贴片可控硅MCR100-6 SOT-23 规格参数

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单向可控硅参数列表MCR100-81A400V

单向可控硅参数列表MCR100-81A400V

单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V参数: 1A 400V可控硅引脚定义可控硅外形象中功率三极管,三个脚定义为阳极A,阴极K,栅极G ,使用时在阳极加正电压,必须在栅极加一个4 伏左右的触发电压才能导通.单向可控硅的型号参数表常用1A/400V 单向可控硅有:MCR100-6MCR100-8BT169TP5GCR3AM常用3A/600V 的单向可控硅的型号有:3CR3AM-12TLC336TLC336TTLC336DTLC336STLC336晶闸管的选用与代换及检测1.晶闸管的选用(1) 选择晶闸管的类型:晶闸管有多种类型,应根据应用电路的具体要求合理选用。

若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等,可选用普通晶闸管。

若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中,应选用双向晶闸管。

若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等,可选用门极关断晶闸管。

若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等,可选用BTG 晶闸管。

若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路,可选用逆导晶闸管。

若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路,可选用光控晶闸管。

2.选择晶闸管的主要参数:晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。

所选晶闸管应留有一定的功率裕量,其额定峰值电压和额定电流(通态平均电流)均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流1. 5〜2倍。

晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路(指门极的控制电路)的各项要求,不能偏高或偏低,否则会影响晶闸管的正常工作。

2.晶闸管的代换晶闸管损坏后,若无同型号的晶闸管更换,可以选用与其性能参数相近的其他型号晶闸管来代换。

贴片可控硅MCR100-6 SOT-23 规格参数

贴片可控硅MCR100-6 SOT-23 规格参数

1单向可控硅 MCR100-6 (SOT-23)MCR100-6(SOT-23)单向可控硅l 特点:l 先进的平面钝化技术,进一步提高了电压稳固性和可靠性,单面台面结构,半循环交流和脉冲直流导通,门极灵敏触发,触发电流一致性佳,耐电流冲击能力强,出色的可靠性和产品质量。

l 用途:n 广泛应用于高压点火电路 - 例如摩托车、燃气用具、电围栏;稳压器- 例如摩托车;安全停机和保护电路 - 例如电子镇流器;断路器、GFCI 、ELCB 、RCD 等;浪涌保护电路 - 例如离线式电源;小型通用电机转速控制 - 例如电动工具、厨房电器。

l 极限参数:l 电特性(T.=25℃):名 称符号 测试条件 Min Max 单位 重复峰值阻断泄漏电流I DRM V D =V DRM ---- 100 μA 通态电压 V TM I T =0.6A ---- 1.7 V 门极触发电流 I GT V D =7V, I T =0.1A ---- 120 μA 门极触发电压 V GT V D =7V, I T =0.1A---- 0.9 V 门极不触发电压 V GD V D =V DRM0.2 ---- V 断态电压临界上升率 dv D /dtV DM =67%V DRM Gate open Tj=110℃10----V/μs名 称 符号 规范值 单位 测试条件 重复峰值阻断电压 V DRM >400 V I DRM =20μA 反向重复峰值电压V DRM >400 V I RRM =50μA 通态电流 I T(RMS) 0.8 A 正弦波,180度 浪涌电流 I TSM 10 A 正弦波,50HZ结温 Tj 125 ℃ ---- 储存温度Tstg-40~150℃----1 2SOT-23,SOT-23-3L31=K 2=G 3=A2015/9/28 Mon 17:31:20共 1 页 第 1 页。

