半导体发展简史

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半导体材料发展的历程

半导体材料发展的历程

半导体材料发展的历程一、早期阶段半导体材料的发展始于20世纪初。

早期的半导体材料主要是以硒和碲等元素为基础的化合物。

这些化合物在电导率方面介于导体和绝缘体之间,因此被称为半导体。

然而,由于制备方法的限制以及材料本身的不稳定性,早期的半导体材料在实际应用中并不常见。

二、晶体管的发明20世纪40年代,晶体管的发明引领了半导体材料的发展。

晶体管是一种利用半导体材料的特性进行信号放大和开关控制的设备。

最早的晶体管是用硅和锗等材料制成的。

这些材料具有稳定的晶格结构和较高的电导率,使得晶体管能够稳定地工作在高频率下,为电子技术的发展提供了基础。

三、集成电路的诞生20世纪60年代,集成电路的诞生推动了半导体材料的进一步发展。

集成电路是将多个晶体管和其他电子元件集成在一块半导体芯片上的技术。

为了实现集成电路的制造,半导体材料的质量和稳定性提出了更高的要求。

这促使科学家不断改进制备方法,探索新的半导体材料,如硅和化合物半导体。

四、化合物半导体的崛起化合物半导体在半导体材料发展中扮演着重要的角色。

与硅相比,化合物半导体具有更高的电子迁移率,更适合高频和高速应用。

此外,化合物半导体还具有较宽的能带隙,使其在光电器件领域具有广阔的应用前景。

例如,氮化镓材料被广泛应用于发光二极管和激光器等光电器件中,其高效的发光性能为光通信和显示技术的发展做出了重要贡献。

五、新型材料的涌现近年来,随着科技的不断进步,一些新型半导体材料开始涌现。

例如,石墨烯作为一种二维材料,具有优异的电子输运性能和独特的光学特性,被认为是下一代半导体材料的候选者之一。

另外,钙钛矿材料由于其优异的光电性能,也引起了广泛的关注和研究。

这些新型材料的涌现为半导体技术的进一步发展提供了新的机遇。

六、应用领域的拓展随着半导体材料的不断发展,其应用领域也得到了广泛的拓展。

除了传统的电子器件领域,如计算机、手机和电视等,半导体材料还在能源、医疗和环境等领域发挥着重要作用。

中国半导体的发展历史

中国半导体的发展历史

中国半导体的发展历史中国半导体发展可以大致分成四个阶段:萌芽期(1956 - 1965),稳步发展期(1966 - 1978),缓滞-复苏期(1978 - 2000)以及大发展时期(2000 –至今)。

萌芽期阶段(1956 - 1965):1956年中央提出了“向科学进军”的口号,周总理亲自制定了1956 –1967年这12年的科学技术发展远景规划,把半导体、计算机、自动化和电子学这四个在国际上发展迅速而国内急需发展的高新技术列为四大紧急措施。

在此背景下,中科院半导体于1957年11月成功拉制成第一根锗单晶,并与1958年成功研制第一只锗晶体管。

锗晶体管半导体晶体管的成功研制,促成了我国晶体管计算机和晶体管收音机的诞生,在国内产生了很大的影响,那时候的收音机被叫做半导体的原因就在这里。

1958年,中国第一个半导体器件生产厂诞生,代号“109”,它就是后来中科院微电子研究所的前身。

同样是1958年,天津109厂的科研人员借助研制锗单晶的经验,自行研制了硅单晶并进行了设备调试,经过反复试验,并在7月,成功拉制成我国第一根硅单晶,成为当时继美苏之后第三个拉制出单晶硅的国家。

在此基础上,研究人员提高材料质量和改进技术工艺,并于1959年实现了硅单晶的实用化。

单晶硅随着研究的深入,我国逐步在外延工艺,光刻技术等领域取得了进展,并于1963年制造出国产硅平面型晶体管。

这些技术的成功,打下了我国硅集成电路研究的基础。

稳步发展期(1966 - 1978)到了1966年,10年风波开始。

我国工农业发展陷入大规模停滞,但我国半导体工业建设并未停下脚步。

1968年,北京组建国营东光电工厂(878厂),上海组建无线电十九厂,形成当时中国集成电路产业中的南北两强格局。

1968年,国防科委在四川永川县,成立固体电路研究所(即永川半导体研究所,现中电24所),是中国唯一的模拟集成电路研究所。

同年,上海无线电十四厂首次制成PMOS电路。

半导体行业发展历程

半导体行业发展历程

半导体行业发展历程
20世纪50年代,半导体行业开始崛起,其发展历程如下:
1. 第一代晶体管制造技术:使用硅做为基底海阔天空,进行单晶硅热液培养技术,用于晶体管制造,同时发展出了镀膜、晶圆(wafer)精密磨削、离子注入等技术。

