贴片可控硅MACASOTL规格参数
可控硅参数说明及中英文对照表完整版
为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出。
mA
IRRM
Maximum reverse leakage current
反向重复峰值漏电流
mA
IDSM
断态不重复平均电流
门极断路时，在额定结温下对应于断态不重复峰值电压下的平均漏电流。
mA
ID
Off-state leakage current
断态漏电流
-
mA
VGT
Triggering gate voltage
门极触发电压
—可以选择Vgt 25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选择时β取1~1.2倍即可。
A/μs
VDRM
Repetitive peak off-state voltage
断态重复峰值电压
断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压DRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压bo，所留裕量大小由生产厂家自行规定。UU
℃
Tstg
Storage Temperature Range
贮存温度
-
℃
TL
Max.Lead Temperature for Soldering Purposes
引脚承受焊锡极限温度
-
℃
Rth(j-mb)
中文名可控硅
中文名可控硅外文名Silicon Controlled Rectifier 简写SCR别称晶闸管添加自定义项正文可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。
具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。
该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
结构大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a）〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。
从晶闸管的电路符号〔图2(b）〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年，因为它的特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T，又因为晶闸管最初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR.在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称"死硅")更为可贵的可控性.它只有导通和关断两种状态.可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用.可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等.可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通.可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形.可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构.见图1.它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件.工作原理结构原件可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如右图所示晶闸管特性为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板（图3）。
可控硅参数说明(精)
符号说明:VRRM--反向重复峰值电压:在控制极断路和额定结温的条件下,可以重复加在可控硅上的交流电压。
此电压小于反向最高测试电压100V。
反向最高测试电压,规定为反向漏电流急速增加,反向特性曲线开始弯曲时的电压。
V RSM--反向不重复峰值电压;在控制极断路和额定结温的条件下,不允许加在可控硅上的交流电压。
V DRM――断态重复峰值电压;断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H,每次持续时间不超高10ms。
规定断态重复峰值电压V DRM为断态不重复峰值电压(即断态最大瞬时电压UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo。
IT(AV/ IF(AV--通态/正向平均电流;在环境温度+40℃和额定结温下,导通角不小于170°阻性负载电路中,允许通过的50Hz正弦半波电流的平均值。
I T(RMS, I F(RMS――通态/正向方均根电流;是指在额定结温,允许流过器件的最大有效电流值,用户在使用中须保证,在任何条件下流过器件的电流有效值,不超过对应壳温下的方均根电流值I TSM,I FSM--通态/正向浪涌电流;指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流(半个正弦波t=10ms, 50HzI2t--表示可控硅所通过的电流产生的能量,是电流的平方乘以时间,表示可控硅的发热特性。
P GM--门极峰值功率;门极触发电压与最大触发电流的乘积;P G(AV --门极平均功率;门极触发电压与正常触发电流的乘积;di/dt--通态电流临界上升率;指在额定结温下,可控硅能承受的最大通态电流上升率(如果电流上升太快,可能造成局部过热而使可控硅损坏V ISO--绝缘电压;芯片与可控硅的底板之间的绝缘电压。
