常用可控硅型号及参数图
可控硅型号参数BT
BT101-500R
可控硅
15
10m
BT1306-600D
PHILIPS
器、 相位控制和 0.6 小功率交流电 风扇速度控 制
600
BT1308-400D
PHILIPS
逻辑电平可控 硅， 用于通用开
0.8
400
关、固体继电 器、 相位控制和 小功率交流电 风扇速度控 制 逻辑电平可控 硅， 用于通用开 关、固体继电 BT1308-600D PHILIPS 器、 相位控制和 0.8 小功率交流电 风扇速度控 制 逻辑电平可控 硅， 用于通用开 关、固体继电 BT131 系列 PHILIPS 器、 相位控制和 1 小功率交流电 风扇速度控 制 逻辑电平可控 硅， 用于通用开 关、固体继电 BT132 系列 PHILIPS 器、 相位控制和 1 小功率交流电 风扇速度控 制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT134 系列 PHILIPS 电器、 相位控制 和小功率交流 电风扇速度控 制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT136-500 PHILIPS 电器、 相位控制 和小功率交流 电风扇速度控 制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT136-500D PHILIPS 电器、 相位控制 4 和小功率交流 电风扇速度控 10m 1.5 4 70m 1.5 4 500-800 500-600 0.4 0.7 500-600 600
制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT136-500E PHILIPS 电器、 相位控制 和小功率交流 电风扇速度控 制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT136-500F PHILIPS 电器、 相位控制 和小功率交流 电风扇速度控 制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT136-500G PHILIPS 电器、 相位控制 和小功率交流 电风扇速度控 制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT136-600 PHILIPS 电器、 相位控制 和小功率交流 电风扇速度控 制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT136-600E PHILIPS 电器、 相位控制 和小功率交流 电风扇速度控 制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT136-600F PHILIPS 电器、 相位控制 和小功率交流 电风扇速度控 制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT136-600G PHILIPS 电器、 相位控制 和小功率交流 电风扇速度控 制 4 50m 1.5 4 70m 1.5 4 25m 1.5 4 40m 1.5 4 50m 1.5 4 70m 1.5 4 25m 1.5
jt41hz可控硅参数
jt41hz可控硅参数一、引言j t41hz可控硅是一种常见的电子元件，广泛应用于电力控制和变频调速等领域。
了解j t41h z可控硅的参数对于正确使用和应用该元件至关重要。
本文将介绍j t41h z可控硅的常见参数及其含义，帮助读者更好地理解和应用可控硅。
二、可控硅的基本概述可控硅是一种具有控制性能的半导体器件，由于其具备手动和自动控制电流的能力，被广泛用于电力电子领域。
它常见的型号之一是j t41h z 可控硅，下面将介绍该型号的重要参数。
三、参数1限流电流（I_T）限流电流是j t41h z可控硅能够承受的最大电流。
超过该电流值，可控硅会被损坏。
在使用j t41h z可控硅时，应确保电流不超过限流电流的数值。
四、参数2阻断电压（V_R R M）阻断电压是指jt41hz可控硅能够承受的最大反向电压。
超过该电压值，可控硅可能会发生击穿，导致元件失效。
在实际应用中，应选择低于阻断电压的工作电压，以确保可控硅的正常工作。
五、参数3关断时间（t_q）关断时间是j t41h z可控硅从导通到断开的时间。
关断时间的长短直接影响到可控硅的开关速度和响应时间。
在选型和应用可控硅时，需要根据具体的需求和应用场景选择适当的关断时间。
六、参数4触发电压（V_G M）触发电压是使jt41hz可控硅从关断状态转为导通状态所需的电压。
触发电压的高低与可控硅的灵敏度和响应速度有关。
应根据具体应用需求选择适当的触发电压值。
七、参数5瞬态响应时间（t_dv/dt）瞬态响应时间是j t41h z可控硅在接收到触发信号后从关断状态转为导通状态的时间。
该参数关系到可控硅对高频信号和瞬态电压的响应能力。
较短的瞬态响应时间可提高可控硅的稳定性和可靠性。
八、参数6散热器热阻（R_t h）散热器热阻是指j t41h z可控硅与散热器之间的热阻，用于评估可控硅在工作过程中的散热性能。
热阻的大小与可控硅的温度升高和散热器的散热能力密切相关。
在实际应用中，应合理选择散热器以确保可控硅的温度在安全范围内。
单向可控硅参数列表MCR100-81A400V
单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V参数: 1A 400V可控硅引脚定义可控硅外形象中功率三极管，三个脚定义为阳极A，阴极K，栅极G ,使用时在阳极加正电压，必须在栅极加一个4 伏左右的触发电压才能导通.单向可控硅的型号参数表常用1A/400V 单向可控硅有：MCR100-6MCR100-8BT169TP5GCR3AM常用3A/600V 的单向可控硅的型号有：3CR3AM-12TLC336TLC336TTLC336DTLC336STLC336晶闸管的选用与代换及检测1．晶闸管的选用(1) 选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。
若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。
若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。
若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。
若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用BTG 晶闸管。
若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。
若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管。
2．选择晶闸管的主要参数：晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。
所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流（通态平均电流）均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流1. 5〜2倍。
晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路（指门极的控制电路）的各项要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。
2.晶闸管的代换晶闸管损坏后，若无同型号的晶闸管更换，可以选用与其性能参数相近的其他型号晶闸管来代换。
可控硅型号与参数表
可控硅型号与参数表描述一．可控硅简介可控硅是一种大功率电器元件，也称晶闸管。
它具有体积小、效率高、寿命长等优点。
在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。
它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
可控硅图结构、外形和图形符可控硅的三个电极分别叫阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）。
当器件的阳极接负电位（相对阴极而言）时，从符号图上可以看出PN 结处于反向，具有类似二极管的反向特性。
当器件的阳极上加正电位时（若控制极不接任何电压），在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。
但当正电压大于某个电压（称为转折电压）时，器件迅速转变到低阻通导状态。
加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。
此时如果在控制极上加有适当大小的正电压（对阴极），则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。