2. 第二代晶体管制造技术:1961年,英特尔公司的芯片工程师已经通过现代半导体材料制造技术成功研制出了第一个微处理器,需要大量的计算机技术和硬件工程来支持其发展,从而催生了第二代晶体管技术的发展,尤其是发展了理解半导体物理学的人才。

3. 电脑硬件的发展:随着计算机技术的迅猛发展,芯片产业成为计算机硬件领域的先锋,实现了芯片尺寸的缩小和高度集成,这些技术促进了计算机硬件的升级换代。

4. 芯片的应用领域不断扩大:半导体技术发展导致数字化、智能化、信息化、网络化的产业转型,催生了大量的新领域和新应用,如嵌入式系统、汽车电子、智能家居、物联网等。

5. 制造成本不断下降:随着半导体工艺的发展,制造成本不断下降,同时,牵涉到的相关市场日益壮大,市场经济不断成熟,从而使得半导体制造业蓬勃发展。

总之,半导体行业为信息时代的兴起奠定了重要基础,同时也推动了各个领域的创新与发展。

中国 半导体发展史

中国 半导体发展史

中国半导体的发展史可以大致划分为以下几个阶段:
20世纪50年代:中国开始自主培养半导体科技人才,创办了第一个五校联合半导体专业,并在1957年拉出了锗单晶,研制出锗晶体管。

20世纪60年代:中国研制出硅外延工艺、硅基晶体管和TTL电路产品,这标志着中国已经能够制作小规模集成电路。

20世纪70年代:中国开始建设集成电路工厂,并研制成功1000万次大型电子计算机。

20世纪80年代中期:中国制定了“531战略”,即“普及5微米技术,研发3微米技术,攻关1微米技术”,诞生了无锡华晶等半导体企业。

1990年9月:电子工业部决定启动“908工程”,目标是建成一条6英寸、0.8~1.2微米的芯片生产线。

但由于国外已沿着摩尔定律的路径实现了好几代的进步,所以华晶项目一投产即落后,产量也仅有800片,亏损相当严重。

1995年:提出以100亿元实施“909工程”,建设一条8英寸晶圆、0.5微米制程工艺的集成电路生产线,但面临国外的技术封锁。

1997年7月:华虹集团与NEC合资组建了上海华虹NEC电子有限公司,负责承担“909工程”的项目建设。

以上是中国半导体的发展史的一些重要事件和阶段。

总的来说,中国半导体产业经历了从自主培养科技人才、研制晶体管到建设集成电路工厂、启动芯片生产线等阶段,不断推动着中国半导体产业的发展。

半导体设备行业的发展历程

半导体设备行业的发展历程

半导体设备行业的发展历程及其影响一、引言半导体设备行业,作为现代科技领域的重要支柱之一,其发展历程深刻地改变了全球信息技术和电子工业的面貌。

从最初的晶体管发明到现今的纳米级芯片制造技术,半导体设备行业的每一次创新与突破都引领了信息时代的新一轮飞跃。

二、早期发展阶段(20世纪50年代-70年代)半导体设备行业的发展起始于20世纪50年代,随着贝尔实验室成功研发出第一颗硅晶体管,标志着半导体技术的诞生。

随后,平面工艺、集成电路(IC)等关键技术的出现和逐步成熟,推动了半导体设备行业的初步形成和发展。

这一阶段,主要的生产设备包括扩散炉、光刻机、薄膜沉积设备以及蚀刻设备等,为后续大规模集成电路的生产奠定了基础。

三、快速发展阶段(20世纪80年代-90年代)进入80年代,随着微处理器、存储器等复杂集成电路的大规模应用,对半导体设备提出了更高的要求。

这一时期,半导体设备行业开始向精细化、自动化方向发展,出现了离子注入机、深紫外光刻机等精密设备,使得芯片线宽不断缩小,集成度大幅提高。

同时,全球范围内半导体设备市场迅速扩大,形成了以美国、日本为主导,欧洲、亚洲新兴市场快速崛起的竞争格局。

四、全球化与技术创新阶段(21世纪至今)进入21世纪,随着移动通信、互联网、人工智能等新兴产业的兴起,半导体设备行业迎来新的发展机遇。

一方面,全球产业链深度整合,中国、韩国等地成为全球半导体设备产业的重要基地;另一方面,极紫外光刻(EUV)、原子层沉积(ALD)、3D封装等前沿技术的研发与应用,持续推动着半导体设备行业的革新与发展。

