贴片可控硅BT131 SOT-89 规格参数
bt131可控硅引脚资料
bt131可控硅引脚资料篇一：可控硅型号参数BT篇二：双向可控硅产品命名双向可控硅为什么称为“TRIAC”三端：TRIode(取前三个字母)交流半导体开关：ACemiconductorwitch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”中文译意“三端双向可控硅开关”。
由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。
双向：Bi-directional(取第一个字母)控制：Controlled(取第一个字母)整流器：Rectifier(取第一个字母)再由这三组英文名词的首个字母组合而成:“BCR”中文译意:双向可控硅。
以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。
双向：Bi-directional(取第一个字母)三端：Triode(取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名，典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philip公司，均以此来命名双向可控硅。
Philip公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。
而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘组合成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：三象限/绝缘型/双向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等；四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等；ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。
如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型号如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。
至于型号后缀字母的触发电流，各个厂家的代表如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，型号没有后缀字母之触发电流，通常为25-35mA；PHILIPS公司的触发电流代表字母没有统一的定义，以产品的封装不同而不同。
2SA1661贴片三极管 SOT-89封装三极管2SA1661参数
Seal the box with the tape
Stamp “EMPTY” on the empty box
Seal the box with the tape
QA Label
Label on the Inner Box Inner Box: 210 mm× 208 mm×２０３ mm
Label on the Outer Box Outer Box: 440 mm× 440 mm× 230 mm
B
-0
-0
-2
-4
-6
-8
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V (V) CE
-1
β=10
V CEsat
——
I
C
DC CURRENT GAIN h FE
h —— I
FE
C
500
COMMON EMITTER
T =100℃ a
V =-5V CE
T =25℃ a
100
10 -1
-10
-100
C / C —— V / V
ob ib
CB EB
C ib
-800
f=1MHz
I =0/I =0
E
C
T =25℃ a
C ob
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
CAPACITANCE C (pF)
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
COLLECTOR POWER DISSIPATION P (mW)
【 南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
可控硅型号与参数表
可控硅型号与参数表描述一．可控硅简介可控硅是一种大功率电器元件，也称晶闸管。
它具有体积小、效率高、寿命长等优点。
在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。
它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
可控硅图结构、外形和图形符可控硅的三个电极分别叫阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）。
当器件的阳极接负电位（相对阴极而言）时，从符号图上可以看出PN 结处于反向，具有类似二极管的反向特性。
当器件的阳极上加正电位时（若控制极不接任何电压），在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。
但当正电压大于某个电压（称为转折电压）时，器件迅速转变到低阻通导状态。
加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。
此时如果在控制极上加有适当大小的正电压（对阴极），则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。
可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。
就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。
图3-30是可控硅的伏安特性曲线。
图中曲线I为正向阻断特性。
无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压（UB0）；当有控制极信号时，正向转折电压会下降（即可以在较低正向电压下导通），转折电压随控制极电流的增大而减小。
当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。
曲线Ⅱ为导通工作特性。
可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。
若阳极电压减小（或负载电阻增加），致使阳极电流小于维持电流IH时，可控硅从导通状态立即转为正向阻断状态，回到曲线I状态。
曲线Ⅲ为反向阻断特性。
