电子技术复习题及答案
电力电子技术复习资料_普通用卷
电力电子技术课程一单选题 (共37题，总分值37分 )1. 单相半控桥，带大电感负载，直流侧并联续流管的主要作用是（1 分）A. 防止失控现象B. 减小输出电压的脉动C. 减小输出电流的脉动D. 直流侧过电压保护2. 大大（1 分）A. dadasB. dadaC. dada3. 下列器件中为全控型器件的是（）。
（1 分）A. 双向晶闸管B. 快速晶闸管C. 光控晶闸管D. 功率场效应晶体管4. （1 分）A.B.C.D.5. 单相全控桥式带电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（1 分）A. 90°B. 120°C. 150°D. 180°6. 单相半控桥式无续流二极管带阻感性负载的整流电路中，整流晶闸管的导通角为（1 分）A. 60°B. 90°C. 120°D. 180°7. PWM斩波电路一般采用（）。
（1 分）A. 定频调宽控制B. 定宽调频控制C. 调频调宽控制D. 瞬时值控制8. （1 分）A.B.C.D.9. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）（1 分）A. 0~90°B. 0~180°C. 90°~180°D. 180°~360°10. SPWM控制的逆变电路，输出SPWM波半周期包含25个脉冲波，设逆变器输出电压基波频率为400Hz，则电路开关管的工作频率为（1 分）A. 10kHzB. 20kHzC. 400HzD. 5kHz11. 按器件的可控性分类，普通晶闸管属于（）（1 分）A. 全控型器件B. 半控型器件C. 不控型器件D. 电压型器件12. 将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是（1 分）A. 有源逆变器B. A/D变换器C. D/A变换器D. 无源逆变器13. （1 分）A.B.C.D.14.（1 分）A.B.C.D.15. 晶闸管的三个引出电极分别是（）（1 分）A. 阳极、阴极、门极B. 阳极、阴极、栅极C. 栅极、漏极、源极D. 发射极、基极、集电极16. 三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差（）度。
(完整版)电子技术复习题(答案)
电子技术复习题一、填空1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。
2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。
4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。
5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。
6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。
8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。
9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。
11．稳压管工作在 反向击穿 区。
12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。
13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。
14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。
15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。
16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。
17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。
18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。
19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。
20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。
21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。
22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。
23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。
电力电子技术期末复习题及其答案
第一章复习题1.使晶闸管导通的条件是什么答：当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。
2．维持晶闸管导通的条件是什么怎样才能使晶闸管由导通变为关断答：（1）维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
（2）若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能答：（1）GTO在设计时，a2较大，这样晶体管v2控制灵敏，易于GTO关断；（2）GTO导通时a1+a2的更接近于1，普通晶闸管a1+a2≥，而GTO则为约等于，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制提供了有利条件；（3）多元集成结构每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得p2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
