电源设计-PowerEsim
开关电源的原创pspice仿真_分析解析
在介绍的过程中，如果对Pspice的具体操作有疑惑 我们随时可以切换到Pspice界面进行
3 2009
SWJTU
SMPS Pspice Simulations
----直流稳态工作点分析
TAEC已经从SSA的复杂的数学推导中得以简化 在建立平均等效模型后，电容开路，电感短路，进行直流工作点分析
PARAMETERS:
Rc = 50m R = 20
d Vd DC = 0.5 AC = 1
控制的输出的交流特性分析
9
2009
SWJTU
SMPS Pspice Simulations
Tea or Coffee! No! 眼睛大可不必离开屏幕 双极点 ESR零点 右半平面零点
我不 相信！
10
2009
----Pspice还可以做的
参数扫描 观察系统与某一个参数的特性 蒙特卡罗分析 是一种统计模拟方法，是在给定电路元器件参数容差的统计分布规律 的情况下，用一组组伪随机数求得元器件参数的随机抽样序列
SWJTU
SMPS Pspice Simulations
----交流特性分析
加入交流小信号 严密的数学推导
8
2009
SWJTU
SMPS Pspice Simulations
看下Pspice的表现？ ----需要做的仅仅是加入AC信号，设定频率扫描范围
RL 1 20m 10uH valu e={v(vc)*v(d )*R/(R+Rc)} Vg DC = 5 AC = 0 G_0 _1 valu e={i (l )*v(d)} vc C 220uF 0 Rc {Rc} R {R} L 2 E_2 _0
SWJTU
新手初次设计反激电源式电源？手把手教你步骤
新手初次设计反激电源式电源？手把手教你步骤准备 在初次设计电源之前，应确保电源所采用的印刷电路板符合Power Integrations器件数据手册中指定的布局指南。
如果在实验用面包板或原始样板上搭建设计的电路，会引入很多寄生元件，这样会影响电源的正常工作。
而且，许多实验用面包板都无法承载开关电源所产生的电流水平，并可能因而受损。
此外，在这些电路板上非常难以控制爬电距离和电气间隙。
所需设备 在本课程中，您将用到以下设备： 1.一个隔离式交流电源供应器或一个自耦变压器 2.一个瓦特表 3.至少四个数字万用表，其中两个具有高精度电流量程 4.一个带有高压探针的示波器 5.一个电流探针 6. 还有您的实际负载 术语 本文将频繁使用的两个术语是“稳压”和“自动重启动”。
当电源处于稳压状态时，控制器持续接收反馈，所有输出电压均保持稳定不变，并处于指定的容差限值内。
自动重启动是Power Integrations器件中内置的一种保护模式。
处于稳压状态的输出 自动重启动 在工作期间，如果所消耗的功率大于电源所能提供的功率限值，或者在启动后，电源的输出电压在指定的时间内不能达到稳压，Power Integrations器件将进入自动重启动保护模式。
这种设计通过限制电源在故障情况下提供的平均功率，可防止元件受损。
在测试期间，如果发现电源性能与本课程中所描述的情况不符，或者表现出任何异常特征，请停止测试程序，并参照其他PI大学故障诊断课程中的内容排查问题，或者联系当地PI代表解决问题。
设计信息 现在就可以开始测试了。
下面，我们将以使用TinySwitch -PK器件的RD-1151参考设计电路板为例进行讲解。
该电源用于DVD播放器，可提供7.5 W的连续输出功率，峰值功率为13 W。
连续输出功率分为四路输出，它们包括： 3.3 V，500 mA 5 V，500 mA 正12 V，250 mA 负12 V，30 mA 目测 设计之前，应先目测检查电路板，确保所有极性组件都已正确插装。
开关电源仿真设计软件选择
开关电源仿真设计软件选择开关电源仿真设计软件当前国内用于开关电源仿真设计的软件主要有，beknowned和大家一起探讨使用，主要交流网站当属21dianyuan的BBS,好多大牛在此呢，beknowned 得到不少的帮助。
