第八章半导体存储器

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半导体存储器的工作原理PPT课件

半导体存储器的工作原理PPT课件

存储器芯片
An-1~0 R/W CS
内部存储结构:字片式、位片式
… …
Dm-1~0
电源 地线
第2页/共37页
字片式结构的存储器(64字×8位)
第3页/共37页
• 单译码方式(一维译码):访存地址仅进行一个方 向译码的方式。
• 每个存储单元电路接出一根字线和两根位线。
• 存储阵列的每一行组成一个存储单元,存放一个8位 的二进制字。

读放大器

Cs
读放大器
4.2
0
128
1列
选 择
… … … … …
读放大器
Cs
0 … 63
64 … 127
128 根行线
DIN
数据输入
第21页/共37页
I/O缓冲
127
读/写线
DOUT
输出驱动
⑤ 4116 (16K×1位) 芯片 写 原理

读读读出放放放大大大器器器

Cs
读放大器
4.2
0
128
1列
• 每一根列选择线控制一个读出再生放大器, 128列共有128个读生再生放大器,一列中的 128个存储电路分为两组,每64个存储电路为 一组,两组存储电路的位线分别接入读出再 生 放 大 器 的 两 端 。第23页/共37页
• 存储器的读出
• 行地址经行地址译码选中某一根行线有效, 接通此行上的128个存储电路中的MOS管,使 电容所存信息分别送到128个读出再生放大器 放大。同时,经放大后的信息又回送到原电 路进行重写,使信息再生。
第7页/共37页
位片式结构的存储器芯片(4K×1位)
第8页/共37页
• 4096个存储电路,排列成64×64的阵列。 • 问:需12位地址。 • 分为6位行地址和6位列地址。 • 给地址 行、列译码 选中对应单元

半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第8部分:柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性测试方法-最新国标

半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第8部分:柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性测试方法-最新国标

半导体器件柔性可拉伸半导体器件第8部分:柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性测试方法1 范围本文件描述了用于评价柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性的术语和测试方法。

对测试方法的说明包括了试验流程和所用设备。

本文件还包括环境温度和相对湿度等测试条件的通用要求。

本文件中描述的测试方法侧重于评价稳定性,而不是可靠性。

2 规范性引用文件本文件没有规范性引用文件。

3 术语和定义下列术语和定义适用于本文件。

3.1柔性电阻存储器flexible resistive memory通过改变介电材料的电阻来实现存储功能的柔性器件。

3.2弯曲半径bending radius按内部曲率测量的管道、管材、板材、电缆或软管等材料可弯曲的最小半径。

3.3低阻态resistance of low resistance stateLRS由施加较高电压(单极性转变)或正向偏压(双极性转变)所引发的一种稳定电阻状态。

3.4高阻态resistance of high resistance stateHRS由施加较低电压(单极性转变)或反向偏压(双极性转变)所引发的一种稳定电阻状态。