MCR100-6规格书

MCR100-6规格书

MCR100SCR1PLASTIC SILICONCONTROLLED RECTIFIERSDESCRIPTIONPNPN devices designed for high volume, line-powered consumer applications such as relay and lamp drivers, small motor controls, gate drivers for larger thyristors, and sensing and detection circuits.Supplied in an inexpensive plastic TO-92 package which isreladily adaptable for use in automatic insertion equipment.DESCRIPTION*Sensitive Gate Trigger Current - 200µA Maximum *Low Reverse and forward Blocking Current - 100µA Maximum, Tc=125°C*Low Holding Current – 5mA Maximum*Glass-Passivated Surface for Reliability and Uniformity*Also Available with TO-5 or TO-18 Lead Form1:CATHODE 2:GATE 3:ANODETHERMAL CHARACTERISTICSPARAMETERSYMBOL MAX UNIT Thermal Resistance, Junction to Case R £c J C 75°C/W Thermal Resistance, Junction to AmbientR £c J A200°C/WABSOLUTE MAXIMUM RATINGSPARAMETERSYMBOL MAX UNIT Peak Reverse Blocking VoltageMCR100-4MCR100-6MCR100-8V RRM200400600VForward Current RMSI T(RMS)0.8A Peak Forward Surge Current, TA=25°C (1/2 cycle, Sine Wave, 60Hz)I TSM 10A Circuit Fusing Considerations, TA=25°C (t=1 to 8.3 ms)I 2t 0.415A 2s Peak Gate Power – Forward, TA=25°C P GM 0.1W Average Gate Power – Forward, TA=25°CP GF(AV)0.01W Peak Gate Current – Forward, TA=25°C(300µs, 120PPS)I GFM 1A Peak Gate Voltage - ReverseV GRM 5V Operating Junction Temperature Range @ Rated VRRM and VDRMTj -65 to +110°C Storage Temperature Range Tstg-40 to +150°C Lead Solder Temperature (<1/16” from case, 10 s max)230°CMCR100SCRELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=25°C unless otherwise stated)PARAMETER SYMBOL MIN MAX UNITPeak Forward Blocking Voltage(Tc=125°C)MCR100-4MCR100-6MCR100-8VDRM200400600VPeak Forward or Reverse Blocking Current (Rated VDRM or VRRM) Tc=25°CTc=125°C IDRM,IRRM10100µAµAForward “On” Voltage (Note1)(ITM=1A peak @ TA=25°C)VTM 1.7VGate Trigger Current (continuous dc) (Note 2) Tc=25 °C(Anode Voltage=7Vdc, RL=100Ω)IGT200µAGate Trigger Voltage (continuous dc)Tc=25 °C (Anode voltage=7Vdc, RL=100Ω)Tc=-40 °C (Anode Voltage=Rated VDRM, RL=100Ω)Tc=125 °C VGT0.10.81.2VHolding Current Tc=25 °C (Anode Voltage=7Vdc, initiating current=20mA)Tc=-40 °C IH510mANotes:1. Forward current applied for 1 ms maximum duration, duty cycle <=1%2. RGK current is not included in measurement.。

单向可控硅参数列表 MCR100-8 1A400V

单向可控硅参数列表 MCR100-8 1A400V

单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V 单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V参数: 1A 400V可控硅引脚定义可控硅外形象中功率三极管,三个脚定义为阳极A,阴极K,栅极G,使用时在阳极加正电压,必须在栅极加一个4伏左右的触发电压才能导通.单向可控硅的型号参数表常用1A/400V单向可控硅有:MCR100-6MCR100-8BT169TP5GCR3AM常用3A/600V的单向可控硅的型号有:3CR3AM-12TLC336TLC336TTLC336DTLC336STLC336晶闸管的选用与代换及检测1.晶闸管的选用(1)选择晶闸管的类型:晶闸管有多种类型,应根据应用电路的具体要求合理选用。

若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等,可选用普通晶闸管。

若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中,应选用双向晶闸管。

若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等,可选用门极关断晶闸管。

若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等,可选用BTG晶闸管。

若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路,可选用逆导晶闸管。

若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路,可选用光控晶闸管。

2.选择晶闸管的主要参数:晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。

所选晶闸管应留有一定的功率裕量,其额定峰值电压和额定电流(通态平均电流)均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流1.5~2倍。

晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路(指门极的控制电路)的各项要求,不能偏高或偏低,否则会影响晶闸管的正常工作。

2.晶闸管的代换晶闸管损坏后,若无同型号的晶闸管更换,可以选用与其性能参数相近的其他型号晶闸管来代换。

贴片可控硅PCR606 SOT-23规格参数

贴片可控硅PCR606 SOT-23规格参数

1单向可控硅 PCR606 (SOT-23)PCR606(SOT-23)单向可控硅l 特点:l 先进的平面钝化技术,进一步提高了电压稳固性和可靠性,单面台面结构,半循环交流和脉冲直流导通,门极灵敏触发,触发电流一致性佳,耐电流冲击能力强,出色的可靠性和产品质量。

l 用途:n 广泛应用于高压点火电路 - 例如摩托车、燃气用具、电围栏;稳压器- 例如摩托车;安全停机和保护电路 - 例如电子镇流器;断路器、GFCI 、ELCB 、RCD 等;浪涌保护电路 - 例如离线式电源;小型通用电机转速控制 - 例如电动工具、厨房电器。