Matlab中SimPowerSystem电力电子工具箱可以对开关电源结构简单仿真，beknowned一直在用的，很多强大的功能要慢慢体会和挖掘。
我试想总有一天，所有软件都具备与MATLAB的接口，使其成为数据分析的行业标准。
pspice属于元件级仿真，模型采用spice通用语言编写，移植性强，常用的信息电子电路，是它最适合的场合，缺点是收敛性有时不易做到收敛，但可以创建元件模型库用于自己设计。
每种软件都号称自己在某方面最强，做的最好。
在此beknowned 向大家推荐《开关电源仿真 PSpice和SPICE3应用》一书，非常详细介绍如何用 pspice 进行开关电源设计。
saber可以进行元件级仿真，也可以进行系统级仿真，模型采用mast语言编写，器件模型的电压电流范围宽，因此适合于功率电路。
另外，仿真器采用五种算法，可极大提高收敛性，对于脉冲式电路，可以极大缩短仿真时间，节省系统资源，因此很适合用于开关电源的仿真，21dianyuan论坛里讨论的也比较多~saber仿真开关电源比较方便,里面有好多PWM集成IC 如uc3842 、tl6561。
事实上，Saber最早是针对电源设计领域开发的。
它具有大量的电源专用器件和功率电子器件模型，并提供高精度的电路仿真模型单元库。
欢迎各位网友和beknowned 一起探讨saber软件的使用。
PI Expert支持HiperPFS?的升压拓扑结构设计支持HiperTFS?的双开关正激拓扑结构设计现在提供采用EMI屏蔽技术的LinkSwitch-II器件的变压器构造支持LinkSwitch-PH和LinkSwitch-PL的反激式拓扑结构设。
怎样用好powermosfet
简介MOSFET是Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor的首字母缩写,它在电子工业高频、高效率开关应用中是一种重要的元件.而POWER MOSFET 是在二十世纪80年代开始被运用的.主要参数VDSS: D极-S极所能承受电压值,主要受制内藏逆向二极管的耐压,与温度成正比.VGSS: G极-S极所能承受电压值.ID: 元件所能提供最大连续电流,会随温度的升高而降低.IDM: 元件所能承受瞬间最大电流.会随温度升高而降低,体现一个抗冲击能力. PD: 元件上所能承受电功率.计算公式PD(MAX)=(TJ-TC)/RØJC.BVDSS: 最小值等于VDSS.VGS(th): 使POWER MOSFET导通的门槛电压.数值愈高,代表耐杂讯能力愈强,但是如此要使元件完全导通,所需要的电压也会增大.与温度成反比.IGSS: 在栅极周围所介入的氧化膜的泄极电流,愈小愈好.当所加入的电压,超过氧化膜的耐压能力时,会使元件遭受破坏.IDSS: 即泄漏电流,通常很小,但是有是为了确保耐压,在晶片周围的设计,多少会有泄漏电流成份存在,此最大可能达到标准值10倍以上,与温度成正比.RDS(ON): 导通电阻值.低压POWER MOSFET导通电阻是由不同区域的电阻所组成的.为了降低导通电阻值,MOSFET晶片技术上朝高集积度迈进,在制程演进上,TRENCH DMOS以其较高的集积密度,逐渐取代PLANAR DMOS成为MOSFET制程技术主流.与温度成正比.VSD: MOS判断时内藏逆向二极管的正向电压降.Qg: G极总充电量.Qgs: G极-S极充电电量.Qgd: G极-D极充电电量.Ciss: 在截止状态下的栅极输入电容.CISS=CGS+CGD.Coss: D极-S极的电容量,也是内藏三极管在逆向偏压时的容量.Crss: D极-G极的电容量.此对于高频切换动作最有不良影响,CGD愈小愈好.td(on):导通延迟时间.从有输入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间.tr: 上升时间.输入电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间.td(off): 关断时间.