第四章半导体存储器
微型计算机系统原理及应用 第4章 半导体存储器
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4．3 半导体只读存储器（ROM）
4.3.1 掩膜式只读存储器ROM ROM制造厂家按用户提供的数据，在芯片制造时
写定。用户无法修改。
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4.3.2 可编程的只读存储器PROM 只能写入一次。
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4.3.3 可编程、可擦除的只读存储器EPROM
1. 紫外线擦除的EPROM 进行照射10～20min，擦除原存信息，成为全1状态。
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2．静态RAM的结构 将多个存储单元按一定方式排列起来，就组成了一个静 态RAM存储器。
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典型的SRAM 6116：2KB，A0~A10，D0~D7形成 128*16*8（每8列组成看作一个整体操作）的阵列
片选CS# 输出允许 OE#
读写控制 WE#
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典型的SRAM芯片6264 (8KB)
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存储器芯片的选用
RAM、ROM区别：
–ROM：ROM用来存放程序，为调试方便，多采用EPROM
–RAM：存储器容量不大，功耗较小时，可采用静态RAM；
系统较大，存储器容量很大，功能和价格成为主要矛盾， 要选择动态RAM，这时要考虑刷新问题。
组成存储器模块时，需要考虑的因素主要有：容
量、速度、负载等：
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2. 双端口RAM举例
CY7C130/131/140/141 1K*8bit高速双端口SRAM A0~A9：地址线 I/O0~I/O7：数据线 CE#：片选 OE#：输出允许线 R/W#：读写控制 BUSY#： INT#：
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存储器的基本组成 半导体存储器的内部结构为例
译码电路： 重合译码方式 存储体：核心。一个 基本存储电路可存入 一个二进制数码
A12 A7 A6 A5 A4 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 Vcc WE CS 2 A8 A9 A 11 OE A 10 CS 1 D7 D6 D5 D4 D3
第4章半导体存储器-4.2高速缓冲存储器Cache
3、存储器管理
虚拟存储器：虚拟存储器是由主存－辅存物理结构和负责信息块 划分以及主存－辅存之间信息调度的存储器管理部件(MMU)的 辅助硬件及操作系统的存储器管理软件所组成的存储系统。 管理方式：页式虚拟存储器、段式虚拟存储器、段页式虚拟 存储器 虚拟地址：能访问虚拟空间的指令地址码称为虚拟地址。 物理地址：实际的主存地址。
地址对准实际上是保证数据的对准。 未对准的数据要在CPU内部经过字节交换，使其在数据线 上对准存储体。 非对准的字要两个总线周期，对相邻的两个字进行两次操 作，在CPU内部经过字节交换，最终完成读写。
№ 13
2、替换策略
先进先出FIFO：选择最早装入快存的页作为被替换 的页； 最近最少使用策略LRU：选择CPU最近最少访问的页 作为被替换的页
AD0 L H L H
读写的字节 两个字节（AD15—AD0） 高字节（AD15—AD8） 低字节 （AD7—AD0） 不读写
如何连接，满足读写一个字节的需要，又能达到读一个字（低 № 10 位字节在偶地址）？
� � � �
1、存储器的奇偶分体 偶地址（从0开始）单元组成偶存储体， 奇地址单元组成奇存储体。 偶体、奇体共同组成16位存储器系统 。 16位读写是从偶体中选中1个单元、 再从地址加1的奇体中选中1个单元同时读写 。
虚地址
…
段式虚拟存储器的映像
3）段页式虚拟存储器
3、段页式虚拟存储器 虚地址
基号
段号
段表 0
页号
页表
页内地址 实地址
段基址表 0 L N-1
段表 段表 长度 基址 ‥ 1 L-1
M
