第4节_漏抗对整流电路的影响
电力电子技术复习资料_普通用卷

电力电子技术课程一单选题 (共37题,总分值37分 )1. 单相半控桥,带大电感负载,直流侧并联续流管的主要作用是(1 分)A. 防止失控现象B. 减小输出电压的脉动C. 减小输出电流的脉动D. 直流侧过电压保护2. 大大(1 分)A. dadasB. dadaC. dada3. 下列器件中为全控型器件的是()。
(1 分)A. 双向晶闸管B. 快速晶闸管C. 光控晶闸管D. 功率场效应晶体管4. (1 分)A.B.C.D.5. 单相全控桥式带电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是(1 分)A. 90°B. 120°C. 150°D. 180°6. 单相半控桥式无续流二极管带阻感性负载的整流电路中,整流晶闸管的导通角为(1 分)A. 60°B. 90°C. 120°D. 180°7. PWM斩波电路一般采用()。
(1 分)A. 定频调宽控制B. 定宽调频控制C. 调频调宽控制D. 瞬时值控制8. (1 分)A.B.C.D.9. 单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角α的移相范围是()(1 分)A. 0~90°B. 0~180°C. 90°~180°D. 180°~360°10. SPWM控制的逆变电路,输出SPWM波半周期包含25个脉冲波,设逆变器输出电压基波频率为400Hz,则电路开关管的工作频率为(1 分)A. 10kHzB. 20kHzC. 400HzD. 5kHz11. 按器件的可控性分类,普通晶闸管属于()(1 分)A. 全控型器件B. 半控型器件C. 不控型器件D. 电压型器件12. 将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是(1 分)A. 有源逆变器B. A/D变换器C. D/A变换器D. 无源逆变器13. (1 分)A.B.C.D.14.(1 分)A.B.C.D.15. 晶闸管的三个引出电极分别是()(1 分)A. 阳极、阴极、门极B. 阳极、阴极、栅极C. 栅极、漏极、源极D. 发射极、基极、集电极16. 三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差()度。
四川大学《电力电子技术》第一次作业答案

一、单项选择题。
本大题共22个小题,每小题 2.5 分,共55.0分。
在每小题给出的选项中,只有一项是符合题目要求的。
1.采用()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。
A.直流断路器B.快速熔断器C.过电流继电器2.晶闸管属于()。
A.不可控器件B.全控器件C.半控器件3.单相全控桥式整流电路,带阻感负载(L足够大)时的移相范围是()度。
A.180B.90C.1204.把交流电变成直流电的是()。
A.逆变电路B.整流电路C.斩波电路5.下面哪种功能不属于变流的功能()。
A.有源逆变B.交流调压C.变压器降压D.直流斩波6.三相半波可控整流电路的自然换相点是()。
A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30度D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60度7.如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为()。
A.700VB.750VC.800VD.850V8.单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是()。
A.0度-90度B.0度-120度C.0度-150度D.0度-180度9.在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差()度。
A.180度B.60度C.360度D.120度10.可实现有源逆变的电路为()。
A.单相全控桥可控整流电路B.三相半控桥可控整流电路C.单相全控桥接续流二极管电路D.单相半控桥整流电路11.α=()度时,三相全控桥式整流电路带电阻负载电路,输出负载电压波形处于连续和断续的临界状态。
A.0度B.60度C.30度D.120度12.变流装置的功率因数总是()。
A.大于1B.等于1C.小于113.变流器工作在逆变状态时,控制角α必须在()度。
A.0度-90度B.30度-120度C.60度-150度D.90度-150度14.三相全控桥式整流电路带电阻负载,当触发角α=0º时,输出的负载电压平均值为()。
电力电子技术题库..