输入电压下降到90%开始到VDS上升到其关断电压10%时的时间.tf: 下降时间.输入电压VDS从10%上升到其幅值90%的时间.ISD: 最大值等于ID.ISM: 最大值等于IDM.EAS: 单次脉冲雪崩击穿能量;计算公式=1/2LI2{V(BR)DSS/(V(BR)DSS-VDD)}选用原则实际选用时应考虑最坏的条件.如沟道温度TCH从50O C提高到100O C时,推算故障率将提高20倍.实际沟道温度不应超过125O C.1)选择时,如果工作电流较大,则在相同器件额定参数下尽可能选用正向导通电阻(RDSON)小和结电容(CISS)小的MOSFET.2)器件的额定电压值/电流值应高于实际最大电压值/电流值20%;功耗值应高于实际最大功耗的50%.应用实例1)DC-DC直流变换电路设计参数:Vds max=50VIpk=3Afsw=130KHzDon max=Vdr=7VTØ=75O CMOSFET漏-源极最大电压Vds应该满足:Vds>Vds max>(Vi max+Vf)* MOSFET漏极连续最大电流Id应满足:Id>Ipk*可选用MOSFET HS15N10DA,栅极电阻Rdr=10R,其参数为:Vds=100V; Id=15A; Vgs th=3V; Rds on=; Ciss=890pF; Qg=13nC; Qgs=; Rthja=110O C/W; Tj max=150O C.验证:Pon=Rds on*Don max*I2pk/3=;Psw=Qgs*Rdr*Vds max*Ipk*fsw/(Vdr-Vgs th)=;Poff=Ciss*Vds max2*fsw/2=;Pgate=Qg*Vdr*fsw=;Pmax=(Tj max-TØ)/Rthja=;总功率Ptotal max=Pon+Psw+Poff+Pgate= > Pmax=需要加装足够大的散热器使用.2)AC-DC反激式开关电源设计参数Ui=85-265Vac;47-63HzUo=12VdcIo=Po=15Wη>80%Rip<100mVTem=0-40O CMOSFET参数计算:Vds= Vin damax+VF(变压器反射电压)+VL(漏感)= Vin acmax√2+Vs*(Np/Ns)+VL=529V;Id=Ip max=2pin/Dmax*Vin acmin√2=根据计算和高于实际值20%的选用原则,可选用Id>,Vds>634V的MOS.但考虑到功率损耗(实例1)DC-DC变换计算同样适用),可以选用Rds on更小的HS4N60FA.3)同步整流电路同步整流管也是工作在开关状态(其开关频率与开关管相同)，但因同步整流管工作于零电压(V GS≈0V)状态，其开关损耗可忽略不计。
SwitchPowerSupply电源设计精讲
1 目的希望以簡短的篇幅，將公司目前設計的流程做介紹，若有介紹不當之處，請不吝指教.2 設計步驟:2.1 繪線路圖、PCB Layout.2.2 變壓器計算.2.3 零件選用.2.4 設計驗證.3 設計流程介紹(以DA-14B33為例):3.1 線路圖、PCB Layout 請參考資識庫中說明.3.2 變壓器計算:變壓器是整個電源供應器的重要核心，所以變壓器的計算及驗証是很重要的，以下即就DA-14B33變壓器做介紹.3.2.1 決定變壓器的材質及尺寸:依據變壓器計算公式Gauss x NpxAeLpxIp B 100(max ) ➢ B(max) = 鐵心飽合的磁通密度(Gauss)➢ Lp = 一次側電感值(uH)➢ Ip = 一次側峰值電流(A)➢ Np = 一次側(主線圈)圈數➢ Ae = 鐵心截面積(cm 2)➢B(max) 依鐵心的材質及本身的溫度來決定，以TDK FerriteCore PC40為例，100℃時的B(max)為3900 Gauss ，設計時應考慮零件誤差，所以一般取3000~3500 Gauss 之間，若所設計的power 為Adapter(有外殼)則應取3000 Gauss 左右，以避免鐵心因高溫而飽合，一般而言鐵心的尺寸越大，Ae 越高，所以可以做較大瓦數的Power 。
