绝缘栅场效应管.
绝缘栅场效应管（IGFET）的基本知识
绝缘栅场效应管（IGFET）的基本知识绝缘栅场效应管(IGFET) 的基本知识1.增强型NMOS管s：Source 源极，d：Drain 漏极，g：Gate 栅极，B：Base 衬底，在P型衬底扩散上2个N 区，P型表⾯加S i O2绝缘层，在N 区加铝线引出电极。
2.增强型PMOS管在N型衬底上扩散上2个P 区，P型表⾯加S i O2绝缘层，在⼆个P 区加铝线引出电极。
PMOS与NMOS管的⼯作原理完全相同，只是电流和电压⽅向不同。
3.增强型NMOS管的⼯作原理正常⼯作时外加电源电压的配置：(1)V GS=0, V DS=0：漏源间是两个背靠背串联的PN结，所以d-s间不可能有电流流过，即i D≈0。
(2)当V GS＞0，V DS=0时：d-s之间便开始形成导电沟道。
开始形成导电沟道所需的最⼩电压称为开启电压V GS(th)(习惯上常表⽰为V T)。
沟道形成过程作如下解释：此时，在栅极与衬底之间产⽣⼀个垂直电场(⽅向为由栅极指向衬底)，它使漏-源之间的P型硅表⾯感应出电⼦层(反型层)使两个N 区沟通，形成N型导电沟道。
如果，此时再加上V DS电压，将会产⽣漏极电流i D。
当V GS＝0时没有导电沟道，⽽当V GS增强到＞V T时才形成沟道，所以称为增强型MOS 管。
并且V GS越⼤，感应电⼦层越厚，导电沟道越厚，等效沟道电阻越⼩，i D越⼤。
(3)当V GS>VT，V DS>0后，漏-源电压V DS产⽣横向电场：由于沟道电阻的存在，i D沿沟道⽅向所产⽣的电压降使沟道上的电场产⽣不均匀分布。
近s端电压差较⾼，为V GS；近d端电压差较低，为V GD＝V GS-V DS，所以沟道的形状呈楔形分布。
1)当V DS较⼩时：V DS对导电沟道的影响不⼤，沟道主要受V GS控制，所以V GS为定值时，沟道电阻保持不变，i D随V DS增加⽽线性增加。
此时，栅漏间的电压⼤于开启电压，沟道尚未夹断，。
绝缘栅型场效应管之图解
绝缘栅型场效应管之图解绝缘栅型场效应管之图解N 沟道绝缘栅型场效应管结构动画其他MOS 管符号绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道， 漏源之间有导电沟道，在VDS 作用下iD 。
1.结构和符号（以在一块浓度较低的 覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
N 沟道增强型为例）P 型硅上扩散两个浓度较高的 P 衬底00 Qo在VDS 作用下无iD o 耗尽型：VGS=0时,N 型区作为漏极和源极，半导体表面DWSN 沟ifi 箭头问里 衬底斷开S 心1I衬底SN沟道衬底2.工作原理(以N沟道增强型为例)(1) VGS=0时，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道。
VGS =0 ID =0VGS必须大于0管子才能工作。
(2) VGS>0时，在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P区多子空穴而吸引少子电子。
T|l戶-iHVosgTTId n -VGS 达到一定值时P 区表面将形成反型层把两侧的沟通，形成导电沟道。
VGS >A g 吸引电子7反型层7导电沟道 VGSf f 反型层变厚7 VDS ID ?⑶VGS> VT时而VDS较小时:VDS— ID tVT:开启电压，在VDS作用下开始导电时的VGSVT = VGS —VDS V DS V GSV GS3. 特性曲线（以N 沟道增强型为例）场效应管的转移特性曲线动画g =丿着-1）2 Aa （j 是％卅=2齐・|【寸的//丫4. 其它类型MOS 管制造时在栅极绝缘层中掺有大量的正离子， 所以即使在VGS=0时,N 区之间存在导电沟道（类似结型场效应管）。
4/D4-2-K 夹端轨迹\bs-6V壯严厲V s■ ■ _ _2y ;nI II I I ■2 4 6 8 iO 12（1） N 沟道耗尽型: 由于正离子的作用，PN 结 衬底-4 JVbs=5I ! ^GSg其它类型MOS 管（2） P 沟道增强型：VGS = 0时，ID = 0开启电压小于零，所以只有当 VGS < 0时管子才能工作。
绝缘栅电力场效应晶体管文字符号