杂,开关频率低 电流容量小, 耐压低, 一般中 适用于功率不超过 10kw 的电
力电子装置
第三章 整流电路
一、填空题
1、变压器漏抗对整流电路的影响是 整流电路输出电压 Ud 幅值减小 ;变压器漏抗 对逆变电路的影响是 逆变电路输出电压压 Ud 幅值增大 。 2、三相桥式可控整流电路,若输入电压为 u21=100sinwt ,电阻性负载,设控制 角 α=60°,则输出电压 Ud=82.73V 。
3
7、试说明 IGBT、GTR、GTO和电力 MOSFET各自的优缺点。 解:对 IGBT、GTR、GTO和电力 MOSFET的优缺点的比较如下表:
器件
优点
缺点
IGBT
GRT GTO
电力 MOSFET
开关速度高, 开关损耗小, 具 有耐脉冲电流冲击的能力, 通 态压降较低, 输入阻抗高, 为
电压驱动,驱动功率小 耐压高,电流大,开关特性好,
三、选择题
1、下列路中,不可以实现有源逆变有( bd ) A、三相半可控整流电路 B、三相桥式半控整流电路 C、单相桥式整流电路 D、单项双半波整流电路外接续流二极管
2、下列电路中,输入整流变压器不存在直流磁化的有( acef ) A、单相桥式整流电路 B、单相半波整流电路 C、单相双半波整流电路 D、三相半波整流电路 E、三相桥式有源逆变电路 F、单相双半波外接续流二极管
二、判断题
1、对于输入接整流变压器的可控整流电路,变压器存在直流磁化的有三相半波 整流电路、单相半波整流电路和单相双半波整流电路。 (×) 2、对于单相桥式全控整流电路,晶闸管 VT1 无论是烧成短路还是断路,电路都 可作单相半波整流电路工作。 (×) 3、单相桥式电路,反电动势负载,已知 β=60°U2=100V,E=50V,则电路处于待 逆变状态。(× ) 4、在有源逆变电路中,当某一晶闸管发生故障,失去开通能力,则会导致逆变 失败。(√) 5、变压器漏抗使整流电路和有源逆变电路的输出电压幅值均减小。 (×) 6、对于三相半波整流电路,电阻性负载,当 Id 一定时,流过晶闸管的电流有效 值 IT 随控制角 α 的增加而增加。(√) 7、对于三相半波整流电路电阻性负载,当 α =45°,U2=100V时,输出电压平均 值约为 85V。(√) 8、输出接有续流二极管的三相桥式全控桥,不可能工作在有源逆变状态。 (√) 9、下列各种变流装置中,能实现有源逆变电路的,在括号中画“ √ ”,不能的
电力电子技术智慧树知到答案2024年哈尔滨工程大学

电力电子技术哈尔滨工程大学智慧树知到答案2024年第一章测试1.以第一只晶闸管的出现作为电力电子技术诞生的标志。
A:错 B:对答案:B2.从公共电网直接得到的电能是交流的,我们不需要进行电力变换就可以直接使用。
A:对 B:错答案:B3.整流变换是由直流电能变换成固定和可调的交流电能的变换过程。
A:错 B:对答案:A4.逆变变换是由直流电能变换成固定和可调的交流电能的变换过程。
A:错 B:对答案:B5.斩波变换把幅值固定或变化的直流电变换成可调或恒定直流电。
A:错 B:对答案:B第二章测试1.按载流子(电子和空穴)参与导电的情况分单极型、双极型、混合型三种。
A:对 B:错答案:A2.能用控制信号控制开通,但不能控制关断的功率半导体器件,称为半控型器件。
A:错 B:对答案:B3.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称作维持电流。
A:对 B:错答案:A4.可关断晶闸管(GTO)是一种( )结构的半导体器件。
A:三层二结 B:五层三结 C:四层三结 D:三层三结答案:C5.电力MOSFET内部寄生了一个反向二极管,所以不能承受反向电压。
()A:对 B:错答案:A6.下面哪种器件属于电压驱动型( )A:igbtB:gtrC:scrD:gto答案:A7.擎住效应是由于IGBT中寄生的二极管造成的。
A:错 B:对答案:A8.当GTR的集电极电压升高至击穿电压时,集电极电流I C迅速增大,这种首先出现的击穿是雪崩击穿,称为A:一次击穿 B:临界饱和 C:反向击穿 D:二次击穿答案:A9.下面属于外因过电压的是A:晶闸管反向阻断恢复过电压 B:IGBT关断过电压C:电力二极管关断过电压 D:雷击过电压答案:D10.晶闸管串联工作时为了防止静态不均压,可采用并联均压电阻的办法。
A:错 B:对答案:B第三章测试1.单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是90°。
A:错 B:对答案:A2.单相桥式全控整流电路接大电感负载时,控制角α最大移相范围是120°。
电力电子简答题

电力电子简答题电力电子技术试题电力电子技术问答分析题1、晶闸管两端并联R、C吸收回路的主要作用有哪些?其中电阻R的作用是什么?答:(1)R、C回路的作用是:吸收晶闸管瞬间过电压,限制电流上升率,动态均压作用。