4．如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏答：（1）一般在不用时将其三个电极短接；（2）装配时人体，工作台，电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地；（3）电路中，栅，源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高。
（4）漏，源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。
,GTR,GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点答：IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT 的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电子技术基础复习试题与答案
一、选择题：
1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( )
(A)掺入杂质的浓度、(B)材料、(C)温度
2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( )
(A)放大状态 、(B)饱和状态、(C)截止状态
3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( )
28．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A2A1A0=110时，输出 应为______。
29．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM， 该ROM有______根地址线。
30．能够实现“线与”的TTL门电路叫______。
31．差分放大电路，若两个输入信号uI1=uI2，则输出电压，uO=0； 若 u I1=100V，u I2=80V则差模输入电压uId=20V；共模输入电压uIc=90V。
参考答案
一、选择题：1、C2、C3、C4、B5、C6、C7、C8、B9、B10、A
11、C12、B13、B14、C15、B16、A17、C18、A19、C
20、C21、A22、C23、B24、A25、A
二、填空题：1、自由电子、空穴2、单向导电
3、发射结正偏、集电结反偏4、差动
5、φA +φF=2nπ（n=0、1、2……） 、AF=1
(1)静态工作点IB，IC，UCE；
(2)电压放大倍数Au。
5．已知如图VＣＣ=12V，RB=100KΩ，RW=400KΩ，RC＝4KΩ，β＝37.5，
当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 （设UBE= 0 ）。 （10分）
7．写出下图输出与输入的关系表达式：
数字电子技术复习题及参考答案
数字电子技术复习题及参考答案一、单选题1、以下式子中不正确的是（）A.1AAB.AAAC.ABABD.1A12、在数字电路中，稳态时三极管一般工作在()状态。
在图示电路中，若ui0，则三极管T(),此时uo=()A．放大，截止，5VB．开关，截止，3.7VC．开关，饱和，0.3VD．开关，截止，5V3、N个变量可以构成（）个最小项。
A.NB.2NC、2ND、2N-14、图中电路为TTL门电路，为了使输出等于，选择正确答案（）。
A．正确，错误，错误B．正确，错误，正确C．正确，正确，正确D．正确，正确，错误5、TTL门电路输入端悬空时，应视为（）；(高电平，低电平，不定）。
此时如用万用表测量其电压，读数约为（）（3.5V，0V，1.4V）。
A．不定B．高电平，3.5VC．低电平，0VD．高电平，1.4V6、一个64选1的数据选择器有（）个选择控制信号输入端。
A．6B．16C．32D．647、设计计数器时应选用（）。
A．锁存器B．边沿触发器C．同步触发器D．施密特触发器8、欲将频率为f的正弦波转换成为同频率的矩形脉冲，应选用（）。
A．多谐振荡器B．施密特触发器C．单稳态触发器D．T'触发器9、一片64k某8存储容量的只读存储器（ROM），有（）。
A.64条地址线和8条数据线B.64条地址线和16条数据线C.16条地址线和8条数据线D.16条地址线和16条数据线10、ROM必须在工作（）存入数据，断电（）数据；RAM可以在工作中（）读写数据，断电（）数据。
A.中，不丢失；随时，将丢失B.前，不丢失；随时，将丢失C.前，不丢失；随时，不丢失D.前，丢失；随时，将丢失11、若逻辑表达式FAB,则下列表达式中与F相同的是()A.FABB.FABC.FABD.不确定12、下列电路中，不属于组合电路的是：（）A.数字比较器；B.寄存器；C.译码器；D.全加器；13、不能用来描述组合逻辑电路的是：（）A.真值表；B.卡诺图；C.逻辑图：D.驱动方程；14、利用中规模集成计数器构成任意进制计数器的方法有()A.复位法B.预置数法C.级联复位法D.以上都不是15、施密特“非”门和普通“非”门电路的阈值电压分别是（）个。
(完整版)电子技术复习题及参考答案
中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术一、填空题：1。
在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体，掺入微量五价元素形成型半导体。
2。
晶体管工作在截止区时，发射结向偏置，集电结向偏置。
3.硅稳压管的工作为 _ 区。
4。
为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
5。
已知输入信号的频率为10kHz~12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