3.2.2 決定一次側濾波電容:濾波電容的決定，可以決定電容器上的Vin(min)，濾波電容越大，Vin(win)越高，可以做較大瓦數的Power ，但相對價格亦較高。
3.2.3 決定變壓器線徑及線數:當變壓器決定後，變壓器的Bobbin 即可決定，依據Bobbin 的槽寬，可決定變壓器的線徑及線數，亦可計算出線徑的電流密度，電流密度一般以6A/mm 2為參考，電流密度對變壓器的設計而言，只能當做參考值，最終應以溫昇記錄為準。
3.2.4 決定Duty cycle (工作週期):由以下公式可決定Duty cycle ，Duty cycle 的設計一般以50%為基準，Duty cycle 若超過50%易導致振盪的發生。
PowerMaster 智能高频开关电力操作电源 技术手册
PowerMaster智能高频开关电力操作电源技术手册资料版本V5.0归档日期2008-07-02BOM编码 31020944艾默生网络能源有限公司为客户提供全方位的技术支持，用户可与就近的艾默生网络能源有限公司办事处或客户服务中心联系，也可直接与公司总部联系。
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艾默生网络能源有限公司地址：深圳市南山区科技工业园科发路一号邮编：518057公司网址：客户服务热线：0755-********E-mail: info@目录第一章系统简介 (1)1.1 系统特点 (1)1.2 型号说明 (1)1.3 系统结构 (1)1.3.1 分屏柜系统结构 (2)1.3.2 一体柜系统结构 (3)1.4 工作原理 (4)1.4.1 系统工作原理 (4)1.4.2 交流输入配电部分工作原理 (5)1.4.3 直流输出馈电部分工作原理 (5)1.5 系统技术参数 (6)第二章充电模块 (7)2.1 型号说明 (7)2.2 工作原理 (7)2.3 主要功能 (8)2.4 HD系列模块 (8)2.4.1 HD22010-3、HD22020-3、HD11020-3、HD11040-3模块 (8)2.4.2 HD22005-3A、HD11010-3A模块 (11)2.5 ER系列模块 (14)2.5.1 型号说明 (14)2.5.2 工作原理 (14)2.5.3 主要功能 (14)2.5.4 模块外观 (15)2.5.5 性能参数 (17)第三章监控系统 (18)3.1 PSM-E20监控系统 (18)3.1.1 组成结构 (18)3.1.2 监测的信号量 (19)3.1.3 功能 (19)3.1.4 参数设置范围及默认值 (22)3.2 PSM-E11监控系统 (23)3.2.1 组成结构 (23)3.2.2 监测的信号量 (24)3.2.3 功能 (25)3.2.4 参数设置范围及默认值 (25)3.3 PSM-E01 和PSM-E02监控系统 (25)3.3.1 系统监测的信号量 (25)3.3.2 功能 (26)3.3.3 外观及结构 (26)3.3.4 监控模块器件清单 (28)3.3.5 参数设置范围及默认值 (28)第四章系统部件 (30)4.1 绝缘监测仪 (30)4.1.1 工作原理 (30)4.1.2 功能特点 (30)4.1.3 技术参数 (31)4.2 电池监测仪 (31)4.2.1 外观结构 (31)4.2.2 功能 (32)4.2.3 技术参数 (32)4.3 交流自动切换盒 (33)4.3.1 工作原理 (33)4.3.2 技术参数 (33)4.4 电压调节器 (34)4.4.1 工作原理 (34)4.4.2 外观结构 (34)4.4.3 性能指标 (35)4.4.4 功能 (35)第五章插框系统 (37)5.1 EDCF-1插框系统 (37)5.1.1 外观结构 (37)5.1.2 系统功能 (38)5.1.3 系统技术参数 (38)5.2 KZD110/220-A插框系统 (39)5.2.1 外观结构 (39)5.2.2 系统功能 (40)5.2.3 系统技术参数 (41)第六章壁挂式电源系统 (42)6.1 工作原理 (42)6.2 主要特点 (42)6.3 系统组成 (43)6.4 技术参数 (44)附录一系统接线方案 (45)第一章系统简介 1第一章系统简介本章介绍了PowerMaster智能高频开关电力操作电源系统的特点、型号说明、结构、工作原理及技术参数。