(2)R的作用为:使L、C形成阻尼振荡,不会产生振荡过电压,减小晶闸管的开通电流上升率,降低开通损耗。
2、实现有源逆变必须满足哪两个必不可少的条件?答:(1)要有直流电动势,其极性须和晶闸管的导通方向一致,其值应大于变流电路直流侧的平均电压。
?(2)要求晶闸管的控制角a>π/2,使Ud为负值。
7、为使晶闸管变流装置正常工作,触发电路必须满足什么要求?3、晶闸管触发的触发脉冲要满足哪几项基本要求?答:A:触发信号应有足够的功率。
?B:触发脉冲应有一定的宽度,脉冲前沿尽可能陡,使元件在触发导通后,阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。
?C:触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步,脉冲移相范围必须满足电路要求。
5、什么是逆变失败?逆变失败后有什么后果?形成的原因是什么答:指相控有源逆变电路逆变运行时,换流失败,外接电源通过晶闸管电路短路,或使电路的输出电压和直流电动势顺向连接,由于逆变电路内阻很小,形成很大的短路电流损坏器件。
(1)触发电路不可靠(2)晶闸管故障(3)电源缺相(4)β过小6、指出下图中①~⑦各保护元件及VD、Ld的名称和作用。
答:①星形接法的硒堆过电压保护;?②三角形接法的阻容过电压保护;?③桥臂上的快速熔断器过电流保护;?④晶闸管的并联阻容过电压保护;?⑤桥臂上的晶闸管串电感抑制电流上升率保护;?⑥直流侧的压敏电阻过电压保护;?⑦直流回路上过电流快速开关保护;?VD是电感性负载的续流二极管;?Ld 是电动机回路的平波电抗器;四、问答分析题1、PWM逆变电路的控制方法主要有哪几种?简述异步调制与同步调制各有哪些优点?答:(1)PWM逆变电路的常用控制方法有两种,一是计算法;二是调制法。
电力电子技术期末考试试题与答案

电力电子技术期末考试试题与答案电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态.2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。
3。
电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__. 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_.6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_.7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ .9。
对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10。
晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。
11。
逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件.12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13。
MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__.14。
电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15。
IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。
16。
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
第2章第4节 变压器漏抗对整流电路的影响_612809573

U max sin ωtdωt + C 解: i = ∫ ωLB U max = [− cos ωt ] + C ωLB
ω 换相开始时: t
所以
= α ,i = − I L ,
U max C= cos α − I L ωLB
U max i= [cos α − cos ωt ] − I L ωLB
换相结束时: ωt
换相过程中,T1、T2同时导通, i1下降, i2上升。 i2=i, i1=IL-i 忽略回路电阻时,换流过程中的电压电流满足以下微分方程: (电源压升等于漏感压降) u b − u a = L B
d i2 di di − LB 1 = 2 LB dt dt dt
3
1、换相过程中的输出电压:
di di u a + u b u L = ub − LB = u a + LB = dt dt 2