3.5置位电压set voltage用于转换至低电阻状态的电压。

3.6复位电压reset voltage用于转换至高电阻状态的电压。

总则4测试方法4.1 本文件适用于柔性电阻存储器,用于评价其延展性、柔韧性和稳定性。

这种类型的半导体器件主要用于与柔性或可穿戴相关的电子产品,这些电子产品在使用时通常会被拉伸或弯折。

因此,器件能在机械形变下保持其主要性能参数至关重要。

本标准的第1部分描述了详细的性能参数和测试流程,本文件中的表1汇总了适用于电阻存储器的性能参数和测试流程。

本文件着重于测试延展性、柔韧性和稳定性的试验方法,并包括对试验设置的描述。

机械形变会引发电阻存储器性能退化率增加,是电阻存储器可靠性最显著的问题之一。

这种性能退化是由此类半导体器件所使用的电极和阻变材料中的裂纹造成的。

《半导体存储器》课件

《半导体存储器》课件
04
制造设备
用于将掺杂剂引入硅片。
用于在硅片上生长单晶层 。
掺杂设备 外延生长设备
用于切割硅片。
晶圆切割机
制造设备
光刻机
用于将电路图形转移到硅片上。
刻蚀机
用于刻蚀硅片表面。
镀膜与去胶设备
用于在硅片表面形成金属层或介质层,并去 除光刻胶。
测试与封装设备
用于对芯片进行电气性能测试和封装成最终 产品。
分类
根据存储方式,半导体存储器可分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器( ROM)。
历史与发展
1 2 3
早期阶段
20世纪50年代,半导体存储器开始出现,以晶 体管为基础。
发展阶段
随着技术的进步,20世纪70年代出现了动态随 机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器 (SRAM)。
当前状况
现代半导体存储器已经广泛应用于计算机、移动 设备、数据中心等领域。
物联网和边缘计算
在物联网和边缘计算领域应用半导体存储器,实现高 效的数据存储和传输。
CHAPTER
05
案例分析:不同类型半导体存 储器的应用场景
DRAM的应用场景
01
DRAM(动态随机存取存储器)是一种常用的半导体存储器,广泛应 用于计算机和服务器等领域。
02
由于其高速读写性能和低成本,DRAM被用作主内存,为CPU提供快 速的数据存取。
外延生长
在硅片上生长一层或多 层所需材料的单晶层。
掺杂
通过扩散或离子注入等 方法,将掺杂剂引入硅 片。
制造流程
01
光刻
利用光刻胶将电路图形转移到硅片 上。
镀膜与去胶
在硅片表面形成金属层或介质层, 并去除光刻胶。

随机存储器RAM和顺序存储器

随机存储器RAM和顺序存储器
EPROM的总体结构与PROM的总体结构基本相 同,只是采用了不同工作原理的MOS管作为存储单 元 , EPROM 采 用 了 浮 栅 雪 崩 注 入 MOS 管 (FAMOS管)和叠栅注入MOS管(SIMOS管)、 E2PROM 采用了浮栅隧道氧化层 MOS 管( Flotox 管)、 Flash 采用了闪烁叠栅 MOS 管,它们的最大 区别就在于漏源极之间导电沟道的形成条件不同。
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12
图8.2.9 Flotox管结构图和符号
图8.2.12 闪烁存储器中叠栅 MOS管的结构图和符号
Flotox 管与 SIMOS 管相 似,也是 N 沟道增强型 MOS 管 ,具有隧道效 应。
闪烁存储器由闪烁叠栅 MOS 管 构成,结构与 SIMOS 管相似, 区别在于浮置栅与衬底间氧化层 的厚度不同, EPROM 中的氧化 层厚度一般为 30 ~ 40nm ,而在 闪烁存储器中仅为 10 ~ 15nm 。 功耗低、擦写便捷。
VDD 字线
T
熔丝F 位线 数据线 R D
熔丝的通断状态与是否通电 无关,因为正常工作电压远低 图8.2.5 PROM的基本存储单元 于编程电压。
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8.2.4可擦除的可编程只读存储器
根据擦除手段和条件的不同, EPROM 又可分 为 UVEPROM 、 E2PROM 和 Flash 三 种 , 其 中 UVEPROM常简称为EPROM。
解:(1)
写出各函数的标准与或表达式,按A、B、C、
D顺序排列变量,将Y1、Y2扩展成为四变量逻辑函数。则最 小项表达式为:
Y1 m(2, 3, 4, 5, 8, 9, 14, 15 )
Y2 m(6, 7, 10, 11 , 14, 15 )

