电阻测定
万用表测电阻实验报告总结
万用表电阻测量实验报告总结
实验目的：
本实验的目的是学习如何使用万用表测量电阻，了解电阻的基本概念和欧姆定律。
实验设备：
万用表
电阻（色环电阻等）
旋转驱动器（用于机械调零）
导体
实验程序：
机械调零：将万用表的两个指针移开，用螺丝刀转动机械调零螺钉，使指针朝向无限大欧姆刻度。
电阻测量范围的设定：将万用表的转换开关设定为“×100Ω”等适当的电阻测量范围。
欧姆调零：将两个指针短路，同时转动调零旋钮，使指针指向欧姆标尺的零点上。
如果无法调整，则认为是内部电池电压不足，需要更换。
选择适当的范围：使用万用表测量电阻时，选择适当的范围，使指针指向表盘中央附近，以便准确读取。
在改变范围之前，必须将指针离开测量点，防止万用表
损坏。
电阻值的测量和计算：将针接触电阻器的两个端子，按下测量按钮。
记录万用表显示器上的读数，计算电阻值（例如：在×100范围内读数为15时，电阻值为15×100=1500Ω）。
实验结果：
能正确测定电阻器的电阻值。
测量结果稳定性好，读数精度高。
分析与结论：
通过这个实验，我们验证了欧姆定律的正确性。
学会了使用万用表测量电阻的方法，理解了电阻测量的基本原理。
测定结果确认误差小，精度高。
未来的挑战：
为了进一步提高电阻测量的精度，使用更高精度的测量仪器。
为了保持测定环境的稳定性，更严格地控制温度、湿度等实验条件。
更广泛地应用电阻测量技术，应用于电子设备的故障诊断和零部件参数测量等。
电阻的测量课件
电阻R/Ω 10 10 10
二、例题
例1 小英按图甲所示的电路图连接实验电路， 测量电阻R 的阻值。闭合开关 S，调节滑动变阻器 的滑片P 后，观察到电压表和电流表的示数分 别如图乙、丙所示，则电流表的示数为 0.4 A，电 阻R的阻值为 5 Ω。
二、例题
例2 某同学用伏安法测小灯泡的电阻，下表为 记录的实验数据，从中你发现了什么？说明原因。
电压U/V
1
2
3
电流I/A
0.22
0.30
0.34
电阻R/Ω
4.55
6.67
8.82
解析：当灯两端电压越大，灯丝电阻越大。 原因：当灯两端电压越大，灯丝温度升高。
二、例题
例3 在“测量小灯泡的电阻”
S
的实验中，某同学在连接电路时， V
不小心将电流表和电压表接错了
L
位置，如图所示。闭合开关可能
R
出现的现象是( C )
3．比较计算出的几个数值，看看每次算出的 电阻的大小相同吗？有什么变化规律吗？
4．如果出现的情况和测量定值电阻时不同， 你如何解释？与同学交流一下。
实验电路图和实物图
电路图
实物图
A
S
R
R' V
实验数据记录
测量次数 电压U/V
1
1
2
2
3
3
实验数据处理
实验结果
被测导体电阻为10Ω
电流I/A 0.1 0.2 0.3
次大得多，这是因为( C )
A．实验方法不对
B．实验误差
C．导体的电阻跟温度有关
D．实验错误
4．移动变阻器滑片时，眼睛要紧盯电压表 5. 多次测量求平均值目的是减小误差 6. 变阻器的两个作用：保护电路
电阻率的测定方法
电阻率的测定方法电阻率是材料特性之一，它反映了材料对电流的阻力大小。
电阻率的测定方法有很多种，其中较为常用的有四电极法、两电极法、万用表法、电桥法等。
下面将逐一介绍这些方法的原理和操作步骤。
1. 四电极法：四电极法是一种较为准确的测量电阻率的方法，它消除了接触电阻对测量结果的影响。
其原理是在待测材料上放置四个电极，两个电流电极和两个电压电极，通过施加一定大小的电流，测量电压差，从而计算出电阻率。
操作步骤如下：(1) 准备一个电阻率测量装置，包括四个电极、电源和电压表。
(2) 将电流电极连接至电源的正负极，将电压电极连接至电源不同极性的两个端口。
(3) 将电流电极置于待测材料上的一端，电压电极置于另一端。
(4) 施加一定大小的电流，并测量电压差。
(5) 根据欧姆定律和电阻计算公式，计算出电阻率。
2. 两电极法：两电极法是一种简便的测量电阻率的方法，它适用于电阻率较大、样品较薄的材料。