Tj--工作结温;可控硅在正常工作条件下允许的PN结温度。
Tjm--额定结温;可控硅在正常工作条件下允许的最高PN结温度。
可控硅参数说明及中文英文对照表
引脚到外壳最大绝缘电压
-
V
PG(AV)
Average gate power dissipation
门极平均散耗功率
-
W
PGM
Peak gate power
门极最大峰值功率
-
W
PG(AV)
Average Gate Power
门极平均功率
-
W
Tj
OperatingJunctionTemperatureRange
A
VTM
Peak on-state voltage drop
通态峰值电压
指器件通过规定正向峰值电流IFM(整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。
V
IDRM
Maximum forward or reverse leakage current
A/ms
dVCOM/dt
Critical rate of change of commutating voltage
临界转换电压上升率
切换电压上升率dVCOM/dt。驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零。这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率（dVCOM/dt）若超过允许值，会迫使双向可控硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自结上撤出。
V
dV/dt
Critical Rate of Rise of Off-state Voltage
断态临界电压上升率
dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容，如图2所示。我们知道dv/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发
可控硅型号与参数表
可控硅型号与参数表平板型晶闸管型号与参数Type VDR M IT(A V) tq tg t fM VTMIGT VGTIDR MIH Tj m ITS M I2tdv/dt di/dt Rth jc 外形VRR M@85℃ @100℃ @ITM (ma x) (ma x) IRR M (ma x) @10ms @10m s (mi n) @ fM (ma x)30V/μS(max)(mi n)(V) (A) (μS) (μS) KH Z (V/A) (mA ) (V) (mA ) (mA ) ℃ (KA ) (KA2S) (V/μS) (A/μS)(℃/W)KG50-19KA7 600-1200 50 ≤12 ≤2.520 3.1/150 150 1.8 ≤15 20-150 115 0.94 5 500 100 0.11KA1KG50-19KT18 600-1200 50 ≤12 ≤2.520 3.1/150 150 1.8 ≤15 20-150 115 0.94 5 500 1000.11 KT18 KG100-30KA2 600-1200 100 ≤12 ≤2.520 3.1/300 150 2 ≤20 20-200 115 1.9 18 500 100 0.08 KA2 KG100-30KT1 600-1200 100 ≤12 ≤2.520 3.1/300 150 2 ≤20 20-200 115 1.9 18 500 100 0.08 KT1 KG200-35KA3600-1600 200 ≤18 ≤3 10 3.0 /600 200 2 ≤25 20-300 115 2.4 29 500 200 0.05 KA3 KG200-35KT19 600-1600200 ≤18 ≤3 10 3.0 /600 200 2 ≤25 20-300 115 2.4 29 500 2000.05 KT19 KG300600300 ≤18 ≤10 3.0 200 2 ≤20-113.6 65 500 200 0.0KA4-40KA4 -1600 3 /900 30 350 5 4KG300-40KT5600-1600 300 ≤18 ≤3 10 3.0 /900 200 2 ≤30 20-350 115 3.6 65 500 200 0.04 KT5 KG500-45KA5600-1200 500 ≤18 ≤3 10 3.0/1500 200 2.5 ≤40 20-350 115 6 180 800 200 0.026 KA5 KG500-45KT6600-1600 500 ≤18 ≤3 10 3.0 /1500 200 2.5 ≤40 20-350 115 6 180 800 200 0.026 KT6 KG800-50KT7600-1400 800 ≤18 ≤3 10 3.0 /2400 250 2.5 ≤50 20-350 115 9.6 460 800 300 0.022 KT7 KG1000-55KT7600-1400 1000 ≤18 ≤3 10 3.0/3000 250 2.5 ≤60 20-350 115 12 720 1000 300 0.02 KT7 KG1200-55KT14 600-1200 1200 ≤18 ≤3 10 3.0 /3000 250 2.5 ≤60 20-350 115 14 1000 1000 3000.015 KT14KK5A —100A 螺栓型 快速晶闸管TypeVDR M IT(A V) Tq VTM IGT VGTIDR M IH Tjm ITSM I 2t dv/d t di/d