200mm单晶硅片几何尺寸
单晶硅太阳能电池板详细全参数
单晶硅太阳能电池板，铝合金边框，钢化玻璃面板详细参数：单晶硅太阳能板100W尺寸：963x805x35MM净重：11KGS工作电压：33.5V 工作电流：2.99A开路电压：41.5V短路电流：3.57A蓄电池：24v二、产品特点：采用平均转换效率在15%^上的优质单晶硅太阳电池单片，具有优良的弱光响应性能，符合IEC61215和电气保护II级标准。
太阳能电池转换效率高。
而且太阳能电池板阵列一次性性能佳。
太阳能电池板阵列的表面采用高透光绒面钢化玻璃封装，气密性、耐候性好，抗腐蚀。
阳极氧化铝边框：机械强度高，具有良好的抗风性和防雹性，可在各种复杂恶劣的气候条件下使用，便于安装。
太阳能电池板在制造时，先进行化学处理，表面做成了一个象金字塔一样的绒面，能减少反射，更好地吸收光能。
采用双栅线，使组件的封装的可靠性更高。
太阳能电池板阵列抗冲击性能佳，符合IEC国际标准。
太阳能电池板阵列层之间采用双层EVA材料以及TPT复合材料，组件气密性好，抗潮，抗紫外线好，不容易老化。
直流接线盒：采用密封防水、高可靠性多功能ABS塑料接线盒，耐老化防水防潮性能好；连接端采用易操作的专用公母插头，使用安全、方便、可靠。
带有旁路二极管能减少局部阴影而引起的损害。
工作温度：-40 C〜+90C 使用寿命可达20年以上，衰减小于20% 三、问题集锦：1、什么是太阳能电池答：太阳能电池是基于半导体的光伏效应将太阳辐射直接转换为电能的半导体器件。
现在商品化的太阳能电池主要有以下几种类型：单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池，目前还有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米氧化钛敏化电池、多晶硅薄膜太阳能电池及有机太阳能电池等。
晶体硅（单晶、多晶）太阳能电池需要高纯度的硅原料，一般要求纯度至少是99. 99998%，也就是一千万个硅原子中最多允许2个杂质原子存在。
硅材料是用二氧化硅（SiO2，也就是我们所熟悉的沙子）作为原料，将其熔化并除去杂质就可制取粗级硅。
1单晶硅片 (企业标准)
太阳能级单晶硅片1 范围本标准规定了太阳能级单晶硅片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于太阳能电池用的太阳能级单晶硅片（以下简称单晶硅片）。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可以使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划3 术语和定义3.1本产品导电类型为p-型半导体硅片导电类型是指半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性，本产品导电类型是p-型半导体，其多数载流子为空穴的半导体。
3.2杂质浓度单位体积内杂质原子的数目。
本产品的主要杂质是指氧含量、碳含量。
3.3体电阻率单位体积的材料对于两平行面垂直通过的电流的阻力。
一般来说，体电阻率为材料中平行电流的电场强度与电流密度之比。
符号为ρ，单位为Ω·cm 。
3.4四探针测量材料表面层电阻率的一种探针装置。
排列成一直线、间距相等的四根金属探针垂直压在样品表面上，使电流从两外探针之间通过，测量两内探针的电位差。
3.5寿命晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到其始值的1/e(e=2.718)所需的时间。
又称少数载流子寿命，简称少子寿命。
寿命符号τ，单位为μs 。
3.6孪晶在晶体中晶体是两部分，彼此成镜象对称的晶体结构。
连接两部分的界面称为孪晶或孪晶边界。
在金刚石结构中，例如硅，孪晶面为（111）面。
3.7单晶不含大角晶界或孪晶界的晶体。
3.8直拉法（CZ）本产品单晶硅的生长方式为直拉法，其工艺为沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法，又称切克劳斯基法，表示符号为CZ。
1单晶硅片--(企业标准) (2)
太阳能级单晶硅片1 范围本标准规定了太阳能级单晶硅片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于太阳能电池用的太阳能级单晶硅片（以下简称单晶硅片）。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可以使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划3 术语和定义3.1本产品导电类型为p-型半导体硅片导电类型是指半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性，本产品导电类型是p-型半导体，其多数载流子为空穴的半导体。
3.2杂质浓度单位体积内杂质原子的数目。
本产品的主要杂质是指氧含量、碳含量。
3.3体电阻率单位体积的材料对于两平行面垂直通过的电流的阻力。
一般来说，体电阻率为材料中平行电流的电场强度与电流密度之比。
符号为ρ，单位为Ω·cm 。