绝缘栅电力场效应晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种半导体器件，可以控制大电流和大电压。
它结合了绝缘栅双极晶体管（IGCT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的优点，具有低导通压降、高开关速度和高开关频率等特点。
IGBT在现代电力、电子、汽车、工业控制等领域得到了广泛应用。
从外观上看，绝缘栅电力场效应晶体管的文字符号为IGBT，它的排列和形状是一个有特定规则的图案，在电子元件的标注中起到了非常重要的作用。
在电路设计和电子设备制造过程中，正确识别和使用IGBT的文字符号至关重要。
文字符号包含了大量的信息，如器件类型、封装形式、性能等，对于制定电路方案、进行元器件选型和进行电路调试都有着十分重要的作用。
IGBT的文字符号通常包含多个英文字母和数字，每个字母和数字都代表了不同的信息。
在解读IGBT的文字符号时，需要了解每个字母和数字的含义，才能准确地识别出器件的型号和性能参数。
IGBT的文字符号一般包括以下几个部分：1. 器件类型：第一个字母代表了器件的类型，如IGBT、普通整流桥、集成晶体管等。
2. 频率特性：在文字符号中的第一个数字表示了器件的频率特性，比如高频IGBT、中频IGBT、低频IGBT等。
3. 最大工作电压：第二个数字代表了IGBT的最大工作电压。
4. 最大工作电流：最后一个数字表示了IGBT的最大工作电流。
以IGBT模块为例，其文字符号可能是这样的：IGBT100A1200V，其中"A"代表了100A的额定电流，"1200V"代表了1200V的最大工作电压。
通过解读IGBT的文字符号，可以清楚地了解器件的类型、频率特性、最大工作电压和最大工作电流等重要参数，有利于正确选择器件、设计电路和进行设备维护。
IGBT的文字符号是非常重要的，它包含了丰富的信息，能够帮助工程师们准确识别器件、选择器件、设计电路，保证电子设备的正常运行。
绝缘栅场效应管
绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管（Insulated-GateField-EffectTransistor，IGFET）也称为绝缘介质场效应晶体管，是一种场效应晶体管，具有线性特征，它使用了加入了一个带有外部驱动器的可控场栅。
IGFET 包括金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），极化金属氧化物场效应晶体管（PMOSFET）和准分立双极型（JFET）场效应晶体管。
这些晶体管的操作或依赖较小的电场，作出反应，它们是基于场栅的控制，而不是电流。
它们有很多优点，例如有很小的电场驱动和能耗，以及宽的通行范围和高的集电极电压利用率，它们也有很小的磁耦合和抗漏电能力（EMI）影响。
绝缘栅场效应管的工作原理绝缘栅场效应管（IGFET）是由一个晶体管和一个控制电极组成的，它在工作时受到一种较小的外加电场的作用，由控制电极控制，从而控制了晶体管的电流通过。
它有三个端口，栅极（G），源极（S）和漏极（D）。
当隔离场介电层（它在栅极和晶体管的源极/漏极之间）被电场作用激活，电流就会从源极进入漏极，即由此产生管的当量电路效果，从而实现将外加的小电场控制的输入信号转换为输出电流的功能。
绝缘栅场效应管的应用绝缘栅场效应管（IGFET）在许多电子电路中都有广泛的应用，其中最常见的是开关模式，用于将输入信号转换为输出相应的开关状态。
它们还可用于模拟应用，例如控制放大器，滤波器和电源管理等。
在微处理器和其他综合电路中，它们用作开关和驱动器。
此外，绝缘栅场效应管还可以用于制作高功率放大器，电动机驱动器和电源控制器等。
绝缘栅场效应管的发展绝缘栅场效应管（IGFET）被发明于1960年，它有着可充电量子井层结构，更高效率，更低漏电流等诸多优点，使其在微电子领域取得了巨大成功。
随着技术的进步，新型绝缘栅器件不仅可以提高集电极电压利用率，而且可以在更高的温度和频率范围内工作，因此可以将这类器件应用于更多的工程领域。
未来，绝缘栅场效应管将成为集成电路中更可靠、抗漏电、节能的控制元件。
绝缘栅型场效应管
绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管(Insulated Gate Field Effect Transistor，IGFET)的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。
