模电内容复习
模拟电子技术复习资料
《模拟电子技术》复习资料一.选择题1.1在单级共射极放大电路中，输入电压信号和输出电压信号的相位是 B 。
A.同相B.反相C.相差90º1.2在单相桥式整流（有滤波时）电路中，输出电压的平均值U O与变压器副边电压有效值U2应满足 D 关系。
A.U0=0.45U2B.U0=1.4U2C.U0=0.9U2D.U0=1.2U21.3半导体的特性不包括 D 。
A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.遗传性1.4在分压式偏置放大电路中，除去旁路电容C E，下列说法正确的是 D 。
A.输入电阻减小B.静态工作点改变C. 电压放大倍数增大D.输出电阻不变1.5晶体三极管内部结构可以分为三个区，以下那个区不属于三极管的结构 B 。
A.发射区B.截止区C.基区D.集电区1.6集成运放制造工艺使得同类半导体晶体管的 C 。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C．参数一致性好1.7工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压U BE和集电结电压U BC应为 A 。
A. U BE>0，U BC<0B. U BE>0，U BC>0C. U BE<0，U BC<0D. U BE<0，U BC>01.8在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为 A 。
A. 1.4VB. 4.6VC. 5.3VD. 6V1.9在PN结中由于浓度的差异，空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就是 A 。
A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动1.10在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为 C 。
A. 1.4VB. 4.6VC. 0.7VD. 6V1.11半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为 B 。
A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动1.12二极管的用途不包括 D 。
模电复习资料
总复习第1章 直流电路一、电流、电压、电位参考方向与实际方向关系在电路分析中，我们常在电路中选择一个点作为参考点，电路中某一点到参考点的电压就称谓这个点的电位。
参考点又称零电位点。
电路中a 、b 点两点间的电压等于a 、b 两点的电位差。
b a ab u u u -= 二、电功率电场力在单位时间内所做的功称为电功率，简称功率。
dtdWp =关联方向时：p ＞0时吸收功率，p ＜0时放出功率。
三、电压源与电流源等效变换：为了便于分析电路，常常用等效变换的方法简化或变换电路结构，但变换后的电路与原电路伏安特性不变。
实际电源模型及其等效变换 o IR U U s -=oR U I I s -= 四、简单的电阻电路串联电阻具有分压作用 并联电阻具有分流作用 五、基尔霍夫定律1、基尔霍夫电流定律（KCL ）——基尔霍夫第一定律 在任一瞬时，通过任一节点电流的代数和恒等于零。
0i =∑2、基尔霍夫电压定律（KVL ）——基尔霍夫第二定律 在任一瞬时，沿任一回路电压的代数和恒等于零。
0u =∑任意设定回路绕行方向，电压参考方向与回路绕行方向一致时取正号，相反时取负号。
六、支路电流法支路电流法是以支路电流为未知量，直接应用KCL 和KVL ，分别对节点和回路列出所需的方程式，然后联立求解出各未知电流。
一个具有m 条支路、n 个节点的电路，根据KCL 可列出（n －1）个独立的节点电流方程式，根据KVL 可列出m －(n －1)个独立的回路电压方程式。
1、支路电流法2、节点电位分析法七、叠加定理：适用于线性电路八、戴维南定理、诺顿定理：适用于线性电路 九、受控源分类及表示方法第3章 交流电路一、正弦交流电：)sin(u m t U u θω+=，)sin(i m t I i θω+=振幅、角频率和初相称为正弦量的的三要素。
周期、频率、角频率：f 2T2ππω== 相位、初相和相位差 交流电的有效值、振幅：2I I m =，2U U m =二、正弦量的相量表示法)sin(i m t I i θω+=，i m j m m I e I I i θθ∠== ，I I m 2=，U U m 2= 三、KCL 、KVL 的相量形式：KCL ：0=∑I，KVL ：0=∑U 四、 单一元件参数电路在以下的推导过程中，设元件两端的电压和流过元件的电流均采用关联参考方向。
模电综合复习
模拟电子技术基本知识点复习1．半导体二极管和三极管(1)导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
(2)硅和锗是常用的两种半导体材料。
(3)纯净半导体称为本征半导体。
