二极管的分类与特性参数(精)
二极管的分类与特性参数
二极管的分类与特性参数二极管是一种最简单的电子器件，它由一个p型半导体和一个n型半导体组成。
它具有一个正向电压下导通的特性，也就是只允许电流从p端流向n端，不允许从n端流向p端。
根据不同的应用需求，二极管可以分为多种类型，每种类型的二极管都有其独特的特性参数。
首先是整流二极管，也称为标准二极管。
整流二极管用来将交流电转换为直流电，常见的有1N4007、这类二极管的特性参数主要包括峰值反向电压（VRRM）、电流（IFAV）、瞬时峰值电流（IFSM）和导通电压（VF）。
其中，VRRM表示二极管可以承受的最大反向电压，IFAV表示二极管的最大平均整流电流，IFSM表示二极管可以承受的最大瞬时反向电流。
导通电压VF则展示了二极管在正向电压下的压降。
其次是稳压二极管，也称为Zener二极管。
稳压二极管用于提供稳定的电压。
它的特性参数主要包括稳压电压（VZ）、稳压电流（IZ）和动态电阻（rZ）。
稳压电压VZ表示二极管正向电压下的稳定值，IZ表示在VZ 下流过的稳压电流，rZ则表示在不同电流下二极管的变化率。
再次是肖特基二极管，也称为Schottky二极管。
肖特基二极管具有快速开关的特性，其特性参数主要包括正向峰值电压（VFM）和正向漏电流（IR）。
正向峰值电压VFM表示肖特基二极管在正向电压下的压降，正向漏电流IR则表示在给定电压下二极管正向导通时的漏电流。
最后是光电二极管，也称为光敏二极管。
光电二极管能将光能转换为电能，其特性参数主要包括光电流（IL）和光电流灵敏度（S）。
光电流IL表示光电二极管在给定光照下的输出电流，光电流灵敏度S则表示光电二极管输出电流和光照强度之间的比例关系。
综上所述，二极管的分类与特性参数多种多样，不同类型的二极管具有不同的应用场景和特点。
通过了解和掌握这些特性参数，可以更好地选择和应用二极管，满足电子器件设计和应用的需求。
二极管的分类及参数(精)
二极管的分类及参数一．半导体二极管的分类半导体二极管按其用途可分为：普通二极管和特殊二极管。
普通二极管包括整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、快速二极管等；特殊二极管包括变容二极管、发光二极管、隧道二极管、触发二极管等。
二.半导体二极管的主要参数1．反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。
在常温下，硅管的IR 为纳安（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。
2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3. 最大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4. 最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5．最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的VRM值可达几千伏。
6. 最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.7．最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的fM 值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。
8．反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上，一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。
也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。
发光二极管特性参数(精)
发光二极管特性参数IF 值通常为 20mA 被设为一个测试条件和常亮时的一个标准电流，设定不同的值用以测试二极管的各项性能参数，具体见特性曲线图。
IF 特性：1. 以正常的寿命讨论，通常标准 IF 值设为 20 － 30mA ，瞬间（ 20ms ）可增至100mA。
2. IF 增大时 LAMP 的颜色、亮度、 VF 特性及工作温度均会受到影响，它是正常工作时的一个先决条件， IF 值增大：寿命缩短、 VF 值增大、波长偏低、温度上升、亮度增大、角度不变，与相关参数间的关系见曲线图；1.VR （ LAMP 的反向崩溃电压）由于 LAMP 是二极管具有单向导电特性，反向通电时反向电流为 0 ，而反向电压高到一定程度时会把二极管击穿，刚好能把二极管击穿的电压称为反向崩溃电压，可以用“ VR ”来表示。
VR 特性：1. VR 是衡量 P/N 结反向耐压特性，当然 VR 赿高赿好；2. VR 值较低在电路中使用时经常会有反向脉冲电流经过，容易击穿变坏；3. VR 又通常被设定一定的安全值来测试反向电流（ IF 值），一般设为 5V ；4. 红、黄、黄绿等四元晶片反向电压可做到 20 － 40V ，蓝、纯绿、紫色等晶片反向电压只能做到 5V 以上。
2.IR （反向加电压时流过的电流）二极管的反向电流为 0 ，但加上反向电压时如果用较精密的电流表测量还是有很小的电流，只不过它不会影响电源或电路所以经常忽略不记，认为是 0 。