其原理是通过在待测材料上施加电流，测量电压差，从而计算出电阻率。
操作步骤如下：(1) 准备一个电阻率测量装置，包括两个电极、电源和电压表。
(2) 将电流电极连接至电源的正负极，将电压电极连接至电源不同极性的两个端口。
(3) 将电流电极置于待测材料上的一端，电压电极置于另一端。
(4) 施加一定大小的电流，并测量电压差。
(5) 根据欧姆定律和电阻计算公式，计算出电阻率。
3. 万用表法：万用表法是一种常用的测量电阻率的方法，它适用于样品较小、较薄的情况。
其原理是通过万用表测量待测材料两个端点之间的电阻值，并结合样品尺寸计算出电阻率。
操作步骤如下：(1) 准备一个万用表和待测材料。
(2) 将万用表的两个测量插针分别接触待测材料的两个端点。
(3) 记下万用表显示的电阻值。
(4) 根据样品尺寸信息和电阻计算公式，计算出电阻率。
4. 电桥法：电桥法是一种较为精确的测量电阻率的方法，它通过平衡电路的方式测量待测样品的电阻值，并计算出电阻率。
电阻测试方法
电阻测试方法电阻测试是电子电路中常见的一种测试方法，通过测试电路中的电阻值，可以判断电路中是否存在故障或者确定电路的工作状态。
在电子设备维修和电路设计中，电阻测试是非常重要的一环。
本文将介绍几种常见的电阻测试方法，希望能对大家有所帮助。
首先，我们来介绍最简单的电阻测试方法——使用万用表。
万用表是一种常用的电子测量仪器，通过它可以方便地测试电路中的电阻值。
在进行电阻测试时，我们首先需要将电路断电，并且将待测电阻与电路分离。
然后，将万用表的测试笔分别接触待测电阻的两端，读取万用表上显示的电阻值即可。
需要注意的是，在使用万用表进行电阻测试时，应该选择合适的量程，以确保测试结果的准确性。
其次，我们介绍一种更加精确的电阻测试方法——使用电桥。
电桥是一种精密的测量仪器，通过它可以更加准确地测试电路中的电阻值。
在使用电桥进行电阻测试时，我们需要按照电桥的使用说明进行连接，并进行相应的调节，直到电桥平衡。
在电桥平衡时，可以读取电桥上的示数，从而得到待测电阻的准确数值。
电桥在测量精度和稳定性上优于万用表，适用于对电阻值要求较高的场合。
除了使用仪器进行电阻测试，我们还可以通过观察电阻的颜色环来判断其电阻值。
在电子元件中，电阻通常会通过颜色环来标识其阻值，我们可以通过查阅电阻颜色环表，来判断电阻的阻值范围。
这种方法虽然不如仪器测量准确，但在一些简单的电路测试中，也是非常有效的。
最后，需要注意的是，在进行电阻测试时，应该选择合适的测试方法，并严格按照操作步骤进行。
同时，还需要注意保护好测试仪器，避免在测试过程中对仪器造成损坏。
另外，需要对测试结果进行合理的分析，结合实际电路情况，来判断电路的工作状态。
总之，电阻测试是电子电路测试中非常重要的一环，通过合理选择测试方法，可以更加准确地判断电路的工作状态，为电子设备的维修和电路设计提供有力的支持。
希望本文介绍的电阻测试方法能够对大家有所帮助。
测量电阻方法
测量电阻方法电阻是电学中的重要参数，它是导体对电流的阻碍程度的度量。
在电路中，我们经常需要测量电阻的数值，以确保电路的正常运行。
下面将介绍几种常见的测量电阻的方法。
1. 万用表测量法。
万用表是一种常用的电工仪器，它可以用来测量电阻。
在使用万用表测量电阻时，首先需要将电路断开，然后将两个测量引线分别连接到电阻的两端，等待一段时间直到测量数值稳定，即可读取电阻的数值。
2. 电桥测量法。
电桥是一种精密的测量电阻的仪器，它可以用来测量较小的电阻值。
在使用电桥测量电阻时，首先需要将电桥调零，然后将待测电阻接入电桥电路中，调节电桥的平衡，最终可以通过电桥的示数来得到电阻的数值。
3. 伏安法测量法。
伏安法是一种通过测量电压和电流来计算电阻值的方法。
在使用伏安法测量电阻时，首先需要将待测电阻接入电路中，然后通过电压表和电流表分别测量电路中的电压和电流数值，最终可以通过计算得到电阻的数值。
4. 数字电桥测量法。
数字电桥是一种集成了数字显示和自动计算功能的电桥仪器，它可以用来测量电阻并直接显示结果。