装入 段长 位
页表 下址
实页 装入 号 位
访问 方式
半导体存储器原理
半导体存储器原理半导体存储器是一种利用半导体材料来存储数据的设备，它广泛应用于计算机、通讯设备、消费电子产品等领域。
半导体存储器具有体积小、速度快、功耗低等优点，因此在现代电子设备中占据着重要的地位。
要深入了解半导体存储器的原理，首先需要了解半导体存储器的基本结构和工作原理。
半导体存储器主要分为RAM（随机存储器）和ROM（只读存储器）两大类。
RAM主要用于临时存储数据，其特点是读写速度快，但断电后数据会丢失；而ROM主要用于存储固定数据，其特点是数据不易丢失。
这两种存储器都是基于半导体材料制造而成的，其工作原理是利用半导体材料的导电特性来实现数据的存储和读取。
半导体存储器的基本单元是存储单元，每个存储单元可以存储一个数据位。
在RAM中，存储单元通常由一个存储电容和一个存储晶体管组成。
当需要向存储单元写入数据时，控制电路会向存储电容充放电，从而改变存储单元的电荷状态；当需要读取数据时，控制电路会根据存储单元的电荷状态来判断数据位的数值。
而在ROM中，存储单元通常由一个存储晶体管和一个存储栅组成，其工作原理类似于RAM，只是数据的写入是一次性的，无法修改。
半导体存储器的工作原理可以简单概括为存储单元的电荷状态代表数据的数值，通过控制电路来实现数据的写入和读取。
半导体存储器的读写速度快、功耗低、体积小等优点使其成为现代电子设备中不可或缺的部分。
随着科技的不断进步，半导体存储器的容量不断增加，速度不断提高，功耗不断降低，将会为人类带来更多便利和可能性。
总之，半导体存储器是一种基于半导体材料制造的存储设备，其工作原理是利用半导体材料的导电特性来实现数据的存储和读取。
通过对半导体存储器的工作原理的深入了解，可以更好地理解现代电子设备的工作原理，为相关领域的研究和应用提供理论基础。
随着科技的不断进步，相信半导体存储器将会在未来发展中发挥越来越重要的作用。
半导体存储器的原理
半导体存储器的原理半导体存储器是一种用于存储和检索数据的主要电子器件，常见的半导体存储器包括随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。
半导体存储器的原理是基于半导体材料的导电性能以及电荷在其中的存储能力。
半导体存储器通常由一组存储单元组成，每个存储单元可以存储一个二进制位（bit）的数据。
一个存储单元由一个晶体管和一个电容器构成，晶体管用于控制读或写操作，而电容器则用于存储数据。
在RAM中，存储单元使用晶体管和电容器的组合来存储数据。
每个存储单元有一个控制线（Word Line）和一个位线（Bit Line），通过激活控制线和位线的组合，可以选择和操纵特定的存储单元。
当我们想在RAM中写入数据时，首先要将相关的地址和数据信号传递给RAM芯片，芯片内的控制逻辑根据传递的信号确定要写入的存储单元，然后将数据写入对应的存储单元中。
当需要读取数据时，通过将地址信号传递给RAM芯片，芯片内的控制逻辑会找到对应的存储单元，并将该存储单元中的数据传递给输出引脚。
在ROM中，存储单元包含一个或多个可编程的开关，这些开关用于控制存储单元的导通状态。
在制造ROM芯片时，有选择性地烧写或编程存储单元的导通状态，使得这些开关可以表示不同的二进制位。
一旦存储单元的导通状态确定，它就无法再次改变。
因此，ROM存储的是固化的数据，不可修改。
半导体存储器之所以能够存储和检索数据，是因为半导体材料具有导电性和非易失性。
导电性是指材料在受到电场激励时能够通过电子传导产生电流，这是由于半导体材料中的载流子（电子和空穴）的存在。
非易失性是指数据在断电后仍然保持不变，这是由于存储单元中的电荷在断电后能够保持在电容器中。
通过合理的控制和设计，半导体存储器可以长时间保存数据而不需要持续提供电力。
半导体存储器具有许多优点，例如快速的读写速度、低功耗、体积小、可靠性高等。
这使得半导体存储器在计算机和电子设备中得到了广泛的应用。
例如，RAM 用于计算机的主存储器，可临时保存正在运行的程序和数据，而ROM用于存储系统的基本程序和指令，例如BIOS。
计算机组成原理第四章课后习题及答案唐朔飞完整版
第4章存储器1. 解释概念：主存、辅存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory。
答：主存：主存储器，用于存放正在执行的程序和数据。
CPU可以直接进行随机读写，访问速度较高。
辅存：辅助存储器，用于存放当前暂不执行的程序和数据，以及一些需要永久保存的信息。