IR 特性：1. IR 是反映二极管的反向特性， IR 值太大说明 P/N 结特性不好，快被击穿； IR 值太小或为 0 说明二极管的反向很好；2. 通常 IR 值较大时 VR 值相对会小， IR 值较小时 VR 值相对会大；3. IR 的大小与晶片本身和封装制程均有关系，制程主要体现在银胶过多或侧面沾胶，双线材料焊线时焊偏，静电亦会造成反向击穿，使 IR 增大。
3.IV （ LAMP 的光照强度，一般称为 LAMP 的亮度）指 LAMP 有流过电流时的光强，单位一般用毫烛光（ mcd ）来衡量，由于一批晶片做出的 LAMP 光强均不相同，封装厂商会将其按不同的等级分类，分为低、中、高等多个等级，而 LAMP 的价格也与其亮度大小有关系。
二极管的分类大全
二极管的分类大全一、根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。
包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。
因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。
但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。
因为构造简单,所以价格便宜。
对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。
2、键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。
其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。
与点接触型相比较,虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加,但正向特性特别优良。
多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。
在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
3、合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。
正向电压降小,适于大电流整流。
因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。
4、扩散型二极管在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结。
因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。
最近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
5、台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉。
其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名。
初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。
因此,又把这种台面型称为扩散台面型。
对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。
6、平面型二极管在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。
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Ⅰ的降额因子 Ⅱ的降额因子
参数
Tjmax Tjmax
TJ=TC+P*RTHJC 或
TJ=TA+P*RTHJA
B
95% * 100%
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A 90% 100%
华为电气
二极管应用
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3.4.3器件余量的评估
下面对IR和ST的20A，100V的肖特基进行评
估，其参数如下：
厂家 型号
IFAV TC IR VF
当使用温度较高时，其可以使用的功率余量较大.
内部资料 注意保密
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二极管应用
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对二次电源来说，由于模块本身温度较高， 应选用结温大于150℃的器件，以求得更大的可 用功率余量。
对其他产品，由于选用的器件的结温差别较 大，应根据降额结温的不同从设计方面解决。
3.4.1 热阻Rthja或Rthjc 表征器件散热性能的参数
图1.同一封装并联
图2.不同封装并联
内部资料 注意保密
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二极管应用
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3.3.2.1 解决方法 ①. 选型考虑 如设计时必须要并联使用，首先在选择厂家
时就选用那些VF均匀性好的厂家的器件。
②.降额考虑
从降额方面可以加大降额量，一般加大降 额20％。
