电子电路基础A
《电子电路基础》综合练习题及解答
《电子电路基础》综合练习题及解答北京邮电大学高等函授教育通信技术、计算机技术专业专科（二年级）第一部分习题一.判断题（用√表示正确；用某表示不正确，并改正）（）1、通过半导体中的电流为电子电流与空穴电流之和。
（）2、在本征半导体中掺入少量的磷元素，可以形成N型半导体，它的多子是自由电子。
（）3、PN结内电场方向由P区指向N区，P区的电位要高于N区的电位。
（）4、PN结指的是P型半导体与N型半导体两者交界面处的势垒区。
在无外加电压作用下，其扩散电流和漂移电流两者方向相反、大小相等。
（）5、PN结正向偏置时其结电容以扩散电容为主；反向偏置时以势垒电容为主，它随反向偏压的增大其值减小。
（）6、半导体二极管具有单向导电特性，它的反向电流越小，表明管子的单向导电性越好。
（）7、耗尽型场效应管与增强型场效应管的主要区别，从导电特性来看，当VGS＝0时，ID≠0为增强型管，ID＝0为耗尽型管。
（）8、场效应管与晶体三极管一样，它们都是电流控制的电子器件。
（）9、场效应管与晶体三极管一样，它们只有一种载流子参与导电。
（）10、所谓三极管的等效电路是对计算管子的外部交流电流、电压而言的，对管子内部来说是不等效的。
（）11、一个放大器对信号源影响要小，带负载能力要强，这就要求该放大器的输入电阻和输出电阻都要大才好。
（）12、多级放大器与单级放大器相比，通频带变宽。
（）13、串联负反馈可以减小输入电阻，而并联负反馈可以提高输入电阻。
（）14、负反馈对放大器性能改善的程度主要取决于反馈系数F，与基本放大器的开环增益无关。
（）15、电压负反馈能够稳定输出电压但升高了输出阻抗。
（）16、当输入信号存在失真时，可以采用负反馈来改善波形。
（）17、单级共射放大器幅频波特图中，高频特性的斜率为－10dB/十倍频程；相频波特图中，高频相移最大为－90°，在0.1fh和10fh之间，相位变化的斜率为－90°/十倍频程。
《电子电路基础》习题解答第1章
第一章习题解答题 电路如题图所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出ＡＯ两端的电压ＵＡＯ。
设二极管是理想的。
解：分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。
正偏时硅管的导通压降为～。
锗管的导通压降为～。
理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。
分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”，即：先假设二极管所在支路断开，然后计算二极管的阳极（P 端）与阴极（N 端）的电位差。
若该电位差大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管处于反偏而截止。
如果电路中存在两个以上的二极管，由于每个二极管的开路时的电位差不等，以正向电压较大者优先导通，其二端电压为二极管导通压降，然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。
一般情况下，对于电路中有多个二极管的工作状态判断为：对于阴极（N 端）连在一起的电路，只有阳极（P 端）电位最高的处于导通状态；对于阳极（P 端）连在一起的二极管，只有阴极（N 端）电位最低的可能导通。
图（a ）中，当假设二极管的VD 开路时，其阳极（P 端）电位P U 为-6V ，阴极（N 端）电位N U 为-12V 。
VD 处于正偏而导通，实际压降为二极管的导通压降。
理想情况为零，相当于短路。
所以V U AO 6-=；图（b ）中，断开VD 时，阳极电位V U P 15-=，阴极的电位V U N12-=，∵ N PUU < ∴ VD 处于反偏而截止∴ VU AO 12-=； 图（c ），断开VD1,VD2时∵ V U P 01= V U N 121-= 11N P U U > V U P 152-= V U N 122-= 22N P U U<∴ VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止V U AO 0=；或，∵ VD1，VD2的阴极连在一起∴ 阳极电位高的VD1就先导通，则A 点的电位V U AO 0=，而 A N P U UV U =<-=2215∴ VD2处于反偏而截止 图（d ），断开VD1、VD2，∵ V U P 121-= V U N 01= 11N P U U < V U P 122-= VU N 62-= 22N P U U <；∴ VD1、VD2均处于反偏而截止。