3.4四探针测量材料表面层电阻率的一种探针装置。
排列成一直线、间距相等的四根金属探针垂直压在样品表面上，使电流从两外探针之间通过，测量两内探针的电位差。
3.5寿命晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到其始值的1/e(e=2.718)所需的时间。
又称少数载流子寿命，简称少子寿命。
寿命符号τ，单位为μs 。
3.6孪晶在晶体中晶体是两部分，彼此成镜象对称的晶体结构。
连接两部分的界面称为孪晶或孪晶边界。
在金刚石结构中，例如硅，孪晶面为（111）面。
3.7单晶不含大角晶界或孪晶界的晶体。
3.8直拉法（CZ）本产品单晶硅的生长方式为直拉法，其工艺为沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法，又称切克劳斯基法，表示符号为CZ。
单晶硅片产品规格书HRS-+QA-001(外)
太阳能级单晶硅片产品规格书
1 范围 本规范规定了单晶硅片的性能、标识、包装、贮存、运输。 本规范适用于海润光伏科技股份有限公司生产的太阳能级单晶硅片，详细描述了该系列硅 片的特性和适用范围。
2 引用标准 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第一部分 按接受质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划
参数
备注
准正方形
125±0.5mm
150±0.5mm or 165±0.5mm
厚度（TV） 总厚度偏差（TTV）
Document#: HRS-QA-001
200 ± 20 μm, 最小厚度 不得低于180μm
≤30 μm
中心厚度
片内最大厚度与最小厚度差值（按5点法 测试）
1-2
Veቤተ መጻሕፍቲ ባይዱsion#:A 普通
备注
备注 备注
5.3 运输 产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施。 5.4 贮存 产品储存在清洁、干燥的环境中，温度 10-40℃；湿度≤60%；避免酸碱腐蚀性空气，避 免油污、灰尘颗粒气氛。
Document#: HRS-QA-001
2-2
Version#:A 普通
海润光伏科技股份有限公司 Hareon Solar Technology Co., Ltd
4.2 单晶硅片表面质量 单晶硅片表面质量参数见下表：
项目
参数
边缘缺陷
无
缺口
无
线痕
深度≤15 μm
穿孔、凹坑、隐裂
无明显缺陷
沾污
无
弯曲/翘曲
≤30μm
4.3 单晶硅片电学性能 单晶硅片电学性能参数见下表：
硅片知识——精选推荐
硅⽚知识硅⽚等级标准⼀、优等品1：硅⽚表⾯光滑洁净。
2：TV：220±20µm。
3：⼏何尺⼨：边长125±ffice:smarttags" />同⼼度：任意两个弧的弦长之差≤1mm。
垂直度：任意两边的夹⾓：90°±0.3。
⼆、合格品⼀级品：1：表⾯有少许污渍、轻微线痕。
2：220±20µm ≤TV≤220±30µm。
3：⼏何尺⼨：边长125±0.5mm；对⾓150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；边长103±0.5mm、对⾓135±0.5mm；边长150±0.5mm 、156±0.5mm、对⾓203±0.5mm、200±0.5mm。
同⼼度：任意两个弧的弦长之差≤1.2mm。
垂直度：任意两边的夹⾓：90°±0.5。
⼆级品：1：表⾯有少许污渍、线痕、凹痕，轻微崩边。
2：220±30µm ≤TV≤220±40µm。
3：凹痕：硅⽚表⾯凹痕之和≤30µm。
4：崩边范围：崩边⼝不是三⾓形状，崩边⼝长度≤1mm，深度≤0.5mm5：⼏何尺⼨：边长125±0.52mm；对⾓150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；边长103±0.52mm、对⾓135±0.52mm；边长150±0.52mm 、156±0.52mm、对⾓203±0.52mm、200±0.52mm。
同⼼度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm。
垂直度：任意两边的夹⾓：90°±0.8。
三级品：1：表⾯有油污但硅⽚颜⾊不发⿊，有线痕和硅落现象。
硅抛光片的几何参数及一些参数定义
硅抛光片的几何参数及一些参数定义集成电路硅片的规格要求比较严格，必须有一系列参数来表示和限制。
主要包括：硅片的直径或边长，硅片的厚度、平整度、翘曲度及晶向的测定，下面分别一一讨论。
1.硅片的直径（边长），硅片的厚度是硅片的重要参数。
如果硅片的直径（边长）太大，基于硅片的脆性，要求厚度增厚，这样就浪费昂贵的硅材料，而且平整度难于保证，对后续加工及电池的稳定性影响较大，再说单晶硅的硅锭直径也很难产生很大；直径或边长太小，厚度减小，用材少，平整度相对较好，电池的稳定性较好，但是硅片的后续加工会增加电极等方面的成本。
一般情况下，太阳能电池的硅片是根据硅锭的大小设置直径或边长的大小，一般的圆形单晶、多晶硅硅片的直径为（76.2mm）或（101.6mm），而单晶正方形硅片的边长为100mm、125mm、150mm；多晶正方形硅片的边长为100mm、150mm、210mm。