在使用数字电桥测量电阻时，只需要将待测电阻接入电桥电路中，调节电桥的平衡，仪器会自动显示电阻的数值。
5. 示波器测量法。
示波器是一种用来观察电信号波形的仪器，它也可以用来测量电阻。
在使用示波器测量电阻时，可以将待测电阻接入电路中，通过观察电压波形的变化来间接得到电阻的数值。
总结。
以上介绍了几种常见的测量电阻的方法，每种方法都有其适用的场合和特点。
在实际工作中，可以根据需要选择合适的测量方法来进行电阻测量，以确保测量结果的准确性和可靠性。
希望本文对大家有所帮助。
测量电阻方法的总结
关于测量电阻方法的总结1、伏安法、伏伏法、安安法、伏欧法、安欧法电压表内阻已知则可当电流表使用，电流表内阻已知则可电压表使用电阻箱、定值电阻因为阻值已知，可用电流求得其电压，或可用电压求得其电流。
2、欧姆表法：用多用表的欧姆档直接测量。
3、替换法：【1】【2】为了测定电流表A1的内阻，采用如图所示的电路.其中：A1是待测电流表，量程为300 μA，内阻约为100 Ω；A2是标准电流表，量程是200 μA；R1是电阻箱，阻值范围0~999.9 Ω；R2是滑动变阻器；R3是保护电阻；E是电池组，电动势为4 V，内阻不计；S1是单刀单掷开关，S2是单刀双掷开关.（1）根据电路图14-81，请在图14-82中画出连线，将器材连接成实验电路.（2）连接好电路，将开关S2扳到接点a处，接通开关S1，调整滑动变阻器R2使电流表A2的读数是150 μA；然后将开关S2扳到接点b处，保持R2不变，调节电阻箱R1，使A2的读数仍为150 μA.若此时电阻箱各旋钮的位置如图所示，电阻箱R1的阻值是______Ω，则待测电流表A1的内阻R g=________Ω. （3）上述实验中，无论怎样调整滑动变阻器R2的滑动端位置，都要保证两块电流表的安全.在下面提供的四个电阻中，保护电阻R3应选用________（填写阻值相对应的字母）.A.200 kΩB.20 kΩC.15 kΩD.20 Ω（4）下面提供最大阻值不同的四个滑动变阻器供选用.既要满足上述实验要求，又要调整方便，滑动变阻器___________（填写阻值相对应的字母）是最佳选择.A.1 kΩB.5 kΩC.25 kΩ. D100 kΩ4、半偏法【3】(1)利用如图所示的电路测量电流表○G的内阻(图中电源的电动势E=4V )：先闭合S1，调节R，使电流表指针偏转到满刻度；再闭合S2，保持R不变，调节R′，如果使电流表指针偏转到满刻度的21，读出此时R′的阻值为200Ω，则电流表内阻的测量值Rg= Ω．如果表指针偏转到满刻度的32，读出此时R′的阻值为200Ω，则电流表内阻的测量值Rg= Ω．【4】要测量内阻较大的电压表的内电阻，可采用“电压半值法”，其实验电路如图所示。
测量电阻方法
测量电阻方法
电阻是电路中常见的元件之一，它的作用是限制电流的流动，通过电阻可以实现电路中电流的调节和控制。
因此，测量电阻是电路测试中的重要内容之一。
在实际工程中，我们需要掌握准确、快速、可靠的测量电阻的方法，以确保电路的正常运行和维护。
首先，最常见的测量电阻的方法是使用万用表。
在使用万用表测量电阻时，需要将被测电阻与万用表的两个探针连接，然后读取万用表上显示的电阻数值。
需要注意的是，测量电阻时，被测电阻必须是断电状态，否则会影响测量结果的准确性。
在测量电阻时，要选择合适的量程，以确保测量结果的准确性。
另外，在使用万用表测量电阻时，还需要注意探针的接触是否良好，以免影响测量结果。
其次，还可以使用桥式测量法来测量电阻。
桥式测量法是一种精密测量电阻的方法，它通过比较被测电阻和已知电阻之间的电压差来计算被测电阻的数值。
桥式测量法通常用于对电阻进行精密测量，其测量精度高，适用于对电阻值要求较高的场合。
另外，还可以使用示波器来测量电阻。
示波器是一种用于显示
电压信号波形的仪器，通过示波器可以测量电路中的电压和电流信号。
在测量电阻时，可以将示波器连接到电路中，通过观察示波器
上显示的波形来判断电路中的电阻数值。