6.为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路.7.为了稳定静态工作点，应引入负反馈.8.为了稳定放大倍数,应引入负反馈。
9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈;深度负反馈的条件是。
10。
为了减小放大电路的输入电阻，应引入负反馈。
11.为了减小放大电路的输出电阻，应引入负反馈。
12.当集成运放组成运算电路时中，运放一般工作在状态。
13.在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在或状态.14.在图1所示电路中，调整管为，采样电路由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路由组成.图115。
在整流电路的输入电压相等的情况下，半波与桥式两种整流电路中，输出电压平均值最低的是整流电路.16。
直流电源由、、和四部分组成。
17。
串联型稳压电路由、、和四部分组成。
18.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用运算电路。
19。
NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是失真;乙类功放电路的主要缺点是输出有失真。
20. 比例运算电路的比例系数大于1，而比例运算电路的比例系数小于零。
21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为，相位平衡条件为。
22。
存储器按功能不同可分为存储器和存储器；23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。
24.半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是、、。
25。
某存储器容量为8K×8位，则它的地址代码应取位。
26。
将Intel2114（1K*4位）RAM扩展成为8K*4位的存储器，需要Intel2114芯片数是 ,需要增加的地址线是条。
电子技术复习题及答案
电子技术复习题一一、填空题1、右图中二极管为理想器件，题1-1V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。
2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。
3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。
4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联电压负反馈、_并联电压负反馈__、_串联电流负反馈_、并联电流负反馈。
5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。
6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。
7、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。
8、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。
9、数字信号只有 0 和 1 两种取值。
10、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是7B 。
11、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。
12、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。
13、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2)14、时序电路分为组合电路和存储电路两种。
15、.二极管的反向电流IRM越小，说明二极管的____单向导电_____性能越好。
16、交流负反馈有4种组态，若要求输入电阻高，输出电阻高，在放大电路中应引入__串联电流_______负反馈组态。
17、要稳定静态工作点，在放大电路中应引入_____直流____负反馈。
二、选择题1、离散的，不连续的信号，称为（B ）A、模拟信号B、数字信号2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。
《电子技术》期末复习试题及答案
《电子技术》期末复习试题及答案1.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和一空1答案：导体空2答案：半导体空3答案：绝缘体2.导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为o空1答案：半导体3.二极管P区引出端叫极，N区引出端叫极空1答案：正空2答案：负4.二极管的最主要特性为 o空1答案：单向导电性5.按二极管所用的材料不同，可分为二极管和二极管两类。
空1答案：硅空2答案：错6. PN结正向偏置时，P区接电源极，N区接电源极空1答案：正空2答案：负7.半导体三极管有两个PN结，分别是结和结。
空1答案：集电空2答案：发射8.硅二极管的正向管压降为 V,错二极管的正向管压降为 Vo9.硅二极管的死区电压为 Vo空1答案：0.510.半导体三极管有三个电极，分别为极、极和极。
空1答案：集电空2答案：基空3答案：发射11.三极管的三种工作状态分别是状态、和状态。
空1答案：截止空2答案：放大状态空3答案：饱和12.三极管工作在放大状态，结正偏，结反偏。
空1答案：发射空2答案：集电13.半导体三极管放大的实质是,即空1答案：控制空2答案：用较小的电流控制较大的电流14.影响放大电路的静态工作点稳定的最主要因素是的变化空1答案：温度15.分压式射极偏置电路中电容的作用是。
空1答案：隔直通交16.温度升高时，放大电路的静态工作点会上升，引起失真，温度降低时，静态工作点会下降，引起失真。