半导体存储器

半导体存储器
Erasable PROM)
一、静态RAM
(一)六管静态存 储电路
Q7
Q8
图6-2 静态RAM存储单元电路
(二)静态RAM器件的组成
静态RAM器 件可分成三个部 分,分别是存储 单元阵列、地址 译码器和读/写控 制与数据驱动/缓 冲。一个典型的 静态RAM的示意 图如右图所示。
右图是一个1K×1 位的静态RAM器件的组 成框图。该器件总共可 以寻址1024个单元,每 个单元只存储一位数据。
数据(字操作,使用AD0~AD15),也可以只 传送8位数据(字节操作,使用AD0~AD7或 AD8~AD15)。
仅A0为低电平时,CPU使用AD0~AD7, 这是偶地址字节操作;仅为低电平时,CPU使用 AD8~AD15,这是奇地址字节操作。
若和A0同时为低电平时,CPU对AD0~ AD15操作,即从偶地址读写一个字,是字操作; 如果字地址为奇地址,则需要两次访问存储器。 如下表所示
2、Intel 2114是一个容量为1024×4位的静态 RAM ,Intel 2114是一个容量为1024×4位的静 态RAM其引脚和逻辑符号如下图所示。
引脚图
逻辑符号
(四)静态RAM与CPU的连接
进行静态RAM存储器模块与CPU的连接电路 设计时,需要考虑下面几个问题:
1、CPU总线的负载能力 2、时序匹配问题 3、存储器的地址分配和片选问题 4、控制信号的连接
若存储容量较小,可以 将该RAM芯片的单元阵 列直接排成所需要位数
的形式,每一条行选择 线(X选择线)代表一 个字节,每一条列选择 线(Y选择线)代表字 节的一个位,故通常把
行选择线称为字线,而 列选择线称为位线。
(三)静态RAM的例子
1、Intel 6116是CMOS静态RAM芯片,属双列直 插式、24引脚封装。它的存储容量为2K×8位,其 引脚及功能框图如下图所示。

半导体器件物理教案课件

半导体器件物理教案课件

半导体器件物理教案课件PPT第一章:半导体物理基础知识1.1 半导体的基本概念介绍半导体的定义、特点和分类解释n型和p型半导体的概念1.2 能带理论介绍能带的概念和能带结构解释导带和价带的概念讲解半导体的导电机制第二章:半导体材料与制备2.1 半导体材料介绍常见的半导体材料,如硅、锗、砷化镓等解释半导体材料的制备方法,如拉晶、外延等2.2 半导体器件的制备工艺介绍半导体器件的制备工艺,如掺杂、氧化、光刻等解释各种制备工艺的作用和重要性第三章:半导体器件的基本原理3.1 晶体管的基本原理介绍晶体管的结构和工作原理解释n型和p型晶体管的概念讲解晶体管的导电特性3.2 半导体二极管的基本原理介绍半导体二极管的结构和工作原理解释PN结的概念和特性讲解二极管的导电特性第四章:半导体器件的特性与测量4.1 晶体管的特性介绍晶体管的主要参数,如电流放大倍数、截止电流等解释晶体管的转移特性、输出特性和开关特性4.2 半导体二极管的特性介绍半导体二极管的主要参数,如正向压降、反向漏电流等解释二极管的伏安特性、温度特性和频率特性第五章:半导体器件的应用5.1 晶体管的应用介绍晶体管在放大电路、开关电路和模拟电路中的应用解释晶体管在不同应用电路中的作用和性能要求5.2 半导体二极管的应用介绍半导体二极管在整流电路、滤波电路和稳压电路中的应用解释二极管在不同应用电路中的作用和性能要求第六章:场效应晶体管(FET)6.1 FET的基本结构和工作原理介绍FET的结构类型,包括MOSFET、JFET等解释FET的工作原理和导电机制讲解FET的输入阻抗和输出阻抗6.2 FET的特性介绍FET的主要参数,如饱和电流、跨导、漏极电流等解释FET的转移特性、输出特性和开关特性分析FET的静态和动态特性第七章:双极型晶体管(BJT)7.1 BJT的基本结构和工作原理介绍BJT的结构类型,包括NPN型和PNP型解释BJT的工作原理和导电机制讲解BJT的输入阻抗和输出阻抗7.2 BJT的特性介绍BJT的主要参数,如放大倍数、截止电流、饱和电流等解释BJT的转移特性、输出特性和开关特性分析BJT的静态和动态特性第八章:半导体存储器8.1 动态随机存储器(DRAM)介绍DRAM的基本结构和工作原理解释DRAM的存储原理和读写过程分析DRAM的性能特点和应用领域8.2 静态随机存储器(SRAM)介绍SRAM的基本结构和工作原理解释SRAM的存储原理和读写过程分析SRAM的性能特点和应用领域第九章:半导体集成电路9.1 集成电路的基本概念介绍集成电路的定义、分类和特点解释集成电路的制造工艺和封装方式9.2 集成电路的设计与应用介绍集成电路的设计方法和流程分析集成电路在电子设备中的应用和性能要求第十章:半导体器件的测试与故障诊断10.1 半导体器件的测试方法介绍半导体器件测试的基本原理和方法解释半导体器件测试仪器和测试电路10.2 半导体器件的故障诊断介绍半导体器件故障的类型和原因讲解半导体器件故障诊断的方法和步骤第十一章:功率半导体器件11.1 功率二极管和晶闸管介绍功率二极管和晶闸管的结构、原理和特性分析功率二极管和晶闸管在电力电子设备中的应用11.2 功率MOSFET和IGBT介绍功率MOSFET和IGBT的结构、原理和特性分析功率MOSFET和IGBT在电力电子设备中的应用第十二章:光电器件12.1 光电二极管和太阳能电池介绍光电二极管和太阳能电池的结构、原理和特性分析光电二极管和太阳能电池在光电子设备中的应用12.2 光电晶体管和光开关介绍光电晶体管和光开关的结构、原理和特性分析光电晶体管和光开关在光电子设备中的应用第十三章:半导体传感器13.1 温度传感器和压力传感器介绍温度传感器和压力传感器的结构、原理和特性分析温度传感器和压力传感器在电子测量中的应用13.2 光传感器和磁传感器介绍光传感器和磁传感器的结构、原理和特性分析光传感器和磁传感器在电子测量中的应用第十四章:半导体器件的可靠性14.1 半导体器件的可靠性基本概念介绍半导体器件可靠性的定义、指标和分类解释半导体器件可靠性的重要性14.2 半导体器件可靠性的影响因素分析半导体器件可靠性受材料、工艺、封装等因素的影响14.3 提高半导体器件可靠性的方法介绍提高半导体器件可靠性的设计和工艺措施第十五章:半导体器件的发展趋势15.1 纳米晶体管和新型存储器介绍纳米晶体管和新型存储器的研究进展和应用前景15.2 新型半导体材料和器件介绍石墨烯、碳纳米管等新型半导体材料和器件的研究进展和应用前景15.3 半导体器件技术的未来发展趋势分析半导体器件技术的未来发展趋势和挑战重点和难点解析重点:1. 半导体的基本概念、分类和特点。