示波器测量电阻的方法简单、直观，适用于一些需要对电路中电阻进行快速测量的场合。
总之，测量电阻是电路测试中的重要内容，我们需要掌握多种
测量电阻的方法，以确保电路的正常运行和维护。
通过使用万用表、桥式测量法和示波器等工具，可以实现对电路中电阻的准确、快速、可靠的测量，为电路的调试和维护提供有力支持。
专题七 测量电阻的“五种方法”
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a．先将滑动变阻器 R1 的滑动端移到使电路安全的位置， 再把电阻箱 R2 的阻值调到________(选填“最大”或“最 小”)。
b．闭合开关 S1、S，调节滑动变阻器 R1，使两电流表的 指针在满偏Leabharlann 近，记录电流表 A2 的示数 I。
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(2)根据实验测得的 6 组数据，在图 2 中描点，作出了 2 条图线。你认为正确的是________(选填“①”或“②”)，并 由图线求出电阻 Rx＝________Ω。(保留 2 位有效数字)
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[解析] (1)电压表示数变化较大，说明电流表分压较大， 而电流表示数基本不变，说明电压表分流较小，可以忽略，故 采用电流表外接法，即 c 接 a 点；电压表测量的电压为准确值， 但电流表测量的电流为电阻和电压表电流之和，即电流测量值 偏大，根据 R＝UI 可得电阻测量值偏小；
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[例 2] (2019·浙江选考)为了比较精确地测定阻值未知的 定值电阻 Rx，小明设计了如图所示的电路。
(1)实验时，闭合开关 S，滑动变阻器的滑片滑至合适位置 保持不变，将 c 点先后与 a、b 点连接，发现电压表示数变化 较大，电流表示数基本不变，则测量时应将 c 点接________(选 填“a 点”或“b 点”)，按此连接测量，测量结果________(选 填“小于”“等于”或“大于”)Rx 的真实值。
效果，R1 就需要选一个尽可能大的电阻，可以是电阻箱，也可 以是滑动变阻器，也可以是电位器，但阻值要尽可能地大，经 此分析，R1 应选用 D。该实验要通过可变电阻 R2 阻值来间接 反映出电流表的内阻值，因此可变电阻 R2 的选取原则是：能 读数且尽量和电流表的内阻在同一数量级上。经此分析，可变
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ICS 29.045H 80半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法Test method for measuring resistivity of semiconductorsilicon or sheet resistance of semiconductorfilms with a noncontact eddy-current gage（送审稿）中华人民共和国国家质量技术监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会GB/T 6616—200×II前言本标准代替GB/T6616—1995《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法》。
本标准与原标准相比，主要有如下变动：——修改了1.中的尺寸范围；——增加了2.中规范性引用文件的内容；----修改了3.中的公式、增加了电导率；——增加了4.1.1、4.1.2中的部分内容；——修改了4.2.2中的数据；——修改了5.1.5和5.1.6中的内容；----修改了5.2.4、5.3.1、5.4.2中的数据；——修改了5.3.5.2中的部分内容；——增加了6.1.1的部分内容、增加了6.2的内容。