五、未来展望面对后摩尔定律时代的挑战,半导体设备行业正朝着更先进制程、更高效能、更低能耗的方向迈进。

量子计算、神经形态计算等新兴领域的探索,也将为半导体设备行业开启全新的发展空间。

在智能化、网络化、绿色化的趋势下,半导体设备行业将继续在全球科技进步中扮演核心角色,驱动人类社会向着更加智能、便捷的生活方式演变。

半导体工艺发展历程

半导体工艺发展历程

半导体工艺发展历程
半导体工艺的发展历程大致如下:
- 20世纪40年代:电子管组成了早期计算机系统的“大脑”。

- 20世纪50年代:晶体管取代了电子管。

- 20世纪60年代:芯片之父肖克利将上百个晶体管集成在一块“芯片”上,使芯片的能力成倍增长。

- 20世纪70年代:第一颗“微处理器”芯片催生了个人计算机的繁荣,同时,新型的存储芯片也为电脑加装了海量“记忆库”。

- 20世纪80年代:“超大规模集成电路”技术让芯片可以容纳上万个晶体管,单片机的能力成倍增强。

- 20世纪90年代:芯片工艺进入深亚微米时代,设计复杂芯片的自动化工具也应运而生。

- 21世纪:移动互联网的繁荣催生了新一代的移动芯片,多核心和软硬件协同设计成为主流。

- 当前:最先进的芯片已达5纳米工艺,人工智能芯片的出现也
将给予芯片新的智能。

随着时间的推移,半导体工艺不断发展,芯片的能力也在不断提升。

这些技术的进步推动了信息时代的发展,赋能了社会的进步。

中国半导体行业发展历程

中国半导体行业发展历程

中国半导体行业发展历程近年来,中国半导体行业取得了长足的发展,成为全球最具潜力和竞争力的行业之一。

本文将为您介绍中国半导体行业的发展历程。

第一阶段:起步期(1950年代-1970年代)中国半导体行业的起步可以追溯到上世纪50年代。

当时,中国面临着技术和经济的困境,需要发展自己的半导体产业来满足国内需求。

于是,中国政府成立了多家研究机构和实验室,开始进行半导体技术的研究和开发。

然而,在起步期,中国的半导体行业仍然面临着巨大的挑战。

由于技术水平和设备条件的限制,中国的半导体产品主要依赖进口。

尽管如此,这一时期为后来的发展奠定了基础,为中国半导体行业的蓬勃发展创造了条件。

第二阶段:培育期(1980年代-1990年代)改革开放以后,中国的半导体行业迎来了新的发展机遇。

政府开始大力支持半导体产业的发展,引进国外先进的技术和设备,并鼓励国内企业进行技术创新和自主研发。

同时,政府还出台了一系列的政策,为半导体企业提供贷款和税收优惠,吸引了大量的国内外资本投入。

在培育期,中国半导体行业取得了长足的进步。

中国的半导体企业开始生产一些基础的电子元件和芯片,并逐渐实现了产品的本土化。

同时,中国还积极培养半导体专业人才,建立了一批具有国际竞争力的研发团队。

第三阶段:崛起期(2000年代-2010年代)进入21世纪,中国半导体行业迎来了快速发展的机遇。

随着中国经济的快速增长和科技实力的提升,中国成为全球最大的半导体市场之一。

政府继续加大对半导体产业的支持力度,鼓励本土企业进行技术创新和自主研发。

在崛起期,中国半导体行业取得了令人瞩目的成就。

一批国内企业在存储器、集成电路和传感器等领域实现了技术突破和产品创新,有些企业甚至成为全球知名的半导体巨头。

同时,中国还积极引进外国企业和专业团队,加强国际合作和技术交流。

第四阶段:创新驱动期(2020年至今)当前,中国半导体行业正进入创新驱动的新阶段。

随着技术的不断进步和市场的不断扩大,中国的半导体企业面临着更大的机遇和挑战。

半导体历史状况及应用论文

半导体历史状况及应用论文

半导体历史状况及应用论文半导体历史状况及应用论文半导体是一类能够在一定条件下既能导电又能绝缘的材料。

半导体技术的发展对现代电子技术、通信技术、信息技术等领域产生了深远的影响。