i=
ω 换相开始时: t
所以 C =
=α
,i
=0
,
U max π sin cos α ωL B m
U max π sin [cos α − cos ωt ] ωLB m
α < ωt < α + γ
换相结束时: ωt
=α +γ
,
i = IL
U max π sin [cos α − cos(α + γ )] IL = ωLB m
di u2 − u1 U max π = = sin sin ωt dt 2 LB LB m
换相期间的电流微分方程:
U max π di = sin sin ωtdωt ωLB m
8
换相期间的电流微分方程解:
《电力电子技术》第二次作业答案川大

《电力电子技术》第二次作业答案一、单项选择题。
本大题共29个小题,每小题2.0 分,共58.0分。
在每小题给出的选项中,只有一项是符合题目要求的。
1.器件在高频工作情况下,电力电子器件的损耗主要是()损耗。
( C )A.导通B.关断C.开关2.把直流变换为直流的电路叫做()电路。
( C )A.整流B.逆变C.斩波D.交流电力控制3.二极管阳极和阴极间加反向电压,其处于()状态。
( C )A.导通B.开关C.截止4.晶闸管阳极加正向电压,门极加触发信号,其处于()状态。
( A )A.导通B.开关C.截止5.对已经触发导通的晶闸管,如果阳极电流减小到维持电流以下,晶闸管是()状态。
( C )A.导通B.开关C.截止6.晶闸管的额定电流是()。
( A )A.正向通态电流平均值B.正向通态电流有效值7.当流过IGBT的电流较大时,其通态电阻具有()温度系数。
( A )A.正B.负C.零8.GTO是()驱动型器件。
( A )A.电流B.电压C.电荷9.单相全波可控整流电路带阻感负载时,晶闸管的移相范围为()。
( A )A.900B.1200C.1500D.180010.单相桥式全控整流电路带阻感负载时,输出电压波形脉动频率为()。
( C )A.1/2电源频率B.电源频率C.两倍电源频率D.三倍电源频率11.单相桥式可控整流电路带反电动势大电感负载,输出电压波形为()。
( A )A.与阻性负载时相同B.与感性负载时相同C. ED.012.单相桥式全控整流电路带反电动势大电感负载,与带大电感负载比较,输出电压()。
( C )A.增大B.减小C.不变13.三相半波可控整流电路带阻性负载,晶闸管的移相范围为()。
( C )A.900B.1200C.1500D.180014.三相可控整流电路中,α=00定义在()。
( C )A.电源相电压过零点处B.电源线电压过零点处C.电源相电压过零点后300处D.电源线电压过零点后300处15.三相半波可控整流电路带阻性负载,输出电流连续的条件是()。
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di = U max sin
ωL
π
m
sin ωtdωt
B
换相期间的电流微分方程解:
U sin π sin ωtdωt + C i=∫ ωL m U sin π [− cos ωt ] + C = ωL m
max B max B
ω 换相开始时: t
所以
=α
,i
=0
,
C =U ωL
三相桥式全控整流电路带阻感负载,R=5Ω,L=∞。 输入相电压有效值为220V,每相漏感LB=2mH。 求当α=300时的: 1. 换相压降; 2. 负载平均电压; 3. 负载平均电流; 4. 流过晶闸管的电流平均值及有效值; 5. 换相重叠角γ。 分析: 理想的输出平均电压:
U 实际的输出平均电压:U
γ
α
换相一次,输出平均电压下降:
di 1 α +γ ∆U L = ∫α LB dt dωt 2π 1 IL 1 = ∫0 ωLBdi = 2π ω LB I L 2π
'
di LB dt
ωt
u
换相压降计算公式:
L
K ∆U L = K × ∆U L = ω LB I L 2π
'
K为一个周期 内的换相次数。
mean '
mean
以后题中,给出LB时,平均电压指实际的。
1、换相压降: ∆ U
L
K ω = 2π
L I
B
L
关键是计算负载电流: L I
P
i
3
i
c
L
i
a b c
1
i
a
1 i 4
5LLb源自U2K ω LB 2π
I
U
' mean
L
R
R
6 N
U
mean
i
4
K U mean − 2π ω LB I L = R I L
max B
sin
π
m
cos α
i =U ωL
max B
sin
π
m
[cos α − cos ωt ]
α < ωt < α + γ
换相结束时: ωt
=α +γ
π
m
,
i = IL
=U I ωL
L
max B
sin
[cos α − cos(α + γ )]
换相过程的时间长短与哪些因素有关?