Cache：高速缓冲存储器，介于CPU和主存之间，用于解决CPU和主存之间速度不匹配问题。
RAM：半导体随机存取存储器，主要用作计算机中的主存。
SRAM：静态半导体随机存取存储器。
DRAM：动态半导体随机存取存储器。
ROM：掩膜式半导体只读存储器。
由芯片制造商在制造时写入内容，以后只能读出而不能写入。
PROM：可编程只读存储器，由用户根据需要确定写入内容，只能写入一次。
EPROM：紫外线擦写可编程只读存储器。
需要修改内容时，现将其全部内容擦除，然后再编程。
擦除依靠紫外线使浮动栅极上的电荷泄露而实现。
EEPROM：电擦写可编程只读存储器。
CDROM：只读型光盘。
Flash Memory：闪速存储器。
或称快擦型存储器。
2. 计算机中哪些部件可以用于存储信息？按速度、容量和价格/位排序说明。
答：计算机中寄存器、Cache、主存、硬盘可以用于存储信息。
按速度由高至低排序为：寄存器、Cache、主存、硬盘；按容量由小至大排序为：寄存器、Cache、主存、硬盘；按价格/位由高至低排序为：寄存器、Cache、主存、硬盘。
3. 存储器的层次结构主要体现在什么地方？为什么要分这些层次？计算机如何管理这些层次？答：存储器的层次结构主要体现在Cache-主存和主存-辅存这两个存储层次上。
Cache-主存层次在存储系统中主要对CPU访存起加速作用，即从整体运行的效果分析，CPU访存速度加快，接近于Cache的速度，而寻址空间和位价却接近于主存。
主存-辅存层次在存储系统中主要起扩容作用，即从程序员的角度看，他所使用的存储器其容量和位价接近于辅存，而速度接近于主存。
计算机组成原理第4章 存储系统
第四章存储系统4.1概述4.1.1技术指标4.1.2层次结构4.1.3存储器分类存储器是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。
构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。
一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元，均可以存储一位二进制代码。
这个二进制代码位是存储器中最小的存储单位，称为一个存储位或存储元。
由若干个存储元组成一个存储单元，然后再由许多存储单元组成一个存储器。
根据存储材料的性能及使用方法不同，存储器有各种不同的分类方法。
(1)按存储介质分作为存储介质的基本要求，必须有两个明显区别的物理状态，分别用来表示二进制的代码0和1。
另一方面，存储器的存取速度又取决于这种物理状态的改变速度。
目前使用的存储介质主要是半导体器件和磁性材料。
用半导体器件组成的存储器称为半导体存储器。
用磁性材料做成的存储器称为磁表面存储器，如磁盘存储器和磁带存储器。
(2)按存取方式分如果存储器中任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关，这种存储器称为随机存储器。
半导体存储器是随机存储器。
如果存储器只能按某种顺序来存取，也就是说存取时间和存储单元的物理位置有关，这种存储器称为顺序存储器。
如磁带存储器就是顺序存储器，它的存取周期较长。
磁盘存储器是半顺序存储器。
(3)按存储器的读写功能分有些半导体存储器存储的内容是固定不变的，即只能读出而不能写入，因此这种半导体存储器称为只读存储器(ROM)。
既能读出又能写人的半导体存储器，称为随机读写存储器(RAM)。
(4)按信息的可保存性分断电后信息即消失的存储器，称为非永久记忆的存储器。
断电后仍能保存信息的存储器，称为永久性记忆的存储器。
磁性材料做成的存储器是永久性存储器，半导体读写4.2 半导体随机读写存储器主存储器由半导体存储芯片构成，容量较小时可采用SRAM芯片，容量较大时一般采用DRAM芯片。
主存中的固化区采用ROM芯片，包括PROM、EPROM、EEPROM、等。
半导体存储器
半导体存储器半导体存储器，是一种以存储二值信息的大规模集成电路作为存储媒体的存储器，常用于存储程序、常数、原始数据、中间结果和最终结果等数据，是微型计算机的重要记忆元件。
半导体存储器有存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易等优点，主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。