可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。
就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。
图3-30是可控硅的伏安特性曲线。
图中曲线I为正向阻断特性。
无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压（UB0）；当有控制极信号时，正向转折电压会下降（即可以在较低正向电压下导通），转折电压随控制极电流的增大而减小。
当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。
曲线Ⅱ为导通工作特性。
可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。
若阳极电压减小（或负载电阻增加），致使阳极电流小于维持电流IH时，可控硅从导通状态立即转为正向阻断状态，回到曲线I状态。
曲线Ⅲ为反向阻断特性。
当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通（只有很小的漏电流）。
只有反向电压达到击穿电压时，电流才突然增大，若不加限制器件就会烧毁。
可控硅的主要参数
可控硅可控硅是硅可控整流元件的简称，亦称为晶闸管。
具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。
该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
按其工作特性，可控硅（THYRISTOR)可分为普通可控硅（ SCR）即单向可控硅、双向可控硅（ TRIAC)和其它特殊可控硅。
可控硅的主要参数非过零触发 - 无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过可控硅的主要参数1、额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳极 --- 阴极间可以连续通过的50 赫兹正弦半波电流的平均值。
2 、正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。
可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。
3 、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。
使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
4 、控制极触发电流 Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极--- 阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
5 、维持电流 IH 在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。
近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。
可控硅的触发过零触发 - 一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。
非过零触发 - 无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。
贴片可控硅MCR100-8 SOT23-3L 规格参数
1单向可控硅 MCR00-8 (SOT23-3L)MCR100-8(SOT23-3L)单向可控硅l 特点:l 先进的平面钝化技术，进一步提高了电压稳固性和可靠性，单面台面结构，半循环交流和脉冲直流导通，门极灵敏触发，触发电流一致性佳，耐电流冲击能力强，出色的可靠性和产品质量。
l 用途:n 广泛应用于高压点火电路 - 例如摩托车、燃气用具、电围栏；稳压器- 例如摩托车；安全停机和保护电路 - 例如电子镇流器；断路器、GFCI 、ELCB 、RCD 等；浪涌保护电路 - 例如离线式电源；小型通用电机转速控制 - 例如电动工具、厨房电器。
l 极限参数:l 电特性（T.=25℃）:名 称符号 测试条件 Min Max 单位 重复峰值阻断泄漏电流I DRM V D =V DRM ---- 100 μA 通态电压 V TM I T =0.6A ---- 1.7 V 门极触发电流 I GT V D =7V, I T =0.1A ---- 120 μA 门极触发电压 V GT V D =7V, I T =0.1A---- 0.9 V 门极不触发电压 V GD V D =V DRM0.2 ---- V 断态电压临界上升率 dv D /dtV DM =67%V DRM Gate open Tj=110℃10----V/μs名 称 符号 规范值 单位 测试条件 重复峰值阻断电压 V DRM >600 V I DRM =20μA 反向重复峰值电压V DRM >600 V I RRM =50μA 通态电流 I T(RMS) 1.0 A 正弦波,180度 浪涌电流 I TSM 10 A 正弦波,50HZ结温 Tj 125 ℃ ---- 储存温度Tstg-40~150℃----1 2SOT-23,SOT-23-3L31=K 2=G 3=ASZJBL1。
单向可控硅参数列表 MCR100-8 1A400V
单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V 单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V参数: 1A 400V可控硅引脚定义可控硅外形象中功率三极管，三个脚定义为阳极A，阴极K，栅极G，使用时在阳极加正电压，必须在栅极加一个4伏左右的触发电压才能导通.单向可控硅的型号参数表常用1A/400V单向可控硅有：MCR100-6MCR100-8BT169TP5GCR3AM常用3A/600V的单向可控硅的型号有：3CR3AM-12TLC336TLC336TTLC336DTLC336STLC336晶闸管的选用与代换及检测1．晶闸管的选用(1)选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。
若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。
若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。
若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。
若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用BTG晶闸管。
若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。
若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管。
2．选择晶闸管的主要参数：晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。
所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流(通态平均电流)均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流1．5～2倍。
晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路(指门极的控制电路)的各项要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。
2．晶闸管的代换晶闸管损坏后，若无同型号的晶闸管更换，可以选用与其性能参数相近的其他型号晶闸管来代换。
100-6可控硅参数
100-6可控硅参数
请问您指的是什么样的可控硅参数？可控硅是指一种半导体器件，根据具体的用途，它可能有不同的参数，以下是一些常见的可控硅参数：
1. 电压容限（Voltage Rating）：可控硅能够承受的最大电压，通常以伏特（V）作为单位。
2. 电流容限（Current Rating）：可控硅能够承受的最大电流，通常以安培（A）作为单位。
3. 门极电流（Gate Current）：用于触发可控硅的门极电流，
通常以毫安（mA）作为单位。
4. 触发电流（Trigger Current）：当电流通过可控硅时，触发
可控硅进入导通状态所需的最小电流，通常以毫安（mA）作
为单位。
5. 温度容限（Temperature Rating）：可控硅能够正常工作的
温度范围，通常以摄氏度（℃）作为单位。
6. 直通电压降（Voltage Drop）：当可控硅处于导通状态时，
两端的电压降，通常以伏特（V）作为单位。
这些参数仅为常见的可控硅参数，具体的参数可能会根据不同的可控硅型号和应用需求而有所不同。
请在具体应用中查阅相
关可控硅型号的datasheet或咨询电子元件供应商以获取更准确的参数信息。