又因为栅极为金属铝，故又称为MOS(Metal-Oxide-Semicondutor)管。
a. N沟道增强型MOS管结构示意图b. 符号(符号中的箭头表示从P区（衬底）指向N区（N沟道），虚线表示增强型。
)与结型场效应管相同，MOS管也有N沟道和P沟道两类，但每一类又分为增强型和耗尽型两种。
因此MOS管分为四种类型：N沟道增强型、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管和P沟道耗尽型管。
(凡栅-源电压U GS为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡栅-源电压U GS为零漏极电流部位零的管子均属于耗尽型管。
)一、N沟道增强型MOS管N沟道增强型MOS管结构和符号如上图所示，它一块低掺杂的P型硅片为衬底，利用扩散工艺制作两上高掺杂的N+ 区，并引出两个电极，分别为源极s和漏极d，半导体之上制作一层SiO2绝缘层，再在SiO2之上制作一层金属铝，引出电极，作为栅极g。
通常衬底与源极接在一起使用。
这样，栅极和衬底各相当于一个极板，中间是绝缘层，形成电容。
当栅-源电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。
1、工作原理①栅-源电压U GS的控制作用①当U GS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。
②当U DS=0且U GS＞0V时(由于SiO2的存在，栅极电流为零，但是栅极金属层将聚集正电荷)→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥(使之剩下不能移动的负离子区)→耗尽层。
③再增加U GS →纵向电场↑→耗尽层增宽→将P区少子电子聚集到P区表面(耗尽层与绝缘层之间) →形成一个N型薄层，称为反型层，整个反型层就构成漏-源之间的导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流i d。
绝缘栅场效应晶体管工作原理及特性
绝缘栅场效应晶体管工作原理及特性场效应管(MOSFET)是一种外形与普通晶体管相似，但控制特性不同的半导体器件。
它的输入电阻可高达1015W，而且制造工艺简单，适用于制造大规模及超大规模集成电路。
场效应管也称为MOS管，按其结构不同，分为结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管两种类型。
在本文只简单介绍后一种场效应晶体管。
绝缘栅场效应晶体管按其结构不同，分为N沟道和P沟道两种。
每种又有增强型和耗尽型两类。
下面简单介绍它们的工作原理。
1、增强型绝缘栅场效应管2、图6-38是N沟道增强型绝缘栅场效应管示意图。
在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，用光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，称为漏极D和源极S如图6-38(a)所示。
然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏-源极间的绝缘层上再装一个铝电极，称为栅极G。
另外在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。
它的栅极与其他电极间是绝缘的。
图6-38(b)所示是它的符号。
其箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。
图6-38 N沟道增强型场效应管场效应管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数场效应管在出厂前已联结好)。
从图6-39(a)可以看出，漏极D和源极S之间被P型存底隔开，则漏极D和源极S之间是两个背靠背的PN结。
当栅-源电压UGS=0时，即使加上漏-源电压UDS，而且不论UDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流ID≈0。