17. NPN型三极管工作在截止状态时，发射结空1答案：反偏18.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
空1答案：放大空2答案：开关19.各级放大器之间的连接方式，叫做空1答案：耦合LPN结的最大特点是（）oA.导电性B.绝缘性C.单向导电性（正确答案）D.负阻性2.半导体受光照，导电能力（）oA.增强（正确答案）B.减弱C.不变I）.不一定3.当加在硅二极管两端的正向电压从0逐渐增加时，硅二极管（）oA.立即导通B.到0. 3V才开始导通C.超过死区电压时才导通（正确答案）D.不导通4.当硅二极管加上0.4V正向电压，该二极管相当于（）。
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一、填空题1、右图中二极管为理想器件，V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。
2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。
3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。
4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。
5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。
6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。
7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。
8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。
9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。
1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。
2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是7B 。
3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。
4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。
当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为：66H 。
5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。
6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。
2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。
3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四个部分组成。
4、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。
5、三态门的“三态”指输出高电平，输出低电平和输出高阻态。
6、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2)7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间，具有这种特点的存储单元电路称为触发器。
8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。
二、选择题1、离散的，不连续的信号，称为（B ）A、模拟信号B、数字信号2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。
A．译码器B．编码器C．全加器D．寄存器3、十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ C ）个A 、16B 、2C 、4D 、84、某逻辑门的输入端A 、B 和输出端F 的波形如下图所示，F 与A 、B 的逻辑关系是：B A 、与非 B 、 同或 C 、异或 D 、或A B F6、8线—3线优先编码器的输入为70I I - ，当优先级别最高的7I 有效时，其输出012Y Y Y 的值是（ C ）A 、111B 、010C 、000D 、1017、JK 触发器在CP 作用下，若状态必须发生翻转，则应使（ B ）A 、J=K=0B 、J=K=1C 、J=O ，K=1D 、J=1，K=0 1、在本征半导体中加入（ C ）元素可形成P 型半导体。
A 、五价 B 、四价 C 、三价 D 、无法确定 2、逻辑函数F=AB+AC 的最小项表达式为（ ）。
A 、F=m 2+m 5+m 6B 、F=m 2+m 6+m 7C 、F=m 5+m 6+m 7D 、F=m 3+m 6+m 7 3、下式中与非门表达式为（ ）。
A 、Y=A+B ；B 、Y=AB ；C 、Y=B A +；D 、Y=AB4、三极管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地电位分别为：U A = 3.3V 、U B = 4V 、U C =6 V ，A 、B 、C对应的电极是（ D ）。
A 、C ，B ，E B 、B ，C ，E C 、E ，C ，BD 、E ，B ，C5、在甲类放大电路中，放大管的导通角为（D ）度。
A 、90B 、180C 、270D 、3606、理想运放的开环差模电压增益, 共模电压增益应分别为（ B ）。
A 、∞ ，∞ B 、∞ ，0 C 、0， ∞ D 、0，07、TTL 与非门的输入端在哪种接法下属于逻辑1？（ ）。