下面将从半导体的历史状况和应用两个方面展开,进行论述。

一、半导体历史状况半导体的历史可以追溯到19世纪末。

1883年,美国科学家霍尔斯特(Holst)通过对铜砷矿石的研究,首次发现了半导体的性质。

1897年,赖特(Wright)发现了由硒制成的曲面薄膜能够产生电流。

但是,当时对半导体的潜在应用并没有太多认识。

20世纪初,德国科学家恩斯特·约瑟夫·罗素(Ruska)发明了电子显微镜,使得人们可以直接观察到物质的微观结构。

这对于半导体研究起到了重要的推动作用。

此后,人们对半导体材料性质的研究取得了突破性进展。

20世纪50年代,半导体材料的研究进入了一个新的阶段。

德国物理学家布朗(Georg von Bogdanovich Brown)首次提出“掺杂”这个概念,通过在半导体材料中引入杂质元素,改变了材料的导电性质。

这一发现使半导体材料的应用领域得到了极大的拓展。

1951年,美国贝尔实验室的三位科学家肖克利(William Shockley)、巴丁(John Bardeen)和布瑞顿(Walter H. Brattain)合作发明了第一台晶体管,这一发明被认为是半导体技术的重要里程碑。

晶体管的发明使得电子技术进入了一个新时代,开启了半导体技术的广泛应用。

二、半导体应用半导体技术的应用广泛涉及到电子技术、通信技术、信息技术等多个领域。

1. 电子技术领域:半导体是电子器件的重要组成部分。

从最早的晶体管到如今的集成电路,半导体技术在电子技术领域得到了广泛应用。

半导体材料的导电性能可以通过不同掺杂方式进行调控,从而实现不同类型的电子器件。

2. 通信技术领域:半导体技术在通信领域的应用主要体现在光通信领域。

光通信是一种通过光信号进行数据传输的技术,而半导体激光器就是其中的关键设备。

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篇名半導體產業作者李鎮宇。

市立三民高中。

二年六班張傑浩。

市立三民高中。

二年六班張碩文。

市立三民高中。

二年六班壹●前言自從有人類以來,已經過了上百萬年的歲月。

社會的進步可以用當時人類使用的器物來代表,從遠古的石器時代、到銅器,再進步到鐵器時代。

現今,以矽為原料的電子元件產值,則超過了以鋼為原料的產值,人類的歷史因而正式進入了一個新的時代,也就是矽的時代。

矽所代表的正是半導體元件,包括記憶元件、微處理機、邏輯元件、光電元件與偵測器等等在內,舉凡電視、電話、電腦、電冰箱、汽車,這些半導體元件無時無刻都在為我們服務。

矽是地殼中最常見的元素,許多石頭的主要成分都是二氧化矽,然而,經過數百道製程做出的積體電路,其價值可達上萬美金;把石頭變成矽晶片的過程是一項點石成金的成就,也是近代科學的奇蹟!在日本,有人把半導體比喻為工業社會的稻米,是近代社會一日不可或缺的。

在國防上,惟有紮實的電子工業基礎,才有強大的國防能力,1991年的波斯灣戰爭中,美國已經把新一代電子武器發揮得淋漓盡致。

從1970年代以來,美國與日本間發生多次貿易摩擦,但最後在許多項目美國都妥協了,但是為了半導體,雙方均不肯輕易讓步,最後兩國政府慎重其事地簽訂了協議,足證對此事的重視程度,這是因為半導體工業發展的成敗,關係著國家的命脈,不可不慎。

在台灣,半導體工業是新竹科學園區的主要支柱,半導體公司也是最賺錢的企業,台灣如果要成為明日的科技矽島,半導體工業是我們必經的途徑。

貳●正文半導體的定義與製造流程所謂的半導體,是指在某些情況下,能夠導通電流,而在某些條件下,又具有絕緣體效用的物質;而至於所謂的IC,則是指在一半導體基板上,利用氧化、蝕刻、擴散等方法,將眾多電子電路組成各式二極體、電晶體等電子元件,作在一微小面積上,以完成某一特定邏輯功能(例如:AND、OR、NAND等),進而達成預先設定好的電路功能。