电子电路基础习题册参考答案第一章
电⼦电路基础习题册参考答案第⼀章电⼦电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第⼀章常⽤半导体器件§1-1 晶体⼆极管⼀、填空题1、物质按导电能⼒的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三⼤类，最常⽤的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺⼊的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体⼜称本征半导体，其内部空⽳和⾃由电⼦数相等。
N型半导体⼜称电⼦型半导体，其内部少数载流⼦是空⽳；P 型半导体⼜称空⽳型半导体，其内部少数载流⼦是电⼦。
4、晶体⼆极管具有单向导电性，即加正向电压时，⼆极管导通，加反向电压时，⼆极管截⽌。
⼀般硅⼆极管的开启电压约为0.5 V，锗⼆极管的开启电压约为0.1 V；⼆极管导通后，⼀般硅⼆极管的正向压降约为0.7 V,锗⼆极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗⼆极管开启电压⼩，通常⽤于检波电路，硅⼆极管反向电流⼩，在整流电路及电⼯设备中常使⽤硅⼆极管。
6.稳压⼆极管⼯作于反向击穿区，稳压⼆极管的动态电阻越⼩，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防⽌反向击穿电流超过极限值⽽发⽣热击穿损坏稳压管。
8⼆极管按制造⼯艺不同，分为点接触型、⾯接触型和平⾯型。
9、⼆极管按⽤途不同可分为普通⼆极管、整流⼆极管、稳压⼆极管、开关、热敏、发光和光电⼆极管等⼆极管。
10、⼆极管的主要参数有最⼤整流电流、最⾼反向⼯作电压、反向饱和电流和最⾼⼯作频率。
11、稳压⼆极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所⽰电路中，⼆极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为⽆法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所⽰电路中，⼆极管均为理想⼆极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所⽰电路中，⼆极管是理想器件，则流过⼆极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
电阻、电容、电感基础知识
电子电路基础知识〔转贴〕电子电路基础知识（1）——电阻 m,u w0x h x a i*a q ? c ]导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号r表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用ω、kω、mω表示。
一、电阻的型号命名方法： q z n bm o g o'| r#v k国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。
如r表示电阻，w表示电位器。
第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，t-碳膜、h-合成碳膜、s-有机实心、n-无机实心、j-金属膜、y-氮化膜、c-沉积膜、i-玻璃釉膜、x-线绕。
《家电维修》技术论坛"w5c;y$w/a0f `:k第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。
1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、g-高功率、t-可调。
m1@{/o f2t^1v第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：r t 1 1 型普通碳膜电阻a1} |技术交流|资料下载|图书杂志|家电资讯2a @#i#k n0j/j:x q m二、电阻器的分类1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。
h1d+v g,v#l&^ y+g2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。