A 、 输入端接地；B 、输入端接同类与非门的输出高电压3.6V ；C 、输入端接低于0 .8V 的电源；D 、输入端接500欧姆电阻到地。
8、下面逻辑关系不正确的是：（A ）。
A 、若AB=AC ，则B=CB 、若AB=1+B ，则A=1，B=1C 、若A+B=0B ，则A=0，B=0D 、A+BC=（A+B ）（A+C ）9、逻辑电路如右图，函数式为（ A ）。
A 、F=AB +C； B 、F=AB +C ；C 、F=C AB +；D 、F=A+BC10、下面数据中最大的数是（ A ）。
A 、[269]10；B 、[107]16；C 、[10010100]2；D 、[226]8三、判断题1、放大电路的静态分析常采用图解法和小信号模型法。
﹙X ﹚2、负反馈使放大电路的增益下降，但能改善放大电路的性能。
﹙ V ﹚3、稳压管的工作区是反向击穿区。
﹙ V ﹚4、对放大电路影响最大的是环境温度的变化。
﹙﹚5、根据反馈信号与放大电路输入信号的叠加关系可分为电压反馈和电流反馈。
﹙ X ﹚二、分析简答题1、说明一下直流稳压电源的四大组成部分及每个部分的功能，并画出交流到直流的4个过程图。
1、用逻辑代数定律证明下式()A ABC ACD C D E A CD E++++=++2、用代数法化简下式()ABC B C+3、画出实现下列逻辑表达式的逻辑电路图，限使用非门和二输入与非门L AB AC=+（1）用公式法化简下列逻辑函数（5分）1 ）用公式法化简下列逻辑函数（5分）2）用卡诺图法化简：（6分）L（A,B,C,D）=∑m（0,2,3,4,6,7,10,11,13,14,15）3、判断51K电阻的反馈类型（3分）3、判断2K电阻的反馈类型（3分）BACBCBBAL+++=EFBEFBABDCAABDAADL++++++=B2、用卡诺图法化简下列逻辑函数F （A 、B 、C 、D ）＝Σm （0，1，5，7，8，14，15）＋Σd （3，9，12）3、D 触发器（如图（a ）所示）输入波形如图（b ）所示，设初始状态Q=0。
试写出D 触发器的状态方程和输出方程，并画出1Q 和2Q 端的波形。
4、求图示电路中uo 与u i1、u i2的关系，并指出电路的功能。
2 运算电路如下图所示，试推导其输出电压表达式,设R 1=R 2 , R 3=R f2、组合逻辑电路如图所示，分析该电路逻辑功能(10分)1、维持阻塞D 触发器的CP 脉冲和输入信号D 的波形如图所示，画出Q 端的波形。
说出触发器的功能R p2R P1∞ －+Δ+u ou i 1R F ∞ － +Δ+u o1RR R 1R 2u i 2&&&&G 3G 1Q 4QQG 4&G 6&G 5DDR Q 3CPC11D S RQQDS DR Q 5Q 6Au io三、计算题1、如图所示为固定偏置共射放大电路，已知U CC =20V ，R B =510k Ω，，R C =6.8k Ω，R L =6.8k Ω，β=50。
试求：1、画出放大电路的直流通路，并求出静态工作点；2、画出放大电路的交流通路及微变等效电路，并求电压放大倍数Au 、输入电阻Ri 和输出电阻R O 。
题3-1图2、用与非门设计一多数表决电路。
要求A 、B 、C 三人中只要半数人同意，则决议就能通过，但A 还具有否决权，即只要A 不同意，即使多数人同意也不能通过。
要求列出真值表、化简逻辑函数，并画出电路图。
一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1．P 型半导体中多数载流子是（ B ） A ．自由电子 B ．空穴 C ．负离子 D ．正离子2. 理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U0为（C ） A ．-10V B ．-6V C ．-4V D ．+4V3. 半导体三极管处在放大状态时是（ D ） A ．C 结反偏e 结反偏 B ．C 结正偏e 结正偏 C ．C 结正偏e 结反偏 D ．C 结反偏e 结正偏4. 测得某电路中半导体三极管各管脚的电位如题4图所示，则该管是处在（ C ） A ．放大状态 B ．饱和状态 C ．截止状态 D ．不确定状态5. 下述基本放大电路相比较，输入电阻高输出电阻低的是（ B ） A ．共射极放大电路 B ．共基极放大电路 C ．共集电极放大电路 D ．共源极放大电路6.场效应管与半导体三极管比较，场效应管是（ C ） A ．输入电阻低，输出电阻低 B ．电压控制器件C ．输入电阻低，热稳定性能好D ．输入电阻低，输入电流小 7. 为使输入电阻提高，在放大电路中应引入交流（ A ） A ．电压负反馈 B ．电流负反馈 C ．并联负反馈 D ．串联负反馈8. 下述放大电路中低频特性最好的是（ A ） A ．阻容耦合电路 B ．变压器耦合电路CP DQC．直接耦合电路 D．OTL电路9. 在双端输入的差动放大电路中，知ui1=10mv,ui2=-6mv，则共模输入信号为（ C ）A．4mv B．8mvC．10mv D．2mv11. 逻辑函数F=AB+ C的最小项表达式为（ C ）A．F（ABC）=∑m(1.3.6.7) B．F(ABC)=∑m(2.3.6.7)C．F(ABC)=∑m(1.2.6.7) D．F(ABC)=∑m(1.3.5.6)12. 逻辑函数F（ABC）=A+ C+ C的最简与或表达式为（ D ）A．F=A+C B．F=A+C．F= +B D．F= +15. 要使边沿触发型JK触发器具有Qn+1= 的功能，其输入信号必须满足（ A ）A．J=K=0 B．J=K=1C．J=1,K=0 D．J=0,K=1二、填空题（本大题共10小题，每空1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。
错填、不填均无分。
16.二极管的反向电流IRM越小，说明二极管的_________性能越好。
17.在共射、共基、共集三种组态的基本放大电路中，输入电阻最低的是_________放大电路。
18.交流负反馈有4种组态，若要求输入电阻高，输出电阻高，在放大电路中应引入_________负反馈组态。