隨著技術的進步,在一單一晶片聚集佰萬顆以上電晶體的IC,已非難事。

一般而言,一顆IC的完成,通常先後需經過電路設計、光罩製作、晶片製造、晶片封裝和測試檢查等步驟。

IC的上市,挾其輕、薄、短、小、省電、多功能、低成本等特長,席捲大半的半導體市場,成為半導體的主流產品。

若按其製程技術來區分,可大略分為Bipolar 和MOS ( Metal Oxide Silicon )二大類。

其中Bipolar製程技術發展較早,但集積度較低且較耗電,除少數特定用途需較快工作速度和耐較高電壓的場合外;MOS製程的產品已攻佔了絕大多數的應用市場。

二、半導體的起源與電晶體的發明在二十世紀的近代科學,特別是量子力學發展知道金屬材料擁有良好的導電與導熱特性,而陶瓷材料則否,性質出來之前,人們對於四周物體的認識仍然屬於較為巨觀的瞭解,那時已經介於這兩者之間的,就是半導體材料。

英國科學家法拉第(Michael Faraday,1791~1867),在電磁學方面擁有許多貢獻,但較不為人所知的,則是他在1833年發現的其中一種半導體材料:硫化銀,因為它的電阻隨著溫度上升而降低,當時只覺得這件事有些奇特,並沒有激起太大的火花;然而,今天我們已經知道,隨著溫度的提升,晶格震動越厲害,使得電阻增加,但對半導體而言,溫度上升使自由載子的濃度增加,反而有助於導電,這也是半導體一個非常重要的物理性質。

1874年,德國的布勞恩(Ferdinand Braun,1850~1918),注意到硫化物的電導率與所加電壓的方向有關,這就是半導體的整流作用。

但直到1906年,美國電機發明家匹卡(G. W. Pickard,1877~1956),才發明了第一個固態電子元件:無線電波偵測器(cat’s whisker),它使用金屬與矽或硫化鉛相接觸所產生的整流功能,來偵測無線電波。

在整流理論方面,德國的蕭特基(Walter Schottky,1886~1976)在1939年,於「德國物理學報」發表了一篇有關整流理論的重要論文,做了許多推論,他認為金屬與半導體間有能障(potential barrier)的存在,其主要貢獻就在於精確計算出這個能障的形狀與寬度。

至於現在為大家所接受的整流理論,則是1942年,由索末菲(Arnold Sommerfeld,1868~1951)的學生貝特(Hans Bethe,1906~ )所發展出來,他提出的就是熱電子發射理論(thermionic emission),這些具有較高能量的電子,可越過能障到達另一邊,其理論也與實驗結果較為符合。

在半導體領域中,與整流理論同等重要的,就是能帶理論。

布洛赫(Felix Bloch,1905~1983)在這方面做出了重要的貢獻,其定理是將電子波函數加上了週期性的項,首開能帶理論的先河。

另一方面,德國人佩爾斯(Rudolf Peierls,1907~ ) 於1929年,則指出一個幾乎完全填滿的能帶,其電特性可以用一些帶正電的電荷來解釋,這就是電洞概念的濫觴;他後來提出的微擾理論,解釋了能隙(Energy gap)存在。

早在1930與1940年代,使用半導體製作固態放大器的想法就持續不絕;第一個有實驗結果的放大器是1938年,由波歐(Robert Pohl,1884~1976)與赫希(Rudolf Hilsch)所做的,使用的是溴化鉀晶體與鎢絲做成的閘極,儘管其操作頻率只有一赫茲,並無實際用途,卻證明了類似真空管的固態三端子元件的實用性。

二次大戰後,美國的貝爾實驗室(Bell Lab),決定要進行一個半導體方面的計畫,目標自然是想做出固態放大器,它們在1945年7月,成立了固態物理的研究部門,經理正是蕭克萊(William Shockley,1910~1989)與摩根(Stanley Morgan)。

由於使用場效應(field effect)來改變電導的許多實驗都失敗了,巴丁(John Bardeen,1908~1991)推定是因為半導體具有表面態(surface state)的關係,為了避開表面態的問題,1947年11月17日,巴丁與布萊登(Walter Brattain 1902~1987)在矽表面滴上水滴,用塗了蠟的鎢絲與矽接觸,再加上一伏特的電壓,發現流經接點的電流增加了!但若想得到足夠的功率放大,相鄰兩接觸點的距離要接近到千分之二英吋以下。

12月16日,布萊登用一塊三角形塑膠,在塑膠角上貼上金箔,然後用刀片切開一條細縫,形成了兩個距離很近的電極,其中,加正電壓的稱為射極(emitter),負電壓的稱為集極(collector),塑膠下方接觸的鍺晶體就是基極(base),構成第一個點接觸電晶體(point contact transistor),1947年12月23日,他們更進一步使用點接觸電晶體製作出一個語音放大器,該日因而成為電晶體正式發明的重大日子。

