1528-8中文资料
硒化氢
硒化氢[编辑]硒化氢是化学式为H2Se的无机化合物。
在标准条件下，硒化氢是一种无色，易燃气体。
硒化合物中毒性最强，暴露限值为0.05ppm。
这种化合物具有刺激像腐烂辣根气味，较高浓度下有臭鸡蛋的气味。
目录[隐藏]∙ 1 性质∙ 2 制备∙ 3 反应∙ 4 安全o 4.1 中毒症状o 4.2 安全标准∙ 5 参考资料硒化氢性质类似硫化氢，硒化氢溶于水，并形成酸性溶液。
虽然硒化氢溶解度小于硫化氢，但它的溶液酸性却比硫化氢强。
硒化氢的还原性也比硫化氢强，只要硒化氢与空气接触便逐渐分解析出硒。
燃烧硒化氢时，有二氧化硒生成，若空气不足则生成单质硒。
加热至573K 时，硒化氢分解，形成硒镜。
[1]硒化铝和水作反应，生成氢氧化铝及硒化氢[2]:Al2Se3 + 6 H2O ⇌ 2 Al(OH)3 + 3 H2Se硒化氢也可以由单质直接化合得到：H2+ Se → H2Se这个反应需要在250-570℃进行，并且在570℃效率达到最大（超过50%）[2]。
此外，也可以在水体系中用一氧化碳还原硒得到硒化氢[2]：Se + H2O + CO → H2Se + CO2硒化氢与二氧化硫反应，生成水、硒及硫:2 H2Se + SO2⇌ 2 H2O + 2Se + S此方法用于制造纯正的硒。
中毒症状[编辑]硒化氢急性中毒会产生流泪、流涕、咳嗽、胸闷、恶心、呕吐、呼吸急促、口唇紫组、咽部充血等临床现象。
[3]安全标准[编辑]硒化氢的毒性远远超过其同类硫化氢。
空气中危险植为0.05ppm。
暴露在高浓度硒化氢中不到一分钟就会引起眼睛和粘膜刺激，造成至少几天感冒症状。
在德国，饮用水中的限制是0.008毫克/升，美国环保局建议为0.01毫克/升。
H2Se编辑物质的理化常数：国标编号23007 。
CAS号7783-07-5 。
中文名称硒化氢。
分子结构：Se原子以sp3杂化轨道成键、分子为V形的极性分子。
英文名称Hydrogen selenide 分子式H2Se 。
CTIA标准中文2.0
CTIA标准中文2.0空间射频辐射功率和接收机性能测量方法移动台空中（OTA）性能测量方法（CTIA标准）1.引言1.1.目的本标准是依照CTIA认证程序的要求，来定义如何对移动台的辐射射频功率和接收机性能进行测量。
本标准是CTIA认证项目管理文件中的一部分，在认证管理文件中包含了试验的限值，以及实验室的性能测试方法，由此方法测得的实验室性能必须符合CTIA认证的规定。
1.2.范围本标准定义了要成为一个CTIA授权检测实验室（CATL）所必须达到的一些指标（其它的指标可以与CTIA认证项目的工作人员联系得到）。
为了保证移动台试验的准确性、可重复性和一致性以满足CTIA 标准规定，本标准规定了试验的布置、实验室的技术、试验的方法和评估标准。
1.3.引用标准Minimum Standards for 800 MHz Cellular Subscriber Units, TIA/EIA-690, November 2000, Telecommunications Industry Association.Recommended Minimum Performance Standards for cdma2000 Spread Spectrum Mobiles Stations, TIA/EIA-98-D, June 2001, Telecommunications Industry Association.TDMA Cellular/PCS - Radio Interface - Mobile Station - Base Station Compatibility.TIA/EIA/IS-136-A, October 1996, Telecommunications Industry AssociationIEEE Std 1528-2002 Draft CBD 1.0, IEEE, Inc., April 4, 2002Guide to the Expression of Uncertainty in Measurement, International Organization for Standardization, Geneva, Switzerland, 1995ETSI TR 102 273 V1.2.1: Electromagnetic compatibility and Radio spectrum Matters (ERM);Improvement of radiated methods of measurement (using test sites) and evaluation of the corresponding measurement uncertainties. ETSI, 2001ETSI TR 100 028 