当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通（只有很小的漏电流）。
只有反向电压达到击穿电压时，电流才突然增大，若不加限制器件就会烧毁。
KTC4379贴片三极管 SOT-89三极管封装KTC4379参数
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDSOT-89-3L Plastic-Encapsulate TransistorsKTC4379 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Low saturation voltagez High speed switching time z Complementary to KTA1666 MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified)ParameterSymbol Test conditions M in T yp Max Unit Collector-base breakdown voltageV (BR)CBO I C =1mA, I E =0 50 V Collector-emitter breakdown voltageV (BR)CEO I C =10mA, I B =0 50 V Emitter-base breakdown voltageV (BR)EBO I E =1mA, I C =0 5 V Collector cut-off currentI CBO V CB =50V, I E =0 0.1 μA Emitter cut-off currentI EBO V EB =5V, I C =0 0.1 μA h FE(1) V CE =2V, I C =500mA 70 240 DC current gainh FE(2) V CE =2V, I C = 1.5A 40 Collector-emitter saturation voltageV CE(sat) I C =1A, I B =50mA 0.5 V Base-emitter saturation voltageV BE(sat) I C =1A, I B =50mA 1.2 V Transition frequencyf T V CE =2V, I C =500mA 120 MHz Collector output capacitanceC ob V CB =10V, I E =0, f=1MHz 30 pF Turn on Timet on 0.1 Storage Timet stg 1.0 Switching Time Fall Time t f V CC =30V, I C =1A, I B1=-I B2=-0.05A 0.1μsCLASSIFICATION OF h FE(1)Rank OY Range 70-140 120-240 Marking UO UYSOT-89-3L 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER A,Jun,2011【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】【Label on the Inner Box Label on the Outer BoxQA LabelSeal the boxwith the tapeSeal the boxwith the tapeStamp “EMPTY”on the empty boxInner Box: 210 mm× 208mm×２０３ m m Outer Box: 440 mm× 440mm× 230mmThe top gasket1000×1 PCSLabel on the ReelThe bottom gasketThe file folderPlastic bag。
BT 双向可控硅中文资料
2.9 2.8 1.3 16.1
T2+ GT2- G-
T2- G+
T2+ G+
控制极触发电压
T2+ GT2- G-
T2- G+
VDRM IDRM VRRM IRRM VTM IH
IGT
VGT
测试条件
ID= 0.1mA VDRM= 520V ID= 0.1mA VRRM= 520V
IT= 6A IT= 0.1A；IGT= 20mA
VAK= 12V；RL= 100Ω
最小值
8.8 9.5 4.2 1.2 φ3.4
9.5 0.43 13 0.75
2.7 2.7 1.2 15.7
深圳市商岳电子有限公司
典型值
9 10 4.5 1.25 φ3.6 2.54 10 0.45 13.5 0.8 5.08
2.8 2.75 1.25 15.9
最大值
9.2 10.5 4.8 1.3 φ3.8
VD= 12V；RL= 100Ω
规范值
最小值 最大值 600 10 600 10 1.7 15 6 6 6 15 1.5 1.5 1.5 1.8
单位
V µA V µA V mA
mA
V
深圳市商岳电子有限公司
TO － 220 外形尺寸图
单位：mm
符号
A B C D F G H J K L N P Q R S Z
名称
符号
VDRM VRRM
IT I TSM Tjm Tstg
额定值
600 600
4 40 110 － 55 ～ 150
单位
V V A A ℃ ℃
可控硅BT131-800V规格书
2. Pinning information
Table 1: Pin 1 2 3
Pinning Description main terminal 2 (T2) gate (G) main terminal 1 (T1)
Simplified outline
Symbol
T2
T1
G sym051
321
SOT54 (TO-92)
BT131-800
4. Limiting values
Version SOT54
Table 3: Limiting values In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
over any 20 ms period
Min
[1] -
-
−40 -
Max
Unit
600
V
800
V
1
A
12.5
A
13.8
A
1.28
A2s
50 50 50 10 2 5 0.1 +150 125
A/µs A/µs A/µs A/µs A W W °C °C
[1] Although not recommended, off-state voltages up to 800 V may be applied without damage, but the triac may switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 3 A/µs.