随机存储器RAM和顺序存储器

随机存储器RAM和顺序存储器

存储矩阵 32行× 8列× 4位
EN
EN EN
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
EN
D3 ROM 256× 4 D2 D1 D0
列地址译码 A7
EN
输出缓冲器
A6
A5
(a) (b) 图8.2.4 256×4位ROM的逻辑结构框图和逻辑符号图 (a)逻辑结构框图 (b)逻辑符号图
地址线8条,采用双译码方式,存储容量为28=256字;
8.2.2掩模只读存储器
8.2.3可编程只读存储器
8.2.4可擦除的可编程只读存储器
8.2.5用只读存储器实现组合逻辑函数
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5
8.2.1 只读存储器的基本结构和工作原理
A0
Ai
行 地 址 译 码 器
存储矩阵
输 出 缓 冲 器
数 据 输 出
存储矩阵:保存二进制信息,按矩阵形式排列; 地址译码器:用于选定存储单元; 输出缓冲器:对存储矩阵的数据缓冲输出。
A1 A0 ROM 4× 4 D3 D2 D1 D0
D3’ D2’ D1’ D0’
D3 D2 D1
0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 1 0 0 1 0 1 1 0 自动化学院应用电子教学中心
EN
8
A4 A3 A2 A1 A0
行 地 址 译 码
EN
D3 D2 D1 D0
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图8.2.6 FAMOS管结构图和符号
图8.2.7 SIMOS管结构图和符号
FAMOS 管 是 一 个 栅 极 “浮置”于 SiO2 层内的 P沟道增强型MOS管 。

数字电子技术(王连英)5-9章 (4)

数字电子技术(王连英)5-9章 (4)