(4)半导体在热(或别的外能)作用下，少数价电子离开共价键，产生自由电子(以下简称电子)和空穴，这种现象称本征激发。
(5)电子带负电、空穴带正电，能自由移动，均为载流子。
(6)本征激发成对产生电子和空穴，称为电子一空穴对。
(7)电子“跳入”空穴使一对电子、空穴同时消失称为复合。
(8)温度一定时，本征激发和复合动态平衡。
(9)本征半导体中的电流，是电子形成的电流和空穴形成的电流之和，两者方向相同。
(10)硅或锗晶体中掺入五价杂质元素(如磷、砷)形成N型半导体，其多数载流子(以下简称多子)是电子，少数载流子(以下简称少子)是空穴，还有不能自由移动的正离子。
N型半导体也称为电子型半导体。
(11)硅或锗晶体中掺入三价杂质元素(如硼、铟)形成P型半导体，多子是空穴，少子是电子，还有不能自由移动的负离子。
P型半导体也称为空穴型半导体。
(12)N型半导体中的杂质原子能提供电子，称为施主杂质。
(13)P型半导体中的杂质原子因吸收电子，称为受主杂质。
(14)多子由杂质原子提供，多子浓度决定于掺杂浓度。
(15)少子由本征激发产生，少子浓度主要取决于温度。
(16)发生于N型和P型交界面，由浓度差产生的多子运动称为多子扩散运动。
(17)形成于N型和P型交界面的PN结，也称为空间电荷区、势垒区、阻挡层、耗尽层。
(18)PN结中，空间电荷形成的电位差称为势垒，形成的电场称为自建电场。
(19)自建场不利于多子扩散，有利于少子漂移。
(20)PN结没有外施电压时，多子形成的扩散电流与少子漂移形成的漂移电流大小相等、方向相反，流过 PN结的净电流为零。
即多子扩散与少子漂移动态平衡。
(21)当N区和P区掺杂浓度不相等时，浓度高的一侧，其耗尽层宽度小于浓度低的一侧，这种PN结称为不对称PN结。
模电各章重点内容及总复习带试题和答案综述
《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。
6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
其死区电压：S i管约0。
5V，G e管约为0。
1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。
其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.3 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。
三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。
是硅管。
b 、二极管反偏截止。
f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。
模电必考知识点总结
模电必考知识点总结一、基本电路理论1. 电路基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律、电路中的功率计算等基本电路定律是模拟电子技术学习的基础，了解和掌握这些定律对于学习模拟电子技术是非常重要的。
2. 电路分析了解如何对电路进行简化、等效电路的转换、戴维南定理和诺依曼定理等电路分析的基本方法。
3. 电路稳定性掌握电路的稳定性分析方法，包括如何对直流放大电路和交流放大电路进行稳定性分析。
4. 传输线理论了解传输线的基本特性，包括传输线的阻抗、反射系数、传输线的匹配等知识。
二、放大电路1. 二极管放大电路了解二极管的基本特性和放大电路的设计原理，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的二极管放大电路。
2. 晶体管放大电路了解晶体管放大电路的基本原理和设计方法，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的晶体管放大电路。
3. 放大电路的频率响应了解放大电路的频率响应特性，包括截止频率、增益带宽积等相关知识。
4. 反馈电路掌握反馈电路的基本原理和分类，了解正反馈和负反馈电路的特点和应用。
三、运算放大电路1. 运算放大器的基本特性了解运算放大器的基本特性，包括输入输出阻抗、放大倍数、共模抑制比等相关知识。
2. 运算放大器的电路应用了解运算放大器在反馈电路、比较电路、滤波电路、振荡电路等方面的应用，掌握运算放大器的基本应用方法。
四、滤波器电路1. RC滤波器和RL滤波器了解RC滤波器和RL滤波器的基本原理、特性和应用，包括一阶和二阶滤波器的设计和性能分析。
2. 增益电路和阻抗转换电路掌握增益电路和阻抗转换电路的设计原理和方法，了解它们在滤波电路中的应用。
3. 模拟滤波器设计了解低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻（陷波）滤波器的设计方法和特性，掌握模拟滤波器的设计技巧。
五、功率放大电路1. BJT功率放大电路了解晶体管功率放大电路的基本原理和设计方法，包括类A、类B、类AB和类C功率放大电路的特点和应用。
模电重点总结复习必备
混合型等效电路
简化的混合型等效电路
场效应管等效电路