若在栅-源极间加上正向电压，即UGS＞0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场，这个电场能排斥空穴而吸引电子，因而使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层，同时P衬底中的电子(少子)被吸引到衬底表面。
当UGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏-源极之间仍无导电沟道出现，如图6-39(b)所示。
绝缘栅型场效应管
场效应管是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。 其作用有放大、开关、可变电阻。
特点：输入电阻很大；便于集成
分类：结型（N沟道、P沟道） 绝缘栅型 增强型（N沟道、P沟道） 耗尽型（N沟道、P沟道）
2
1.1 基本结构和工作原理
1. 基本结构
N沟道增强型
导电 沟道
源极 栅极 漏极
ID
转移特性曲线
夹断电压
UGS
Uoff 0
13
不论栅—源电压正、负或0都能控制漏极 电流，但一般工作在负栅—源电压状态
ID
输出特性曲线
UGS>0
UGS=0
UGS<0
0
U DS
14
P沟道绝缘栅场效应管的工作原理和特性 与N沟道场效应管完全相同，两者只是在工 作时所加电压的极性不同，当然，产生电流 的方向也不同。
漏源极电压U DS的关系曲线
Ⅰ区：UDS较小时
可变电阻区 Ⅰ
Ⅱ 恒流区
I相D随当U于DS的一增个加可而变增电加阻，ID
Ⅱ区：UDS较大时
I化D只，随UGUSG一S的定变时化，而相变 当于一个压控恒流源
0
UGS=5V UGS=4V UGS=3V
U DS
12
❖耗尽型N沟道MOS管的特性曲线
反向电耗压尽才型能的夹M断OS。管UGS=0时就有导电沟道，加
S GD
UGS较小时， 导电沟道相当 于电阻将D-S 连接起来， U阻G越S越小大。此电
N
N
P
10
1.2 增强型N沟道MOS管的特性曲线
1. 转移特性
当压漏UG源S的间关电系压曲U线DS。保持一定值时，漏极电流ID与栅源极电
绝缘栅场效应管
绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管是一种重要的集成电路，它由内置的电极组成，可用于控制和调整设备的电流和电压。
绝缘栅场效应管的运转原理可分为三个主要部分：绝缘栅场，场效应晶体管（FET）和栅场效应晶体管（MOSFET）。
绝缘栅场是指一种电压场，它可以将晶体管的运行分成两类：半导体模拟电路和开关电路中所使用的场效应晶体管（FET）。
FET由一个源、一个汲取电极（D）和一个漏电极（G）组成。
当漏电极G通过一个低电压时，绝缘栅场就可以构成。
场效应晶体管（FET）通过一个绝缘栅场来控制电流的传递，从而改变电路中的流动和状态。
此外，场效应晶体管也可以分为不同的电压等级，在电流传输时可以根据不同的电压等级实现电路的动态调整。
栅场效应晶体管（MOSFET）也称为沟道场效应晶体管，它是一种由一种特殊的金属氧化物半导体构成的电子器件，它可以改变电路中电流的流动方向，从而实现对供电系统中的传输功能进行控制和优化。
MOSFET也可以被称为栅极极化晶体管（MESFET），它的作用是通过绝缘栅场来调节电路中的电流和电压，从而实现电路的调整和优化。
绝缘栅场效应管的应用领域极其广泛，可以用于电源管理、传感器、声音处理、信号处理、通信和计算机系统等。
此外，绝缘栅场效应管还可以用于电路调节、保护、限流和节电等，延长它们的工作寿命，提升它们的精度和可靠性。
由于绝缘栅场效应管具有灵活、可靠和高效率的优点，因此它已成为装备家庭、商业以及其他仪器仪表类设备的必不可少的核心元件。
绝缘栅场效应管不仅可以提高设备的性能和可靠性，还可以把电子系统的特定功能封装在一起，满足各种电子系统设计的需求。
总之，绝缘栅场效应管是一种重要的集成电路，它可以用于控制和调整设备的电流和电压，改善它们的性能和可靠性，为电子设备提供全面的支持。
绝缘栅场效应管的应用领域极其广泛，它是家庭、商业以及其他仪器仪表类设备装备中不可或缺的核心元件。
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U GS 2 I D I DSS (1 ) U GS(off)