第8章 半导体存储器 图8.2.3 16×4位RAM
第8章 半导体存储器
8.2.2 SRAM与DRAM 1. SRAM 静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成
的。 它是靠触发器的自保持功能来存储数据的。 SRAM的优点是: 工作稳定、 工作速度快, 使用方便,
不需要附加再生电路; 缺点是: 功耗较大, 集成度较低, 成本较高。 SRAM一般用在小容量存储系统中。
第8章 半导体存储器 图8.2.2 双译码器RAM的结构框图
第8章 半导体存储器
图8.2.3所示的是一个16×4位的RAM。 当CS=0时, RAM芯片被选中, 处于工作状态。 设 A3A2A1A0=0011, 行地址译码线X3有效, 列地址译码器Y0有效, 即共同选中了单元[3, 0]。 若R/W=1, 执行读操作, 将 存储单元[3, 0]中的数据送到I/O数据总线上。 若R/W=0, 执行写操作, 将I/O数据总线上的数据写入存储单元[3, 0] 中。 当CS=1时, 片选无效, 不能对RAM进行读/写操作, 所 有I/O端均为高阻状态。
第8章 半导体存储器
2. DRAM 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理 制成的, 其结构比较简单。 DRAM的优点是: 集成度高、 成本低、 功耗低; 缺点是: 由于MOS管栅极电容上的电荷会因漏电而释放, 即使在电源正 常接通情况下, 也会发生信息丢失, 因此在使用DRAM时必须 附加再生电路, 不断地刷新电容器上的电荷, 给使用带来麻 烦。 DRAM一般用于大容量存储系统中。
第8章 半导体存储器 4. 电擦除可改写ROM(E2PROM E2PROM是一种可在线电擦除和编程的只读存储器, 其存 储单元采用了浮栅隧道氧化层MOS管。 它既有RAM在线可读可 改写的特点, 又具有非易失性存储器ROM在掉电后仍然能保持 所存数据的优点。 写入的数据在常温下至少可以保存10年, 擦除/写入次数为1万次~10万次, 而且既可整片擦除, 也可 按字节擦除。 相比EPROM, 其擦除、 写入速度更快, 操作 更加简单方便。
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6.1 概述
8.1.1 半导体存储器的特点及分类
按制造工艺不同分类: 分成TTL和MOS存储器两大类。 TTL型速度快, MOS型工艺简单、集成度高、功耗低、成本低 等特点。
8.1 概述
8.1.1 半导体存储器的特点及分类 按存储信号的原理不同:
分为静态存储器和动态存储器两种。
?静态存储器 是以触发器为基本单元来存储 0和1的, 在不失电的情况下,触发器状态不会改变;
不带电 -截止 -存1
浮置栅EPROM (a) 浮置栅MOS管的结构 (b)
带负电 -导通 EPROM存储-单存元0
浮置栅 EPROM 出厂时,所有存储单元的 FAMOS管浮置栅都不带电荷, FAMOS管处于截止 状态。
写入信息时,在对应单元的漏极与衬底之间加 足够高的反向电压,使漏极与衬底之间的 PN结产生
PROM的可编程存储单元
3.可擦可编程 ROM(EPROM)
最早出现的是用紫外线照射擦除的 EPROM。 浮 置 栅 MOS 管 ( 简 称 FAMOS 管 ) 的 栅 极 被 SiO2绝缘层隔离,呈浮置状态,故称 浮置栅。 当浮置栅带负电荷时 , FAMOS 管处于 导通 状 态,源极-漏极可看成短路 ,所存信息是 0。 若浮置栅上不带有电荷 ,则FAMOS管截止,源 极-漏极间可视为开路 ,所存信息是 1。
存储器的容量是 2n×m(字线×位线 )。 ROM中的存储体可以由二极管、三极管和 MOS 管来实现。
二极管ROM
字的读出方法
在对应的存储单元内存入的是 1还是0,是由 接入或不接入相应的二极管来决定的。
为了便于表达和设计,通常将பைடு நூலகம் 6-5简化如图6-7 所示。
存储 矩阵
4×4 ROM阵列图
地址译 码器
ROM组成: 地址译码器 存储矩阵 输出电路
ROM结构方框图
8.2 只读存储器(ROM)
1. 固定ROM 地址译码器有 n个输入端,有 2n个输出信息, 每