t Rthj c 外形VRR MIRR M推荐@85℃@100℃ @ITM (max ) (max ) (max ) @10m s @10ms (min ) (min ) (max )散热器30V/μS (max) (V) (A) (μS) (V/A) (mA) (V) (mA ) (mA) ℃ (A) (KA2S) (V/μS) (A/μS) (℃/W) 型号KK5-KL6 500- 5 ≤20 2.4 /15 70 2 ≤5 60 100 90 0.04 200 2.5 K L6SZ141600 KK10-KL10500-1600 10 ≤202.4/301002 ≤8 100 100 180 0.18 200 501KL10 SZ16KK20-KL10500-1600 20 ≤202.4/601002 ≤8 100 100 360 0.72 200 501KL10 SZ16KK50-KL12500-1600 50 ≤20 2.4/150 2002 ≤16 100 115 940 5 200 50 0.4KL12 SL17KK100-KL20500-1800100 ≤30 3.0 /300 200 2.5 ≤20 100 115 1900 18 500 100 0.2KL20 SL18KG5A —50A 螺栓型 高频晶闸管Typ e VDR M IT(A V) tq tg t fM VTM IGT VGT IDR M IH Tj m ITS M I2tdv/dt di/dt Rth jc 外形 推荐 VRR M@85℃ @100℃ @ITM (ma x) (ma x) IRR M (max) @10ms @10m s (mi n)@ fM (max) 散热器30V/μS (max ) (min)型号(V) (A) (μS) (μS) KH Z (V/A ) (mA ) (V) (mA ) (mA ) ℃ (A) (KA2S)(V/μS) (A/μS)(℃/W) KG5-KL6 600-1200 5 ≤12 ≤2.510 3.0 /15 70 2 ≤5 60 ## 90 0.04 300 50 2.5 K L6SZ14 KG10-KL10 600-1200 10 ≤12 ≤2.510 3.0 /30 100 2 ≤8 100 ## 180 0.18 300 50 1KL10 SZ16KG20-KL12 600-120020 ≤12 ≤2.520 3.0 /60 100 2 ≤8 100 ## 360 0.72 300 60 0.4KL12 SL17KG3 0-KL1 2600-12030≤12≤2.5103.0/901502≤16100##540 1.53001000.4KL12SL17KG3 5-KL1 6600-12035≤12≤2.5203.0/1001502.5≤20100##600 1.8500800.2KL16SL18KG5 0-KL1 2600-12050≤12≤2.583.2/1501502.5≤20100##90045001500.4KL12SL17快速晶闸管快速晶闸管额定通态平均电流20A-2500A，断态及反向重复峰值电压100V-220V。
cr6am可控硅参数
CR6AM可控硅参数介绍1. 可控硅简介可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR），也被称为晶闸管，是一种具有控制能力的半导体器件。
可控硅最早由贝尔实验室的团队在1957年研制成功，它具有双极性能，可以用作开关和增强电压效应。
可控硅常用于电力控制、电机控制、电子加热、光控制等领域。
2. CR6AM可控硅参数CR6AM是一种常见的可控硅型号，它具有以下主要参数：2.1 极限参数•电压：最大反向电压（VRRM）和最大正向电压（VRM）是可控硅能够承受的最大电压范围。
•电流：最大正向电流（IFRM）是可控硅能够连续承受的最大电流，最大阻断电流（IRRM）是可控硅处于关断状态时能够承受的最大电流。
•温度：最大结温（Tjmax）是可控硅能够承受的最高温度。
2.2 电特性可控硅的电特性描述了其在导通和关断状态下的电压和电流关系。
- 正向特性：正向压降（VF）是可控硅在导通状态下的正向电压，正向电导（Rd）描述了导通状态下的电流变化情况。
- 反向特性：反向电流（IR）是可控硅在关断状态下的反向漏电流。
2.3 控制特性•门极电流（IGT）：为了将可控硅从关断状态转变为导通状态，需要施加一个足够的正向电流，该电流称为门极电流。
•电压门极电流产品（VGT）：在门极电流作用下，可控硅在导通状态下的电压范围。
•关断特性：关断电流（IH）是当可控硅处于导通状态时，再次转变为关断状态所需的最小电流。
•瞬态特性：可控硅的开启时间（tq）是指从施加控制信号到可控硅导通的时间。
关断时间（trr）是指从控制信号撤离到可控硅完全关断的时间。
3. CR6AM可控硅应用CR6AM可控硅常应用于以下领域： - 电力控制：可控硅可以用来调节电压、电流，实现对电力系统的精确控制。
例如，交流调光、电力供应的无功补偿等。
- 电机控制：通过控制可控硅的导通和关断，可以实现对电机速度的调节、制动，同时也可以避免电机过载烧坏。
可控硅的工作原理(带图)
可控硅的工作原理（带图）一．可控硅是可控硅整流器的简称。
它是由三个PN结四层结构硅芯片和三个电极组成的半导体器件。
图3-29是它的结构、外形和图形符号。
可控硅的三个电极分别叫阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。
当器件的阳极接负电位(相对阴极而言)时，从符号图上可以看出PN结处于反向，具有类似二极管的反向特性。
当器件的阳极上加正电位时(若控制极不接任何电压)，在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。