3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。
4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。
《家电维修》技术论坛4e#y$^'lh'f b1j5d+p8o-e"q v'u q y0i&o l f v jg.r三、主要特性参数1} [ x)d @+k1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。
电子电路基础
第一章小结一、知识点1、半导体中有电子和空穴两种载流子。
半导体的导电特性与温度、光照等环境因素密切相关。
2、在纯净的半导体（本征半导体）中掺入不同杂质，可以得到两种杂质半导体：P型半导体和N型半导体。
P型半导体中空穴是多数载流子，电子是少数载流子；N型半导体中电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
3、晶体二极管由一个PN结构成，其最主要的特性是单向导电性，即加正向电压时二极管导通，加反向电压时二极管截止。
该特性可由二极管特性曲线准确描述。
选用二极管必须考虑最大整流电流、最高反向工作电压两个主要参数，高频工作时还应考虑最高工作频率。
4、利用二极管的单向导电性可以组成整流电路，实现将交流电转换成脉动直流电的功能。
5、稳压二极管工作于反向击穿状态才能起稳压作用。
这时，即使流过稳压管的电流在很大范围内变化，稳压管两端的电压也几乎不变。
为了保证反向电流不超过允许范围，必须在电路中串接限流电阻。
6、发光二极管将电信号转换为光信号，光电二极管将光信号转换为电信号，光电耦合器可实现“电-光-电”的转换。
光电二极管工作时应加反向电压。
7、变容二极管的结电容随所加反向电压的大小而变化。
8、三极管是一种电流控制器件，它有两个PN结，即发射结和集电结。
三极管在发射结正偏、集电结反偏的条件下，具有电流放大作用；在发射结与集电结均反偏时，处于截止状态，相当于开关断开；在发射结和集电结均正偏时，处于饱和状态，相当于开关闭合。
三极管的放大功能在实际电路中都有广泛应用。
9、三极管的特性曲线反映了三极管各极之间电流与电压的关系。
三极管的参数β表示电流放大能力，I CBO、I CEO表明三极管的温度稳定度，I CM、P CM、U(BR)CEO规定了三极管的安全工作范围。
10、场效应管是一种电压控制器件，其分类如下：结型：『N沟道与P沟道』→属于耗尽型绝缘栅型:N沟道『增强型、耗尽型』 P沟道『增强型、耗尽型』11、场效应管利用栅源极间电压u GS控制漏极电流i D。
电子线路基础知识
电阻元件的定义：任一时刻t，某个二端元件的电压、电流关系
用函数表示，如果元件的伏安特性曲线在任一时刻是一条通过原点的直线，称为线性电阻元件；若为曲线则称为非线性电阻元件
按照伏安特性曲线是否随时间变化又可分为时变电阻和时不变电阻，等等……
线性电阻元件有两种特殊情况，一种是电阻值R为无限大，电压为任何有限值时，其电流总是零，这时就把它称为“开路”；反之另一种情况是电阻为零，电流为任何有限值，其电压总是零，这时便称它为“短路”
【一】在现代化的日常生活中我们几乎天天要和电这个东西打交道，它之所以获得广泛的应用是因为它具有的几个优点：1电能便于转换为其他形式的能量；2便于传输；3还便于控制
在各个电技术领域内，可以通过各种电路来完成各种任务，不同的电路具有不同的功能。电路的种类繁多，其功能的分类方法也很多。然而无论电路结构有多么的不同，它们之间却有着最基本的共性，都遵循着相同的运动规律。
电感元件它们其实都是实际器件的理想化模型。
把绝缘导线绕成线圈就构成了一个电感线圈，当有电流通过时就会在线圈内外建立磁场＜磁场能够存储能量＞并产生磁通。当电流增大时，磁通增大，磁链也增大，这时储存的能量增加；
当电流减小时，磁通减小，磁链也减小，这时储存的磁场能量减少，便把一部分能量释放给电路。
当电流减小为零时，磁通和磁链也相应为零，所以电感线圈也是一种储能的电路器件。
电阻元件有一个重要的特性，就是任意时刻它两端的电压＜或通过的电流＞都是由当前时刻的电流＜或电压＞所决定的，而无过去的电压或电流无关。就是说电阻呢是一种无记忆性元件，或称为即时元件。
还有哦，电流通过电阻时要消耗能量，所以电阻元件是一种耗能元件！
电路基础(电子版)
第1章电路模型及电路定律教学目标(1)理解电路模型，理解电压、电流、参考方向、电功率和额定值的意义。
(2)掌握理想电路元件(如电阻、电容、电感、电压源和电流源)的电压电流关系。
