使用的是厚度变形的压缩式和剪 切变形的剪切式两种。
第6章 压电式传感器 6.1.2 压电陶瓷 压电陶瓷 压电陶瓷是人工制造的多晶体压电材料。材料内部的晶粒 有许多自发极化的电畴,它有一定的极化方向,从而存在电场。 在无外电场作用时,电畴在晶体中杂乱分布,它们各自的极化 效应被相互抵消,压电陶瓷内极化强度为零。因此原始的压电 陶瓷呈中性,不具有压电性质, 如图6-4(a)所示。 在陶瓷上施加外电场时,电畴的极化方向发生转动,趋向 于按外电场方向的排列,从而使材料得到极化。外电场愈强, 就有更多的电畴更完全地转向外电场方向。让外电场强度大到 使材料的极化达到饱和的程度,即所有电畴极化方向都整齐地 与外电场方向一致时,当外电场去掉后,电畴的极化方向基本 变化,即剩余极化强度很大,这时的材料才具有压电特性, 如图 6-4(b)所示。
q = d 33 F
式中: d33—— 压电陶瓷的压电系数; F——作用力。
(6-3)
第6章 压电式传感器 压电陶瓷的压电系数比石英晶体的大得多,所以采用压电陶 瓷制作的压电式传感器的灵敏度较高。极化处理后的压电陶瓷材 料的剩余极化强度和特性与温度有关,它的参数也随时间变化, 从而使其压电特性减弱。 最早使用的压电陶瓷材料是钛酸钡(BaTiO3)。它是由碳酸 钡和二氧化钛按1∶1摩尔分子比例混合后烧结而成的。它的压电 系数约为石英的50倍, 但居里点温度只有115℃,使用温度不超 过70℃,温度稳定性和机械强度都不如石英。
第6章 压电式传感器 目前使用较多的压电陶瓷材料是锆钛酸铅(PZT)系列, 它是钛酸铅(PbTiO2 )和锆酸铅(PbZrO3 )组成的(Pb(ZrTi) O3)。居里点在300℃以上,性能稳定,有较高的介电常数和压 电系数(性能指标见表6-1)。 铌镁酸铅是20世纪60年代发展起来的压电陶瓷。它由铌镁 20 60 酸铅Pb Mg 1 Nb2 O3 、锆酸铅(PbZrO3 )和钛酸铅(PbTiO3 ) 3 3 按不同比例配出不同性能的压电陶瓷。具有极高的压电系数和 较高的工作温度, 而且能承受较高的压力。
第6章 压电式传感器 ③ 介电常数: 对于一定形状、尺寸的压电元件,其固有电 容与介电常数有关;而固有电容又影响着压电传感器的频率下 限。 ④ 机械耦合系数:它的意义是,在压电效应中,转换输出 能量(如电能)与输入的能量(如机械能)之比的平方根,这 是衡量压电材料机—电能量转换效率的一个重要参数。 ⑤ 电阻: 压电材料的绝缘电阻将减少电荷泄漏,从而改善 压电传感器的低频特性。 ⑥ 居里点温度: 它是指压电材料开始丧失压电特性的温度。
第6章 压电式传感器
第6章 压电式传感器
6.1 压电效应及压电材料 压电效应及压电材料 6.2 压电式传感器测量电路 6.3 压电式传感器的应用
第6章 压电式传感器
6.1 压电效应及压电材料
某些电介质,当沿着一定方向对其施力而使它变形时,内部 就产生极化现象,同时在它的两个表面上便产生符号相反的电荷, 当外力去掉后,又重新恢复到不带电状态。这种现象称压电效应。 当作用力方向改变时,电荷的极性也随之改变。有时人们把这种 机械能转换为电能的现象, 称为“正压电效应”。相反,当在 电介质极化方向施加电场,这些电介质也会产生几何变形,这种 现象称为“逆压电效应”(电致伸缩效应)。具有压电效应的材 料称为压电材料,压电材料能实现机—电能量的相互转换,如图 6 - 1所示。
第6章 压电式传感器 6.1.3 压电式传感器 压电式传感器 压电式传感器的基本原理就是利用压电材料的压电效应这 个特性,即当有力作用在压电材料上时,传感器就有电荷(或 电压)输出。 由于外力作用而在压电材料上产生的电荷只有在无泄漏的 情况下才能保存,即需要测量回路具有无限大的输入阻抗,这 实际上是不可能的, 因此压电式传感器不能用于静态测量。压 电材料在交变力的作用下,电荷可以不断补充,以供给测量回 路一定的电流,故适用于动态测量。
第6章 压电式传感器 式中: A——压电片的面积; d——压电片的厚度; εr——压电材料的相对介电常数。 因此,压电传感器可以等效为一个与电容相串联的电压源。 如图6-7(a)所示,电容器上的电压Ua、电荷量q和电容量Ca三 者关系为
q Ua = Ca
压电传感器也可以等效为一个电荷源。 如图6-7(b)所示。
第6章 压电式传感器
Ca
ua
q
Ca
(a)
(b)
图6-7 压电元件的等效电路 (a) 电压源; (b) 电荷源
第6章 压电式传感器 压电传感器在实际使用时总要与测量仪器或测量电路相 连接,因此还需考虑连接电缆的等效电容Cc,放大器的输入电 阻Ri , 输入电容Ci以及压电传感器的泄漏电阻Ra。这样,压电 传感器在测量系统中的实际等效电路, 如图6 - 8所示。
第6章 压电式传感器 单片压电元件产生的电荷量甚微,为了提高压电传感器的输 出灵敏度, 在实际应用中常采用两片(或两片以上)同型号的 压电元件粘结在一起。 由于压电材料的电荷是有极性的,因此 接法也有两种。如图6-5所示,从作用力看,元件是串接的,因 而每片受到的作用力相同,产生的变形和电荷数量大小都与单片 时相同。 图6-5(a)是两个压电片的负端粘结在一起,中间插入 的金属电极成为压电片的负极,正电极在两边的电极上。从电路 上看,这是并联接法, 类似两个电容的并联。所以,外力作用 下正负电极上的电荷量增加了1倍,电容量也增加了1倍,输出电 压与单片时相同。图6-5(b)是两压电片不同极性端粘结在一起, 从电路上看是串联的,两压电片中间粘接处正负电荷中和,上、 下极板的电荷量与单片时相同,总电容量为单片的一半,输出电 压增大了1倍。
qx = d11Fx
(6-1)
式中, d11为x方向受力的压电系数。 若在同一切片上,沿机械轴y方向施加作用力Fy,则仍在与x 轴垂直的平面上产生电荷qy,其大小为
a q y = d12 Fy b
(6-2)
第6章 压电式传感器 式中:d12——y轴方向受力的压电系数,根据石英晶体的对称性, 有d12=-d11; a、b——晶体切片的长度和厚度。 电荷qx和qy的符号由受压力还是受拉力决定。 石英晶体的上述特性与其内部分子结构有关。图6-3是一个单 6-3 元组体中构成石英晶体的硅离子和氧离子,在垂直于z轴的xy平 面上的投影,等效为一个正六边形排列。 图中“”代表硅离子 Si4+, “”代表氧离子O2-。 当石英晶体未受外力作用时,正、负离子正好分布在正六边 形的顶角上,形成三个互成120°夹角的电偶极矩P1 、P2 、P3 。 如图6-3(a)所示。
第6章 压电式传感器
Z
Z Y Y X
X (a) (b)
石英晶体
(a)理想石英晶体的外形 (b)坐标系
第6章 压电式传感器
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