目录∙半导体存储器概述∙半导体存储器分类∙半导体存储器原理∙半导体存储器的指标∙半导体存储器概述o和逻辑运算器一样，半导体存储器同样也是各种电子计算机的关键部件，并且广泛应用于各类通讯和家用电子设备中；如今大到超级计算机和航天飞机，小到手机、语言复读机、各种电子玩具以及智能卡，都用到不同种类的半导体存储器；没有存储记忆功能的数字集成系统芯片(system on chip, SOC)，就像人的大脑失去了记忆，如此可知存储器和逻辑运算器同等重要、缺一不可。
现代半导体存储器的基本特点包括高密度、大容量、高速度、低功耗、低成本、类型多、功能强、用途广，几乎在每种半导体存储器中都采用金属-氧化层-半导体（MOS）工艺，并位于整个MOS芯片制造工艺的前沿。
∙半导体存储器分类o半导体存储器是存储二值信息的大规模集成电路，是现代数字系统的重要组成部分。
半导体存储器分类如下：按制造工艺分，有双极型和MOS型两类。
双极型存储器具有工作速度快、功耗大、价格较高的特点。
MOS型存储器具有集成度高、功耗小、工艺简单、价格低等特点。
按存取方式分，有顺序存取存储器（SAM）、随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）三类。
1.顺序存取存储器（简称SAM）：对信息的存入（写）或取出（读）是按顺序进行的，即具有“先入先出”或“先入后出”的特点。
2.随机存取存储器（简称RAM）：可在任何时刻随机地对任意一个单元直接存取信息。
根据所采用的存储单元工作原理的不同，又将随机存储器分为静态存储器SRAM和动态存储器DRAM。
DRAM存储单元结构非常简单，它所能达到的集成度远高于SRAM。
半导体存储器概述
半导体存储器概述半导体存储器是一种电子设备，用于存储计算机和其他电子设备中的数据。
它是一种非易失性存储器，意味着即使断电也可以保持存储的数据。
本文将对半导体存储器进行概述，包括其基本工作原理、不同类型的半导体存储器以及其在计算机和其他应用中的主要用途。
半导体存储器的基本工作原理是根据半导体上存储器细胞的电荷状态来存储和检索数据。
在半导体存储器中，每个存储器单元称为位（bit）。
位是最小的存储单元，由一个晶体管和一个电容器组成。
晶体管可用于控制电荷的读取和写入，而电容器可用于储存电荷，从而表示存储的数据。
RAM 是一种易失性存储器，意味着当断电时，其中存储的数据将丢失。
然而，RAM 具有快速和随机访问数据的能力，适用于计算机内存。
RAM 可以分为静态RAM（Static RAM，SRAM）和动态RAM（Dynamic RAM，DRAM）两类。
SRAM使用了多个晶体管来构成每个存储单元，能够存储数据的时间更长，但相应地也需要更多的面积。
因此，SRAM内存更快但价格更昂贵，通常用于高速缓存和寄存器文件等需要快速访问的应用。
DRAM使用一个传输线和一个电容来存储一个位。
传输线用于读取和写入数据，电容用于存储电荷。
由于电容器电荷会逐渐泄漏，DRAM需要经常刷新来保持存储的数据，所以在功耗和速度上相对较差。
然而，DRAM的密度更高，价格更低，通常用于计算机的主存储器。
ROM是一种只能读取的存储器，用于存储程序和数据，无法修改。
ROM是非易失性存储器，意味着断电后其中存储的数据不会丢失。
几种常见的ROM包括PROM、EPROM和EEPROM。
PROM（Programmable Read Only Memory）是一种在制造时没有写入数据的 ROM，可以通过电气操作编程或擦除。
EPROM（Erasable Programmable Read Only Memory）是一种可以擦除和重新编程的 ROM，需要 UV 紫外线擦除器来擦除数据。
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第四章半导体存储器(Semi-conductor Memory)主要内容存储介质的类别和特点半导体存储器(ROM/RAM/FLASH)（概念）*半导体存储器连接应用(时序)IBM-PC系列机MEM的内存组织存储大量信息的介质微机系统与接口微机系统结构:存储器与I/O地址总线AB存I/O 输I/O 输储接入设接出设CPU 器口备口备数据总线DB控制总线CB存储器访问：MOV [2000H],AX微机系统与接口系统互联MOV BL,[205AH]重点:处理器与半导体存储器接口电路6264(例)唯一选中单元:读/写D0~D7D0~D7A••••••A 0• ••MPU MemoryA 12WEA 12MEMW 系统芯片OE1CS 1MEMR 译码高位地• •1CS 2电路址信号 •微机系统与接口处理器读写时序--配合--存储器读写时序存储介质的类别和特点存储器（计算机实现大容量记忆功能的核心部件）Æ存储记忆信息（按位存放）•位(BIT)存放--具有记忆功能：•应用：程序/数据信息：读写/数据－按地址顺序编号电路: (锁存器/触发器--寄存器在微处理器内部) •电路:(锁存器/触发器--寄存器在微处理器内部)•磁: 磁化•光: 凹坑(激光反射)光:凹坑(激光反射)•性能:容量、存取速度、成本•内/外部存储器－－高速存储／低速I/O－海量低成本与MPU接口:串/并行Serial/Parallel•微机系统与接口半导体存储器的性能指标容量=字数(存储单元数)×字长==位数(bits)微机（8/16/32/64位字长）兼容8位机==>字节BYTE为单位62C256：（256Kbits ）32K*8B 27C010：1M 位（128K*8Bit ）128KB(字节)其它性能指标可靠性、集成27C210：1M 位（64K*16Bit ）访问一次存储器（对指定单元写入或读出）度、价格等最大存取时间所需要的时间WE# OE#几ns到几百ns 27C512-15Î150nsPC100SDRAM-8:8ns,PC133SDRAM-7ns 微机系统与接口PC100SDRAM 8:8ns, PC133SDRAM 7ns半导体存储器分类根据运行时存取（读写）过程的不同分类掩膜ROM可编程ROM（PROM）UV可擦除PROM（EPROM）只读存储器OTP-ROM(One-Time PROM)快闪ROM（FLASH-ROM:整片/块）PROM（E2PROM）（字节、半导体存储器M ROM电可擦除字节页）SRAMMemory随机存取双极型SRAM（双稳态触发器）NVRAM+SRAM+BATT存储器RAM RAMMOS型DRAM（电容）SDRAMIRAM(EDO,SDRAM,D微机系统与接口RAM(,,DR,RAMBUS….)静态随机存取存储器（SRAM）特点1.基本存储电路主要由R—S触发器构成，其两个稳态分别表示存储内容为“0”或为“1”，电源供电Î存入的数据才可以保存和读出，掉电Î原存信息全部丢失Æ所谓“易失性”（volatile),ÍÎ非挥发(Nonvolatile)2.一个基本存储电路能存储一位二进制数，而一个八位的二进制数则需八个基本存储电路(数据宽度－字长＝８）。
一个容量为M×NB（如64K×8B）的存储器则包含M×N个基本存储电路。
这些大量的基本存储电路有规则地排列在一起便构成了存储体区分不同的存储单元Î每个单元规定一个地址号。
Î读-写(Read-Write)=访问(Access)微机系统与接口Memory D-D N-1 A0-A m-1—RAM 单元工作原理(单选)读/写64K*8B=Select=1& /RD =0)65536CELL*8B三态门开(输出允许) 存储器读操作Select1-Select65536Select=1&/Read=↑锁存输入数据(Select=1选中单元)数据总线单元一组I/O1微机系统与接口n 单元组I/OnRAM 6RAM 6管单元存储电路(双选)(行列选=1选中单元)T1T4T1-T4双稳态电路T1管（A ）的状态表示1/0P227图4.227*29=128*512=65536微机系统与接口T3，T4：负载128+512=640<<65536译码器(Decoder)将每个代码译成一个特定输出的信号的电路---翻译原意编码器(encoder)若干{0,1}(按一定规律)排在一起,编程不同代码的电路2n 单译码A0(0….00)个输出状态n个编码信号A1(0….01)=>Decoder=>(<=Encoder<=)An-1(1….11)微机系统与接口实际(大容量):内部(X/Y)双译码或称复合译码结构。
RAM 存储器芯片举例(P228-6116)HM6116: 16K位=2K*8B —X:7/Y:4(A0-A3) 211微机系统与接口HM6264参数:8K*8B, 100ns,50/100uA, 55mA, 2V(min)维持电压4KB存储器内部结构:行X列Y双译码bit微机系统与接口处理器系统与存储器典型连接6264(例)唯一选中单元:读/写D0~D7D0~D7A 0••••••A 0• ••MPUMemory 芯片1A 12WEA 12MEMW 系统芯片OE1CS 1MEMR 译码高位地• •1CS 2电路址信号•存储器读写时序微机系统与接口处理器读写时序--配合--2CS1#芯片2SRAM芯片外围电路组成地址译码器对外部地址信号译码，用以选择要访问n的单元。
n个地址信号译码maxÎ2个输出状态。