无穷大功率电源MATLAB仿真设计
无穷大功率电源供电系统实验目的：1.理解掌握无穷大功率电源供电系统2.通过MATLAB的电力系统工具箱，对无穷大功率电源供电系统进行建模，并观察分析其波形。
实验容：图2.1无穷大功率电源供电系统其模型模块名提取路径SimPowerSystems/Eletrical Sources 无穷大功率电源10000 MV·A,110kV Source三相并联RLC负荷模块5MW SimPowerSystems/Elements串联RLC支路Three⁃SimPowerSystems/ElementsPhaseParallel RLC Branch双绕组变压器模块Three⁃SimPowerSystems/ElementsPhaseTransformer (TwoWindings)SimPowerSystems/Elements 三相故障模块Three⁃ PhaseFaultSimPowerSystems/Measurements 三相电压电流测量模块Three⁃PhaseV⁃ I Measurement示波器模块Scope Simulink/Sinks电力系统图形用户截面Powergui SimPowerSystems（2）参数设置电源模块图2.2：变压器模块图2.3，2.4图2.3图2.4输电线路模块图2.5:图2.5 三相电压电流测量模块图2.6：三相电路故障模块图2.7：图2.7 并联RLC模块图2.8：图2.8示波器模块图2.9：图2.9图3.8 算法模块图3.9：图3.9单项接地：故障模块3.10：图3.10 对于测量模块和三相模块相同。
小功率电源无Y电容EMI设计经典
小功率电源无Y电容EMI设计经典EMI（Electromagnetic Interference）是指电子设备在工作过程中产生的电磁波辐射，可能对设备本身或周围其他电子设备产生干扰。
在小功率电源设计中，为了降低EMI引起的问题，往往需要考虑EMI 过滤器的设计。
而Y电容则是EMI过滤器中常用的一个元件，它可以帮助抑制高频噪声和电磁波辐射。
然而，在一些情况下，在小功率电源设计中可能并不需要使用Y电容来进行EMI设计。
以下是一些不需要使用Y电容的经典小功率电源EMI设计方法：1.使用低漏电电感器：漏电电感器主要用于限制电流漏到接地中，减少EMI辐射。
在小功率电源设计中，选择具有低漏电电感值的电感器，可以降低EMI辐射。
2.使用滤波电感器：滤波电感器用于滤除高频噪声和电磁波辐射。
设计时应选择合适的滤波电感器，并将其放置在合适的位置，以有效地减少EMI辐射。
3.使用电源线滤波器：电源线滤波器可以在电源线上增加滤波元件，减少电源线上的EMI辐射。
通过选择合适的电源线滤波器，并将其正确连接到电源线上，可以有效地降低EMI辐射。
4.使用地线和避雷器：连接到地线的合适导线不仅可以提供电路的接地保护，还可以减少EMI辐射。
在设计中应注意正确选择地线材料，并将其连接到合适位置。
此外，避雷器也可以用于降低电路中的电磁干扰。
5.设计良好的PCB布局：正确的PCB布局是EMI设计的关键。
应避免高频信号和低频信号之间的干扰，使用地平面和供电平面来分隔信号线和电源线，并通过合适的阻抗匹配来减少EMI辐射。
总之，在小功率电源设计中，使用合适的EMI设计方法可以有效地降低EMI辐射。
虽然Y电容是EMI过滤器设计中常用的元件，但在一些情况下，并不需要使用Y电容，而是可以通过其他方法来达到EMI设计的目的。
因此，在具体的设计中，需要根据具体情况进行综合考虑，选择最适合的EMI设计方案。