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二极管应用
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③.均衡散热
在安装设计时要考虑与热源的相对位置， 最好对称；在散热方面也应尽量平衡，防止外热 引起的不平衡。比如下图的安装，应避免其中一 个管子靠近热源。
从计算来看，IR的参数没有超出极限，还刚好 稍有余量。
在这里只是教给大家一种方法，区别不同厂家 的器件的优缺点，以便学会判断器件的品质。
2c231d二极管的类型 -回复
2c231d二极管的类型-回复二极管是一种电子元件，用于控制电流流向的装置。
它具有正向传导和反向阻止电流的特性，因此在现代电子电路中广泛应用。
以下将详细介绍二极管的类型及其特性。
一、整流二极管（Rectifier Diode）：整流二极管是最基本的二极管类型之一，用于将交流信号转换为直流信号。
它只允许电流在一个方向上通过，当正向电压施加在二极管上时，它能够导通电流，此时称为正向偏置。
反之，当反向电压施加在二极管上时，它会阻止电流通过，此时称为反向偏置。
整流二极管常用于电源电路和通信设备中。
二、肖特基二极管（Schottky Diode）：肖特基二极管是一种具有低压降的二极管，由金属与半导体材料构成。
由于其低电压降特性，肖特基二极管在高频电路和功率电子领域中得到广泛应用。
它具有快速开关速度和低反向漏电流，能够有效地实现频率转换和逆变操作。
三、恒压二极管（Zener Diode）：恒压二极管是一种特殊的二极管，其主要功能是维持在特定电压下的稳定反向压降。
当反向电压达到或超过其额定电压时，恒压二极管会导通电流，此时称为反向击穿。
恒压二极管常用于电源稳压、过电压保护和电压参考等应用中。
四、光电二极管（Photodiode）：光电二极管是一种感光元件，能够将光能转化为电能。
它由半导体材料制成，并具有PN结构。
当光照射到光电二极管上时，光子会激发电子，导致电流的产生。
光电二极管广泛用于光电传感器、光通信、光测量等领域。
五、发光二极管（Light Emitting Diode）：发光二极管是一种能够将电能转化为光能的器件。
它通过半导体材料中的电子与空穴复合发光。
发光二极管分为不同颜色和亮度等级，常见的有红色、绿色和蓝色等。
发光二极管被广泛用于显示器、指示灯、照明等领域。
六、异质结双极型晶体管（Heterojunction Bipolar Transistor）：异质结双极型晶体管是一种高频、高效率的放大器和开关器件。
二极管介绍
3.开关二极管的主要参数5.温度对二极管参数的影响6.二极管的简单检测方法7.稳压管的简单应用电路组成部分将PN 结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成半导体二极管。
P 区引出线为二极管正极，区引出线为二极管负极。
二极管组成与电路符号如下图所示，图中箭头方向为地极管单向导电时的电流方向.+普通二极管符号-稳压二极管符号Dz自由电子P 区与N 区中载流子的扩散运动平衡状态下的PN 结小信号检波的灵敏度高线性好；用于检波和高频电路．反向电流小；允许工作温度高；击穿电压高及热稳定性好；用于整流和逻辑电路．按材料分类结的静电容量发生变化．用于自动频率二极管按用途分类图示出常用硅二极管的伏安特性际表示的是加在二极管两端的电压和流过二极管的电流间的关系。
当电压在零值附近时，电流为零。
当电压为流开始出现（通常将这个正向压称为死区电压）IF 电流明显增大。
当在二极管加上电流随不增加，当时，IR 结被击穿，不具有单向导电性能，这个电压称为击穿电压稳压二极管一般用硅半导体材料制成，与开关二极管有相类似的伏安特性。
当稳压二极管加VZ 反向电压的数值大到一定程度时则击穿，在此击穿区随着IZ 反向电流的变化，而VZ 反向电夺保持基本不变，表现出很好的稳压特性。
只要控制IZ 反向电流不超过一定值，管子不会因过热而损坏。
VVF IRIzt二极管正向特性在环境温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，在室温附近，温度每升高正向压降减少结论：二极管的特性对温度很敏感。
V20℃温度每升高约增大一倍。
温度系数变化1℃稳定电压小于负温度系数，即温度升高稳定电压值下降；稳定电压在大于电压上升；稳压值在u开关整流二极管主要工作参数1.最大整流电流是二极管长期运行是允许通过的最大正向平均电流，其值与及外部散热条件等有关。
在规定散热条件下，二极管正向平均电流若超过此值，则将因结温过高而烧坏。
2.最高反向工作电压是二极管长期运行是允许外加的最大反向电压，若超过此值，二极管有可能因反向击穿而损坏。
二极管种类
二极管的种类
二极管是一种常用的半导体器件，用于控制电流的流动方向。
根据不同的工作原理和结构特点，二极管可以分为多种类型。
下面将介绍几种常见的二极管种类。
1. 功率二极管
功率二极管是一种用于承受高功率的二极管。
它通常具有较大的封装和散热表面，以便有效地散热。
功率二极管通常用于高电压、高电流的电路中，如电源供应器、变流器等。
2. 整流二极管
整流二极管也被称为整流器，用于将交流电信号转换为直流电信号。
整流二极管通常由硅或其他半导体材料制成，具有单向导电性，可以有效地将正负半周波形转换为单向电流。
3. 肖特基二极管
肖特基二极管是一种速度快、开启压低的二极管。
它通常由金属-半导体接面构成，具有较低的开启电压和较快的开启反应速度。
肖特基二极管适用于高频电路和快速开关电路。
4. 光电二极管