二、分压式自偏压电路
+VDD Rd C 2 d + Rg3 Rg2 s Rs RL
Rg1 C1 g
UG
+ uo
VDD Rg2
+ ui
+C
s
U GS
Rg1 Rg2 VDD Rg2 I D Rs Rg1 Rg2
预夹断
3. 转移特性和输出特性
iD
0V
–1V –2VU uGS = – 3 V
iD
IDSS uGS
O
GS(off)
uDS
uGS 0，uDS > 0 沟道楔型 耗尽层刚相碰时称预夹断。 此时 uGD = UGS(off)；
当 uDS ，预夹断点下移。
O
–3V
当 UGS(off) uGS 0 时,
绝缘栅型 IGFET(Insulated Gate FET)
特点： 1. 单极性器件(一种载流子导电)
2. 输入电阻高(107 1015 ，IGFET 可高达 1015 ) 3. 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低
2.5.1 绝缘栅场效应管
一、N沟道增强型 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET) 1. 结构与符号
iD I DS S(1
uGS U GS (off)
)2
各种FET 符号、特性的比较
d iD B g d i D B iD /mA UGS(th)
iD /mA uGS = 8 V 6V 4V 2V
s s – 2 O 2 uGS /V O uDS /V N 沟道增强型 P 沟道增强型 iD /mA iD /mA d i d uGS = 2 V –2 V D iD 0V 0V UGS(off) I DSS –2V 2V B B g g uGS /V –5V 5V s s 5 O uDS /V N 沟道耗尽型 P 沟道耗尽型 – 5 O iD /mA iD /mA d d uGS = 0 V 0 V iD iD UGS(off) IDSS –2V 2V g g uGS /V –5V 5V s s O uDS /V 5 N 沟道结型 P 沟道结型 – 5 O
一、 自偏压电路
1. 工作原理
+VDD
C1
Rd C 2 d + g Rg R s
s
+ ui
+ CS
+ uo
2. 静态工作点的估算 UGS = – IDRs
栅极电阻 Rg 的作用： (1)为栅偏压提供通路 (2)泻放栅极积累电荷 源极电阻 Rs 的作用： 提供负栅偏压 漏极电阻 Rd 的作用： 把 iD 的变化变为 uDS 的变化 uGS = uG – uS = – iDRs UDS = VDD– ID（ Rs+Rd）
1)uGS 对导电沟道的影响 (uDS = 0) a. 当 UGS = 0 ，ds 间为两个背对背的 PN 结； b. 当 0 < UGS < UGS(th)(开启电压)时，GB 间的垂直电 场吸引 P 区中电子形成离子区(耗尽层)； c. 当 uGS UGS(th) 时，衬底中电子被吸引到表面，形 成导电沟道。 uGS 越大沟道越厚。
s
N+
g
d
N+
s — 源极 source 在绝缘层上喷金 用金属铝引出 在硅片表面生一 用扩散的方法 g — 栅极 gate 属铝引出栅极 g 层薄 SiO 源极 s 和漏极 d 制作两个 N区 2 绝缘层 d — 漏极 drain
g
d
B
耗尽层
(掺杂浓度低)
P 型衬底
B
s
2. 工作原理
反型层 (沟道)
gs m gs s
Ri、 Ro 不变
例 已知 gm = 0.7 mS，求电压放大倍数、输入和输出电阻。
+18V 30 k Rd C + 2 2 M Rg1 d C1 g + 10 M Rg3 s 10 k R Rg2 s 47 k 2 k
解： g R A u m L
IDSS
iD /mA
uGS /V
UGS(off) UGS(th)
O
耗尽型场效应管，当 uGS = 0 时所对应的漏极电流。
指漏源间短路时，栅、源间加反向电压呈现的直流电阻。
JFET：RGS > 107 MOSFET：RGS = 109 1015
4. 低频跨导 gm
iD /mA Q uGS /V
g
–8V –6V –4V –2V
2.5.3 场效应管的主要参数、特点及注意事项
一、场效应管的主要参数
1. 开启电压 UGS(th)(增强型) 夹断电压 UGS(off)(耗尽型)