(3)掌握基尔霍夫定律、电位的概念及计算。
1.1电路及电路模型1.1.1(1)(2)1.1.2(也称负载)响应。
)组成，如图)个完整的电路是由电源(或信号源)、负载和中间环节(如开关、导线等)三个基本部分组成的。
各种实际电路的种类和作用不同，规模也相差很大，小到硅片上的集成电路，大到高低压输电网，但都可以分解成以上三大部分。
各种电路中随着电流的流动，都在进行着不同形式能量之间的转换。
在实际应用中，为了便于分析，通常用电路图来表示电路。
在电路图中，各种电气元件都不需要画出原有的形状，而是采用统一规定的图形符号来表示。
图1-1(b)所示就是图1-1(a)所示手电筒的电路原理图。
(a)手电筒实际电路(b)手电筒电路原理图(c)手电筒电路模型图1-1电路模型为便于理论研究，常用与实际电气设备和元器件相对应的理想化元器件构成电路，并用统一规定的符号表示作为实际电路的“电路模型”，如图1-1(c)所示。
本书在进行理论分析时所指的电路，均指这种电路模型。
人们设计制作某种元器件是要利用它的某种物理性质，譬如说，制作一个电阻器是要利用它的电阻，即对电流呈现阻力的性质；制作一个电源是要利用它的两极间能保持有一定电压的性质；制作连接导体是要利用它的优良导电性能，使电流顺利流过。
但是，事实上不可能制造出只表现出某一性质的器件，也就是说，不可能制造出完全理想的器件，例如：(1)一个实际的电阻器在有电流流过的同时还会产生磁场，因而还兼有电感的性质。
(2)一个实际电源总有内阻，因而在使用时不可能总保持一定的端电压。
(3)连接导体总有一点电阻，甚至还有电感。
这样往往给分析电路带来了困难，因此，必须在一定条件下对实际器件加以理想化，忽略它的次要性质，用一个足以表征其主要性能的模型来表示。
《电路理论基础AⅠ》课件
目 录
• 电路理论基础简介 • 电路的基本概念 • 电路的分析方法 • 交流电路的分析 • 一阶动态电路的分析 • 二阶动态电路的分析
01 电路理论基础简介
电路理论的发展历程
19世纪初
电路理论开始萌芽，主要研究简单电 路和电阻元件。
19世纪末
麦克斯韦方程组建立，为电磁场和电 路理论奠定了基础。
计算机工程
计算机硬件设计、 电路板制作、微处 理器设计等。
能源工程
电力系统、电机设 计、可再生能源等 。
学习电路理论的重要性
01
掌握电路的基本原理和 分析方法，为后续电子 类课程打下基础。
02
培养逻辑思维和问题解 决能力，提高综合素质 。
03
为未来从事电子、通信 、计算机等相关领域的 工作提供必要的知识储 备。
详细描述
电流、电压和功率是电路的基本物理量。电流表示单位时间内通过导体的电荷量，电压表示电场中电 位差的大小，功率则表示单位时间内消耗或转换的能量。这些物理量是描述电路状态和进行电路分析 的重要参数。
电路的工作状态
总结词
电路的工作状态分为有载、开路和短路三种 。
详细描述
电路的工作状态可以分为有载、开路和短路 三种。有载状态是指电路中存在正常电流， 且电源向负载提供电能；开路状态是指电路 中无电流流过，负载不工作；短路状态则是 指电流流过电阻较小的导体，导致电源输出 端短路，可能引起严重后果。了解电路的工
描述一阶动态电路输出与输入之间 关系的数学表达式。
03
02
频率响应
描述一阶动态电路对不同频率信号 的响应特性。
极点和零点
描述传递函数特性的参数，影响频 率响应的形状。
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。（增强/减 。（增强/减弱）
二、本征半导体
• 1.本征半导体的载流子是
。电子和空穴
• 2.当本征半导体温度升高时，电子和空穴数目都 增大
• 3.在温度升高时，本征半导体中载流子的数量将 增大
。 。
三、杂质半导体 • 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（ ） • A．晶体缺陷 B．温度 C．杂质浓度 D．掺杂工艺 • 2. 在本征半导体中掺入3价元素就成为（ ）型半导
UE=3V，则该管工作在（ ） • A. 放大区 B. 截止区 C. 饱和区 D. 击穿区
P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。
• 四. N型半导体和 P型半导体载流子特点 • 五. PN结单向导电性及应用 • 1.PN结单向导电性
2.PN结单向导电性的应用 二极管：死区电压=0 .5V，正向压降0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 • 六.三极管工作区域 • 三极管工作状态的偏置条件