C1815贴片三极管 SOT-89三极管封装C1815参数
Label on the Outer Box Outer Box: 440 mm× 440 mm× 230 mm
Transition frequency
Symbol Test conditions
V(BR)CBO IC= 100uA, IE=0
V(BR)CEO IC= 0.1mA, IB=0
ICBO
VCB=60V, IE=0
ICEO
VCE=50V, IB=0
IEBO
VEB= 5V, IC=0
hFE
VCE= 6V, IC= 2mA
a
12uA 10uA
8uA 6uA
4uA I =2uA
B
2
4
6
8
10
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V (V) CE
VCEsat —— IC
100
T =100 ℃ a
T =25℃ a
VOLTAGE V
(mV)
DC CURRENT GAIN h FE
BEsat
1000
100
10 0.1
1
0.1 0
300
600
900
1200
BASE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
Cob/Cib —— VCB/VEB
50
f=1MHz
I =0/I =0
E
C
T =25 ℃ a
10
C ib
C ob
0.1 0.1
1
REVERSE VOLTAGE V (V)
10
20
COLLECTOR POWER DISSIPATION P (mW)
Parameter
可控硅参数——精选推荐
∙型号VRRM（V）VDRM（V）IT（A）IGT（mA/uA) VGT(V) 封装形式MAC97A6 ≥400 ≥400 0.8 3--5 1 TO-92 SOT-8?MAC97A8 ≥600 ≥600 0.8 3--5 1 TO-92 SOT-8?BT131 ≥600 ≥600 1 3--5 0.8 TO-92BT134 ≥600 ≥600 2 3--6 1.8 TO-126BT136 ≥600 ≥600 4 3--6 1.8 TO-220BT137 ≥600 ≥600 8 10--15 1.8 TO-220BT138 ≥600 ≥600 12 12--15 1.8 TO-220BT139 ≥600 ≥600 16 12--15 1.8 TO-220BT151≥600 ≥600 8 1--12 0.8 TO-220如图:主要应用：通用电机控制，取暖和厨房用具，工业和家庭照明等产品。
可控硅/晶闸管特点:晶闸管是一种可控制的整流管，由门极向阴极送出微小信号电流即可触发单向电流自阳极流向阴极。
正面K-G-A. 管脚排列：K-G-A特点: 玻璃钝化芯片、高灵敏的控制极触发电流，低通态压降用途: 应用于各种万能开关器、小型马达控制器、彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器激励器、逻辑集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器等线路∙BT169D ≥400 ≥400 0.8 5-120 0.8 TO-92BT169G ≥600 ≥600 0.8 5-120 0.8 TO-92BTB04 ≥600 ≥600 4 10 1.8 TO-220BTA04 ≥600 ≥600 4 10 1.8 TO-220BTA06 ≥600 ≥600 6 5--50 1.8 TO-220BTB06 ≥600 ≥600 6 5--50 1.8 TO-220BTA08 ≥600 ≥600 8 5--50 1.8 TO-220BTB08 ≥600 ≥600 8 5--50 1.8 TO-220BTA10 ≥600 ≥600 10 25--50 1.8 TO-220BTB10 ≥600 ≥600 10 25--50 1.8 TO-220BTA12 ≥600 ≥600 12 10--50 1.8 TO-220∙品名= 12A四象限双向可控硅(TRIACs)☆型号= BTA12-1000B◇电流= 12.0（A）◇电压= 1000（V）◇结温= 125（℃）◇封装形式= TO-220AB◇管脚排列= T1-T2-G 【主要用途】变频电路，调光、调温、调速电路，电扇、洗衣机、饮水机、微波炉、空调等家用电器的控制电路。
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双向可控硅
BT131(SOT-89)
BT131(SOT-89)双向可控硅
n 特点:
l 先进的平面钝化技术，进一步提高了电压稳固性和可靠性，具有通态压 降低，门极逻辑电平触发，耐电流冲击能力强，全循环交流导通，在所 有四个象限中触发，兼容正栅极触发电路，出色的可靠性和产品质量， 可直接应用 IC 驱动。
VDM=67%VDRM Gate open Tj=110℃
10
dI/dt IG=0.2A IT=1A dIG/dt=0.2 A/µs
IH
VD=24V IGT=0.5A
条件 IDRM=20μA 所有导通角
t=10ms t=16.7ms Tj=125℃
-----
Max
Type
0.1
----
1.5
----
重复峰值阻断电压
VDRM
≥600
V
通态均方根电流
IT(RMS)
1
A
10
A
通态浪涌电流
ITSM
12
A
门极峰值电流
IGM
1.2
A
结温范围
Tj
－40～125
℃
贮存温度
Tstg
－40～150
℃
n 电特性（Tj=25℃）:
名称
符号测试Βιβλιοθήκη 件Min正向断态峰值电流
通态峰值电压 门极触发电流 门极触发电压
Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ Ⅳ
门极不触发电压
断态电压临界上升率
通态电流临界上升率 维持电流
IRRM
Tj=125℃ VRRM=VDRM
----
VTM
ITM=6A t=380µs
----
IGT
VD=12V RL =100Ω
-------
VGT
VD=12V RL =100Ω
----
VGD
VD=1/2 VDRM TJ=125℃
0.2
dV/dt
5
----
7
----
2
0.8
----
----
----
----
50 ≤25
单位 mA V mA mA V V V/µs
A/µs mA
1
n 用途:
l 广泛应用于调光、调温、调速等调压电路；微波炉、洗衣机、空调、电 风扇、饮水机、夜明灯等家电的控制电路及用于交流相控、斩波器、逆 变器和变频器等电路；阻性负载；不苛刻的电机负载；虚假触发干扰并非首要关注点的负载；灯具调光器；电 阻加热和照明负载；低成本电器。
n 极限参数:
名称
符号
数值
单位