光电二极管也称为光敏二极管，是一种能够将光信号转换为电信号的二极管。
光电二极管通常由半导体材料制成，具有灵敏的光电转换效率。
它广泛应用于光通信、光测量等领域。
5. 双极型二极管
双极型二极管是一种同时具有N型和P型半导体材料的二极管。
它具有两个P-N结，可以实现双向导通。
双极型二极管在逻辑电路、放大电路等方面有着广泛的应用。
以上是几种常见的二极管种类，每种类型的二极管都具有不同的用途和特点。
选择适合的二极管种类对电路的性能和稳定性至关重要。
希望以上内容可以对二极管的种类有所了解。
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二极管的分类与参数一、半导体二极管1.1二极管的结构半导体二极管简称二极管，由一个PN 结加上相应的电极引线和管壳构成，其基本结构和符号如图1所示。
图1 二极管的结构及符号1.2 二极管的分类1、根据所用的半导体材料不同，可分为锗二极管和硅二极管。
2、按照管芯结构不同，可分为： （1）点接触型二极管由于它的触丝与半导体接触面很小，只允许通过较小的电流（几十毫安以下），但在高频下工作性能很好，适用于收音机中对高频信号的检波和微弱交流电的整流，如国产的锗二极管2AP 系列、2AK 系列等。
（2）面接触型二极管面接触型二极管PN 结面积较大，并做成平面状，它可以通过较大了电流，适用于对电网的交流电进行整流。
如国产的2CP 系列、2CZ 系列的二极管都是面接触型的。
（3）平面型二极管它的特点是在PN 结表面被覆一层二氧化硅薄膜，避免PN 结表面被水分子、气体分子以及其他离子等沾污。
这种二极管的特性比较稳定可靠，多用于开关、脉冲及超高频电路中。
国产2CK 系列二极管就属于这种类型。
3、根据管子用途不同，可分为整流二极管、稳压二极管、开关二极管、光电二极管及发光二极管等。
1.3 二极管的特性引线外壳线触丝线基片二极管的电路符号：P N 阳极阴极点接触型1、正向特性二极管正向连接时的电路如图所示。
二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就处于导通状态（灯泡亮），如同一只接通的开关。
实际上，二极管导通后有一定的管压降（硅管0.6～0.7V，锗管0.2～0.3V）。
我们认为它是恒定的，且不随电流的变化而变化。
但是，当加在二极管两端的正向电压很小的时候，正向电流微弱，二极管呈现很大的电阻，这个区域成为二极管正向特性的“死区”，只有当正向电压达到一定数值（这个数值称为“门槛电压”，锗二极管约为0.2V，硅二极管约为0.6V）以后，二极管才真正导通。
此时，正向电流将随着正向电压的增加而急速增大，如不采取限流措施，过大的电流会使PN结发热，超过最高允许温度（锗管为90℃～100℃，硅管为125℃～200℃）时，二极管就会被烧坏。
2、反向特性二极管反向连接时的电路如图所示。
二极管的负极接在电路的高电位端，正极接在电路的低电位端，二极管就处于截止状态，如同一只断开的开关，电流被PN结所截断，灯泡不亮。
但是，二极管承受反向电压，处于截止状态时，仍然会有微弱的反向电流（通常称为反向漏电流）。
反向电流虽然很小（锗二极管不超过几微安，硅二极管不超过几十纳安），却和温度有极为密切的关系，温度每升高10℃，反向电流约增大一倍，称为“加倍规则”。
反向电流是衡量二极管质量好坏的重要参数之一，反向电流太大，二极管的单向导电性能和温度稳定性就很差，选择和使用二极管时必须特别注意。
图1-2-7 二极管的正向连接图1-2-8二极管的反向连接当加在二极管两端的反向电压增加到某一数值时，反向电流会急剧增大，这种状态称为二极管的击穿。
对普通二极管来说，击穿就意味着二极管丧失了单向导电特性而损坏了。
3、伏安特性1．在正向电压作用下，当正向电压较小时，电流极小。
而当超过某一值时（锗管约为0.1V，硅管约为0.5V），电流很快增大。
人们习惯地将锗二极管正向电压小于0.1，硅二极管正向电压小于0.5V的区域称为死区。
而将0.1V称为锗二极管的死区电压（又称门槛电压），0.5V 称为硅二极管的死区电压，通常用符号U ON 表示。
当正向电压超过门槛电压时，二极管正向电流急剧增大，二极管呈现很小电阻而处于导通状态。
硅管的正向导通电压约为0.6～0.7 V ，锗管约为0.2～0.3 V 。
2．在反向电压的作用下，当反向电压不大时，反向电流随反向电压的增大而稍有增大，但变化极微小。
当反向电压超过某一值时，反向电流急剧增大。
我们称此物理现象为雪崩击穿（avalanche breakdown ）。
出现击穿的外加电压值，称为击穿电压。
还有一种击穿叫齐纳击穿（zener breakdown ），它的击穿电压不高，不致造成PN 结内部过热以致烧毁，这种现象是可逆的，即当外加电压撤除后，器件的特性可以恢复。
齐纳击穿大多数出现在特殊二极管中，如稳压二极管。
图1-2-9二极管的伏安特性二极管方程： 1.4 主要参数二极管参数是反映二极管性能质量的指标，使用时必须根据二极管的参数合理选用。
1、 最大整流电流 I DM二极管长期工作时，允许流过二极管的最大正向平均电流。
2、 最大反向工作电压U RM二极管正常使用时允许加的最高反向电压值。
超过此值，二极管将有击穿的危险。
击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。
3、最大反向电流 I RM)1(/-=TU U Se I I指二极管加最大反向工作电压时的反向饱和电流。