----增加了6.3的内容本标准由中国有色金属工业总公司提出。
本标准由万向硅峰电子股份有限公司负责起草。
本标准主要修改人:楼春兰、朱兴萍、方强、汪新平、戴文仙。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会负责归口。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：——GB/T6616—1995GB/T 6616—200×1半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法1. 主题内容与适用范围本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法。
本标准适用于测量直径或边长大于25mm 、厚度为0.1-1mm 的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。
测量薄膜薄层带内阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。
硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0³10-3～2³102Ω.cm 和2～3³103Ω/□。
2. 规范性引用文件 2.1 国家标准GB/T14264-1993—半导体材料术语GB/T11073-1989—硅片径向电阻率变化的测试方法 GB/T1552-1995—硅、锗电阻率测定 直排四探针法GB/T14141-1993—硅外延片、扩散片和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法方法 GB/T6618-1995—硅片厚度及厚度变化的测试方法SEMI MF673-11052.3 ASTM 标准E1— ASTM 温度计说明书E 691—引导多个实验室测定试验方法的惯例 3. 方法提要将硅片试样平插入一对共轴涡流探头（传感器）之间的固定间隙内，与振荡回路相连接的两个涡流探头之间的交变磁场在硅片上感应产生涡流。
为使高频震荡器的电压保持不变，需要增加激励电流，而增加的激励电流值是硅片电导的函数。
通过测量激励电流的变化即可测得试样的电导。
当试样厚度已知时，便可计算出试样的电阻率。
R = ρt =1G =1δt (1)式中：ρ---试样的电阻率，Ω.cm ； G---试样的薄层电导，S ； R----试样的薄层电阻，Ω/□；GB/T 6616—200×t-----试样中心的厚度（测薄膜时厚度取0.0508cm），cm。
δ—电导率，Ω/cm4. 测量装置4.1 电学测量装置4.1.1涡流传感器组件。
由可供硅片插入的具有固定间隙的一对共轴线探头，放置硅片的支架（需保证硅片与探头轴线垂直），硅片对中装置及激励探头的高频震荡器等组成。
选择一个能穿透5倍晶片或薄膜厚度能力的高频震荡器，该传感器可提供与硅片电导成正比的输出信号。
涡流传感器组件的结构见图1。
上探头对中装置图1 涡流传感器组件示意图4.1.2信号处理器。
用模拟电路或数字电路进行电学转换，把薄层电导信号转换成薄层电阻值。
当被测试样为硅片时，通过硅片的厚度再转换为电阻率。
处理器应具有显示薄层电阻或电阻率的功能。
当试样未插入时应具有电导清零的功能和具有用已知校准样片去校准仪器的功能。
4.2标准片和参考片4.2.1 标准片。
电阻率标准片的标称值分别为0.01、0.1、1、10、25、75和180Ω.cm。
选择合适的电阻率标准片用于校正测量设备，并需定期检定。
电阻率标准片与待测片的厚度偏差应小于±25%。
4.2.2 参考片。
用于检查测量仪器的线性。
参考片电阻率的值与表1指定值之偏差应小于±25%。
其厚度与硅片试样的厚度偏差应小于±25%。