Parts 1 & 2: Electromagnetic compatibility and Radio spectrum Matters (ERM); Uncertainties in the measurement of mobile radio equipment characteristics. ETSI, 2001EN 50361:2001 Basic Standard for the measurement of Specific Absorption rate related to human exposure to electromagnetic fields from mobile phones (300MHz - 3GHz) TS 51.010 V4.9.0 (2002-07): Mobile Station (MS) Conformance Specification, 3GPPTS 05.05 V8.11.0 (2001-08): Technical Specification Group GSM/EDGE Radio AccessNetwork; Radio transmission and reception, 3GPPCTIA Certification Program Management Document, Revision 2.2, CTIA, January 20031.4.试验概括本标准依据测试的类型（发射机、接收机）和测试的技术（模拟AMPS、CDMA、TDMA、GSM）1对试验程序进行了分类。
厦门大学硕士研究生培养方案(世界经济)
5 亚太经济研究 本研究方向以世界经济学、国际经济学、产业经济 陈 雯（*） 学的相关理论为指导，主要研究亚太地区的经济改 革和经济发展、亚太地区的贸易与投资、亚太地区 的产业发展等问题，并探讨中国的相应对策。 特点是理论联系实际，注重现代经济学的分析 方法，强调比较研究和多学科的相互渗透与结合， 既把区域作为研究对象，又进行不同类型国家的比 较以及特定领域和部门的比较研究。
34
现代财务管理
35
世界经济史
学术讲座或职业规划讲座
其他 培养环节
社会、教学、科研实践活动 开题报告
第二学年秋季学期
3
第二学年春季学期
3
第二学年春季学期
3
第一学年春季学期
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第二学年秋季学期
3
第二学年秋季学期
3
第二学年秋季学期
3
第二学年春季学期
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第二学年秋季学期
3
第一学年春季学期
3
第一学年春季学期
3
第二学年秋季学期
Chinese
2nd year,A 3
56
Lecturer Wang Yongjin
Readings of International Trade(Required)
17
Industrial Organization Theory and Applications 2nd year,A 3
56
Chinese
王永进 陈爱贞 张少军 郑甘澍 何其帼 黄梅波、熊爱宗
LT1528中文资料
TYPICAL APPLICATION
Microprocessor Supply with Shutdown
5 IN
OUT 1
VIN =5V
LT1528
4 SHDN
PACKAGE/ORDER INFORMATION
FRONT VIEW
5
TAB
4
IS
3
GND
2
1
VIN SHDN GND SENSE OUTPUT
ORDER PART NUMBER
LT1528CQ
Q PACKAGE 5-LEAD PLASTIC DD PAK
TJMAX = 125°C, θJA = 30°C/ W
Dropout Voltage (Note 4)
CONDITIONS
VIN = 3.8V, IOUT = 1mA, TJ = 25°C 4.3V < VIN < 15V, 1mA < IOUT < 3A
∆VIN = 3.8V to 15V, IOUT = 1mA
∆ILOAD = 1mA to 3A, VIN = 4.3V,TJ = 25°C ∆ILOAD = 1mA to 3A, VIN = 4.3V
LT1528C ............................................... 0°C to 125°C Lead Temperature (Soldering, 10 sec).................. 300°C
*For applications requiring input voltage ratings greater than 15V, contact the factory.