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点击试试PowerEsim（）電源設計13.1 什么是電源設計?磁性元件建造器是一个十分有用的磁性元件设计软件。
它是一种工具能让用户透过选择不同的铁氧体磁体,轴装方式和卷绕方法来创造他们自己的磁性元件零件。
工程制图会自动地产生,从而减少用户的工作负担。
只要卷绕的数目是相同,所有变压器的构建可以储存和重新使用在电源上。
13.2 如何开始使用磁性元件建造器？(没有设计)点选 "磁性元件建造器"13.3 界面介绍 (独立工具)1.选择应用的磁性零件2.输入应用的操作条件3.推荐的变压器4.一般功能PowerEsim是一个免费的基于Web的软件，提供电源（SMPS）设计，变压器设计，防磁设计，损耗分析，热分析，電源設計，波形分析，平均无故障时间分析，BOM表的建设，深静脉血栓形成的分析和电源（SMPS）的优化。
点击试试PowerEsim（）13.3.1 选择应用的磁性零件点选"磁性元件创造器", 选择应用的磁性零件.開始变压器設計∙反激式变压器∙正激式重置∙正激式变压器∙有源钳位∙连续导电式功率因数校正式扼流圈∙不连续导电式功率因数校正式扼流圈∙半桥式变压器∙全桥式变压器∙推挽式变压器∙高频功率电感器∙降/升压式扼流圈∙升压式扼流圈∙降压式扼流圈∙输入扼流圈∙输出扼流圈∙共模扼流圈∙电流变压器13.3.2 输入应用的操作条件用户可以点选左面的选框选择交流/直流输入"交流输入" 或"直流输入", 亦可以从本文框输入最大输入和最低输入电压。
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点击试试PowerEsim（）用户可以在相对应的文本框输入所需要的输出电压和电流。
然后按"建议变压器" 预览设计样本。
点选"默认设置"可返回初始化设定点选"O/P"左/右面的+和-按钮可以增加或减少输出数目,最大输出数目是根据用户的应用,限制范围于1至5之间。
增加了的输出亦可以由用户在相对应的文本框输入所需要的输出电压和电流点选频率数值可以改变操作频率。
PowerEsim可根据所需求的操作频率,建议一个合适的高频变压器。
点击"更多..."可以在文本框输入所需的操作频率。
在文本框中输入数值来改变可以操作频率。
点选";core",请参阅## REFER3REFER##。
点选紫色框内的图片，用户可以浏览制造商的网站。
点选"默认设置"可返回初始化设定PowerEsim是一个免费的基于Web的软件，提供电源（SMPS）设计，变压器设计，防磁设计，损耗分析，热分析，電源設計，波形分析，平均无故障时间分析，BOM表的建设，深静脉血栓形成的分析和电源（SMPS）的优化。
点击试试PowerEsim（）点选按钮"说明"可以参阅用户手册。
点选"套用"更新设定。
13.3.3 一般功能点选"确定"将变压器加入零件表。
点选"储存"将变压器的文件保存到用户的电脑。
请参阅#REFER16REFER##13.3.4 推荐的变压器点选"Core"按钮,可以选择磁芯的形状,物料和制造商。
请参阅3 零件搜寻器在左面L0 = 的文本框可输入新的数值改变L0。
点选"用...保持L0"让用户选择设定,以确保所要求变压器的电感值L0。
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点选" 套用" 更新设定。
当勾选保持线圈比例左面的选框,然后改变变压器卷绕的数目,图像中的变压器卷绕的数目也会随之更新。
点选单词"清漆" 按钮可以选择清漆的类型和制造商。
点选单词"UL绝缘系统" 按钮可以选择制造商。
点击图片,用户可以前往制造商的网站。
点选"说明"按钮,可以参阅用户手册。
点选"套用"按钮确认设置。
点选"关闭"按钮关闭该页面。
点选"导线= " 或"胶纸= ", "清漆", "UL绝缘系统"右面的图片,用户能够浏览制造商的网站.点选"增加初级" 按钮来增加初级绕组点选"增加次级"按钮来增加次级绕组。
点选"X"在该绕组的左/右面，以删除该绕组。