另一方面,就在點接觸電晶體發明整整一個月後,蕭克萊想到使用p-n接面來製作接面電晶體(junction transistor) 的方法,在蕭克萊的構想中,使用半導體兩邊的n型層來取代點接觸電晶體的金屬針,藉由調節中間p型層的電壓,就能調控電子或電洞的流動,這是一種進步很多的電晶體,也稱為雙極型電晶體(bipolar transistor),但以當時的技術,還無法實際製作出來。

電晶體的確是由於科學發明而創造出來的一個新元件,但是工業界在1950年代為了生產電晶體,卻碰到許多困難。

1951年,西方電器公司(Western Electric)開始生產商用的鍺接點電晶體,1952年4月,西方電器、雷神(Raytheon)、美國無線電(RCA) 與奇異(GE)等公司,則生產出商用的雙極型電晶體。

但直到1954年5月,第一顆以矽做成的電晶體才由美國德州儀器公司(Texas Instruments)開發成功;約在同時,利用氣體擴散來把雜質摻入半導體的技術也由貝爾實驗室與奇異公司研發出來;在1957年底,各界已製造出六百種以上不同形式的電晶體,使用於包括無線電、收音機、電子計算機甚至助聽器等等電子產品。

早期製造出來的電晶體均屬於高台式的結構。

1958年,快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)發展出平面工藝技術(planar technology),藉著氧化、黃光微影、蝕刻、金屬蒸鍍等技巧,可以很容易地在矽晶片的同一面製作半導體元件。

1960年,磊晶(epitaxy)技術也由貝爾實驗室發展出來了。

至此,半導體工業獲得了可以批次(batch)生產的能力,終於站穩腳步,開始快速成長。

三、半導體產業在整體經濟上的重要性早期半導體產業多集中在日本、美國、西歐等地區發展,而亞洲地區一開始大多以後段的封裝製程為主。

然而韓國至1980年代末期、台灣自1990年初開始,則對困難度較高的半導體前段製程(亦即晶圓製造)進行大規模投資,同時新加坡也不甘示弱的繼台灣之後進行大手筆投資,於是以往半導體產業集中在美國、日本、西歐等地的情況,已經大為改變,現在全球半導體的製造重心,已經轉向到台灣、韓國、新加坡了。

我國的半導體產業經過30多年的發展,目前已稍有成就,僅次於美國、日本、韓國等三國,居全球第四位的IC 生產大國,是我國最具發展潛力的高科技產業之一,在我國整體產業結構中也佔有重要的比重。

雖然國內積體電路產業的萌芽,是自1966年由外商來台設立封裝工廠開始,但當時只是以廉價的勞力作為考量,直到台灣第一家晶圓廠聯電在新竹科學園區成立後,才算正式進入積體電路產業的新紀元。

當初在工研院電子工業研究所從事於技術的研究開發,而科學園區則提供一個完善的設廠孕育環境,兩者搭配下,包括聯電、台積電、台灣光罩、世界先進等公司陸續衍生成立,把台灣的半導體產業帶向了世界競爭的舞台,創造了今日「矽島」的傑出成就。

尤其是在1990年代開始,國內多家半導體晶圓製造廠陸續成立,不僅帶動IC上下游產業,包括設計、封裝、測試業產值起飛,而且相關產業晶圓材料、設備、化學品、光罩等業別也趁勢興起,因而奠定了台灣現在是全世界第四大IC供應大國的傑出地位。

若就國民生產毛額(G D P)的觀點而言,在1999 年時,我國電子業佔總體製造業的比重(GDP基礎)為25.9%,IC則佔電子業的19.97%。

雖然比重還不算太高,但是其影響力卻非常的大。

舉例來說,在國內的證券集中市場或店頭市場,IC 相關類股的成交量與價格走勢,對於大盤都有很明顯、直接的影響,台積電、聯電等公司的資本額、市值,更是國內上市上櫃公司中極為龐大、最具影響力的公司。

此外,就國內的製造業而言,科技業已成為未來發展的主力所在,科技實力更是評估一個國家競爭力強弱的重要指標。

而新竹科學園區可說是國內高科技產業的重心所在,尤其對台灣的積體電路產業而言,幾乎所有的晶圓廠及為數甚多的IC 設計業、測試業者,均於科學園區內設立有據點,至於設在科學園區附近的公司,也是多如牛毛。

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