2.硅片的平整度是硅片的最重要参数，它直接影响到可以达到的特征线宽和器件的成品率。
对于太阳能硅片则影响转换效率和寿命，不同级别集成电路的制造需要不同的平整度参数，平整度目前分为直接投影和间接投影，直接投影的系统需要考虑的是整个硅片的平整度，而分步进行投影的系统需要考虑的是投影区域的局部的平整度。
太阳能硅片要求较低，硅片的平整度一般用TIR和FPD这两个参数来表示。
（1）TIR(TotalIndicationReading)表示法对于在真空吸盘上的硅片的上表面，最常用的参数是用TIR来表示。
如图一所示，假定一个通过对于硅片的上表面进行最小二次方拟合得到的参考平面，TIR定义则为相对于这一参考平面的最大正偏差与最大负偏差之和。
TIR=a+b图一、TIR 和FPD 的定义图二、BOW 的定义（2）FPD(Focal Plane Deviation)表示法如果选择的参考面与掩膜的焦平面一致，FPD 定义则是相对于该参考面的正或负的最大偏差中数值较大的一个，如图一所示。
单晶硅太阳能电池板-18页word资料
单晶硅太阳能电池板，铝合金边框，钢化玻璃面板详细参数：单晶硅太阳能板200W尺寸：1559x798x35MM净重：15KGS工作电压：40V工作电流：5.25A开路电压：47.7V短路电流：5.75A蓄电池：24v二、产品特点：采用平均转换效率在15%以上的优质单晶硅太阳电池单片，具有优良的弱光响应性能，符合IEC61215和电气保护II级标准。
太阳能电池转换效率高。
而且太阳能电池板阵列一次性性能佳。
太阳能电池板阵列的表面采用高透光绒面钢化玻璃封装，气密性、耐候性好，抗腐蚀。
阳极氧化铝边框：机械强度高，具有良好的抗风性和防雹性，可在各种复杂恶劣的气候条件下使用，便于安装。
太阳能电池板在制造时，先进行化学处理，表面做成了一个象金字塔一样的绒面，能减少反射，更好地吸收光能。
采用双栅线，使组件的封装的可靠性更高。
太阳能电池板阵列抗冲击性能佳，符合IEC国际标准。
太阳能电池板阵列层之间采用双层EVA材料以及TPT复合材料，组件气密性好，抗潮，抗紫外线好，不容易老化。
直流接线盒：采用密封防水、高可靠性多功能ABS塑料接线盒，耐老化防水防潮性能好；连接端采用易操作的专用公母插头，使用安全、方便、可靠。
带有旁路二极管能减少局部阴影而引起的损害。
工作温度：-40℃～+90℃使用寿命可达20年以上，衰减小于20%。
三、问题集锦：1、什么是太阳能电池答：太阳能电池是基于半导体的光伏效应将太阳辐射直接转换为电能的半导体器件。
现在商品化的太阳能电池主要有以下几种类型：单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池，目前还有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米氧化钛敏化电池、多晶硅薄膜太阳能电池及有机太阳能电池等。
晶体硅（单晶、多晶）太阳能电池需要高纯度的硅原料，一般要求纯度至少是99.99998%，也就是一千万个硅原子中最多允许2个杂质原子存在。
硅材料是用二氧化硅（SiO2，也就是我们所熟悉的沙子）作为原料，将其熔化并除去杂质就可制取粗级硅。
单晶硅片的技术标准
单晶硅片的技术标准1 范围本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法ASTM F26 半导体材料晶向测试方法F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法3 术语和定义TV ：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；TTV :总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5点厚度：边缘上下左右6mn处4点和中心点）；位错:晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；位错密度：单位体积内位错线的总长度（cm/cm3），通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。
密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4分类单晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：125’ 1251 （mm）125’ 125 H （mm）156’ 156（mm。
5技术要求外观见附录表格中检验要求。
外形尺寸方片TV为200士20 um,测试点为中心点；方片TTV小于30um,测试点为边缘6mn处4点、中心1点；硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%相邻C段的垂直度：90°士；其他尺寸要求见表1。
表1单晶硅片尺寸要求图1硅单晶片尺寸示意图材料性质导电类型:硅片电阻率：见下表；硅片少子寿命：见下表（此寿命为2mmf羊片钝化后的少子寿命）；晶向：表面晶向<100>+/°;位错密度w 3000pcs/cm2;氧碳含量：氧含量w 20ppma碳含量w。