体。 • A. P型半导体 B.N型半导体 C.PN结 D.纯净半导体 • 3. 在本征半导体中掺入5价元素就成为（ ）型半导
体。 • A. P型半导体 B.N型半导体 C.PN结 D.纯净半导体
• 四. N型半导体和 P型半导体 • 1、电子为多数载流子的杂质半导体称为 N型 半导体。 • 2、自由电子为N型半导体的 多数 载流子。 • 3、N型半导体多数载流子浓度取决于 掺杂浓度 。 • 4、P型半导体的多数载流子为 空穴 。 • 5 、空穴为多数载流子的杂质半导体称为 P型 半导体。 • 6、P型半导体多数载流子浓度取决于掺杂浓度 。
第一部分 半导体基础导学
一、半导体材料的特点。
1.当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。
2.往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能
力明显增强。 二、本征半导体
载流子特点：本征半导体中存在数量的两种载流子， 即自由电子和。
温度越高，载流子的浓度越高，因此本征半导体的导 电能力越强。温度是影响半导体性能的重要外部因素，这 是半导体的一大特点。
2.PN结单向导电性的应用
vi
例1
+R
vi
DD11
_
DD22 + vo
_
vo
0.7V -0.7V
|vi |<0.7V时，D1、D2截止，所以vo=vi | vi |>0.7V时， D1、D2中有一个导通，所以vo =0.7V vi >0.7V时， vi <-0.7V时两种情况
例2
vi
vo
0.7V -0.7V
• 放大区：要求发射结正偏，集电结反偏。
• 截止区：发射结和集电结均为反向偏置。
• 饱和区：发射结正偏、集电结正偏。
• 七. 判断三极管管型
例题：半导体基础
一、半导体材料的特点。
1.在纯净半导体中掺入 Байду номын сангаас就会使半导体的导电性能增强。(杂
质）
2.环境温度升高时，半导体材料的导电能力会 弱）
3.当半导体材料受光照射时，其导电能力会
• 五. PN结单向导电性及应用 • 1.PN结单向导电性
1. 当PN结外加正向电压时，内外电场方向（ ）。 A.相反 B.相同 C. 不确定 2. 当PN结外加反向电压时，内外电场方向（ ）。 A.相反 B.相同 C. 不确定 3. PN结具有（ ）导电特性。 • A.双向 B.单向 C. 不确定
• 1. 测得三极管发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于 ()
• A. 放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.击穿状态 • 2. 测得三极管发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于
() • A. 放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.击穿状态 • 3. 测得NPN型三极管三个电极的电位分别为UC=3.3V，UB=3.7V，
|vi |<2.7V时，D1、D2截止，所以vo=vi | vi |>2.7V时， D1、D2中导通，所以vo =2.7V
例3
vi
vo
0.7V -0.7V
|vi |<1.4V时，D1、D2截止，所以vo=vi | vi |>1.4V时， 有一支路导通，所以vo =1.4V
• 六.三极管工作区域
• PNP晶体管工作在放大区，三电极电位关系为 • A．UC<UE<UB B. UB<UC<UE C. UC<UB<UE D. UB<UE<UC • NPN晶体管工作在放大区，三电极电位关系为 • A．UC<UE<UB B. UB<UC<UE C. UC<UB<UE D. UE<UB<UC
三、杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导 体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的 某种载流子浓度大大增加。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，
也称为（电子半导体）。
自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载 流子（少子）。
P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也 称为（空穴半导体）。