A0-A12Æ213 选择单元片内译码A13A14…A19片选译码片选有效I/O电路：存储器(处理器-读写器)WE（WR）、OE（RD）、CE或CS（译码输出）WE#（WR#）、OE#（RD#）、CE#或CS#（CS#）））I/O1-88位—D0~D7关键：三态输出/写入锁存微机系统与接口存储器: 读时序图补充）(指定地址/WE 有效数据微机系统与接口为高电平存储器:写时序图(补充）指定地址A0-A12(A19)微机系统与接口有效数据8086处理器: 存储器写时序例总线操作信号微机系统与接口T1：输出地址；T2：总线转向；T3:存储器访问；T4:结束例:MOV [789AH], AX动态存储器DRAM原理：利用电容C存放信息0/1。
为保持C中信息（电荷），故需周期性地不断充电，这一过程称为刷新。
刷新周期通常为2ms-8ms。
集成度高（代价：特殊动态（不断）刷新电路）--刷新电路:片外/片(模块)内不同于SRAM单元:R-S触发器构成微机系统与接口单管动态存储电路(单元线)存储单元选中（读/写）:(数据线)行=列=1时存储刷新：逐行存储刷新行进行（1选中：内部进行：刷新内部行刷新放大器重写C ）微机系统与接口示意图动态存储器DRAM集成电路例P230 i2164A：64K*1bit8片构成64KB64K位—16位地址—复用A0-A7行(/RAS)*列（/CAS)双1/2译码结构(！Din/Dout,但无/OE)??μPD424256: 256K*4bit, I/O?片构成512KB; ?片构成512K*16bitGM72V28441 8个4M*4bit 存储体（banks) (P208-209) GM72V56441 4段16M*4 SDRM(P208209)GM72V56441416M*4SDRM微机系统与接口μPD424256（对比P230—2164A)微机系统与接口DRAM地址锁存微机系统与接口DRAM芯片地址复用(Multiplexing)微机系统与接口集成存储芯片(4M-BIT )连接信号微机系统与接口DRAM 读标准时序R:行(RAW)地址C:列(Column)地址Early write cycle Delayed write cycleRead-Modify-Write Cycle写周期:微机系统与接口Read Modify Write Cycle动态存储电路应用FDRAM（伪DRAM）HM65256B，HM65512等（与SRAM脚兼容)，外特性相似，功耗高高速RAM访问方式(改善读写方式为主)EDO DRAM（Extended Data Output）扩展数据输出。
SDRAM(Synchronous DRAM )CPU与RAM通过一相同的时钟(S h DRAM)（PC66，PC100，PC125，PC133,PC150）锁在一起，同步工作;采用双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，读写一时下一准备就绪（紧密切换，成倍提高效率）。
5-8ns(PC100) RDRAM（Rambus接口技术）基于协议的DRAMDDR (Dual Date Rate)SDRAM:在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输微机系统与接口高集成DRAM（RAM Modules）多片集成内存条----DRAM/SDRAMÎDIPSIMM（30P，单边缘：8位数据，3/486机成4条使用）DIMM（72P：32位：486单，P5成双使用）168P64位KMM375S1620BT16M*72bit(条上包括18片16M×4位的SDRAM芯片及一些辅助芯片）184P DDR微机系统与接口特殊RAM:DP -RAMDual Port RAM(DPRAM, P232)CY7C130/131典型双口RAM 微机系统与接口典型双结构图特殊RAM:FIFO-RAM FIFO-RAMCY7C4221:CY7C4221:1K*9同步；4251:8K微机系统与接口特殊RAM:NVRAM NVRAMPseudo NVRAM—P228-229, 6264+Battery微机系统与接口SIMM RAM Module 微机系统与接口SIMMCLK,/CS,CKE(时钟有效),A0-KMM375A11(行列地址RA0-TA11,CA0-CA9),BA0-BA1(Bank 选择地址),S1620BT/RAS,/CAS,/WE,DQM0-7(使输出Hi-Z),REGE(寄存器允许),DQ0-63(数据),CB0-CB8(ECC检验),VDD,VSSDIMM --16M位×72的同步动态RAM （SDRAM）条（条上包括18片16M×4位的SDRAM芯片及一些辅助芯片），引脚图及引脚定义如图5-8，它的工作电压为3.3V ，最高频率可达125MHz 。