中外文纺织及染整核心期刊
中文纺织核心期刊纺织学报Journal of Textile Research主办：中国纺织工程学会周期：月刊ISSN 0253-9721CN 11-5167/TS创刊年：1979征稿启事08.9开始网上投稿编辑部联络方式：地址：北京市朝阳区延静里中街3号主楼6层（100025）电话：/3/4/5/6/8转8001，8003，8005，65016539传真：，65016539E-mail:投稿网站：东华大学学报(自然科学版) Journal of Donghua University(Natural Science) 主办：东华大学周期：双月ISSN 1671-0444CN 31-1865/N棉纺织技术Cotton Textile Technology主办：陕西省纺织科学研究所;中国纺织信息中心周期：月刊ISSN 1001-7415CN 61-1132/TS印染Dyeing & Finishing主办：全国印染科技信息中心周期：半月ISSN 1000-4017CN 31-1245/TS邮发代号4-220丝绸Silk主办：中国丝绸工业总公司;中国丝绸协会周期：月刊ISSN 1001-7003CN 33-1122/TS产业用纺织品Technical Textiles主办：东华大学;全国产业用纺织品科技情报站周期：月刊ISSN 1004-7093CN 31-1595/TS毛纺科技Wool Textile Journal主办：中国纺织信息中心;中国纺织工程学会周期：月刊ISSN 1003-1456CN 11-2386/TS针织工业Knitting Industries主办：天津市针织技术研究所;中国纺织信息中心;中国纺织工程学会针织专业委员会周期：月刊ISSN 1000-4033CN 12-1119/TS纺织导报China Textile Leader主办：纺织产品开发中心周期：月刊ISSN 1003-3025CN 11-1714/TS上海纺织科技Shanghai Textile Science & Technology主办：上海市纺织科学研究院周期：月刊ISSN 1001-2044CN 31-1272/TS合成纤维Synthetic Fiber in China主办：上海市合成纤维研究所周期：月刊ISSN 1001-7054CN 31-1361/TQ天津工业大学学报Journal of Tianjin Polytechnic University主办：天津工业大学周期：双月ISSN 1671-024XCN 12-1341/TS北京服装学院学报(自然科学版)Journal of Beijing Institute of Clothing Technology(Natural Science Edition)主办：北京服装学院周期：季刊ISSN 1001-0564CN 11-2523/TS外文纺织期刊期刊名：AATCC Review中文译名：《美国纺织化学师与染色师协会评论》ISSN：1532-8813CN：851B0069出版者：American Association of Textile Chemists and Colorists.出版国：美国.语种：英文.起止年：2001-.出版频率：12期/年数据库收录情况：EI, SCI, FMIF.影响因子：0.478核心期刊：是.变更情况：继续: Textile chemist and colorist & American dyestuff reporter ;.期刊简介：《美国纺织化学师与染色师协会评论》刊载有关纺织印染和精整技术等方面的文章，以及产品和设备介绍。
R18xx中文资料
Operating Case Temperature Range
I
Electrical/Optical Characteristics
Table 1 . Electrical and Optical Characteristics, C- and L-Band Versions Parameter Wavelength Range : C-band Version L-band Version Total Pump Output Power Degree of Polarization Power Dissipation Effective Noise Figure : C-band Version L-band Version Gain Gain Flatness Po Piss NF Symbol Min 1528 1570 550 10 Typ 5 -2 -3 Max 1562 1612 35 1 Unit nm nm mW W dB dB dB dB
Ideally suited for use in ultralong-haul, high-speed DWDM applications, the versatile Raman Pump Module R18xx Platform is characterized by high output power, low noise, and multiband wavelength selection .