个输出信息对应一个信息单元,而每个单元存放一 个字 ,共有 2n个字( W0、W1、…W2n-1称为字线)。
每个字有 m位,每位对应从 D0、D1、 …Dm-1输 出(称为位线)。
户无法进行任何修改。
(2)一次性可编程 ROM(PROM)。出厂时,存 储内容全为 1(或全为 0),用户可根据自己的 需要编程,但只能编程一次。
(3)光可擦除可编程 ROM (EPROM )。采用浮 栅技术生产的可编程存储器。其内容可通过紫外 线照射而被擦除,可多次编程。
(4)电可擦除可编程 ROM(E2PROM )。也是采 用浮栅技术生产的可编程 ROM ,但是构成其存 储单元的是隧道 MOS管,是用电擦除,并且擦除 的速度要快的多(一般为毫秒数量级)。 E2PROM 的电擦除过程就是改写过程,它具有 ROM的非易失性,又具备类似 RAM的功能,可 以随时改写(可重复擦写 1万次以上)。
?例如,某存储器能存储1024个字 ,每个字4位, 那它的存储容量就为1024×4=4096,即该存 储器有4096个存储单元。
?存储器写入(存)或者读出(取)时,每次 只能写入或读出一个字。若字长为8位,每 次必须选中8个存储单元。选中哪些存储单 元,由地址译码器的输出来决定。即由地址 码来决定。
? 存储器中二值代码都是以字的形式出现的。一 个字的位数称做 字长。
?例如,16位构成一个字,该字的字长为 16位。 一个存储单元只能存放一位二值代码,要存储字 长为16的一个字,就需要 16个存储单元。若存储 器能够存储 1024个字,就得有 1024×16个存储单 元。
通常,存储容量应表示为字数×位数。
半导体存储器的分类如图所示。
半导体存储器主要是用作微型计算机中的内存 储器,用于存放系统中的程序和数据。此外,也可 用来构成组合逻辑电路。
8.1.2 半导体存储器的主要技术指标:
半导体存储器有两个主要技术指标 ------- 存储容量和存取时间。
1、存储容量: 存储器中存储单元个数叫存储容量,
即存放二进制信息的多少。
二极管ROM
有存储 单元
2.可编程只读存储器( PROM) 在编程前,存储矩阵中的全部存储单元的熔丝
都是连通的,即每个单元存储的都是 1。 用户可根据需要,借助一定的编程工具,将某
些存储单元上的熔丝用大电流烧断,该单元存储的 内容就变为 0,此过程称为编程。
熔丝烧断后不能再接上,故 PROM只能进行一 次编程。
?动态存储器 是用电容存储电荷的效应来存储二值信 号的。电容漏电会导致信息丢失,因此要求定时对 电容进行充电或放电。 称为刷新。动态存储器都 为MOS型。
8.1 概述
8.1.1 半导体存储器的特点及分类
按工作特点不同:
分成只读存储器(Read-Only Memory,简 称ROM)和随机存取存储器(Random Access Memory,简称RAM) 。
?地址码的位数 n与字数之间存在 2n=字数 的 关系。如果某存储器有十个地址输入端, 那它就能存210=1024个字。
2、存取周期
连续两次读(写)操作间隔的最短时 间称为存取周期。
8.2 只读存储器(ROM)
一. ROM的分类 按照数据写入方式特点不同, ROM可分为以下几种: (1)固定ROM。厂家把数据写入存储器中,用
第8章 半导体存储器
8.1 概述 8.2 只读存储器 8.3 随机存取存储器
8.1 概述
数字系统中用于存储大量二进制信息的器件是 存储器。
穿孔卡片 →纸带→磁芯存储器 →半导体存储器 半导体存储器的优点: 容量大、体积小、功耗 低、存取速度快、使用寿命长等。
半导体存储器 是一种由半导体器件构成的能够 存储数据、运算结果、操作指令的逻辑部件。用 于计算机的内存及数字系统存储部件。
(5)快闪存储器( Flash Memory)。也是采用浮 栅型MOS管,存储器中数据的擦除和写入是分开 进行的,数据写入方式与 EPROM 相同,一般一 只芯片可以擦除 /写入100次以上。
8.2 只读存储器(ROM)
1. 固定ROM 只读存储器所存储的内容一般是固定不变的,
正常工作时只能读数,不能写入,并且在断电后不 丢失其中存储的内容,故称为只读存储器。
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