l 极限参数:l 电特性(T.=25℃):名 称符号 测试条件 Min Max 单位 重复峰值阻断泄漏电流I DRM V D =V DRM ---- 100 μA 通态电压 V TM I T =0.6A ---- 1.7 V 门极触发电流 I GT V D =7V, I T =0.1A ---- 120 μA 门极触发电压 V GT V D =7V, I T =0.1A---- 0.9 V 门极不触发电压 V GD V D =V DRM0.2 ---- V 断态电压临界上升率 dv D /dtV DM =67%V DRM Gate open Tj=110℃10----V/μs名 称 符号 规范值 单位 测试条件 重复峰值阻断电压 V DRM >600 V I DRM =20μA 反向重复峰值电压V DRM >600 V I RRM =50μA 通态电流 I T(RMS) 0.6 A 正弦波,180度 浪涌电流 I TSM 10 A 正弦波,50HZ结温 Tj 125 ℃ ---- 储存温度Tstg-40~150℃----1 2SOT-23,SOT-23-3L31=K 2=G 3=ASZJBL1。

最佳答案

最佳答案

最佳答案MCR100-6单向可控硅特点,先进的玻璃钝化芯片、具有灵敏的控制极触发电流,通态压降低。

用途广泛应用于各种万能开关器、小型马达控制器、彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器激励器、逻辑集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器等线路功率制。

杰宝莱科技供应定做充电器专用可控硅!产品类别:单向可控硅-SCRs器件型号MCR100-6封装形式:TO-92Package→脚位排列:C-G-A主要参数:电流-IT(RMS):0.8A电压-VDRM:≥400V触发电流:IGT:10~30µAIGT:30~60µA元件品牌, 型号MCR100-6 电流0.8(A)电压400(V)触发电流10-30/30-60m(A)结温110(℃).产品型号:MCR100-8产品名称:KCD-MCR100-8产品型号:MCR100-8*元件品牌--韩国KCD*主要用途各种万能开关器,继电器与灯控制,小型马达控制器,漏电保护器,电子镇流器,传感与检测电路,摩托车点火器等线路功率控制。

*封装外形--TO-92*管脚排列--K-G-A*极限值--(Ta=25℃)Tstg—贮存温--------------------------------------40~150℃Tj—结温------------------------------------------65-125℃IT(max)—通态电流--------------------------------- 0.8AITSM—峰值正向浪涌电流(60HZ,正弦波, 1/2周期,)------------------------------- 10AVRRM反向重复峰值电压----------------------------------600VIGT触发电流-------------------------------10-30UA,30-60UA(IGT可根据客户要求订做:10-20,30-40,60-90,70-80,90-120)mac97A6是双向可控硅吗?他的参数是什么?浏览次数:52296次悬赏分:0 |解决时间:2007-3-24 04:39 |提问者:hankking最佳答案97A6 双向触发三极闸流晶体管用途:主要用于变频电路及调光、调速电路等。

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∙型号VRRM(V)VDRM(V)IT(A)IGT(mA/uA) VGT(V) 封装形式MAC97A6 ≥400 ≥400 0.8 3--5 1 TO-92 SOT-8?MAC97A8 ≥600 ≥600 0.8 3--5 1 TO-92 SOT-8?BT131 ≥600 ≥600 1 3--5 0.8 TO-92BT134 ≥600 ≥600 2 3--6 1.8 TO-126BT136 ≥600 ≥600 4 3--6 1.8 TO-220BT137 ≥600 ≥600 8 10--15 1.8 TO-220BT138 ≥600 ≥600 12 12--15 1.8 TO-220BT139 ≥600 ≥600 16 12--15 1.8 TO-220BT151≥600 ≥600 8 1--12 0.8 TO-220如图:主要应用:通用电机控制,取暖和厨房用具,工业和家庭照明等产品。