元器件交易网
a8e re
AdLib systems
OCR Evaluation
Preliminary Data Sheet October 2001
Raman Pump Module R18xx Platform
中文核心期刊目录-工业技术类
学科代码 TB1，TB2 TB1，TB2 TB3 TB3 TB3 TB3 TB3 TB3 TB3 TB3 TB3 TB4 TB5 TB5 TB6 TB6 TB7 TB9 TB9 TD(除TD82) TD(除TD82) TD(除TD82) TD(除TD82) TD(除TD82) TD(除TD82) TD(除TD82) TD(除TD82) TD(除TD82) TD(除TD82) TD(除TD82) TD82 TD82 TD82 TD82 TD82 TD82 TD82 TD82 TE TE TE TE TE TE TE TE TE TE TE TE TE
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TE
石油、天然气工业
1
矿业工程(除煤矿开采)
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矿业工程(除煤矿开采)
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矿业工程(除煤矿开采)
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矿业工程(除煤矿开采)
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矿业工程(除煤矿开采)
EN8F152 数据手册说明书
数据手册V2.1目录1.特性 (4)1.1程序存储器 (5)1.2脚位图 (6)2.SFR (8)2.1地址映射 (8)2.1.1.SFR，BANK0 (8)2.1.3.TMR0，地址0x01 (10)2.1.4.STATUS寄存器，地址0x03，0x83 (10)2.1.6.INTCON寄存器，地址0x0B (11)2.1.7.PIR1寄存器，地址0x0C (12)2.1.8.TMR2，地址0x11 (12)2.1.9.T2CON寄存器，地址0x12 (13)2.1.10.WDTCON寄存器，地址0x18 (13)2.1.11.MSCKCON寄存器，地址0x1B (14)2.1.12.SOSCPR寄存器，地址0x1C，1D (15)2.1.14.TRISA寄存起，地址0x85 (16)2.1.15.PIE1寄存器，地址0x8C (16)2.1.16.OSCCON寄存器，地址0x8F (17)2.1.17.PR2寄存器，地址0x92 (18)2.1.18.WPUA寄存器，地址0x95 (18)2.1.19.IOCA寄存器，地址0x96 (18)2.1.20.PCON寄存器，地址0x8E (18)2.1.21EEDAT寄存器，地址0x9A (19)2.1.22EEADR寄存器，地址0x9B (19)2.1.23.EECON1寄存器，地址0x9C (19)2.1.24.EECON2寄存器，地址0x9D (20)2.1.25.UCFG0和UCFG1 (20)2.1.26.PCL和PCLATH (21)2.1.27.INDF和FSR寄存器 (22)3.系统时钟源 (22)4.复位时序 (22)4.1.POR上电复位 (23)4.2.外部复位MCLR (24)4.3.PWRT（上电计时器） (24)4.4.BOR低电压复位 (25)4.5.超时动作 (25)4.6．关于WDT复位 (27)5.BOOT (28)6.烧录和控制串口 (28)7.看门狗定时器 (29)7.1.看门狗 (29)8.定时器0 (30)8.1.Timer0 (30)8.2.Timer0定时器模式 (30)8.3.Timer0计数器模式 (30)8.3.1.软件可配置预分频电路 (31)8.3.2.定时器0中断 (33)8.3.3.用外部时钟驱动定时器0 (33)9.定时器2 (34)9.1.Timer2 (34)10.数据EEPROM (34)10.1.编程数据EEPROM步骤 (35)10.2.读EEPROM步骤 (35)11.慢时钟测量模式 (37)12.中断模式 (38)12.1.中断过程中的现场保存 (39)13.睡眠省电模式 (39)13.1.唤醒模式 (40)13.2.看门狗唤醒 (40)14.I/O端口 (41)14.2.端口的其他功能 (41)14.2.1.弱上拉 (41)14.2.2.状态变化中断 (41)14.2.3.端口描述 (43)15.芯片的电气特性 (49)15.1.绝对极限参数 (49)15.2.内置高频振荡器(Internal High Frequency Osc) (49)15.3.内置低频振荡器(Internal Low Frequency Oscillator) (49)15.4.低电压复位电路(LVR) (49)15.5.I/O PAD电路 (50)15.6.总体工作电流(Ivdd) (50)15.7.AC电气特性 (50)15.8.时序图 (51)15.9.直流和交流特性图表 (52)16.MCU的指令架构 (56)16.1.指令集列表 (56)17.封装信息 (58)17.1详细封装 (58)1.特性●8位指令集●8层10bit 硬件堆栈●1Kx14b 程序FLASH 存储空间（16bytes/page ）●256x8b 数据EEPROM （16bytes/page ）●数据EEPROM 可在应用编程●64x8b SRAM●1x 带8位预分频的定时器0●1x 带8位预分频的定时器2●带7位预分频的WDT ，溢出频率约为16ms~2048ms ●上电延迟计数器PWRT ●低功耗模式SLEEP●4个唤醒源，INT 、端口变化中断、WDT 、数据EEPROM 写完成●内置高速RC 振荡器，最高频率支持16M ●内置低速RC 振荡器，32K 模式●最多6个通用IO●端口变化中断，RA0~RA5●支持在系统编程ISP ●支持在线调试●程序空间保护●业界最宽工作电压范围：2.0V ~5.5V ●最大时钟工作频率：16MHz✧F SYS =8MHz:2.0V ~5.5V ✧F SYS =16MHz:2.7V ~5.5V8封装类型：SOP8,SOT23-6图1.1数字功能框图CFGTMR/W DTRSTC/PWRT/BOOTIOSERPOR_RSTN BOR_RSTN FOSC SOSCSRAM 64BIO_CTRLPDATSFRSFR_BUSEDATSTALLPADDR SCK CMD sSDAEPIEEADDR EEWDATADDR &WDAT BUS CTRL BUSCLKC Prog FLASH 1Kx14bCPUData EEP 256B...1.1程序存储器地址寄存器为13位(0x0000~0x1FFF)，最多支持8K 地址空间。