其中：gmugs是压控电流源，它体现了输入电压对输出电流的控制作用。
—
-
+
+
d
g
s
gs
u
u
ds
i
d
+
—
+
+
-
gs
m
u
gs
u
u
-
S
ds
g
g
d
S
d
i
运算放大器
工作在线性区时的特点
虚短 虚断
工作在非线性区时的特点
虚断
波特图
画复杂电路或系统的波特图，关键在于一些基本因子
(4)输出电阻
反馈放大电路
反馈类型的判断
负反馈对放大电路性能的影响
深度负反馈下的近似估算
反馈稳定性判断
深度负反馈条件下的近似计算
一、 估算的依据
深度负反馈：
深度负反馈条件下，闭环增益只与反馈系数有关。
由
得
方法一：
估算电压增益
方法二：
根据
将
代入上式
得
即：输入量近似等于反馈量
净输入量近似等于零
截止频率的计算方法是“时间常数法”，即根据信号传递的具体情况，求出每一个起作用的电容所在RC回路的时间常数，进而求出截止频率。
直流稳压电源
工作原理
整流
滤波
稳压
计算
(1)差模电压增益
(3)差模输入电阻
不论是单端输入还是双端输入，差模输入电阻Rid是基本放大电路的两倍。
单端输出时， 双端输出时，
等效电路法
《模拟电路》重点复习内容
《模拟电路》重点复习内容第一章半导体器件掌握：1，二极管、稳压管二极管的伏安特性。
2，三极管的输入特性、输出特性。
3，场效应管的输出特性、转移特性。
理解：1，PN结的单向导电性。
2，三极管的放大作用。
3，场效应管的放大作用。
了解：1，半导体中的两种载流子。
2，N型半导体和P型半导体以及PN结的形成。
第二章放大电路的基本原理和分析方法（重点）掌握：1，放大的基本概念；放大电路主要技术指标的含义。
2，放大电路的静态和动态、直流通路和交流通路的概念及其画法。
3，放大电路的静态工作点（Q点）求解以及动态技术指标A u,R i,R o的分析和计算。
（必考）理解：1，三极管放大电路的三种组态（共射、共集、共基）的电路组成、工作原理和性能特点。
2，场效应管组成的共源和共漏放大电路的电路组成、工作原理和性能特点。
了解：1，多级放大电路的三种耦合方式（阻容耦合、变压器耦合、直接耦合）的原理和特点。
2，多级放大电路放大倍数和输入电阻、输出电阻的估算方法。
3，场效应管放大电路与双极型放大电路相比较的特点。
第三章放大电路的频率响应掌握：1，频率响应的基本概念。
理解：1，含有一个时间常数的单管共射放大电路中f L、f H的估算方法。
2，波特图的意义和画法。
了解：1，频率失真的含义。
2，三极管频率参数的含义。
3，多级放大电路的通频带与其各级放大电路的通频带之间的定性关系。
第四章功率放大电路理解：OTL和OCL互补对称电路的组成和工作原理，最大输出功率和效率的估算。
了解：1，功率放大电路的主要特点和类型；2，集成功率放大电路的特点。
第五章集成运算放大电路（重点）掌握：1，集成运放主要技术指标的含义。
2，差分放大电路的静态工作点，以及差模电压放大倍数、差模输入电阻和差模输出电阻的计算方法。
理解：1，差分放大电路的组成和工作原理，以及差分放大电路在四种不同输入、输出方式时差分放大电路的性能特点。
2，各种电流源（镜像电流源、比例电流源、微电流源）的工作原理和特点。
模电知识点复习总结
模电知识点复习总结模拟电子技术（模电）是电子工程中的重要基础学科之一，主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。
下面是我对模电知识点的复习总结：一.基础知识1.电路基本定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。
2.信号描述与频域分析：时间域与频域的关系。
傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。
3.理想放大器：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。
4.放大器基本电路：共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。
二.放大器设计1.放大器的参数：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。
2.放大器的稳定性：稳态稳定性和瞬态稳定性。
3.放大器的频率响应：截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。
4.放大器的非线性失真：交趾略失真、交调失真、互调失真等。
5.放大电路的优化设计：负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。
三.运算放大器1.运算放大器的基本性质：增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。
2.电压放大器：非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。
3.运算放大器的应用电路：比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。