=U I ωL
L max B
[− cos ωt ] + C
C = U max cos α − I L
ωL
i = U max [cos α − cos ωt ] − I L
ωL
α < ωt < α + γ
B
换相结束时: ωt
=α +γ
,
i = IL
= U max [cos α − cos(α + γ )] 2I L
ωL
B
例题:
sin
π
m
[cos α − cos(α + γ )]
1、负载电流
I
L
;
2、电源变压器每相漏感 3、触发角 α ; 4、电源电压幅值
di u 2 − u1 = 2 LB dt
L
B
;
U
2
max
u − u = 2U
1
max
sin
π
m
sin ωt
换相期间的电流波形:
i = U max sin
ωL
π
m
[cos α − cos ωt ]
第四节
变压器漏抗对整流电路的影响
2.6 变压器漏抗对整流电路的影响 2.6.1变压器漏抗对换相压降的影响
换流瞬间完成
a
i
a
i i
b
b
L
换流不能 瞬间完成
c
u
a
i
L
c
U
L
对输出电压 的影响? 换流过程的时间 与哪些因数有关?
0
u
c
u
R
b
电路图
换相过程分析
T1
γ
i
1
T2
I
i
2
L
α
u
b
LB
i
~ ~
u
a
u
单相桥式全控整流电路的换相压降计算:
i
1 ~ u1 LB 4 3 L
L
I
L
换相过程中:
U
2
L
~ u1 LB
i
di − u1 = L B dt
R
u
γ
u
0
α
1
−
u
1
ωt
换相一次,输出平均电压下降:
1 ∆U L = 2π
'
∫α
α +γ
di LB dt dωt
1 1 IL 1 = ∫− I L ωLBdi = 2π ω LB × 2 I L = π ω I B I L 2π
2.7 整流电压的谐波分析
i
整流电路
L
U
L
U =U + ∑ (a sin nωt + b cos nωt )
L mean ∞ n =1 n n
1 θ2 2 负载电压有效值: rms = U ∫θ 1 U L dωt = 2π
谐波电压有效值: U R ( rms ) =
U mean + ∑U n( rms )
u
u
1
1
设:
ωt
0
− u1 = U max sin ωt
换相期间的 电流微分方程:
di = U max sin ωtdt = U max sin ωtdωt
L
B
ωL
B
解:
i = ∫ U max sin ωtdωt + C
ωL
max B
ω 换相开始时: t
所以
= α ,i = − I L ,
B
B
=U ωL
α < ωt < α + γ
B
i
i
0
α
α +γ
− cos ωt
ωt
U ωL
max B
sin
π
m
第五周(4.3) 作业:
2-15; 2-16; 2-17。
单相桥式全控整流电路的换相重叠角计算:
i
1 ~ u1 LB 4 3 L
L
I
L
U
2
L
~ u1 R LB
i
i :− I
L
I
L
换相过程中:
u
γ α
−
di − u1 = L B dt
a
t
u
LB
b
换相前,T1导通,
i =I
1
L
换相后,T2导通,
i =I
2
L
换相过程中,T1、T2同时导通, 忽略回路电阻,换流 过程的电流微分方程:
i
1
下降,
i
2
上升。
di ub − u a = 2 LB dt
1、换相过程中的输出电压:
di di u a + u b u L = ub − LB dt = u a + LB dt = 2
单相全控桥换相压降计算公式:
∆ U L = 2 × ∆U L =
'
2
π
ω LB I L
2.6.2变压器漏抗对换相重叠角的影响
以三相半波为例: T1 LB
i
1
T2
I
L
i :0
I
L
i
1
i
LB
2
γ
u ~
α
~ u2
u
1
di u 2 − u1 = 2 LB dt
u
0
2
u =U
1
max
cos(ωt +
cos(ωt −
π
m
ωt
)
)
π
3
u =U
2
π
π
3
max
m
u − u =U
2 1
) − cos(ωt + )] m m π −2 2ωt m sin = − 2U max sin 2 2
max
[cos(ωt −
π
π
= 2U max sin
π
m
sin ωt
di 上式代入: u 2 − u1 = 2 L B dt
di u 2 − u1 U max π = = sin sin ωt dt 2 LB LB m
2 2
∑U
2 n ( rms )
输出电压波纹波因数:
U r = U
V
R ( rms ) mean
Ripple