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AVIONICS APPLICATIONS
RF &MICROWAVE TRANSISTORS
.250SQ.2LFL (M105)hermetically sealed
.DESIGNED FOR HIGH POWER PULSED IFF,DME,TACAN APPLICATIONS .20WATTS (typ.)IFF 1030-1090MHz .15WATTS (min.)DME 1025-1150MHz .15WATTS (typ.)TACAN 960-1215MHz .10dB MIN.GAIN
.REFRACTORY GOLD METALLIZATION .EMITTER BALLASTING AND LOW THERMAL RESISTANCE
.20:1LOAD VSWR CAPABILITY AT
SPECIFIED OPERATING CONDITIONS .
INPUT MATCHED,COMMON BASE CONFIGURATION
DESCRIPTION
The SD1528-08is a gold metallized,silicon NPN power transistor.The SD1528-08is designed for applications requiring high peak power and low duty cycles such as IFF,DME and TACAN.The SD1528-08is packaged in the .250”input matched hermetic stripline flange package resulting in im-proved broadband performance and a low thermal resistance.
PIN CONNECTION
BRANDING 1528-8
ORDER CODE SD1528-08
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T case =25°C)
Symbol
Parameter
Value
Unit
V CBO Collector-Base Voltage 65V V CEO Collector-Emitter Voltage 65V V EBO Emitter-Base Voltage 3.5V I C Device Current 1.5A P DISS Power Dissipation 87.5W T J Junction Temperature +200°C T STG
Storage Temperature
−65to +150
°C
R TH(j-c)
Junction-Case Thermal Resistance 2.0°C/W
SD1528-08
1.Collector 3.Emitter
2.Base
THERMAL DATA
November 1992
1/4
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (T case =25°C)Symbol
Test Conditions
Value
Unit
Min.
Typ.
Max.
P OUT f =1025—1150MHz P IN =1.5W V CE =50V 15——W G P f =1025—1150MHz P IN =1.5W V CE =50V 10——dB ηc
f =1025—1150MHz P IN =1.5W
V CE =50V
30
—
—
%
Note:
Pulse Width
= 10µSec,
Duty Cycle
= 1%
STATIC
Symbol
Test Conditions
Value
Unit
Min.
Typ.
Max.
BV CBO I C =10mA I E =0mA 65——V BV CES I C =25mA V BE =0V 65——V BV EBO I E =1mA I C =0mA 3.5——V I CES
V CE =50V
I E =0mA
—
—
2
mA
DYNAMIC
TYPICAL PERFORMANCE
POWER OUTPUT vs POWER INPUT POWER OUTPUT vs FREQUENCY
SD1528-08
2/4
TEST CIRCUIT
C1:1000µF Electrolytic C2:680pF Chip Capacitor C3:120pF Chip Capacitor
C4:
0.6-4.5pF Johanson Gigatrim
L1:61/2Turns,#22AWG on a #30Drill Bit Z
:Printed Transmission Line,Length =1.91”
Board :Er =2.5,.034”Thick All Dimensions are in Inches.
IMPEDANCE DATA
TYPICAL INPUT IMPEDANCE
TYPICAL COLLECTOR LOAD
IMPEDANCE
SD1528-08
3/4
SD1528-08
PACKAGE MECHANICAL DATA
Ref.:Dwg.No.12-0105
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