4.运算放大器的非线性失真：输入失真、输出失真、交调失真等。
四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理：输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。
2.双向可调电源的电路结构：移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。
3.双向可调电源的控制方式：串行控制和并行控制。
五.滤波器设计1.常见滤波器类型：低通、高通、带通和带阻滤波器。
2.滤波器的频率响应特性：通频带、截止频率、衰减量。
3.滤波器的传输函数：频率选择特性、阶数选择。
4.滤波器的实现方法：RC、RL、LC和电子管等。
六.可控器件1.二极管：理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。
2.可控硅：双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。
3.功率晶体管：NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。
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0.4
0.8
UBE(V)
二、输出特性 IC(mA ) 此区域满 4 足IC=IB 3 称为线性 区（放大 区）。 2
当UCE大于一 定的数值时， 100A IC只与IB有关， IC= IB 。 80 A 60A
40A 20A IB=0 12 UCE(V)
1 3
6 9
4
3
2
IC(mA ) 此区域中UCE U BE 100 A, 集电结正偏， IB>IC，UCE 0.3V 80 A 称为饱和区。 60A
IC B IE IB
C
IC
E
IE
NPN型三极管
PNP型三极管
1.3.3 晶体管的共射特性曲线
一、输入特性
UCE=0V
UCE =0.5V
IB(A)
80
UCE 1V
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V,锗管 UBE0.2~0.3V。
60 死区电 压，硅管 0.5V，锗 管0.2V。
40 20
交流通道：只考虑交流信号的分电路。 直流通道：只考虑直流信号的分电路。 信号的不同分量可以分别在不同的通道分析。
例：
对直流信号（只有+EC） +EC 直流通道 +EC RB 开路
RB C1
RC T
C2
RC
开路
对交流信号(输入信号ui)
+EC RB C1 RC T
C2
置零
交流通路
uo
短路
ui
短路
RB
输入 ui
uo 输出
EB
参考点
+EC RC C1 T RB EB
集电极电源， 为电路提供能 量。并保证集 电结反偏。
C2
+EC RC
C1 T RB EB C2
集电极电阻， 将变化的电流 转变为变化的 电压。
+EC RC C1 T
基极电源与 基极电阻
C2
使发射结正偏， 并提供适当的静 态工作点。
§1.4 场效应晶体管
场效应管与双极型晶体管不同，它是多子 导电，输入阻抗高，温度稳定性好。
场效应管有两种: 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS
1.4.2 绝缘栅场效应管:
一、结构和电路符号 S
G
D
金属铝
D
两个N区 N
P
N P型基底 SiO2绝缘层
G S
导电沟道
N沟道增强型
S
G
D D
40A 20A IB=0 12 UCE(V)
1 3
6 9
IC(mA ) 4
3
2
100A : 此区域中 IB=0,IC=ICEO 80 A ,UBE< 死区 电压，称为 60A 截止区。 40A
1 3
6 9
20A IB=0 12 UCE(V)
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=IB , 且 IC = IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCEUBE ， IB>IC，UCE0.3V (3) 截止区： UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
反向击穿 电压UBR
U
i I s (e i I s (e
qu kt
1) 1)
u UT
二极管：死区电压=0 .5V，正向压降0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0
二极管的应用举例1：二极管半波整流
ui
ui
RL
uo uo
t
t
二极管的应用举例2： ui
ui
R
uR
近似认为多子与杂质浓度相等。
1.1.3 PN 结
1）PN结的形成
P型半导体
漂移运动
内电场越强，就使漂移 运动越强，而漂移使空 间电荷区变薄。 N型半导体
内电场E
－ － － － － －
－ － － － － － － － － － － － － － － － － －
+ + + + + +
+ + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散的结果是使空间电 荷区逐渐加宽，空间电 荷区越宽。
模拟电子技术基础
1
第一章 常用半导体器件
§ 1.1 半导体基础知识
§ 1.2 半导体二极管
§ 1.3 双极型晶体管
§ 1.4 场效应管
§1.1 半导体的基本知识
1）导体、半导体和绝缘体
半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有 不同于其它物质的特点。例如： • 当受外界热和光的作用时，它的导电能
三、杂质半导体的示意表示法
－ － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体
－ － － － － － P 型半导体
杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。 但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。
0
U DS
输出特性曲线
ID
UGS>0 UGS=0 UGS<0
0 U DS
第二章 基本放大电路
§2.1 放大的概念和电路主要指标 §2.2 基本共射放大电路的工作原理 §2.3 放大电路的分析方法 §2.4 放大电路静态工作点的稳定 §2.5 单管放大电路的三种基本接法
§ 2.1 放大的概念和电路主要指标
RB EB
+EC
耦合电容
RC T RB EB
C1
C2
隔离输入输出与电 路直流的联系，同 时能使信号顺利输 入输出。
电路改进：采用单电源供电 +EC RC C1 T
可以省去
C2
RB EB
+EC RB C1 T RC C2
单电源供电电路
2.2.3 基本共射放大电路的工作原理及
波形分析
一、静态工作点
力明显变化。 • 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。
2） 本征半导体
现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们 的最外层电子（价电子）都是四个。 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为 束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自 由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以 本征半导体的导电能力很弱。
RC RL
2.3.2 图解法 1、直流负载线和交流负载线
一、直流负载线 +EC
RB RC IC UCE
UCE~IC满足什么关系？ 1. 三极管的输出特性。 2. UCE=EC–ICRC 。
EC IC RC
Q
直流 负载线
与输出 特性的 交点就 是Q点
IB UCE EC
(IBQ,UBEQ) 和( ICQ,UCEQ )分别对应于输入输 出特性曲线上的一个点称为静态工作点。 IB IBQ Q UBE UBEQ UCEQ IC Q
ICQ
UCE
§2.3 放大电路的分析方法
估算法 静态分析
图解法
放大 电路 分析 微变等效电 路法 动态分析 图解法 计算机仿真
2.3.1 直流通道和交流通道
2.本征半导体的导电机理
本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即 自由电子和空穴。
本征半导体中电流由两部分组成：
1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。
温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半 导体的导电能力越强，温度是影响半导体性 能的一个重要的外部因素，这是半导体的一 大特点。
时，发出一定波长
范围的光，目前的 发光管可以发出从 红外到可见波段的 光，它的电特性与
一般二极管类似。
§1.3 双极型晶体管
1.3.1 晶体管的结构及类型
NPN型
C
集电极 集电极
C P N P E
PNP型
B
基极
N P N
E
发射极
B
基极
发射极
集电区： 面积较大
C N P N E
பைடு நூலகம்
集电极
B
基极
基区：较薄， 掺杂浓度低
PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区 加负、N 区加正电压。
一、PN 结正向偏置
变薄 － + + + + 内电场被削弱，多子 的扩散加强能够形成 较大的扩散电流。
+
－
_
N
P
－ －
外电场
内电场
R
E
二、PN 结反向偏置 变厚
－ + + + + 内电场被被加强，多子 的扩散受抑制。少子漂 移加强，但少子数量有 限，只能形成较小的反 向电流。 +
UDS
D
G N
UGS足够大时 （UGS>VT）感 应出足够多电子， 这里出现以电子 导电为主的N型 导电沟道。
N P
感应出电子
VT称为阈值电压
UGS S
UDS
D
G N P
UGS较小时，导 电沟道相当于电 阻将D-S连接起 来，UGS越大此 电阻越小。 N