可控硅/晶闸管特点:晶闸管是一种可控制的整流管,由门极向阴极送出微小信号电流即可触发单向电流自阳极流向阴极。

正面K-G-A. 管脚排列:K-G-A特点: 玻璃钝化芯片、高灵敏的控制极触发电流,低通态压降用途: 应用于各种万能开关器、小型马达控制器、彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器激励器、逻辑集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器等线路∙BT169D ≥400 ≥400 0.8 5-120 0.8 TO-92BT169G ≥600 ≥600 0.8 5-120 0.8 TO-92BTB04 ≥600 ≥600 4 10 1.8 TO-220BTA04 ≥600 ≥600 4 10 1.8 TO-220BTA06 ≥600 ≥600 6 5--50 1.8 TO-220BTB06 ≥600 ≥600 6 5--50 1.8 TO-220BTA08 ≥600 ≥600 8 5--50 1.8 TO-220BTB08 ≥600 ≥600 8 5--50 1.8 TO-220BTA10 ≥600 ≥600 10 25--50 1.8 TO-220BTB10 ≥600 ≥600 10 25--50 1.8 TO-220BTA12 ≥600 ≥600 12 10--50 1.8 TO-220∙品名= 12A四象限双向可控硅(TRIACs)☆型号= BTA12-1000B◇电流= 12.0(A)◇电压= 1000(V)◇结温= 125(℃)◇封装形式= TO-220AB◇管脚排列= T1-T2-G 【主要用途】变频电路,调光、调温、调速电路,电扇、洗衣机、饮水机、微波炉、空调等家用电器的控制电路。

贴片可控硅 BT134 SOT-223 规格参数

贴片可控硅 BT134 SOT-223 规格参数

重复峰值阻断电压
VDRM
≥600
V
通态均方根电流
IT(RMS)
4.0
A
40
A
通态浪涌电流
ITSM
42
A
门极峰值电流
IGM
4.0
A
结温范围
Tj
-40~125

贮存温度
Tstg
-40~150

n 电特性(Tj=25℃):
名称
符号
测试条件
Min
正向断态峰值电流
通态峰值电压 门极触发电流 门极触发电压
Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ Ⅳ
n 用途:
l 广泛应用于调光、调温、调速等调压电路;微波炉、洗衣机、空调、电 风扇、饮水机、夜明灯等家电的控制电路及用于交流相控、斩波器、逆 变器和变频器等电路;阻性负载;不苛刻的电机负载;虚假触发干扰并非首要关注点的负载;灯具调光器;电 阻加热和照明负载;低成本电器。
n 极限参数:
名称
符号
数值
单位
SZJBL
双向可控硅
BT134(SOT-223)
BT134(SOT-223)双向可控硅
n 特点:
l 先进的平面钝化技术,进一步提高了电压稳固性和可靠性,具有通态压 降低,门极逻辑电平触发,耐电流冲击能力强,全循环交流导通,在所 有四个象限中触发,兼容正栅极触发电路,出色的可靠性和产品质量, 可直接应用 IC 驱动。
7
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10
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2
ห้องสมุดไป่ตู้
0.8
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30 ≤10
单位 mA V mA mA V V V/µs
A/µs mA
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单向可控硅 MCR100-6 (SOT-23)
MCR100-6(SOT-23)单向可控硅
l 特点:
l 先进的平面钝化技术,进一步提高了电压稳固性和可靠性,单面台面
结构,半循环交流和脉冲直流导通,门极灵敏触发,触发电流一致性佳,耐电流冲击能力强,出色的可靠性和产品质量。

l 用途:
n 广泛应用于高压点火电路 - 例如摩托车、燃气用具、电围栏;稳压器
- 例如摩托车;安全停机和保护电路 - 例如电子镇流器;断路器、GFCI 、ELCB 、RCD 等;浪涌保护电路 - 例如离线式电源;小型通用电机转速控制 - 例如电动工具、厨房电器。

l 极限参数:
l 电特性(T.=25℃):
名 称
符号 测试条件 Min Max 单位 重复峰值阻断泄漏电流
I DRM V D =V DRM ---- 100 μA 通态电压 V TM I T =0.6A ---- 1.7 V 门极触发电流 I GT V D =7V, I T =0.1A ---- 120 μA 门极触发电压 V GT V D =7V, I T =0.1A
---- 0.9 V 门极不触发电压 V GD V D =V DRM
0.2 ---- V 断态电压临界上升率 dv D /dt
V DM =67%V DRM Gate open Tj=110℃
10
----
V/μs
名 称 符号 规范值 单位 测试条件 重复峰值阻断电压 V DRM >400 V I DRM =20μA 反向重复峰值电压
V DRM >400 V I RRM =50μA 通态电流 I T(RMS) 0.8 A 正弦波,180度 浪涌电流 I TSM 10 A 正弦波,50HZ
结温 Tj 125 ℃ ---- 储存温度
Tstg
-40~150

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1 2
SOT-23,SOT-23-3L
3
1=K 2=G 3=A
2015/9/28 Mon 17:31:20
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