在图中的文本框输入数值可以改变该绕组的卷绕数目。
在文本匡框内输入数值可以改变卷绕的数目。
點選"進階"開啟"磁性元件建造器 - 捲繞結構"頁面,進一步實現變壓器。
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点击试试PowerEsim（）13.3.4.1 进阶页面1.顶栏2.绕组结构3.变压器的预览图4.变压器详细设置和一般功能13.3.4.1.1 顶栏在文本框内输入数值，可以改变使用的并联或寸联变压器数目。
左面的资料"变压器损秏"，"受压"，和" Bm"也会随之改变。
1."变压器损秏" 指所有变压器的损耗。
2."fs"是主开关平均转换频率。
3."受压" 变压器运作压力,包括损耗。
4."Bm" 是变压器的峰值磁通密度.点选红色框内的单词，开启变压器测试器页面。
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点击试试PowerEsim（）∙点选黄色框内的单词，开启变压器的损耗及受压分析摘要页面。
变压器测试器页面：用户可以在变压器测试器页面通过输入数值改变操作条件。
∙点选复选框可以使用推荐值，一些条件将会锁定。
∙当修改完毕后，请在右面按"重新计算"，更新改变。
变压器的结果将会改变。
∙点选"说明"可以参阅用户手册。
请参阅16 输入谐波变压器的损耗及受压分析摘要页面点选复选框,用户可以选择制造商。
当选定供应商后，点选图片，用户可以浏览制造商网站。
点选图片,可以索取样板或报价，请参阅16 输入谐波PowerEsim是一个免费的基于Web的软件，提供电源（SMPS）设计，变压器设计，防磁设计，损耗分析，热分析，電源設計，波形分析，平均无故障时间分析，BOM表的建设，深静脉血栓形成的分析和电源（SMPS）的优化。
点击试试PowerEsim（）∙点选右面"确定"，更新设定∙点选"取消"，关闭页面∙点选"说明"，用户可以参阅用户手册，请参阅16 输入谐波13.3.4.1.2 绕组结构变压器的进阶设置可在＆QUOT;绕组结构＆QUOT;页面内设定1.改变电感2.改变磁芯形状3.绕线4.清漆和UL系统13.3.4.1.2.1 改变电感∙界面中显示电感值。
在左边的文本框内可以更改电感值。
∙电感值与线圈数目和气隙长度有关。
用户可以利用我们的系统来改变这些参数，从而建造所需的电感。
用户可以点选复选框设定要求。
然后点选"套用"来改变。
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请参阅3 零件搜寻器13.3.4.1.2.2 改变磁芯形状选择的磁芯的信息如下图所示，用户可以点选按钮改变这些信息。
当点选"改变磁芯形状"，用户可以看到如下界面。
用户可以点选右侧的"磁芯材料"按钮来选择不同的磁芯材料。
请参阅3 零件搜寻器13.3.4.1.2.3 绕线13.3.4.1.2.3.1 改变线圈数目用户可以在文本框内输入线圈数目值，然后绿色框内的数值将会随之改变。
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点击试试PowerEsim（）13.3.4.1.2.3.2 改变导线和线圈数目用户也可以点选导线产看详情。
当点选导线后，用户可以打开"零件搜寻器"。
请参阅3 零件搜寻器13.3.4.1.2.3.3 改变线圈等级当用户移动鼠标到线圈时，可以点选并改变线圈等级。
13.3.4.1.2.3.4 R dc+ac用户可以在文本框内输入线圈数目值，然后绿色框内的数值将会随之改变。
13.3.4.1.2.3.5 绕线详细信息点选"更多"按钮查看绕线详细信息。
绕线信息分为"线圈信息"和"一般信息"两部分。
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点击试试PowerEsim（）13.3.4.1.2.3.5.1 N0资料1. 点选右侧箭头可以改变线圈数目和导线。