但当正电压大于某个电压(称为转折电压)时，器件迅速转变到低阻通导状态。
加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。
此时如果在控制极上加有适当大小的正电压(对阴极)，则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。
可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。
就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。
图3-30是可控硅的伏安特性曲线。
图中曲线I为正向阻断特性。
无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压(U B0)；当有控制极信号时，正向转折电压会下降(即可以在较低正向电压下导通)，转折电压随控制极电流的增大而减小。
当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。
曲线Ⅱ为导通工作特性。
可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。
若阳极电压减小(或负载电阻增加)，致使阳极电流小于维持电流I H时，可控硅从导通状态立即转为正向阻断状态，回到曲线I状态。
曲线Ⅲ为反向阻断特性。
当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通(只有很小的漏电流)。
只有反向电压达到击穿电压时，电流才突然增大，若不加限制器件就会烧毁。
正常工作时，外加电压要小于反向击穿电压才能保证器件安全可靠地工作。
可控硅的重要特点是：只要控制极中通以几毫安至几十毫安的电流就可以触发器件导通，器件中就可以通过较大的电流。
可控硅参数说明及中英文对照表
VGD
Non-triggering gate voltage
门极不触发电压
-
V
VFGM
Peak Forward Gate Voltage
门极正向峰值电压
-
V
VRGM
Peak Reverse Gate Voltage
门极反向峰值电压
-
V
IFGM
Peak ForwardGate Current
门极正向峰值电流
V/uS
(dI/dt)c
Critical rate of decrease of commutating on-state current
通态电流临界上升率
指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。
℃
Tstg
?Storage Temperature Range
贮存温度
-
℃
TL
?Max.Lead Temperature for Soldering Purposes
引脚承受焊锡极限温度
-
℃
Rth(j-mb)
?ThermalResistance Junction to mounting base
热阻-结到外壳
V
VRRM
反向重复峰值电压
在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。
VPP
Non repetitive line peak pulse voltage
最高不重复线路峰值电压
-
v
Visol
引脚到外壳最大绝缘电压
-
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双向可控硅MAC97A6 (SOT23-3L) MAC97A6(SOT23-3L)双向可控硅
n特点:
l先进的平面钝化技术，进一步提高了电压稳固性和可靠性，具有通态压
降低，门极逻辑电平触发，耐电流冲击能力强，全循环交流导通，在所
有四个象限中触发，兼容正栅极触发电路，出色的可靠性和产品质量，
可直接应用IC驱动。
n用途:
l广泛应用于调光、调温、调速等调压电路；微波炉、洗衣机、空调、电
风扇、饮水机、夜明灯等家电的控制电路及用于交流相控、斩波器、逆
变器和变频器等电路；阻性负载；不苛刻的电机负载；虚假触发干扰并
非首要关注点的负载；灯具调光器；电阻加热和照明负载；低成本电器。
n极限参数:
名称符号数值单位条件
重复峰值阻断电压V DRM≥600 V I DRM=20μA
通态均方根电流I T(RMS) 1 A所有导通角
通态浪涌电流I TSM 10 A t=10ms 12 A t=16.7ms
门极峰值电流I GM 1.2 A T j=125℃
结温范围T j－40～125 ℃---
贮存温度T stg－40～150 ℃---
n电特性（T j=25℃）:
名称符号测试条件Min Max Type 单位正向断态峰值电流I RRM T j=125℃V RRM=V DRM---- 0.1 ---- mA 通态峰值电压V TM I TM=6A t=380µs---- 1.5 ---- V
门极触发电流Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ
I GT V D=12V R L =100Ω
---- 5 ---- mA Ⅳ---- 7 ---- mA
门极触发电压V GT V D=12V R L =100Ω---- 2 0.8 V 门极不触发电压V GD V D=1/2 V DRM T J=125℃0.2 ---- ---- V
断态电压临界上升率dV/dt
V DM=67%V DRM
Gate open Tj=110℃
10 ---- ---- V/µs
通态电流临界上升率dI/dt I G=0.2A I T=1A d I G/dt=0.2 A/µs50 A/µs 维持电流I H V D=24V I GT=50m A≤25 mA
SZJBL
1。