反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。
反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。
硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。
4、最高工作频率f M保持二极管单向导通性能时，外加电压允许的最高频率。
使用时如果超过此值，二极管的单向导电性能不能很好体现。
二极管工作频率与PN 结的极间电容大小相关，电容越小，工作频率越高。
5、二极管的极间电容二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容C B 和扩散电容C D 。
势垒电容：由PN 结的空间电荷区形成的，又称结电容。
扩散电容：由多数载流子在扩散过程中的积累而引起的。
在P 区有电子的积累，在N 区有空穴的积累。
C B 在正向和反向偏置时均不能忽略。
而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。
正向电流大，积累的电荷多。
这样所产生的电容就是扩散电容CD 。
PN 结高频小信号时的等效电路：图1-2-10二极管的极间电容PN 结正向偏置时，rd 很小，C 较大（主要取决于C D ); PN 结反向偏置时，rd 很大，C 较小（主要取决于C B ). 二极管模型图1-2-11二极管模型硅管：死区电压UT=0.5V ，管压降UD ＝0.6～0.7V ； 锗管：死区电压UT=0.1V ，管压降UD ＝0.2～0.3V 。
理想二极管： UT=0， UD ＝0， rD ＝0二、稳压二极管二极管工作在反向击穿状态时，尽管流经二极管的电流可以在较大范围变UDrD化，但二极管的反向电压却基本不变。
稳压二极管简称稳压管，也是一个二极管，外形也相似。
因为具有稳压作用，故称为稳压管。
2.1稳压二极管的击穿方式二极管的反向击穿：二极管处于反向偏置时，在一定的电压范围内，流过PN结的电流很小，但电压超过某一数值时，反向电流急剧增加，这种现象我们就称为反向击穿。
二极管的正向击穿方式可分为雪崩击穿和齐纳击穿两种方式。
齐纳击穿：高掺杂情况下，耗尽层很窄，宜于形成强电场，而破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚形成电子－空穴对，致使电流急剧增加。
雪崩击穿：如果掺杂浓度较低，不会形成齐纳击穿，而当反向电压较高时，能加快少子的漂移速度，从而把电子从共价键中撞出，形成雪崩式的连锁反应。
上述两种过程属电击穿，是可逆的，当加在稳压管两端的反向电压降低后，管子仍可恢复原来的状态。
但它有一个前提条件，即反向电流和反向电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率，超过了就会因为热量散不出去而使PN结温度上升，直到过热而烧毁，这属于热击穿。
2.2 稳压二极管的参数（1）稳定电压U Z即反向击穿电压，它是稳压管正常工作时管子两端的电压。
由于工艺的原因，即时同一型号的稳压管，U Z的值也不一定相同，半导体手册给出的U Z是一个范围，但对于一个具体的稳压管，U Z是一个确定值。
（2）电压温度系数αZ反映稳定电压值受温度影响的参数，表示温度每升高1℃时稳定电压值的相对变化量。
硅稳压管低于4V时具有负温度系数，高于7V时具有正的温度系数，在4V～7V之间，αZ很小。
稳定性要求较高的场合，一般采用4V～7V之间的稳压管。
稳定性要求更高的场合，可采用温度补偿的稳压管，即正负温度系数的两个二极管串联使用。
（3）动态电阻r Z反向击穿状态下，稳压管两端电压变化量和相应的通过管子电流变化量之比。
r Z的大小反映稳压管性能的优劣。
r Z越小，稳压性能越好。
（4）稳定电流I Z、最大、最小稳定电流I zmax、I zmin。
稳定电流I Z是稳压管正常工作时的电流参考值。
实际电流低于此值，稳压效果略差，高于此值只要不超过最大稳定电流I zmax，电流越大，稳压效果越好，但管子的功耗将增加。
最大、最小稳定电流I zmax、I zmin分别指稳压管具有正常稳压作用时的最大工作电流和最小工作电流。
图2 稳压二极管特性（5）最大允许功耗 稳压管不产生击穿的最大功率损耗，是由管子的温升 决定的参数。
三、发光二极管、光电二极管和变容二极管发光二极管通常用元素周期表中Ⅲ、Ⅴ族元素的化合物，如砷化镓、磷化镓等所制成的，当这种管子通以电流时将发出光来，这是由于电子与空穴直接复合而放出能量的结果。
光电二极管的结构与PN 结二极管类似，但在它的PN 结处，通过管壳上的一个玻璃窗口能接收外部的光照。
这种器件的PN 结在反向偏置状态下运行，它的反向电流随光照强度的增加而上升。
反向电流随光照强度的增加而上升，可将光信号转换为电信号。
变容二极管是利用PN 结之间电容可变的原理制成的半导体器件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。
变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN 结上的反向偏压，即可改变PN 结电容量。
反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的。
光电二极管发光二极管反向电流随光照强度的增加而上升，可将光信号转换为电信号图1-2-16 光电二极管 图1-2-17 发光二极－+maxZ Z ZM I U P =。