指 uDS = 某值，使漏极电流 iD 为某一小电流时的 uGS 值。 2. 饱和漏极电流 IDSS 3. 直流输入电阻 RGS
二、场效应管的主要特点及使用注意事项
特点：
1. FET为电压控制型器件，栅极基本无电流，输入 电阻高，常用做高输入阻抗输入级。
2. 多 子导电，受温度、辐射等外界因素影响小。
3. 噪声比BJT小（尤其是JFET） 。 4. MOS管制造工艺简单，体积小，功耗小，易集成。
使用注意事项： 1. MOS管衬底与源极通常接在一起。若需分开，衬源 间电压须反偏（NMOS uGS < 0， PMOS uGS > 0 ）。 2. MOS管输入电阻极高，使栅极感应电荷产生高压造 成管子击穿。为避免栅极悬空及减少感应，储存时 应将三个极短路；焊接时，用镊子短路三个极，并 将电烙铁断电后焊接；不能用万用表检测，只能接 入测试仪后再去掉短路线测试，取下前也应先短路。 3. JFET可在栅源极开路情况下储存 和用万用表检测。
饱和(放大区) uDS，iD 不变 uDS 加在耗尽层上，沟道电阻不变 截止区 uGS UGS(th) 全夹断 iD = 0
4. 输出特性曲线 i D f ( uDS ) U
GS
uGS iD I DO ( 1)2 U GS (th)
uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值
二、 N 沟道耗尽型 MOSFET
g
g U 即 I d m gs
Id d + Uds gmUgs s
对于正弦量：
I d gm U gs
+ Ugs
小信号模型
二、用小信号模型分析 FET 共源极放大电路
+VDD Rg1 C1 g Rd C 2 d + Rg3 Rg2
Ii
g
d
Id
RL
+ ui
s
Rs
+C
RL
+ uo
ui
+ RL Cs
30 10 0.7 5.25 30 10
Ri 10M 2 // 0.47M 10 M
Ro Rd 30 k
2) uDS 对 iD的影响(uGS > UGS(th))
MOS工作原理
ds 间的电位差使 沟 道 呈 楔 形 ， uDS ， 靠近漏极端的沟道厚 度变薄。 预夹断(UGD = UGS(th))：漏极附近反型层消失。 预夹断发生之前： uDS iD。
预夹断发生之后：uDS iD 不变。
3. 转移特性曲线 i D f ( uGS ) U
饱和漏 极电流
当 uGS UGS(off) 时，
uGS 2 i D I DSS (1 ) U GS(of f )
三、P 沟道 MOSFET简介 增强型 耗尽型
d g B s g
d B s
2.5.2 结型场效应管 1. 结构与符号
N 沟道 JFET
P 沟道 JFET
JFET工diD duGS
uDS 常数
反映了uGS 对 iD 的控制能力， 单位 S(西门子)。常用毫西 (mS，mA/V)。 5. 最大漏极电流 IDM 为管子工作时允许的最大漏极电流。 6. 最大漏极功耗 PDM PDM = uDS iD，受管子最高工作温度限制。 7. 漏源击穿电压 U（BR）DS ：漏源间能承受的最大电压。 8. 栅源击穿电压 U（BR）GS ：栅源间能承受的最大电压。
2.5 场效应管及其基本放大电路
2.5.1 绝缘栅场效应管 2.5.2 结型场效应管
2.5.3 场效应管的参数、特点及使用注意 2.5.4 其它类型场效应管
2.5.5 FET的偏置电路及静态分析
2.5.6 FET放大电路的小信号模型分析法
引 言
场效应管 FET (Field Effect Transistor) 类型： 结型 JFET (Junction Field Effect Transistor)
； US I D Rs
调整电阻的大小，可获得： UGS > 0 UGS = 0 UGS < 0
2.5.6 FET放大电路的小信号模型分析法
一、FET 的简化小信号模型
从输入回路看，iG 0，故认为 g 、s 极间开路； 从输出回路看，漏极电流受栅、源电压控制，有：
gm
diD duGS
uDS 常数
MOS管栅极过压保护电路
2.5.4 其它类型场效应管*
一、砷化镓金属 – 半导体场效应管 MESFET (Mental Semiconductor FET)
d
材料: GaAs
符号:
g s
特点: 1. 为耗尽型器件，一般只制成N沟道，特性与JFET相似。 2. 开关时间特别短，导通电压很小。 用途: 微波电路，高频放大电路，和高速数字逻辑电路。