2GB/T 6616—200×表1 检查仪器线性的参考片的电阻率值4.2.3 标准片和参考片至少应各有5片，数值范围应跨越仪器的全量程。
如试样的电阻率或薄层电阻范围比较狭窄时，标准片和参考片的数值范围至少应大于试样的范围。
4.3 测厚仪与温度计4.3.1 非接触式硅片厚度测量仪或其它测厚装置。
4.3.2 温度计，准确到±0.1°C。
5. 测量程序5.1 测量环境5.1.1 环境温度保持在23±5°C。
5.1.2 环境相对湿度保持在70%以下。
5.1.3 测量环境应有电磁屏蔽。
5.1.4 电源应有滤波，防止高频干扰。
5.1.5 环境清洁度不低于10000级。
5.1.6 仪器预热20分钟以上，待标准片和参考片及硅片试样温度与环境温度平衡后方可进行测量。
5.2 仪器的校正3GB/T 6616—200×5.2.1 测量环境温度T，精确到±0.1°C。
5.2.2 输入一片电阻率标准片的厚度值。
5.2.3 按公式（2）将电阻率标准片23°C时的标定值ρ（23）换算成温度T时的电阻率值ρ（T）。
ρ（T）=ρ（23）［1+C T(T-23)］ (2)式中：T----环境温度，°C；C T-----硅单晶电阻率温度系数，见GB/T1552中的表9，Ω.cm/Ω.cm.°C；ρ（23）--- 23°C时的电阻率，Ω.cm ；ρ（T）-----环境温度T时的电阻率，Ω.cm。
5.2.4 将标准片正面向上放在支架上，插入上下两探头之间。
硅片中心偏离探头轴线不大于1mm。
按ρ（T）值对仪器进行校正。
5.2.5 采用其他电阻率标准片按5.2.2-5.2.4步骤继续校正仪器，直至符合要求。
5.3 仪器线性检查5.3.1 根据试样电阻率的范围选择一组（5块）电阻率参考片（见表1）。
每块参考片在输入厚度后，由支架插入上下探头之间，其中心偏离探头轴线不大于1mm，依次测量每块参考片在环境温度下的电阻率值。
5.3.2 按（3）式将每块参考片在环境温度T时测的电阻率值ρ（T）换算成23°C时的电阻率值ρ（23）。
ρ（23）=ρ（T）［1-C T(T-23)］ (3)5.3.3 选择适当的比例，作出电阻率测量值和标定值的关系图，在图中标上5个参考片的数据点，见图2。
5.3.4 分别按式（4）、式（5）计算出个参考片的电阻率允许偏差范围的最大值和最小值。
在图2中画出2条直线分别对应于各参考片电阻率的最大值和最小值。
最大值=标定值+5%标定值+1数字 (4)最小值=标定值-5%标定值-1数字 (5)5.3.5 线性检查步骤如下：5.3.5.1 如果5个数据点全部位于两条直线之间，那么仪器在全量程范围内达到线性要求，可进行测量。
5.3.5.2 如果5个数据点全部不在两条直线之间或位于两条直线之间的数据不足3点，应对设备重新调整和校正，并重复5.2步骤，以满足测量的线性要求。
5.3.5.3 如果只有3个或4个数据点位于两条直线之间，则在由这些相邻的最高点和最低点所限定的量程范围内，仪器可以使用。
4GB/T 6616—200×5-5%读数-1个数字+5%读数+1个数字电阻率已知值.Ω²cm电阻率显示值.Ω²c m图2 线性检查图5.4 测量5.4.1 输入硅片试样厚度值，如果测量薄膜的薄层电阻，可输入薄膜加上衬底的总厚度。
5.4.2 将硅片试样正面向上放在支架上，插入上下探头之间，硅片中心离探头轴线偏差不大于1mm ，记录电阻率显示值。
5.4.3 需根据公式（3）将显示值换算成ρ（23）。
5.4.4 为避免涡流在硅片上造成温升，测量时间应小于1s 。
6. 精度和偏差采用电阻率小于120Ω.cm 的9个试样在7个实验室8台仪器上进行了循环试验,得到本方法多个实验室精密度为±12%(R3S)。
7 试验报告7.1 试验报告应包括以下内容：a. 试样编号；b.电阻率标准片及参考片代号；GB/T 6616—200×c.环境温度；d.厚度，cmd.试样电阻率ρ（T），Ω.cm；e.温度修正后的电阻率ρ（23），Ω.cm ；f.本标准编号；g.测量者；h.测量日期。
6。